整理传输矩阵法05011015460001.docx

整理传输矩阵法05011015460001.docx

《整理传输矩阵法05011015460001.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《整理传输矩阵法05011015460001.docx（13页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

整理传输矩阵法05011015460001

传输矩阵法

传输矩阵法概述

1.传输矩阵

在介绍传输矩阵的模型之前，首先引入一个简单的电路模型。

如图1（a）所示,在（a）中若已知A点电压及电路电流，贝賊们只需要知道电阻R,便可求出B点电压。

传输矩阵具有和电阻相同的模型特性。

（b）

图1传输矩阵模型及电路模拟模型

如图1（b）所示，有这样的关系式存在：

B=M（z）Ei。

M（z）即为传输矩阵，它将介质前后空间的电磁场联系起来，这和电阻将A、B两点的电势联系起来的实质是相似的。

图2多层周期性交替排列介质

传输矩阵法多应用于多层周期性交替排列介质（如图2所示），M（z）反映的介质前后空间电磁场之间的关系，而其实质是每层薄膜特征矩阵的乘积，若用Mj表示第j层的特征矩阵，则有：

N

M⑵二…Mj=

如公式

（2）所示，Mj的表示为一个2X2的矩阵形式，其中每个矩阵元都没有任何实际物理意义，它只是一个计算结果，其推导过程将在第二部分给出。

2•传输矩阵法

在了解了传输矩阵的基础上，下面将介绍传输矩阵法的定义：

传输矩阵法是将磁场在实空间的格点位置展开，将麦克斯韦方程组化成传输矩阵形式，变成本征值求解问题。

从其定义可以看出，传输矩阵法的实质就是将麦克斯韦方程转化为传输矩阵，也就是传输矩阵法的建模过程，具体如下：

利用麦克斯韦方程组求解两个紧邻层面上的电场和磁场，从而可以得到传输矩阵，然后将单层结论推广到整个介质空间，由此即可计算出整个多层介质的透射系数和反射系数。

传输矩阵法的特点：

矩阵元少（4个），运算量小，速度快；关键：

求解矩阵元；适用介质：

多层周期性交替排列介质。

传输矩阵的基础理论一一薄膜光学理论

1.麦克斯韦方程组

麦克斯韦方程组由四个场量：

DE、B、H,两个源量：

J、，以及反映它们

之间关系的方程组成。

而且由媒质方程中的参数"■、匚反映介质对电磁场的影响。

方程组的实质是描述电磁场的传播，即:

一个变化的磁场引起邻近区域的电场变化，而此电场的变化又引起邻近磁场的变化，如此进行下去，便可抽象出电磁场的传播。

如图3所示。

H

E

H

E

H

E

H

E

图3

将媒质方程带入麦克斯韦方程组,

电磁场传播的模拟图

并对方程组求解可得以下两个重要结论:

c..

1）

二V（4n-jk

式（4）中，N即为介质的光学导纳，单位为西门子。

特别说明：

光波段时,

J约等于1,N数值上等于折射率。

自由空间导纳

0—=0.00265

377

2.边界条件及反射折射

场均与入射面垂直，则它们的切向分量既是本身。

根据边界条件可得:

1

电磁波在介质交界处满足切向分量连续的边界条件。

垂直入射时，电场和磁

巳二和（卽

h^h^h-j

式（8）中，上标为+的代表入射波，-表示反射波。

又由导纳定义式（4）可

得:

上面讨论的是垂直入射的情况，斜入射时情况类似，只是用修正导纳0、1代替（11）中的N。

、Ni

其实，无论电磁波入射情况如何，电磁波只有两种情况：

一种是电场E平行入射面即丁皿波（P分量），此时电场的切向分量EtgrEcosd（二为入射角），而磁场的切向分量是其本身，因此由（4）式可得:

H=Htg=N（kEtg）=N（kEcost）—（kE）（12）

cosB

将（12）式与（4）式对比可得到P分量的修正导纳，同理可得TE波（S分量）的修正导纳:

N

（13）

cos^

可得一般情况下的反射、透射系数表达式:

n-n01r

n+n01

介质的传光特性可以由反射、

t_2o

（14）o1

透射系数所表征，而由以上讨论可知，这两个

参数与导纳紧紧联系。

因此，求解介质的传光特性就可以转换为求解导纳问题，这也是传输矩阵法所解决的核心问题之一。

其实，传输矩阵法就是通过求得介质的导纳，从而得到介质的反射透射系数。

3•传输矩阵

这一部分将应用薄膜光学理论详细推导介质的传输矩阵，以及如何求得介质导纳，根据第一部分传输矩阵的介绍可以知道，它其实是每层特征矩阵的乘积，所以，这一部分的推导就从单层薄膜的特殊矩阵入手，进而推广到整个介质空间推导出介质的传输矩阵。

d1的单层薄膜过

F面就详细介绍单层薄膜的特殊矩阵。

电磁波通过厚度为

图4电磁波通过单层薄膜

E0

Ni

N2

E2

图5单层薄膜等效为介质面的示意图

薄膜是存在一定厚度的，电磁波从Eo透过薄膜变为E2的过程，与简单的穿

过介质面相比多了个Ei的中间变换，如果可以将Eo和E2通过导纳直接联系起

来，那么薄膜就可以等效为一个介质面（如图5所示），前面所介绍的反射透射公式便可用。

因此，我们第一步完成从薄膜到介质面的等效推导。

令薄膜导纳（介质面1和介质面2的组合导纳）为丫，则可得到薄膜的透射反射系数：

（15）

由式（15）可知，求得丫便可求得r、to

由导纳定义并对薄膜的第一介质面应用边界连续条件可得:

E=EE'EE—

ooo1111

+_

kEo二kE1

Ho=HoH°—=H11H11

Ho二i（kEii-kEG

图4中的E11、E1?

表示刚刚穿过介质面一的瞬时状态。

E12、EQ表示即将穿

过介质面二的瞬时状态。

这两个瞬时状态的唯一不同只是因为薄膜厚度引入的相位因子，即有:

E12=巳浄八1

（19）

kEo=（k巳2疋1

Ho=（k巳2）1「

同理，薄膜的第二介质面有如下关系式:

AA

H2

2!

2

kE12=?

（kE2）

11

kE12（kE2）H2

2212

一1

1

1

k火

1

=

7

21

E21

（23）

[Ik汇

I1

1

I.H2一

〔2

21

1

_!

式（20）、（23）分别表示介质面一、二两侧空间电磁场之间的联系，若将式（23）代入式（20）中相乘，则所得到的结果就表示整个薄膜两侧空间电磁场之间的联系，即：

1

1

1

kE0

11—

eL1

1

2

21

kE2

1II1

lu丨

Ho

一1e1

_e"1

1

1lj1

h2

12

21

1

_!

-

cos1

I

i[Sin,

—sinqkE2

1「〔H2」

COS§〔J2

（24）

从式（24）中得到了第一层的特征矩阵：

-昌i•「

M=cos1—sin1

Mi1

_ipinrcos1

（25）

H°二Y（kEo）

H2“2（lE2）.

（26）

考虑到导纳定义有如式（26）的关系，则可对式（24）进一步化简:

（kEo）y=

-

cos1

I

i1sin「

sin

n

1

cos1

为为膜系的特征方程，则有关系式:

cos

i〔sin

（29）

从而由式（15）可求得单层薄膜的反射、透射系数

广到整个介质空间可得:

（30）

（33）

丄sin「1

nI

1Incos1-

对比式（24）等号左边的形式，由导纳定义可得整个单层薄膜的组合导纳:

式（30）为介质第j层的特征矩阵，需要注意的是特征矩阵的行列式值为1。

由式（32）即可得到整个介质的传输矩阵。

至此，完成了多层介质传输矩阵的建模过程。

值得一提的是，在讨论单层薄膜时，得到单层薄膜的反射率后，若对薄膜的光学厚度H（H=nd，n为薄膜折射率，d为薄膜实际厚度）求导，可得如图6的结果。

从结果中我们可以看出，在厚度为—时，反射率根据折射率的不同可达到最

4

大或最小值。

图6反射率与光学厚度的关系

三、传输矩阵法的应用举例

传输矩阵法的典型应用是对多层周期性交替排列介质的分析，具有这样结构

的器件实例有：

光子晶体、光栅、量子阱结构、DBR吉构器件等。

具体应用过程请参见文献《传输矩阵法分析一维光子晶体的传光特性》

四、小结

阵分析的计算方法。

（2）传输矩阵：

形式为每层特征矩阵的乘积。

（3）典型应用：

多层周期性交替排列介质。

（4）解决问题：

传光特性（R、T）、场强度（E、H）o

注意：

（3）、（4）共同决定传输矩阵法对所研究问题的适用性。

（5）重要结论：

导纳N、折射率定义n,光波段下，导纳无意义，它就是折射率。

（6）传输矩阵的推导（薄膜光学理论）是繁琐的，但实际应用中可忽略推导，直接应用结论式（30）—（35）o

（7）用传输矩阵法求解问题过程：

1）应用已有结论式（30）—（35）建立介质模型并求解：

2）建立实际问题的模型。

3）模型整合。

（8）额外的结论：

薄膜厚度选为一的原因。

4

参考文献

[1]唐晋发，郑权•应用薄膜光学•上海科学技术出版社.1984:

1-51.

[2]贾习坤.基于传偷矩阵法对垂直腔半导体光放大器小信号增益特性的研究.西南交通大

学.2002:

6-13

[3]匡萃方，张志峰.传输矩阵法分析一维光子晶体的传光特性.激光杂志.2003,（24）4:

38-39.