肖特基二极管汇编.docx

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肖特基二极管汇编

肖特基二极管简介

肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。

肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

Schottkydiode（SBD）istheSchottkybarrierdiode,istheinventoroftheSchottkynamedsemiconductordevice.Schottkybarrierdiodeisalowpower,highcurrent,superhighspeedsemiconductordevices,insteadofusingPtypesemiconductorandthen-typesemiconductorcontactformationPNjunctiontheorytomake,buttheuseofmetalsemiconductorcontactformationofmetalsemiconductorjunctionwiththeprincipleofmakingthe.Therefore,SBDisalsoknownasametalsemiconductor（contact）diodeorasurfacebarrierdiode,whichisahotcarrierdiode.

肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管是问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

Schottkydiodeisasemiconductordevice,whichisnamedafteritsinventor（March4,1976-July23,1886）,SBDistheSchottkybarrierdiode（SchottkyBarrierDiode,abbreviatedasSBD）.

SBDdoesnotusethep-typesemiconductorandthen-typesemiconductorcontactformationPNjunctiontheorytomake,buttheuseofmetalsemiconductorcontactformationofmetalsemiconductorjunctionwiththeprincipleofmakingthe.Therefore,SBDisalsoknownasametalsemiconductor（contact）diodeorasurfacebarrierdiode,whichisahotcarrierdiode.

Schottkydiodeistheadventoflowpower,highcurrent,ultrahighspeedsemiconductordevices.Thereverserecoverytimeisveryshort,smalltoafewnanoseconds）andpositiveguidethroughpressuredropofonly0.4%,andrectifiedcurrentcanreachthousandsofMa.Theseexcellentpropertiesarenotcomparabletothefastrecoverydiode.MediumandsmallpowerSchottkyrectifierdiodesaremostlyusedinpackageform.

原理

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基二极管工作原理典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。

用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

Schottkydiodeisametalsemiconductordevice,whichisformedonthesurfaceofthetwoelectrode,whichismadeofN（B）Aasthecathode,andthepotentialbarrierisformedonthecontactsurface.BecausetherearealotofelectronsintheNtypesemiconductor,thereisonlyaverysmallamountoffreeelectronsinthepreciousmetal,sotheelectrondiffusionfromtheBtothelowconcentrationofA.ItisclearthatthereisnoholeinthemetalA,andthereisnodiffusionmotionoftheholefromtheAtotheB.WiththeelectronsfromBtoA,thesurfaceelectronconcentrationofBgraduallydecreases,thesurfaceoftheneutralisdestroyed,sothebarrierisformed,andtheelectricfielddirectionisA>B.Butundertheactionofelectricfield,theelectronsinawillproducedriftmovementfromatoB,thusweakentheduetodiffusivemotionandtheformationoftheelectricfield.Whenthespacechargeregionofacertainwidthissetup,theelectrondriftcausedbytheelectricfieldandtheconcentrationoftheelectrondiffusionmotioncausedbythedifferentconcentrationoftheelectricfieldcanreachtheequilibrium,andSchottkybarrier.TheinternalcircuitstructureoftheSchottkydiodeistypicaloftheinternalstructureoftheSchottkyrectifiertubeisaNtypesemiconductorasthesubstrate,andtheformationoftheN-epitaxiallayerisformedonthesurfaceofarsenic.Theanodeismadeofamaterialsuchasmolybdenumoraluminum.Usingsilicondioxide（SiO2）toremovetheelectricfieldintheedgeregionandincreasethepressurevalueofthetube.TheH-typesubstratehasaverysmallonstateresistance,andthedopingconcentrationis100%timeshigherthanthatoftheNlayer.TheN+cathodelayerisformedonthebaseplate,whichistoreducethecontactresistanceofthecathode.Byadjustingthestructuralparameters,theSchottkybarrierisformedbetweentheNandtheanodemetal,asshowninfig..WhenintheSchottkybarrieratbothendswithforwardbias（metalanodeisconnectedtothepositivepole,n-typesubstrateconnectedwiththecathodeofthepowersupply）,Schottkybarrierlayernarrows,theresistancebecomessmaller;onthecontrary,iftheSchottkybarrieratbothendsandwhenareversebiasvoltage,Schottkybarrierlayeriswider,theresistancebecomeslarge.Insummary,SchottkyrectifierstructureprincipleandPNjunctionrectifiertubehasgreatdifferencewillusuallyPNjunctionrectifiertubecalledajunctionrectifiertube,andthemetal-semiconductortuberectifiertubecalledSchottkyrectifiertube,usingplanarsiliconmanufacturingprocessofAluminumSiliconSchottkydiodeisalsoavailable,whichnotonlycansavepreciousmetals,substantiallyreducecosts,butalsoimprovestheconsistencyofparameter.

特点

SBD的主要优点包括两个方面：

肖特基二极管1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。

SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。

由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。

由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

ThemainadvantageoftheSBDincludestwoaspects:

Schottkydiode1）duetotheSchottkybarrierheightislowerthanthePNjunctionbarrierheight,sothepositiveguidethroughthresholdvoltageandforwardvoltagedroparethanPNjunctiondiodeislow（aboutlow0.2V）.2）sinceSBDisamajoritycarrierconductiondevice,thereisnominoritycarrierlifetimeandreverserecoveryproblem.SBDreverserecoverytimeisonlySchottkybarriercapacitanceofthechargeanddischargetime,completelydifferenttothePNjunctiondiodereverserecoverytime.BecausethereverserecoverychargeofSBDisveryfew,soitisveryfastandtheswitchinglossisverysmall,especiallyforhighfrequencyapplications.However,duetotheSBD'sreversebarrieristhin,anditssurfaceisveryeasytobreakdown,sothereversebreakdownvoltageisrelativelylow.BecauseSBDiseasierthanthethermalbreakdownofPNdiodereverseleakagecurrent,highratioofPNjunctiondiode.

优点

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。

UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。

即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。

因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。

近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力

SBDhastheadvantagesofhighswitchingfrequencyandlowforwardvoltage,butthereversebreakdownvoltageislow,mostlynothigherthan60V,andthehighestisonlyabout100V,whichlimitsitsapplicationrange.Likeintheswitchingpowersupply（SMPS）andpowerfactorcorrection（PFC）circuitinthepowerswitchdevice,thepowerswitchdevice,thetransformersecondarywith100Vabovethehighfrequencyrectifierdiode,RCDbuffercircuitwith1.2kV~600VhighspeeddiodeandPFCboost600Vdiode,etc.,onlyusethefastrecoveryepitaxialdiode（FRED）andultrafastrecoverydiode（UFRD）.UFRDreverserecoverytimeTrrisalsomorethan20ns,simplycannotmeettheneedsofthe1MHz~SMPS3MHzinthefieldssuchasspacestation.EvenhardswitchforSMPS100kHz,duetotheconductionlossandswitchinglossesoftheUFRD,theshellisveryhigh,withalargerheatsink,soastoincreasethevolumeandweightofSMPS,doesnotmeetthedevelopmenttrendofminiaturizationandlight.Therefore,thedevelopmentofhighpressure100VaboveSBD,hasbeenahottopicofresearchandconcern.Inrecentyears,SBDhasmadeabreakthroughinthedevelopmentofhighvoltage150V200VandSBDhasbeenlisted,theuseofnewmaterialsproductionofmorethanSBD1kValsodeveloped,soastoitsapplicationtoinjectnewvigorandvitality.

缺点

肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。

为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。

不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200V。

Schottkydiodethebiggestdrawbackisthereversebiasvoltageandlowreverseleakagecurrentistoolarge,astheuseofsiliconandmetalmaterialoftheSchottkydiode,thereversebiasvoltageratedpressureonlyto50V,whereasthereverseleakagecurrentvalueispositivetemperaturecharacteristics,easilywiththetemperatureandabruptchange,designpracticeontheneedtopayattentiontothethermalrunawayofworries.

Inordertoavoidtheaboveproblems,reversebiasedSchottkydiodeinactualusewillbesmallerthanitsratedvalue.ButSchottkydiodetechnologyalsohasimproved,thereversebiasvoltageratingcanreachthemaximumof200V.

结构

金属导体内部有大量的导电电子。

当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。

在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。

因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。

由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。

而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。

电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。

势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。

在外加电压为零时，电子的扩散电