本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长，拉制的50mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500cm-2，最大为1000cm-2。
硅片纳M微粒清洗洁净新技术
张慧，成立，韩庆福，严雪萍，刘德林，徐志春，李俊
<江苏大学电气与信息工程学院，江苏镇江２１２０１３）
摘要：
随着半导体技术的不断发展，集成电路的线宽正在不断减小，对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。
传统的湿法清洗已经不能满足要求，故必须研发新的微粒清洗方法。
简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法，然后在此基础上分析了几种
硅片制备工艺中纳M微粒的去除新技术，包括低温冷凝喷雾清洗工艺，N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术，以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等。
高阻真空区熔硅单晶的生长
闫萍，陈立强，张殿朝
<中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津３００２２０）
摘要：
介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺，研制出了导电类型为p型，电阻率<3～5）×103Ω·cm及<1～2）×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶，其中电阻率3～5）×103Ω·cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外，还要进行微量的p型区熔掺杂。
单晶直径30～50mm，晶向<111>。
经检测无位错及漩涡缺陷，单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上。
器件制造与应用
GaAsMESFET微波固态振荡器的设计与实现
陈维富，林基明
<桂林电子科技大学通信与信息工程系，广西桂林５４１００４）
摘要：
通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAsMESFET微波固态振荡器。
电路结构简单、工程实用性强，且易于集成化。
由实际测试表明，振荡器的中心频率为4.54GHz，输出功率为14.95dBm，在200KHz下的相位噪声为-124.26dBc/Hz。
SiO2/SiC界面陷阱电荷近似计算的局限
戴振清１，２，杨克武２，杨瑞霞１
<１.河北工业大学微电子研究所，天津３００１３０；
２.中国电子科技集团第十三研究所，石家庄０５００５１）
摘要：
从理论上分析了近似计算所引起的SiC基MOSFET两个重要参数阈值电压和沟道电流的误差。
结果显示，在很多情况下近似计算都会带来很大的误差<>5%），尤其对于沟道电流，在大部分情况下误差很大，只是在少数条件下误差较小<<5%）。
因此，近似计算SiO2/SiC界面陷阱电荷不尽合理，应利用电子在界面态上的分布函数进行准确计算。
GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用
卢东旭１，２，杨克武２，吴洪江２，高学邦２
<１.河北工业大学，天津３００１３０；
２.中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）
摘要：
介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法，详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程，利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaNHEMT器件的I-V特性，并用国外先进仪器测试S参数，准确地建立GaNHEMT器件的非线性模型。
建模结果在ADS软件中得到验证，并用于GaN功率单片的设计中，在生产中起到了一定的指导作用。
PS级任意整形脉冲发生器
赵静
<中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）
摘要：
任意形状激光束需要有一个相应的形状任意可调的电脉冲。
在各种任意脉冲产生技术中，FET行波结构可以达到较好的结果。
采用20节GaAsFET行波结构，300ps的触发脉冲经过多个250ps的延迟，通过计算机控制每个FET状态，实现了输出宽度大于5ns且脉冲的形状任意可调的脉冲信号。
输出脉冲经过滤波和放大，输出幅度达到10V。
工艺技术与材料
多层金属化系统中的蓄水池效应
李秀宇，吴月花，李志国，郭春生，刘朋飞，朱春节
<北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京１０００２２）
摘要：
对于Ｗ通孔多层金属化系统来说，金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大。
设计了12种不同的蓄水池结构，并进行电迁移实验；考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响，得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素。
骨架提取在IC晶片缺陷机器视觉识别中的研究
李政广１，吴黎明１，赖南辉１，王立萍１，程伟涛２
<１.广东工业大学信息工程学院，广州５１０００６；
２.惠州市华阳通用电子有限公司，广东惠州５１６００７）
摘要：
光刻工艺导致的IC晶片制造中缺陷种类多样，丢失物和冗余物缺陷是影响成品率下降的重要原因，其主要造成电路开路和短路。
提出一种基于骨架特征的IC晶片丢失物和冗余物缺陷短路故障机器视觉识别方法，应用细化算法抽取图像骨架，提供了使用多余点及多余端枝删除原则和数学形态学处理算法两种方法得到单像素的优化骨架，采用邻域跟踪法实现电路开路和短路形式识别。
集成电路设计与开发
嵌入式系统中EEPROM接口及控制电路设计
姚亚峰，陈建文，黄载禄
<华中科技大学电子与信息工程系，武汉４３００７４）
摘要：
嵌入式串行EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。
本研究以以太网接口卡芯片中EEPROM的嵌入式应用开发为例，介绍和提供了一种嵌入式系统中串行EEPROM的接口和控制电路的设计方法。
本方法对其他领域EEPROM的嵌入式应用也具有重要的参考意义。
一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究
杨强，周全
<中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）
摘要：
采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器，在DC～20GHz带宽内插入损耗小于3dB，最大衰减量22dB，输入输出端口驻波比小于2.0，衰减动态范围在10dB以内时衰减平坦度小于1dB。
该衰减器采用单电压源控制衰减量变化，控制电压在-2～0V内变化时，控制端口电流的实测值低于5μA，具有显著的低功耗优点。
深亚微MSOC芯片分层设计方法
刘德启，胡忠
<上海交通大学电子工程学院，上海２０００３０）
摘要：
根据深亚微MSOC设计的特点和需求，提出了一种新的基于模块的全芯片分层设计方法，它把系统架构、逻辑设计以及物理实现有机结合到一起。
通过渐进式时序收敛完成芯片的层次规划，并最终达到一次实现芯片级的时序收敛，大大提高了深亚微MSOC设计的效率，并在实际设计之中得到了有效验证。
电压模式ｎ阶ＣＦＡ低通滤波器的设计
吴先明１，２，刘慧１，齐绍忠１，何怡刚１
<１.湖南大学电气与信息工程学院，长沙４１００８２；
２.吉首大学物理科学与信息工程学院，湖南吉首４１６０００）
摘要：
提出了一种仅用电流反馈放大器给出了4阶Butterworth低通滤波器应用示例，经Pspice仿真分析，结果表明，所提出的设计方法可行。
该设计方法具有电路结构简单、元器件数目少等优点。
微/纳工艺、材料与器件
基于MEMS的光开关技术研究
胡剑，李刚炎
<武汉理工大学机电工程学院，武汉４３００７０）
摘要：
介绍了光开关、MEMS和MEMS光开关的基本概念。
基于功能实现，重点分析了二维和三维MEMS光开关的实现机理与特性。
针对两者不足，研究了一维ＭＥＭＳ光开关。
分析了MEMS光开关的驱动方式，并针对静电驱动、二维MEMS光开关，研究了MEMS光开关控制系统。
封装、测试与设备
低压器件的三点式Delta测量法
马金元，张继军
<安阳工学院，河南安阳４５５０００）
摘要：
针对低电压测量中热电势产生的偏移电压，介绍了一种新的低电压测量方法：
三点式Delta测量法。
与传统的方法相比，该方法能完全消除热电势产生的偏移电压，具有精确、高效、简易等特点，可用于低功率器件的某些电参数<如固态纳M级器件的微分电导）测量。
影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究
邢洁１，２，王明湘１，何健２
<１.苏州大学电子信息学院微电子学系，江苏苏州２１５０２１；
２.飞索半导体中国有限公司，江苏苏州２１５０２１）
摘要：
静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。
针对影响放电峰值电流的几个因素：
测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度，研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。
根据研究结果可调整相应参数，保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。
基于LRC放电电路的等效模型，实验结果给出了到满意的定量或定性解释。
功率型LED芯片的热超声倒装技术
李艳玲１，牛萍娟１，郭维廉１，２，刘宏伟１，贾海强３，陈弘３，胡海蓉１
<１.天津工业大学信息与通信工程学院，天津３００１６０；
２.天津大学电子信息工程学院，天津３０００７２；
３.中国科学院物理所，北京１０００８０）
摘要：
结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上。
结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好，证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术。
柔性OLED封装方法的研究
朱彤珺１，李来运２
<1．四川天微电子有限责任公司，成都６１００５４；
２．驻马店广播电视大学机电系，河南驻马店４６３０００）
摘要：
有机电致发光二极管与其他显示器件相比，最大的优势就是可以制备在聚合物基板上，实现柔性显示，但聚合物对水、氧的阻挡能力远不如玻璃。
因此，为了延长柔性OLED器件寿命，就要在柔性器件的基板和盖板上制作薄膜阻挡层，进行有效的封装。
介绍了OLED的封装方式的进展，并提出了一些柔性OLED的封装方案。
升级会员 