几种特殊的晶闸管.docx
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几种特殊的晶闸管
特殊的晶闸管
双向晶闸管TRIAC：
TRIodeACsemiconductorswitch
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?
三端：
TRIode（取前三个字母）
交流半导体开关：
ACsemiconductorswitch
（取前两个字母）
以上两组名词组合成“TRIAC”
中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
双 向：
Bi-directional（取第一个字母）
控 制：
Controlled（取第一个字母）
整流器：
Rectifier（取第一个字母）
再由这三组英文名词的首个字母组合而成:
“BCR”中文译意:
双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:
BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
双 向：
Bi-directional（取第一个字母）
三 端：
Triode（取第一个字母）
由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：
意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。
代表型号如：
PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；
Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：
“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：
三象限/绝缘型/双向可控硅:
BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；
四象限/非绝缘/双向可控硅:
BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；
ST公司所有产品型号的后缀字母（型号最后一个字母）带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:
BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：
PHILIPS公司：
D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，
型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；
PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。
意法ST公司：
TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：
以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明
一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值
从外表上看，双向晶闸管和普通晶闸管很相似，也有三个电极。
但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。
它的符号也和普通晶闸管不同，是把两个晶闸管反接在一起画成的，如图2所示。
它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。
从内部结构来看，双向晶闸管是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件，见图3（a）。
为了便于说明问题，我们不妨把图3（a）看成是由左右两部分组合而成的，如图3（b）。
这样一来，原来的双向晶闸管就被分解成两个P—N—P—N型结构的单向晶闸管了。
如果把左边从下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的话，那么右边从下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成为反向，它们之间正好是一正一反地并联在一起。
我们把这种联接叫做反向并联。
因此，从电路功能上可以把它等效成图3（c），也就是说，一个双向晶闸管在电路中的作用是和两只普通晶闸管反向并联起来等效的。
这也正是双向晶闸管为什么会有双向控制导通特性的根本原因。
双向晶闸管不象普通晶闸管那样，必须在阳极和阴极之间加上正向电压，管子才能导通。
对双向晶闸管来说，无所谓阳极和阴极。
它的任何一个主电极，对图3（b）中的两个晶闸管管子来讲，对一个管子是阳极，对另一个管子就是阴极，反过来也一样。
因此，双向晶闸管无论主电极加上的是正向或是反向电压，它都能被触发导通。
不仅如此，双向晶闸管还有一个重要的特点，这就是：
不管触发信号的极性如何，也就是不管所加的触发信号电压UG对T1是正向还是反向，双向晶闸管都能被触发导通。
双向晶闸管的这个特点是普通晶闸管所没有的。
快速晶闸管
fastswitchingthyristor
可以在400Hz以上频率工作的晶闸管。
视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。
主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。
快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。
快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快，反向恢复电荷少,关断时间短，通态电流临界上升率（dI/dt）及断态电压临界上升率（dV/dt）高。
通态电流临界上升率是在规定条件下，器件从断态转入通态时，对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流上升率；断态电压临界上升率是在规定条件下，器件从断态不致转向通态的最大断态电压上升率。
快速晶闸管在额定频率内其额定电流不随频率的增加而下降或下降很少。
而普通晶闸管在400Hz以上时，因开关损耗随频率的提高而增大，并且在总损耗中所占比重也增加，所以，其额定电流随频率增加而急速下降。
工作原理
快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同，但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。
通常采用增加门极－阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积，提高dI/dt耐量和提高扩展速度；采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命，提高dV/dt耐量,降低关断时间。
80年代，快速晶闸管已做到通态平均电流1000A，耐压2500V，关断时间30微秒。
一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管（中国型号为KG）。
例如KG50（20kHz）,表示该高频管的标称工作频率为20kHz，通态平均电流为50A（20kHz下正弦半波平均电流值）。
80年代中期,中国已能生产KG100（20kHz）和KG200（10kHz），耐压为1～1.2kV的高频晶闸管。
快速晶闸管采取的特殊措施，在一定程度上降低了静态特性（如升高了通态压降），故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。
为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求，开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。
晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：
1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关短状态。
2.晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3.晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
从晶闸管的内部分析工作过程：
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2
当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：
I=（Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,（a1+a2）很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。
当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。
这样强烈的正反馈过程迅速进行。
从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。
晶闸管已处于正向导通状态。
式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。
晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
普通可控硅不能在较高的频率下工作。
因为器件的导通或关断需要一定时间，同时阳极电压上升速度太快时，会使元件误导通；阳极电流上升速度太快时，会烧毁元件。
人们在制造工艺和结构上采取了一些改进措施，做出了能适应于高频应用的可控硅，我们将它称为快速可控硅。
它具有以下几个特点。
一、关断时间（toff）短
导通的可控硅，当切断正向电流时。
并不能马上“关断”，这时如立即加上正向电压，它还会继续导通。
从切断正向电流直到控制极恢复控制能力需要的时间，叫做关断时间。
用t0仟表示。
可控硅的关断过程，实际上是储存载流子的消失过程。
为了加速这种消失过程，制造快速可控硅时采用了掺金工艺，把金掺到硅中减少基区少数载流子的寿命。
硅中掺金量越多，t0仟越小，但掺金量过多会影响元件的其它性能。
二、导通速度快．能耐较高的电流上升率（dI／dt）
控制极触发导通的可控硅。
总是在靠近控制极的阴极区域首先导通，然后逐渐向外扩展，直到整个面积导通。
大面积的可控硅需要50～100微秒以上才能全面积导通。
初始导通面积小时，必须限制初始电流的上升速度，否则将发生局部过热现象，影响元件的性能，甚至烧坏。
高频工作时这种现象更为严重。
为此，仿造了集成电路的方法，在可控硅同一硅片上做出一个放大触发信号用的小可控硅。
控制极触发小可控硅后，小可控硅的初始导通电流将横向经过硅片流向主可控硅阴极，触发主可控硅。
从而实际强触发，加速了元件的导通，提高了耐电流上升率的能力。
三、能耐较高的电压上升率（dv／dt）
可控硅是由三个P—N结组成的。
每个结相当于一个电容器。
结电压急剧变化时，就有很大的位移电流流过元件，它等效于控制极触发电流的作用。
可能使可控硅误导通。
这就是普通可控硅不能耐高电压上升率的原因。
为了有效防止上述误导通现象发生，快速可控硅采取了短路发射结结构。
把阴极和控制极按一定几何形状短路。
这样一来，即使电压上升率较高，可控硅的电流放大系数仍几乎为零，不致使可控硅误导通。
只是在电压上升率进一步提高，结电容位移电流进一步增大，在短路点上产生电压降足够大时，可控硅才能导通。
具有短路发射结结构的可控硅，用控制极电流触发时，控制极电流首先也是从短路点流向阴极。
只是当控制极电流足够大，在短路点电阻上的电压降足够大，PN结正偏导通电流时，才同没有短路发射结的元件一样，可被触发导通。
因此，快速可控硅的抗干扰能力较好。
快速可控硅的生产和应用都进展很快。
目前，已有了电流几百安培、耐压1千余伏，关断时间仅为20微妙的大功率快速可控硅，同时还做出了最高工作频率可达几十千赫兹供高频逆变用的元件。
其产品广泛应用于大功率直流开关、大功率中频感应加热电源、超声波电源、激光电源、雷达调制器及直流电动车辆调速等领域。
逆导晶闸管
逆导晶闸管RCT（Reverse-ConductingThyristir）亦称反向导通晶闸管。
其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。
由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。
例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。
该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。
逆导晶闸管的符号、等效电路如图1（a）、（b）所示。
其伏安特性见图2。
由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（仅坐标位置不同）。
逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司（RCA）生产的S3900MF，其外形见图1（c）。
它采用TO-220封装，三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。
S3900MF的主要参数如下：
断态重复峰值电压VDRM：
＞750V
通态平均电流IT（AV）：
5A
最大通态电压VT：
3V（IT=30A）
最大反向导通电压VTR：
＜0.8V
最大门极触发电压VGT:
4V
最大门极触发电流IGT:
40mA
关断时间toff:
2.4μs
通态电压临界上升率du/dt:
120V/μs
通态浪涌电流ITSM:
80A
利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。
测试内容主要分三项：
1．检查逆导性
选择万用表R×1档，黑表笔接K极，红表笔接A极（参见图3（a）），电阻值应为5～10Ω。
若阻值为零，证明内部二极管短路；电阻为无穷大，说明二极管开路。
2．测量正向直流转折电压V（BO）
按照（b）图接好电路，再按额定转速摇兆欧表，使RCT正向击穿，由直流电压表上读出V（BO）值。
3．检查触发能力
实例：
使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。
依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻，同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR（实际是二极管正向电压VF）。
再用兆欧表和万用表500VDC档测得V（BO）值。
全部数据整理成表1。
由此证明被测RCT质量良好。
注意事项：
（1）S3900MF的VTR＜0.8V，宜选R×1档测量。
（2）若再用读取电流法求出ITR值，还可以绘制反向伏安特性。
以往的城市电车和地铁机车为了便于调速采用直流供电，用直流开关动作增加或减小电路电阻，改变电路电流来控制车辆的速度。
但它有不能平滑起动和加速。
开关体积大、寿命短，而且低速运行时耗电大（减速时消耗在启动电阻上）等缺点。
自有了逆导晶闸管，采用了逆导晶闸管控制、调节车速，不仅克服了上述缺点，而且还降低了功耗，提高了机车可靠性。
逆导晶闸管是在普通晶闸管上反向并联一只二极管而成（同做在一个硅片上。
它的等效电路和符号如图1所示。
它的特点是能反向导通大电流。
由于它的阳极和阴极接入反向并联的二极管，可对电感负载关断时产生的大电流、高电压进行快速释放。
目前已经能生产出耐压达到1500～2500V正向电流达400A。
吸收电流达150A，关断时间小于30微秒的逆导晶闸管。
可关断晶闸管GTO
（GateTurn-OffThyristor）亦称门控晶闸管。
其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。
欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强迫关断。
这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。
可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。
GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。
目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。
大功率GTO大都制成模块形式。
尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。
这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。
GTO的一个重要参数就是关断增益βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式
βoff=IATM/IGM
βoff一般为几倍至几十倍。
βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。
很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。
1．判定GTO的电极
将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。
由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。
2．检查触发能力
首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。
3．检查关断能力
现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2（b）所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。
将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。
4．估测关断增益βoff
进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。
最后根据读取电流法按下式估算关断增益：
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；
K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/n2
此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。
光控晶闸管
光控晶闸管（LightTriggeredThyristor——LTT），又称光触发晶闸管。
国内也称GK型光开关管，是一种光敏器件。
光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。
1．光控晶闸管的结构
通常晶闸管有三个电极：
控制极G、阳极A和阴极C。
而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极（阳极A和阴极C）。
但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成。
当在光控晶闸管的阳极加上正向电压，阴极加上负向电压时，图2（a）的光控晶闸管可以等效成图2（b）的电路。
由图1（b）可推算出下式：
Ia=Il/[1-（a1+a2）]
式中，Il为光电二极管的光电流；Ia为光控晶闸管阳极电流，即光控晶闸管的输出电流；a1、a2分别为BGl、BG2的电流放大系数。
由上式可知，Ia与Il成正比，即当光电二极管的光电流增大时，光控晶闸管的输出电流也相应增大，同时Il的增大，使BGl、BG2的电流放大系数a1、a2也增大。
当al与a2之和接近l时，光控晶闸管的Ia达到最大，即完全导通。
能使光控晶闸管导通的最小光照度，称其为导通光照度。
光控晶闸管与普通晶闸管一样，一经触发，即成通导状态。
只要有足够强度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成为通导状态，而后即使撤离光源也能维持导通，除非加在阳极和阴极之间的电压为零或反相，才能关闭。
3．光控晶闸管的特性
为了使光控晶闸管能在微弱的光照下触发导通，因此必须使光控晶闸管在极小的控制电流下能可靠地导通。
这样光控晶闸管受到了高温和耐压的限制，在目前的条件下，不可能与普通晶闸管一样做成大功率的。
光控晶闸管除了触发信号不同以外，其它特性基本与普通晶闸管是相同的，因此在使用时可按照普通晶闸管选择，只要注意它是光控这个特点就行了。
光控晶闸管对光源的波长有一定的要求，即有选择性。
波长在0.8——0.9um的红外线及波长在1um左右的激光，都是光控晶闸管较为理想的光源。
光控晶闸管运行监控电路图
几种特殊的可控硅及应用
逆导可控硅
以往的城市电车和地铁机车为了便于调速采用直流供电，用直流开关动作增加或减小电路电阻，改变电路电流来控制车辆的速度。
但它有不能平滑起动和加速。
开关体积大、寿命短，而且低速运行时耗电大（减速时消耗在启动电阻上）等缺点。
自有了逆导可控硅，采用了逆导可控硅控制、调节车速，不仅克服了上述缺点，而且还降低了功耗，提高了机车可靠性。
逆导可控硅是在普通可控硅上反向并联一只二极管而成（同做在一个硅片上。
它的等效电路和符号如图1所示。
它的特点是能反向导通大电流。
由于它的阳极和阴极接入反向并联的二极管，可对电感负载关断时产生的大电流、高电压进行快速释放。
目前已经能生产出耐压达到1500～2500V正向电流达400A。
吸收电流达150A，关断时间小于30微秒的逆导可控硅。
程控单结晶体管（PUT）
程控单结晶体管PUT（ProgrammableUniguctionTransistor），又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管，程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能，但因它与单结晶体管的用途相近，故纳入单结管之列。
它与单结晶体管也有重工区别。
单结管一经制成，从外部就无法改变rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等参数值，加之工艺的离散性导致同类单结管的ηV值总会存在一定的偏差，这就给使用带来不便。
程控单结晶体管圆满解决了上述问题，它是用外部电阻R1、R2取代内基极电阻rB1、rB2，只需改变二者的电阻比，即可从外部调整其参数值。
正是由于PUT器件使用灵活，用途广泛，因此颇受使用者欢迎。
PUT器件的外形与小功率晶体管相同，也有金属壳和塑料两种封装形式，见图。
国产型号为BT40、XG901D等，国外典型产品有2N6027、2N6028。
国外还研制成外形尺寸为1.1×1.5×2.9（mm）的超小型程控单结晶体管。
下面介绍其工作原理及检测方法。
1.工作原理
程控单结晶体管的结构、等效电路及符号如下图所示。
它属于PNPN四层、三端、具有负阻特性的半导体器件。
三个引出端分别是阳极A，阴极K，门极G。
门极是从靠近阳极的N型半导体上引出。
PUT等效于由PNP硅管T1和NPN硅管T2构成的互补晶体管。
当VA＞VG+0.7V（0.7V是T1的发射结正向压降VEB）时，T1导通，IC1↑，使T2导通，IC2↑，这就进一步促使T1导通，形成正反馈，导致A-K间电阻急剧下降，呈现负阻特性。
程控单结晶体管与单结晶体管的性能比较见表1。
BT40型主要参数见表2。
程控单结晶体管具有参数可调、触发灵敏度高、漏电流小、脉冲上升时间快（约60ns）、输出功率较大等优点，不仅能构成可控制脉冲波或锯齿
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