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模拟电子技术总结
模拟电子技术总结
篇一：
模拟电子技术基础总结
第一章一、半导体知识1．本征半导体晶体二极管及应用电路·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。
·纯净（纯度7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效+q载流子。
格中的空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：
图1-5，P型：
图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）还存在因；载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
·结是非中性区PN（称空间电荷区）存在由N区指向P区的内建电场和内建电压；，PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的1
多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。
·正偏PN结（P区外接高于N区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN结（P区外接低于N区的电压），在使PN结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流IS。
即PN结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。
·PN结的伏安方程为：
i=IS（ev/VT?
1），其中，在T=300K时，热电压VT26mV。
++·非对称PN结有PN结（P区高掺杂）和PN结（N区高掺杂），PN结主要向低掺杂区域延伸（图1-9）。
二、二极管知识·普通二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极（图1-13）。
·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.3V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si管大得多（图1-15）。
·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻。
Q二极管交流电阻rd定义：
·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工?
di?
rd=?
D?
?
dvD?
?
1作。
二极管交流电阻rd估算：
rd≈VTID·二极管的低频小信号模型就是交流电阻rd，它反映了在工作点Q处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。
·二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）。
三、二极管应用1．单向导电特性应用·整流器：
半波整流（图1-28），全波整流（图P1-8a），桥式整流（图P1-8b）·限幅器：
顶部限幅，底部限幅，双向限幅（图P1-9）·钳位电路*·通信电路中的应用*：
检波器、混频器等2．正向导通特性及应用二极管正向充分导通时只有很小的交流电阻，近似于一个0.7V（Si管）或0.3V（Ge管）的恒压源。
2
3．反向击穿及应用·二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象即反向击穿。
·反向击穿的原因有价电子被碰撞电离而发生的“雪崩击穿”和价电子被场效激发而发生的“齐纳击穿”。
·反向击穿电压十分稳定，可以用来作稳压管（图1-33）。
4．高频时的电容效应及应用·高频工作时，二极管失去单向导电特性，其原因是管内的PN结存在电容效应（结电容）。
·结电容分为PN结内的势垒电容CT与PN结两侧形成的扩散电容CD。
·CT随偏压的增大而增大，CD与正偏电流近似成正比。
·反偏二极管在高频条件下，其等效电路主要是一个势垒电容CT。
利用这一特性的二极管称为变容二极管。
变容二极管在通信电路中有较多的应用。
第二章一、BJT原理双极型晶体三极管（BJT）·双极
型晶体管（BJT）分为NPN管和PNP管两类（图2-1，图2-2）。
·当BJT发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。
在放大偏置时，NPN管满足VCVBVC；PNP管满足VCVBVE。
vBE/VTvEB/VTi·放大偏置时，作为PN结的发射结的VA关系是：
E=IESe（NPN）iE=IESe，（PNP）。
·在BJT为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流iE将几乎转化为集电流iC，而基极电流较小。
α=·在放大偏置时，定义了iCNiE（iCN是由iE转化而来的iC分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：
iC=αiE+ICBOiC=βiB+（1+β）ICBO=βiB+ICEO3
β=其中1?
α，ICEO是集电结反向饱和电流，ICEO=（1+β）ICBO是穿透电流。
α·放大偏置时，在一定电流范围内，iE、iC、iB基本是线性关系，而vBE对三个电流都是指数非线性关系。
·放大偏置时：
三电极电流主要受控于vBE，而反偏vCB通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。
影响的规律是；集电极反偏增大时，IC，IE增大而IB减小。
·发射结与集电结均反偏时BJT为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT为饱和状态。
二、BJT静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。
BJT常用CE伏安特性曲线，其画法是：
输入特性曲线：
iB=f（vBE）ViB=f（vCE）ICE常数（图2-13）输出特性曲线：
B常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。
·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映β近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。
·当温度增加时，会导致β增加，ICBO增加和输入特性曲线左移。
三、BJT主要参数α=lim?
iC?
→0?
iE·电流放大系数：
直流β，直流α；交流β=limQ和?
iC?
→0?
iBQ，α、β也β=满足α1?
α。
·极间反向电流：
集电结反向饱和和电流ICBO；穿透电流ICEO·极限参数：
集电极最大允许功耗PCM；基极开路时的集电结反向击穿电压BVCEO；集电极最大允许电流ICM·特征频率fT4
BJT小信号工作，当频率增大时使信号电流ic与ib不同相，也不成比例。
若用相量&&&&&&表示为Ic，IB，则β=IcIB称为高频β。
fT是当高频β的模等于1时的频率。
四、BJT小信号模型·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT内部的vBE的正向控制过程产生集电极电流的相应变化，（iC出现信号电流ic）ic在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。
·当发射结上交流电压|vbe|≤5mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。
，模型中·BJT混合π小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28）有七个参数：
基本参数：
基区体电阻rbb′，由厂家提供、高频管的rbb′比低频管小rb′e=（1+β）VT=（1+β）reIE，re——发射结交流电阻基区复合电阻rb′e：
估算式：
跨导gm：
估算gm=IC/VT===38.5IC（ms）[rb′e,gm关系:
β=rb′egm]，300K基调效应参数rce：
估算rce≈VA/IC，VA——厄利电压rb′c：
估算rb′c≈βrcerb′crcerb′e以上参数满足：
1≈regm高频参数：
集电结电容Cb′c：
由厂家给出；发射结电容Cb′e：
估算Cb′e≈gm?
Cb′c2πfT*·最常用的BJT模型是低频简化模型
（1）电压控制电流源（ic=gmvb′e）模型（图2-23）
（2）电流控制电流源（ic=βib）模型（图2-24，常用），其中rbe=rbb′+rb′e5
第三章一、基本概念晶体管放大器基础·向放大器输入信号的电路模型一般可以用由源电压vS串联源内阻RS来表示，接受被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻RC来表示（图3-1）。
·未输入信号（静态）时，放大管的直流电流电压称为放大器的工作点。
工作点由直流通路求解。
·放大器工作时，信号（电流、电压）均迭加在静态工作点上，只反映信号电流、电压间关系的电路称为交流通路。
·放大器中的电压参考点称为“地”，放大器工作时，某点对“地”的电压不变（无交流电压），该点为“交流地”。
·交流放大器中的耦合电容可以隔断电容两端的直流电压，并无衰减地将电容一端的交流电压传送到另一端，耦合电容上应基本上无交流电压，或即是交流短路的。
傍路电容也是对交流电流短路的电容。
·画交流通路时应将恒压源短路（Q无交流电压），恒流源开路（Q无交流电流）；。
耦合、傍路电容短路（Q无交流电压）·画直流通路时应将电容开路（电容不通直流），电感短路（电感上直流电压为零）。
二、BJT偏置电路1．固定基流电流（图3-7a）·特点：
简单，IB随温度变化小；但输出特性曲线上的工作点（VCE、IC）随温度变化大。
IB=VCC?
VBERB，IC≈βIB，VCE=VCC?
ICRCVCCvCE?
RCRC·Q点估计iC=·直流负载线2．基极分压射极偏置电路（图3-14）·特点：
元件稍多。
但在满足条件βRE10（R1//R2）时，工作点Q（VCE，IC）6
随温度变化很小，稳定工作点的原理是电流取样电压求和直流负反馈（
7.4.4）。
IC≈IE≈（VCCR2?
VBE）/RER1+R2，·Q点估算：
VCE≈VCC?
（RC+RE）IC直流负载线iC≈VCCvCE?
RC+RERC+RE以上近似计算在满足βRE10（R1//R2）时有足够的准确性。
三、基本CE放大器的大信号分析·交流负载线是放大器（图3-6b）工作时，动点（vCE，iC）的运动轨迹。
交流负载线?
1RC//RL。
经过静态工作点，且斜率为·因放大器中晶体管的伏安特性的非线性使输出波形出现失真，这是非线性失真。
非线性失真使输出信号含有输入信号所没有的新的频率分量。
·大信号时，使BJT进入饱和区产生饱和失真；使BJT进入截止区，产生截止失真。
NPN管CE放大器的削顶失真是截止失真；削底失真是饱和失真。
对于PNP管CE放大器则相反。
·将工作点安排在交流负载线的中点，可以获得最大的无削波失真的输出。
四、BJT基本组态小信号放大器指标1．基本概念：
输入电阻Ri是从放大器输入口视入的等效交流电阻。
Ri是信号源的负载，Ri表明放大器向信号源吸收信号功率。
放大器在输出口对负载RL而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载RL输出功率P0），该信号源的内阻即输出电阻R0。
·任何单向化放大器都可以一个通用模型来等效（图3-36）。
由此模型，放大器各种增益定义如下：
AV=v0viv0RiAVS=AVvs，Rs+Ri端电压增益：
AVS=源电压增益：
Ai=i0ii电流增益：
7
AV0=负载开路电压增益（内电压增益）：
AP=P0=|AV||AI|Piv0viAV=RL→∞，RLAV0R0+RL功率增益：
·Av、Avs、Ai、Av0的分贝数为20lg|A|；Ap的分贝数为10lgAP。
·不同组态放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须AP1。
′2．CE、CB、CC放大器基本指标Av，管端输入电阻Ri′，管端输出电阻R0。
用电流控制电流源（ic=βib）BJT低频简化模型（图2-24）导出的三个组态的上述基本指标由表3-1归纳。
表3-1CE放大器BJT三种基本放大器小信号指标CB放大器CC放大器简化交流通路′βRLrbe（大，反相）′?
gmRL?
βR′Lrbe（大，同相）′gmRL（1+β）R′Lrbe+（1+β）R′（1，同相）LR′Lre+R′LAV（rb’erbb’）（rb’erbb’）rbe1+β（rb’erbb’）′rbe+（1+β）RLRi′rbe（中）（1+β）re（rb’erbb’）（小）′（1+β）（re+RL）（rb’erbb’）（大）re（rb’erbb’）rbe+R′S1+β（小，与RS有关）,′Ro0.5rce—rce（大，与信号源内阻有关）rce—0.5rb’c（很大，与信号源内阻有关）′（RS=RS//RB）应用功率增益最大（3.3.4节），Ri﹑Ro适中，易于与前后级接口，使用广泛。
高频放大时性能好，常与CERi大而Ro小，可作高阻抗和CC组态结合使用。
如输入级和低阻抗输出级，CE-CB组态﹑CC-CB组态。
隔离级和功率输出级。
五、多级放大电路1．基本概念·多级放大器的级间耦合方式主要有电容耦合（阻容耦合）（图3-39）、变压器耦合（图8
3-41）和直接耦合（图3-42、3-43）三种方式。
·对于直接耦合放大器，其工作频率的下限可以为零（称为直流放大器），但输出易发生所谓“零点漂移”（输出端静态电压缓慢变化），形成假信号。
零点漂移的主要原因是前级工作点随温度变化，这种变化因级间直接耦合被逐级放大。
在输出端出现可观的漂移电压。
·直流放大器由于输入输出不能使用隔直耦合电容，希望在无输入信号时，输入端口和输出端口的静态直流电压为零。
满足这种条件的直流放大器称为满足零输入、零输出条件。
只有用正负双电源供电的直流放大器才能实现零输入和零输出。
·由于供电电压源存在内阻，使各级放大器发生“共电耦合”，这种共电耦合可能导致放大器指标变坏甚至自激。
放大器中的电源去耦电路就是为了减小和消除共电耦合（图3-39、3-40）。
2．多级放大器指标计算·后级放大器的输入电阻是前级放大器的负载，在计算前级放大器的增益时，一定要把这个输入电阻计为负载来计算增益。
·第一级放大器的输入电阻即多级放大器的输入电阻；末级放大器的输出电阻即多级放大器的输出电阻。
·计算多级放大器电压增益的一般方法是求出各级增益，再将其相乘。
对BJT多级基本放大器的一种有效的计算增益的方法是“观察法”，应该掌握。
BJT两种重要的组合放大电路是共射—共基和共集—共基组态，其实用电路之一分别是图3-45（CE-CB）和图3-47（CC-CB），应能画出并计算这两个电路的指标。
第四章场效应管（FET）及基本放大电路一、场效应管（FET）原理·FET分别为JFET和MOSFET两大类。
每类都有两种沟道类型，而MOSFET又分为增强型和耗尽型（JFET属耗尽型），故共有6种类型FET（图4-1）。
·JFET和MOSFET内部结构有较大差别，但内部的沟道电流都是多子漂移电流。
一般情况下，该电流与vGS、vDS都有关。
·沟道未夹断时，FET的D-S口等效为一个压控电阻（vGS控制电阻的大小），沟道全夹断时，沟道电流iD为零；沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断，此时iD主要受控于vGS，而vDS影响较小。
这就是FET放大偏置状态；部分夹断与未夹断的临界点为预夹断。
·在预夹断点，vGS与vDS满足预夹断方程：
耗尽型FET的预夹断方程：
vDS=vGS?
VP（VP——夹断电压）增强型FET的预夹断方程：
vDS=vGS?
VT（VT——开启电压）·各种类型的FET，偏置在放大区（沟道部分夹断）的条件由表4-4总结。
9
表4-4FET放大偏置时vGS与vDS应满足的关系极性放大区条件VDSVGS－VP（或VT）0VDSVGS－VP（或VT）0N沟道管：
VGSVP（或VT）P沟道管：
VGSVP（或VT）N沟道管：
正极性（VDS0）VDSP沟道管：
负极性（VDS0）结型管：
反极性增强型MOS管：
同极性耗尽型MOS管：
双极型VGS·偏置在放大区的FET，vGS~iD满足平方律关系：
iD=IDSS（1?
vGS2）VP（IDSS——零偏饱和漏电流）耗尽型：
2增强型：
iD=k（vGS?
VT）*·FET输出特性曲线反映关系iD=f（vDS）VGS参变量，该曲线将伏安平面分为可变电阻区（沟道未夹断），放大区（沟道部分夹断）和截止区（沟道全夹断）FET转移特性曲线反映；，图4-17画出以漏极流向源极的沟在放大区的关系iD=f（vGS）（此时参变量VDS影响很小）道电流为参考方向的6种FET的转移特性曲线，这组曲线对表4-4是一个很好映证。
二、FET放大偏置电路·源极自给偏压电路（图4-18）。
该电路仅适用于耗尽型FET。
有一定稳Q的能力，求解该电路工作点的方法是解方程组：
vGS2?
）[对于增强型FET,用关系式id=k（vGS?
VT）2]?
iD=IDSS（v?
VP?
?
v=?
RiSD?
GS·混合偏压电路（图4-20）。
该电路能用于任何FET，在兼顾较大的工作电流时，稳Q的效果更好。
求解该电路工作点的方法是解方程组：
?
平方律关系式?
VCCR2?
?
vGS=R+R?
RsiD12?
以上两个偏置电路都不可能使FET全夹断，故应舍去方程解中使沟道全夹断的根。
三、FET小信号参数及模型·迭加在放大偏置工作点上的小信号间关系满足一个近似的线性模型（图4-22低频模型，图4-23高频模型）。
gm=?
iD?
vGS·小信号模型中的跨导Q10
gm反映信号vgs对信号电流id的控制。
gm等于FET转移特性曲线上Q点的斜率。
gm的估算：
耗尽管gm=2IDSSID|VP|增强管gm=2kIDrds=?
vDs?
iD·小信号模型中的漏极内阻Qrds是FET“沟道长度调效应”的反映，rds等于FET输出特性曲线Q点处的斜率的倒数。
四、基本组态FET小信号放大器指标1．基本知识·FET有共源（CS）共漏（CD）和共栅（CG）三组放大组态。
·和CD组态从栅极输入信号，CS其输入电阻Ri由外电路偏置电阻决定，Ri可以很大。
·CS放大器在其工作点电流和负载电阻与一个CE放大器相同时，因其gm较小，|AV|可能较小，但其功率增益仍可能很大。
·CD组态又称源极输出器，其AV1。
在三种FET组态中，CD组态输入电阻很大，而输出电阻较小，因此带能力较强。
·由于FET的电压电流为平方关系，其非线性程度较BJT的指数关系弱。
因此，FET放大器的小信号线性条件对vGS幅度限制会远大于BJT线性放大时对vbe的限制vbe5mV）（。
2．CS、CD和CG组态小信号指标由表4-6归纳总结。
表4-6FET基本组态放大器小结CS组态CD组态CG组态简化交流通路AV?
gmrds//R′L大，反相放大器gmrds//R′L1+gmrds//R′L小于1，同相放大器≈gmR′（条件：
Lrds?
?
R′）L大，同相放大器11
R′+rds1L≈1+gmR′gmL，较Ri′∞，很大∞，很大小（条件：
1gmrds?
?
R′?
?
L）′RoAI类rds，较大rds//11≈gmgm，较小rds，最大决定于RG，I1ACE放大器决定于RG，AI1CC放大器AI1CB放大器似第五章一、半导体IC电路特点模拟集成单元电路在半导体集成电路中，晶体管工艺简单且占有芯片面积小；集电电阻、集成电容工艺并不简单且占有芯片的面积随元件值增大的明显增大（表5-1）；电感无法集成。
根据IC工艺的这些特点，IC电路设计思想是尽量多用晶体管，少用电阻（特别是阻值大的电阻），尽量不用电容。
二、恒流源1．恒压源与恒流源基本概念恒压源与恒流源都是耗能的电路装置。
恒压源的特点是：
端口电压随电流变化很小，或即内阻r0很小，恒流源的特点是当端口电压变化时，流过恒流源的电流变化很小，或即内阻r0很大。
二者比较如下表：
恒压源恒流源模型理想伏安特性曲线12
实际线性近似模型13
伏安特性曲线实·充分导通的二极管（图5.30a）·击穿后的稳压管（图1-35）实例·VBE倍增电路（图5-30b）·偏置在放大区的BJT当IB=常数，或VBE=常数时，iC可
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