电子元器件有效贮存期、超期复验及装机前的筛选要求.doc

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电子元器件有效贮存期、超期复验及装机前筛选要求

1范围

本要求规定了XXX有限公司型号产品用电气、电子、机电元器件（以下简称元器件）在规定环境条件下的贮存期限（有效贮存期）及超过有效贮存期的复验方法和条件，并在装机前应通过筛选试验。

本要求适用于XXX有限公司型号产品用元器件，对于未列入本要求的元器件可参照与该类元器件有相同或相似特征（如制造工艺、结构特点等）的列入要求准元器件执行。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本要求的引用而成为本要求的条款。

凡是注明日期的的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本要求，然而，鼓励根据本要求达成协议的各方面研究是否可使用这些文件最新版本。

凡是注明日期的引用文件，其最新版本适用于要求。

GJB128A─1997半导体分立器件试验方法

GJB360A─1996电子及电气元件试验方法

GJB548A─1996微电子器件件试验方法和程序

QJ1693─1989电子元器件防静电要求

Q/N446─2008电子元器件有效贮存期和超期复验要求

Q/N465元器件外观检验要求

Q/N466型号产品电子元器件筛选通用规范

3术语和定义

3．1贮存期

元器件从生产完成并在生产厂检验合格后至装机前在一定的环境条件下存放的时间。

贮存期的计算按4.2的规定。

注：

本要求中的贮存期，均以月计算。

3．2有效贮存期

一定质量等级的元器件在规定的贮存环境下存放，装机前其批质量能满足要求的期限。

3．3基本有效贮存期

未考虑元器件质量等级的有效贮存期。

3．4贮存质量等级

根据元器件在制造、检验过程中质量控制严格程度，对元器件贮存后性能的影响而确定的等级。

在本要求中规定了四个贮存质量等级，分别以Q1、Q2、Q3、Q4表示。

3．5贮存期调整系数

根据元器件不同的质量等级和用途，对基本有效贮存期调整的系数。

3．6超期复验

超过有效贮存期的元器件，应进行的一系列检验。

3．7继续有效期

超期复验合格的元器件在规定的贮存环境条件下存放，其批质量能满足规定要求的期限。

3．8筛选

在有效贮存期及继续有效期的元器件，在装机前应进行的检验。

4一般要求

4．1贮存环境条件

4．1．1通用贮存环境条件

元器件应贮存在清洁、通风、无腐蚀性气体并有温度和相对湿度控制的场所。

通用贮存环境条件的分类见表1。

表1通用贮存环境条件的分类

分类代号

温度（℃）

相对湿度（%）

Ⅰ

10~25

25~70

Ⅱ

-5~30

20~75

注：

中心库须满足Ⅰ类存储环境条件，各使用单位库房须满足Ⅱ贮存环境条件。

4．1．2特殊贮存环境条件

某些元器件的存放应满足以下特殊要求：

a）对静电放电敏感的元器件（如MOS器件、微波器件等），应按QJ1693的规定，采取静电放电防护措施；

b）非密封片状元器件应存放在充有惰性气体的密封容器内，或存放在采取有效防氧化措施（如加稀释剂、防氧化剂等）的密封容器内；

c）微电机等机电元器件的油封及单元包装应保持完整。

4．2贮存期的计算

从贮存起始日期至预定装机日期之间的时间为元器件的贮存期。

贮存期的起始日期按下列优先顺序确定：

a）按照元器件生产日期进行计算。

若元器件的生产日期为日期或星期代码，则凡仅有年月无日期的均按该月15日计算；若元器件的生产日期为星期代号，则按该星期的星期四计算；

b）按产品合格证上的检验日期计算；

c）按包装容器上的包装日期提前一个月计算；

d）按到货日期提前一个月计算。

4．3超过有效贮存期元器件的复验

4．3．1复验批

凡在相同类别的贮存环境条件下存放的元器件，同生产厂家、同型号、同批次，且复验类别相同，构成同一复验批。

除非另有说明，以下的批均为复验批。

4．3．2复验元器件的失效分析

在复验过程中发现致命缺陷（功能失效）或严重缺陷的元器件，应进行失效分析，如果分析结果表明失效或缺陷为批次性的，则该批的元器件不得用于型号产品试（正）样上；如果分析结果表明失效或缺陷为个别缺陷，复验合格率符合要求，则复验后合格产品允许使用于型号产品试（正）样上。

4．3．3复验报告和复验合格的标志

可委托复验，但应提供复验报告，对元器件复验的结果做出结论。

对复验合格的元器件应开具合格证，作为允许装机的凭证。

复验报告、合格证上应注明质量等级、复验类型、有效贮存期的起止时间、继续有效期。

4．4第一次超期复验的分类

贮存期超过有效期贮存期的元器件应按本要求的规定进行复验，复验通过的元器件，才能作为合格品用于型号产品试（正）样上。

元器件的超期复验按超过有效贮存期时间的长短分为A1、B1、C1三类：

a）贮存期已超过有效贮存期，但未超过1.3倍的为A1类；

b）贮存期已超过有效贮存期1.3倍，但未超过1.7倍的为B1类；

c）贮存期已超过有效贮存期1.7倍，但未超过2.0倍的为C1类。

4．5第二次超期复验的分类

通过第一次超期复验的合格元器件，如果其预定装机的时间将超过继续有效期，但不能超过继续有效期的2.0倍，允许进行第二次超期复验。

元器件第二次超期复验按超过继续有效期时间的长短分为A2、B2、C2三类：

a）贮存期已超过继续有效期，但未超过1.3倍的为A2类；

b）贮存期已超过继续有效期1.3倍，但未超过1.7倍的为B2类；

c）贮存期已超过继续有效期1.7倍，但未超过2.0倍的为C2类。

第二次超期复验元器件贮存期的起始日期为通过第一次超期复验的日期（以月为日期计算单位）。

第二次超期复验的分类与第一次超期复验的分类虽有差别，但规定的超期复验要求和继续有效期两者是一致的，所以统称为A、B、C类。

除非另有规定，通过第二次超期复验合格的元器件应在规定的继续有效期内使用，贮存期超过继续有效期的元器件不允许在型号产品试（正）样上使用。

5详细要求

5．1基本有效贮存期

元器件的基本有效贮存期与元器件的品种、材料、结构和贮存的环境有关。

根据表1对贮存条件的分类，分别规定不同种类元器件的基本有效贮存期，如表2规定。

表2国产元器件基本有效贮存期

单位：

月

元器件类别

贮存环境类别

说明

Ⅰ

Ⅱ

塑料封装半导体分立器件

18

12

可变电阻器（电位器）、电容器、电感器

24

20

非固体电解质钽电容（银外壳）

吕电解质电容器

金属或陶瓷封装半导体分立器件

30

24

金属或陶瓷封装半导体集成电路

金属气密封装混合集成电路

全密封固体电解质钽电容

非固体电解质钽电容（钽外壳）

密封石英振荡器

开关

固定电阻器、固定电感器

36

30

电连接器

5．2贮存期调整系数

元器件的有效贮存期是在基本有效贮存期的基础上，根据元器件不同的质量等级，按照一定的调整系数计算得出。

有效贮存期调整系数CSA如表3所示。

表3有效贮存器调整系数

贮存质量等级

质量保证要求及补充说明

CSA

Q1

已通过元器件产品国家军用标准质量认证，并列入合格产品目录（QPL）或合格制造厂目录（QML）的元器件；或已通过可靠性增长工程检定合格的元器件。

1.50

Q2

按元器件产品国家军用标准进行质量控制，但未列入合格品目录（QPL）或合格制造厂目录（QML）的元器件；或已按“七专”技术条件及航天用户质量控制补充协议组织生产的元器件。

1.25

Q3

按国家标准进行质量控制的元器件（或按照国军标制定并满足型号产品的企业军标，并以此标准检定、供货，经航天系统用户多年使用证明质量尚属可靠地产品），或按“七专”技术协议或技术条件组织生产的元器件。

1.00

Q4

按其他标准进行质量控制或质量控制情况不明的器件

0.75

注：

贮存期调整系数仅适用于有效贮存期的调整，对于继续有效期不再按调整系数调整（维持不变）。

5．3有效贮存期的计算

元器件的有效贮存期tVS按公式

（1）计算：

tVS=CSAxtbvs…………………………………………

（1）

试中：

tVS──—元器件有效贮存期，单位为月；

CSA──—元器件贮存期调整系数；

tbvs──—元器件基本有效贮存期，单位为月。

5．4元器件超期复验要求

5．4．1A类超期复验要求

5．4．1．1外观质量检查

5．4．1．1．1抽样方案

元器件应100%进行外观质量检查。

5．4．1．1．2检查方法

按Q/N465规定执行。

5．4．1．2电特性测试

5．4．1．2．1抽样方案

元器件样本大小应不小于5个，有特殊要求时可100%进行电特性测试。

5．4．1．2．2检查方法

除非另有规定，元器件仅要求在室温下按Q/N466要求进行电特性测试。

5．4．1．3高温电老化或高温负荷（适用于电容器）

5．4．1．3．1抽样方案

元器件样本大小应不小于5个，有特殊要求时可100%进行电特性测试。

5．4．1．3．2检查方法

a）非电解电容器按照Q/N466.5中规定的高温负荷应力条件做12h的高温负荷试验。

b）电解质电容器按照Q/N466.4中规定的高温电老化应力条件做12h的电老化试验，无极性电容器试验6h后换向再做6h。

试验结束放置2h后测试产品的常温电参数应满足产品规范要求。

5．4．1．4密封性检查

5．4．1．4．1抽样方案

元器件样本大小应不小于5个，有特殊要求时可100%进行电特性测试。

5．4．1．4．2检查方法

按Q/N466中规定的密封性检查要求进行。

5．4．1．5A类超期复验的结论

通过5．4．1．1~5．4．1．4检验的元器件，批次复验淘汰率未超过拒收标准的，剔除不合格品后，合格品可用于型号产品试（正）样上。

5．4．2B类超期复验要求

5．4．2．1外观质量检查

按5．4．1．1的要求进行外观质量检查。

5．4．2．2电特性测试

按5．4．1．2要求在室温下测试电特性。

Q/N466中规定有高低温测试要求的，还应按产品规范要求在高、低温下测试元器件的电特性。

5．4．2．3高温电老化或高温负荷（适用于电容器）

按照5．4．1．3规定执行。

5．4．2．4密封性检查

按照5．4．1．4规定执行。

5．4．2．5B类超期复验的结论

通过5．4．2．1~5．4．2．4检验的元器件，批次复验淘汰率未超过拒收标准的，剔除不合格品后，合格品可用于型号产品试（正）样上。

5．4．3C类超期复验要求

5．4．3．1通则

C类超期元器件除按5．4．2．1~5．4．2．4要求进行各项检验外，对部分元器件还应增加引出端可焊性试验、引出端强度试验、破坏性物理分析（DPA）检验项目。

5．4．3．2引出端可焊性试验

引出端可焊性试验的样品应从外观检查合格的元器件中抽取，若无其它规定允许抽取电参数不合格的元器件作为样品。

引出端可焊性试验要求按表4的规定进行。

表4引出端可焊性试验要求

元器件类别

试验方法

试验条件

样本大小b/（合格判定数）

小功率分立器件a

GJB128A-1997

方法2026

245±5℃

或按详细规范规定

15/（0）

大功率分析器件a

6/（0）

集成电路

GJB548-1996

方法2003A

245±5℃

或按详细规范规定

15/（0）

电位器、电容器、电感器

GJB360A-1996

方法208

235±5℃

或按详细规范规定

10/（0）

石英谐振器、振荡器

6/（0）

电连接器、微动开关

15/（0）

注：

引出端数量不大于14的集成电路样品至少为3个；引出端数量大于14但不大于48的集成电路样品至少为2个；引出端数量大于48的集成电路样品为1个。

当复验批总数小于10时，可抽取1只样品。

a额定耗散功率不小于1W的为大功率分立器件；小于1W的为小功率分立器件；

b样本大小指引出端的数量。

5．4．3．3引出端强度试验

引出端强度试验的样品应从外观检查合格的元器件中抽取，若无其它规定允许抽取电参数不合格或已做过可焊性试验的元器件作为样品。

引出端强度试验要求按表5的规定进行。

表5引出端强度试验要求

元器件类别

试验方法

试验条件

样本大小b/（合格判定数）

小功率分立器件a

GJB128A-1997

方法2036

AE

或按详细规范规定

15/（0）

大功率分析器件a

6/（0）

集成电路

GJB548-1996

方法2004A

AB2

或按详细规范规定

15/（0）

电位器、电容器、电感器

GJB360A-1996

方法211

AC

或按详细规范规定

10/（0）

石英谐振器、振荡器

6/（0）

电连接器、微动开关

15/（0）

注1：

引出端强度试验仅适用于线状引出端，其它形状的引出端不要求。

注2：

引出端数量不大于14的集成电路样品至少为3个；引出端数量大于14但不大于48的集成电路样品至少为2个；引出端数量大于48的集成电路样品为1个。

当复验批总数小于10时，可抽取1只样品。

a额定耗散功率不小于1W的为大功率分立器件；小于1W的为小功率分立器件；

b样本大小指引出端的数量。

5．4．3．4．破坏性物理分析（DPA）

5．4．3．4．1通则

半导体器件进行C类复验时，应抽样做破坏性物理分析（DPA）。

当规定时其他元器件也应做破坏性物理分析（DPA）。

5．4．3．4．1样本大小及合格判定数

除非另有规定，抽样做DPA试验的样本可从电特性不合格但未丧失功能的元器件中抽取。

DPA的最小样本数及合格判定数见表6。

表6破坏性物理分析最小样本数及合格判定数

元器件类别

最小样本数/（合格判定数）

说明

小功率分立器件

2（0）

复验批总数不超过10只时，抽样1只。

大功率分析器件

2（0）

集成电路（引出端数不大于48）

2（0）

集成电路（引出端数大于48）

1（0）

微电路模块

1（0）

5．4．3．5C类超期复验结论

通过5．4．2．1~5．4．2．4和5．4．3．2、5．4．3．3检验的元器件，剔除不合格品后，合格的可用于型号产品试（正）样上。

5．5超期复验后的继续有效期

通过一定有效贮存的元器件，经超期复验（包括第二次超期复验）合格后，在规定贮存环境条件下存放，元器件的继续有效期见表7。

表7国产元器件的继续有效期

单位：

月

元器件类别

继续有效期

A

B

C

Ⅰ

Ⅱ

Ⅰ

Ⅱ

Ⅰ

Ⅱ

塑料封装半导体分立器件

24

18

18

12

12

6

可变电阻器（电位器）、电容器、电感器

非固体电解质钽电容（银外壳）

吕电解质电容器

全密封固体电解质钽电容

金属或陶瓷封装半导体分立器件

30

24

24

18

18

12

金属或陶瓷封装半导体集成电路

金属气密封装混合集成电路

非固体电解质钽电容（钽外壳）

密封石英振荡器

开关

固定电阻器、固定电感器

36

30

30

24

24

18

电连接器

人

6批不合格判据

复验结果出现下列情况之一的，则整批元器件不得用于型号产品试（正）样上：

a）批不合格元器件的比例>5%（或至少1个，取最大值），或功能失效元器件的比例超过3%（或至少1个，取最大值）；

b）DPA试验结果不合格；

c）可焊性试验结果不合格；

d）引出端强度试验不合格；

e）失效分析为批次性质量问题。

7进口元器件有效贮存期及超期复验要求

7．1贮存环境条件

下列进口元器件按表1的Ⅰ类环境条件贮存。

7．2质量状况

进口元器件应通过正常渠道采购，并经使用方验收合格。

7．2有效贮存期及超期复验要求

军级以下质量等级的进口元器件其有效贮存期及超期复验要求按表8规定。

表8进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期

单位：

月

元器件类别

有效贮存期

超期复验项目

继续有效期

备注

金属、陶瓷封装集成电路

54

1．外部目检；

2．抽样（或100%）测量电参数；

3．抽样做可焊性试验；

4．进行破坏性物理分析。

30

表8进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期（续）

单位：

月

元器件类别

有效贮存期

超期复验项目

继续有效期

备注

塑料封装集成电路

48

1．外部目检；

2．抽样（或100%）测量电参数；

3．抽样做可焊性试验；

*4.进行破坏性物理分析。

24

塑料封装半导体分立器件

48

1．外部目检；

2．抽样（或100%）测量电参数；

3．抽样做可焊性试验；

*4.进行破坏性物理分析。

24

其它元件

48

1．外部目检；

2．抽样（或100%）测量电参数；

#3.抽样做可焊性试验；

*4.引出端强度试验；

*5.进行破坏性物理分析。

24

注1：

外部目检参照5．4．1．1进行。

可焊性检验参照5．4．3．2要求进行。

破坏性物

理分析参照5．4．3．4要求进行。

注2：

如无特殊说明，电参数测量在常温下进行，参照5．4．1．2要求进行。

注3：

*项目前不做，以后有要求再进行。

注3：

#如无此检测项要求的元器件不做。

8筛选

8．1通则

在有效贮存期（包括继续有效期）的元器件在装机前应100%做筛选试验。

8．2筛选方法

按Q/N466中的有关规定进行或参照相关元器件的筛选技术条件进行。

9部分元器件有效贮存期、超期复验要求及继续有效贮存期明细表

此明细表为本公司型号产品所需的部分元器件，在装机前对其有效贮存期、超期复验要

求及继续有效贮存期提出的具体要求。

详见附录A、附录B。

注：

如有增加元器件可参照附录A、附录B相关项执行或新增附录。

附录A

表A进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期明细表

名称

品牌

规格

有效贮存期

继续有效期

备注

集成电路

NXP

74HC4016D

48

24

集成电路

NXP

74HC08D

48

24

集成电路

NXP

74HC27D

48

24

集成电路

NXP

74HC74D

48

24

集成电路

NXP

74HC04D

48

24

集成电路

NXP

74HC1G04GW

48

24

集成电路

NXP

PCF8575TS

48

24

集成电路

NXP

GTL2002D

48

24

集成电路

NXP

PESD5V0L2BT

48

24

集成电路

ATMEL

ATMEGA8A

48

24

集成电路

ATMEL

ATMEGA16A

48

24

集成电路

TI

LM193D

48

24

集成电路

TI

LM139D

48

24

集成电路

TI

TL064ID

48

24

集成电路

TI

TMS320LF2407APGEA

48

24

集成电路

TI

LM158JG

48

24

集成电路

TI

TL062ID

48

24

集成电路

TI

TLV1117LV33DCY

48

24

集成电路

MAX

MAX202ESE

48

24

集成电路

MIC

MIC4574BWM

48

24

集成电路

ADI

ADG3304BRUZ

48

24

二极管

TOSHIBA

IN5819

48

24

二极管

ST

IN4148

48

24

二极管

VISHAY

SMJA12CA

48

24

二极管

VISHAY

SMJA5.0CA

48

24

三极管

NEC

2SC1623

48

24

晶振

KDS

9S-8MEFA16-IND

48

24

晶振

KDS

OCETHCKANF-10MZ

48

24

贴片电容

村田

0.1u

48

24

贴片电容

村田

30p

48

24

贴片电容

村田

0.33u

48

24

贴片电容

村田

330p

48

24

贴片电容

村田

3300p

48

24

贴片电容

村田

20p

48

24

贴片电容

村田

1u

48

24

贴片电容

村田

6800p

48

24

贴片电容

村田

1u

48

24

贴片电容

村田

0.1u

48

24

贴片电容

村田

16pf

48

24

贴片电容

村田

68p

48

24

表A进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期明细表（续）

名称

品牌

规格

有效贮存期

继续有效期

备注

钽电容

AVX

TAJB106K016RNJ

48

24

钽电容

AVX

TAJB226K016RNJ

48

24

钽电容

AVX

TAJB476K016RNJ

48

24

钽电容

AVX

T491D226K025AT

48

24

钽电容

AVX

TAJD106K035RNJ

48

24

钽电容

AVX

TAJD476K025RNJ

48

24

钽电容

AVX

TAJC476K016RNJ

48

24

电感

TDK

47UH

48

24

电解电容

松下

220uf/25v

48

24

电解电容

松下

220uf/16v

48

24

电位器

BOURNS

3296W-1-203LF

48

24

电位器

BOURNS

3296W-1-103LF

48

24

电位器

BOURNS

3266W-1-103LF

48

24