从内存条芯片编号看内存条的大小.docx

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从内存条芯片编号看内存条的大小

从内存条芯片编号看内存条的大小

（2009-11-2208:

12:

39）

标签：

SDRAM内存芯片的新编号　

HY

XX

X

XX

XX

X

X

XX

X

X

X

-

XX

X

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

A字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

57代表SDRAM内存。

C字段表示工作电压。

V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为

3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为

2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/

D字段表示密度与刷新速度。

16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度（TCSR）、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。

E字段表示内存结构。

4代表x4；8代表x8；16代表x16;32代表x32。

F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank。

G字段表示电气接口。

0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

H字段表示内存芯片的修正版本。

空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

也有一些特殊的编号规则，如：

编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。

I字段表示功率消耗能力。

空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。

J字段表示内存芯片的封装方式。

T代表TSOP封装；K代表Stack封装（Type1）；J代表Stack封装（Type2）。

K字段表示内存芯片的封装材料。

空白代表正常；P代表Pbfree；H代表Halogenfree；R代表Pb&Halogenfree。

L字段表示内存芯片的速度标识。

5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133（CL=2）；H代表PC133（CL=3）；8代表125MHz；P代表PC133（CL=2）；S代表PC100（CL=3）；10代表100MHz。

M字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。

I代表工业温度；E代表扩大温度。

DDRSDRAM内存芯片的新编号　

HY

XX

X

XX

XX

X

X

X

X

X

X

-

XX

X

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

A字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

5D代表DDRSDRAM内存；5P代表DDR-II内存。

C字段表示工作电压。

V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。

D字段表示密度与刷新速度。

64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。

E字段表示内存结构。

4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。

F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。

G字段表示电气接口。

1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。

H字段表示内存芯片的修正版本。

空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。

I字段表示功率消耗能力。

空白代表正常功耗；L代表代功耗。

J字段表示内存芯片的封装方式。

T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装（Hynix）；K代表Stack封装（M&T）；J代表Stack封装（其它）。

K字段表示内存芯片的封装村料。

空白代表正常；P代表Pbfree；H代表Halogenfree；R代表Pb&Halogenfree。

L字段表示内存芯片的速度标识。

26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表18MHz；6代表166MHz;D4代表DDR400；D5代表DDR533；J代表DDR333；M代表DDR2662-2-2；代表DDR266A；H代表DDR266B；L代表DDR200。

M字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。

I代表工业温度；E代表扩大温度。

      samsung内存

例：

samsungk4h280838b-tcb0

第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns（cl=3）；7c为7.5ns（cl=2）；80为8ns；10为10ns（66mhz）。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：

“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：

一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

hynix（hyundai）现代

现代内存的含义：

hy5dv641622at-36

hyxxxxxxxxxxxxxxxx

123456789101112

1、hy代表是现代的产品

2、内存芯片类型：

（57=sdram，5d=ddrsdram）；

3、工作电压：

空白=5v，v=3.3v,u=2.5v

4、芯片容量和刷新速率：

16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref

5、代表芯片输出的数据位宽：

40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、bank数量：

1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系

7、i/o界面：

1:

sstl_3、2:

sstl_2

8、芯片内核版本：

可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：

l=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：

jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ

11、工作速度：

55:

183mhz、5:

200mhz、45:

222mhz、43:

233mhz、4:

250mhz、33:

300nhz、l:

ddr200、h:

ddr266b、k:

ddr266a

现代的mbga封装的颗粒

infineon（英飞凌）

infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：

容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。

编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。

infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。

所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。

其它也是如此，如：

hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。

infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；

-8——表示该内存的工作频率是100mhz。

例如：

1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。

其容量计算为：

128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。

1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。

其容量计算为：

128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti

kingmax内存的说明

kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。

并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。

kingmax内存颗粒有两种容量：

64mbits和128mbits。

在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；

ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；

ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；

ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；

ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。

kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7a——pc133/cl=2；

-7——pc133/cl=3；

-8a——pc100/cl=2；

-8——pc100/cl=3。

例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：

64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）

以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

mt——micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表sdram；46代表ddr。

lc——供电电压。

lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。

16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：

16m（地址）×8位数据宽度。

a2——内存内核版本号。

tg——封装方式，tg即tsop封装。

-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。

实例：

一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。

该内存支持ecc功能。

所以每个bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：

容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。

winbond（华邦）

含义说明：

wxxxxxxxx

12345

1、w代表内存颗粒是由winbond生产

2、代表显存类型：

98为sdram，94为ddrram　

3、代表颗粒的版本号：

常见的版本号为b和h；

4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装

5、工作频率:

0：

10ns、100mhz；8：

8ns、125mhz；z：

7.5ns、133mhz；y：

6.7ns、150mhz；6：

6ns、166mhz；5：

5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。

这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。

这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt

内存颗粒编号为vdd8608a8a-6bh0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周