从内存条芯片编号看内存条的大小Word文档下载推荐.docx
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3.0V、VDDQ电压为3.0v;
U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V;
W代表VDD电压为
2.5V、VDDQ电压为1.8V;
S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/
D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度;
32代表32Mbit密度、4K刷新速度;
64代表64Mbit密度、4K刷新速度;
28代表128Mbit密度、4K刷新速度;
2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度;
56代表256Mbit密度、8K刷新速度;
12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4;
8代表x8;
16代表x16;
32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank;
2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL;
1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版;
A或HA代表第2版;
B或HB代表第3版;
C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则,如:
编号为HY57V64420HFT是第7版;
编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版;
编号为HY57V28420AT是第3版;
编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗;
L代表代功耗;
S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
T代表TSOP封装;
K代表Stack封装(Type1);
J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。
空白代表正常;
P代表Pbfree;
H代表Halogenfree;
R代表Pb&
Halogenfree。
L字段表示内存芯片的速度标识。
5代表200MHz;
55代表183MHz;
6代表166MHz;
7代表143MHz;
K代表PC133(CL=2);
H代表PC133(CL=3);
8代表125MHz;
P代表PC133(CL=2);
S代表PC100(CL=3);
10代表100MHz。
M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。
I代表工业温度;
E代表扩大温度。
DDRSDRAM内存芯片的新编号
5D代表DDRSDRAM内存;
5P代表DDR-II内存。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V;
W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V;
S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。
66代表64Mbit密度、2K刷新速度;
12代表512Mbit密度、8K刷新速度;
1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。
16代表x16;
2代表4Bank;
3代表8Bank。
1代表SSTL_3;
2代表SSTL_2;
3代表SSTL_18。
空白代表第1版;
A代表第2版;
B代表第3版;
C代表第4版。
L代表代功耗。
Q代表LQFP封装;
F代表FBGA封装;
S代表Stack封装(Hynix);
K代表Stack封装(M&
T);
J代表Stack封装(其它)。
K字段表示内存芯片的封装村料。
26代表375MHz;
28代表350MHz;
3代表333MHz;
33代表300MHz;
45代表222MHz;
55代表18MHz;
6代表166MHz;
D4代表DDR400;
D5代表DDR533;
J代表DDR333;
M代表DDR2662-2-2;
代表DDR266A;
H代表DDR266B;
L代表DDR200。
samsung内存
例:
samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;
28、27、2a代表128mbit的容量;
56、55、57、5a代表256mbit的容量;
51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;
16代表16位数据;
32代表32位数据;
64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;
70为7ns;
7b为7.5ns(cl=3);
7c为7.5ns(cl=2);
80为8ns;
10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星ddr内存,使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits(兆数位)×
16片/8bits=256mb(兆字节)。
注:
“bit”为“数位”,“b”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:
一种是非ecc内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;
另一种ecc内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
hynix(hyundai)现代
现代内存的含义:
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型:
(57=sdram,5d=ddrsdram);
3、工作电压:
空白=5v,v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率:
16=16mbits、4kref;
64=64mbits、8kref;
65=64mbits、4kref;
128=128mbits、8kref;
129=128mbits、4kref;
256=256mbits、16kref;
257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽:
40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量:
1、2、3分别代表2个、4个和8个bank,是2的幂次关系
7、i/o界面:
1:
sstl_3、2:
sstl_2
8、芯片内核版本:
可以为空白或a、b、c、d等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:
l=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:
jc=400milsoj,tc=400miltsop-ⅱ,td=13mmtsop-ⅱ,tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度:
55:
183mhz、5:
200mhz、45:
222mhz、43:
233mhz、4:
250mhz、33:
300nhz、l:
ddr200、h:
ddr266b、k:
ddr266a
现代的mbga封装的颗粒
infineon(英飞凌)
infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量:
容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。
编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。
其它也是如此,如:
hyb39s128800即128mb/8bits;
hyb39s128160即128mb/16bits;
hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz;
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如:
1条kingston的内存条,采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为:
128mbits(兆数位)×
16片/8=256mb(兆字节)。
1条ramaxel的内存条,采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。
8片/8=128mb(兆字节)。
kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装(tinyballgridarray)。
并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。
kingmax内存颗粒有两种容量:
64mbits和128mbits。
在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
ksva44t4a0a——64mbits,16m地址空间×
4位数据宽度;
ksv884t4a0a——64mbits,8m地址空间×
8位数据宽度;
ksv244t4xxx——128mbits,32m地址空间×
ksv684t4xxx——128mbits,16m地址空间×
ksv864t4xxx——128mbits,8m地址空间×
16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7a——pc133/cl=2;
-7——pc133/cl=3;
-8a——pc100/cl=2;
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条,采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造,其容量计算为:
64mbits(兆数位)×
16片/8=128mb(兆字节)。
micron(美光)
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表sdram;
46代表ddr。
lc——供电电压。
lc代表3v;
c代表5v;
v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits,计算方法是:
16m(地址)×
8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式,tg即tsop封装。
-75——内存工作速率,-75即133mhz;
-65即150mhz。
实例:
一条micronddr内存条,采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。
该内存支持ecc功能。
所以每个bank是奇数片内存颗粒。
容量32m×
4bit×
winbond(华邦)
含义说明:
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型:
98为sdram,94为ddrram
3、代表颗粒的版本号:
常见的版本号为b和h;
4、代表封装,h为tsop封装,b为bga封装,d为lqfp封装
5、工作频率:
0:
10ns、100mhz;
8:
8ns、125mhz;
z:
7.5ns、133mhz;
y:
6.7ns、150mhz;
6:
6ns、166mhz;
5:
5ns、200mhz
mosel(台湾茂矽)
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够。
这颗粒编号为v54c365164vdt45,从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8=8mb,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns
nanya(南亚)、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位。
这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k,其中第4位字母“s”表示是sdram显存,6、7位8m表示单颗粒容量8m,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7k表示速度为7ns。
v-data(香港威刚)、a-data(台湾威刚)、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6bh0327,是6纳秒的颗粒,单面8片颗粒共256m容量,0327代表它的生产日期为2003年第27周