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基于51单片机的数字温度计设计

摘要:

用单片机控制实现的测温系统,其精度高,稳定性好,并选用了美国DALLAS公司最新推出的DSl8B20一线式数字温度传感器,并给出了数字温度传感器的硬件接口电路及软件设计方法,通过发光数码管显示温度。

关键词:

STC89C52;DSl8B20;测温;

1引言

随着现代信息科技的飞速发展和传统工业改造的逐步实现,能够独立工作的温度检测和显示系统已经应用于诸多领域。

传统的温度检测以热敏电阻为温度敏感元件,热敏电阻成本低,但需要接信号处理电路,而且热敏电阻的可靠性较差,测量温度的准确度低,检测系统的精度差。

而今电子技术和微型计算机的迅速发展,采用单片机进行温度检测、数值显示和数据的传送,具有效率高、性能稳定等优点,还可以实现实时实地控制等技术要求,在工业生产中应用越来越广泛。

2技术要求

在三位数码管上显示当前采集到的环境温度,并精确到0.1度。

3方案论证

3.1恰当地选择温度传感器

方案1:

用热敏电阻做为温度传感器。

通过采集各个时间内的电压,进行A/D转换,经过电压与温度的转换、校准,测量出温度。

方案2:

用DS18B20数字式温度传感器。

DS18B20是DS1820的换代产品,它与传统的热敏电阻温度传感器不同,它能够直接读出被测温度并且可根据实际要求通过简单的编程实现9~12位的数字值读数方式。

其内部集成了温度的传感器及A/D转换模块,通过读取片内数据,测量出温度。

由于用热敏电阻作为温度传感器误差较大,可靠性相对较差,且不方便调试校准;而DS18B20测量精度高,集成度高,方便调试,线路简单。

所以本设计采用方案2。

3.2显示器件的选择

方案1:

采用液晶显示,此种显示方式,液晶耗电量少,能显示复杂的符号图形。

方案2:

采用发光数码管显示,此种显示亮度高,且编程简单。

考虑到本系统显示简单,液晶价格贵且亮度低,所以选用方案2。

4硬件设计

4.1关于单片机

单片机是一种集成电路,即采用大规模集成电路技术把具有数据处理能力的CPU(中央处理器)、随机存储器RAM(randomaccessmemory)、只读存储器ROM(Read-OnlyMemory)、多种I/O口和中断系统、定时器/计时器等功能,还可以包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路,集成到一块硅板上构成的一个小而精密的计算机系统。

我选用的单片机是stc89c52,它是深圳宏晶科技生产的,具有低功耗高性能的优点。

并且有8K在系统可编程Flash存储器,512字节数据存储空间,内带4K字节EEPROM存储空间。

4.2系统结构图

4.2.1了解51单片机的内部系统结构

图4.1.1单片机的内部系统结构

其中,较为重要的是串行端口。

串行通信是数据的各位在同一根数据线上依次逐位发送或接收。

P3.0口的第二功能是串行数据的输入口(RXD),p3.1口的第二功能是串行数据的输出口(TXD)。

4.2.2根据设计要求,画出外部系统结构图

电路总图见附录一

图4.2.2外部系统结构图

4.3温度传感器模块

4.3.1DS18B20温度传感器介绍

DS18B20是美国Dallas半导体公司生产的第一片支持“一线总线”接口的温度传感器,它具有微型化、低功耗、高性能、抗干扰能力强、易兼容微处理器等优点,可直接将温度传感器转化成串行数字信号供处理器处理。

4.3.2DS18B20温度传感器特性

(1)适应电压范围宽,电压范围在3.0~5.5V,在寄生电源方式下可由数据线供电。

(2)独特的单线接口方式,他与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通信。

(3)支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,实现组网多点测温。

(4)在使用中不需要任何外围元件,全部传感元件及转换电路形如多只三极管的组成电路。

(5)测温范围-55°C~+125°C,在-10°C~+85°C时精度为正负0.5°C。

(6)可编程分辨率为9~12位,对应的可分辨温度分别为0.5°C,0.25°C,0.125°C,0.0625°C,可实现高精度测温。

(7)在9位分辨率时,最多在93.75ms内把温度转换数字;12位分辨率时,最多在750ms内把温度值转换为数字,显然速度很快。

(8)测量结果直接输出数字温度信号,以“一线总线”串行传送给CPU,同时可传送CRC校验码,具有极强的抗干扰能力。

CRC即循环冗余校验码(CyclicRedundancyCheck):

是数据通信领域中最常用的一种差错校验码,其特征是信息字段和校验字段的长度可以任意选定。

(9)负压特性。

电源极性接反时,芯片不会因发热而烧毁,但不能正常工作。

4.3.3引脚介绍

DS18B20实物图如图所示。

图4.3.3DS18B20实物图

 

4.3.4DS18B20与单片机的连接

主机可以是微控制器,从机可以是单总线器件,他们之间的数据交换只通过一条信号线。

当只有一个从机设备时,系统可按单节点系统操作;当有多个从机设备时,系统则按多节点系统操作。

设备(主机或从机)通过一个漏极开路或三态端口连至该数据线,以允许设备在不发送数据时能释放总线,而让其他设备使用总线。

单总线通常要求外接一个约为5kΩ的上拉电阻,如图所示。

图4.3.4DS18B20和单片机的连接

从图可以看出,DS18B20和单片机的连接非常简单,单片机只需要一个I/O口就可以控制DS18B20。

这个图的接发是单片机与一个DS18B20通信,如果要控制多个DS18B20进行温度采集,只要将所有DS18B20的I/O口全部连接到一起就可以了。

在具体操作时,通过读取各个DS18B20内部芯片的序列号来识别。

4.3.5DS18B20的工作原理

硬件电路连接好以后,对于单片机需要怎样工作才能将DS18B20中的温度数据读取出来,下面将给出详细分析。

其控制DS18B20的指令:

33H—读ROM。

读DS18B20温度传感器ROM中的编码(即64位地址)。

44H—操作RAM。

发送温度转换命令,结果存入9字节RAM。

55H—匹配ROM。

发出此命令后,接着发出64位ROM编码,访问单总线上与该编码对应的DS18B20并使之作出响应,为下一步对该DS18B20的读/写做准备。

F0H—搜索ROM。

用于确定挂接在同一总线上DS18B20的个数,识别64位ROM地址,为操作各器件做好准备。

CCH—跳过ROM。

忽略64位ROM地址,直接向18B20发温度变换命令,适用于一个从机工作。

ECH—告警搜索命令。

执行后只有温度超过设定值上限或下限的芯片才作出响应。

以上这些指令涉及的存储器是64位光刻ROM,表1列出了它的各个定义。

表164位光刻ROM各位定义

8位

48位

8位

CRC码

序列号

产品类型编号

64位光刻ROM中的序列号是出厂前被光刻好的,他可以看做该DS18B20的地址序列码。

其各位排列顺序是:

开始8位为产品类型标号,接下来48位是该DS18B20自身的序列号,最后8位是前56位的CRC循环校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。

光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一条总线上接挂多个DS18B20的目的。

4.3.6DS18B20的工作时序图

下图为时序图中各个总线状态。

图4.2.6时序图中各个总线态

 

 

(1)初始化

时序图如下图5所示。

先将数据线至高电平1.

(1)DS18B20初始化时序图

 

 

①数据线拉到低电平0。

②延时(该时间要求不是很严格,但是要尽可能短一点

③延时750μs(该时间范围可在480~960μs)。

④数据线拉到高电平1。

⑤延时等待。

如果初始化成功则在15~60μs内产生一个由DS18B20返回的低电平0,据该状态可以确定温度传感器ds18b20的存在。

但是应注意,不能无限地等待,不然会使程序进入死循环,所以要进行超时判断。

若CPU读到数据上的低电平0后,还要进行延时,延时的时间从发出高电平算起(第⑤步的时间算起)最少要480μs。

将数据线再次拉到高电平1后结束。

(2)DS18B20写数据

时序图如下图6所示。

写数据步骤:

①数据线先置低电平0。

②掩饰确定的时间为15μs。

③按从低位到高位的顺序发送数据(一次只发送一位)。

④延时时间为45μs。

⑤将数据线拉到高电平1。

重复循环①~⑤步骤,直到发送完整个字节,注意最后将数据线拉到高位1。

(2)DS18B20写数据

 

(1)DS18B20读数据

时序图如下图7所示。

图(3)DS18B20读数据

 

(3)DS18B20写数据

时序图如上图所示。

写数据步骤:

①将数据线拉高到1.

②延时2μs。

③将数据线拉低到0.

④延时6μs。

⑤将数据线拉高到1。

⑥延时4μs。

⑦读数据线的状态得到一个状态位,并进行数据处理。

重复①~⑦步骤,直到读取完一个字节后延时30us。

时序图见上图。

4.4显示模块

采用三位一体共阴数码管显示温度,数码管驱动使用锁存器74hc573。

采用动态显示的原理,故段选和位选都用p0口,通过p2.6口和p2.7口确定位或者段的选通,接法见附录电路原理图。

5软件设计

5.1总程序流程图

总程序流程图如下图所示。

图5.1总程序流程图

5.2程序设计

其源程序见附录三。

6安装调试

安装调试时,数码管会出现亮度不均匀或是数码管中有个别不显示的现象,经检查发现产生这种原因的可能是因为焊接的时候有虚焊、选用的上拉电阻阻值过大,或是接元器件的时候无意间把锁存器控制位导线弄断所导致。

6.1数码管引脚的判断

用5v的直流电源串电阻接在数码管十二个引脚上,可以判断出各个引脚代表哪一段和哪一位,其中6号引脚不起作用。

哪个是6号引脚呢?

让三位数码管正对自己右下角的引脚为1号引脚,逆时针依次为2、3、4、5、6、7、8、9、…、12号引脚。

判断出它的内部电路图如下图所示。

图6.1数码管内部电路图

6.2排除故障

6.2.1排除逻辑故障

这类故障往往由于设计和连线过程中工艺性错误所造成的。

主要包括错线、开路、短路。

排除的方法是首先将加工的电路板认真对照原理图,看两者是否一致。

应特别注意电源系统检查,以防止电源短路和极性错误,必要时利用数字万用表的短路测试功能,可以缩短排错时间。

6.2.1排除元器件失效

造成这类错误的原因有两个:

一个是元器件买来时就已坏了;另一个是由于安装错误,造成器件烧坏。

可以采取检查元器件与设计要求的型号、规格和安装是否一致。

在保证安装无误后,用替换方法排除错误。

6.2.3排除电源故障

在通电前,一定要检查电源电压的幅值和极性,否则很容易造成集成块损坏。

加电后检查各插件上引脚的电位,一般先检查VCC与GND之间电位,若在5V~4.8V之间属正常。

若有高压,联机仿真器调试时,将会损坏仿真器等,有时会使应用系统中的集成块发热损坏。

7结论

本文较详细的阐述了温度测量装置设计的整体方案与软件实现。

DS18B20的优势在于集温度测量、A/D转换为一体,具有单总线结构,数字量输出,直接与单片机接口等优点,温度读取简单、直观,硬件和软件的开发过程简单,因此可用它组成单路或多路温度测量装置,有一定的使用和推广价值。

当然,在这个过程中我遇到了很多问题,有的是我看书、上网查资料解决的,有的是同过李研达老师、同学的帮助解决的,在这里还得感谢他们的支持与厚望。

参考文献

[1]刘华东等编.单片机原理与应用[M].北京:

电子工业出版社,2008

[2]吴金戌等编.8051单片机实践与应用[M].北京:

清华大学出版社,2001

[3]张毅刚等编.单片机原理及应用[M].北京:

高等教育出版社,2003

Basedonthedigitalthermometer51MCUdesign

ZhangZhaoYuan

(SchoolofPhysicsandElectricalEngineering,AnyangNormalUniversity,Anyang,Henan455000)

Abstract:

withtherealizationofsingle-chipmicrocomputercontroltemperaturemeasuringsystem,itshighaccuracy,goodstability,andselecttheDALLAScompanylatestDSl8B20alineinthedigitaltemperaturesensorispresented,anddigitaltemperaturesensorhardwareinterfacecircuitandthesoftwaredesignmethod,throughthedigitalluminescencetubestodisplaytemperature.

Keywords:

STC89C52;DSl8B20;Temperaturemeasurement;

附录一电路原理图

附录二面包板图

附录三源程序

#include

#defineucharunsignedchar

#defineuintunsignedint

sbitDS=P2^2;//defineinterface,确定接口

uinttemp;//variableoftemperature,温度变量为无符号整形

ucharflag1;//signoftheresultpositiveornegative,结果是否生效标志

sbitdula=P2^6;//数码管段选

sbitwela=P2^7;//数码管位选

unsignedcharcodetable[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,

0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};//显示的依次是0~f

unsignedcharcodetable1[]={0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,

0x87,0xff,0xef};//显示的依次是0.~9.

voiddelay(uintcount)//延时子程序

{

uinti;

while(count)

{

i=200;

while(i>0)//延时约1ms

i--;

count--;

}

}

///////功能:

串口初始化,波特率9600,方式1///////

voidInit_Com(void)

{

TMOD=0x20;//GATEC\TM1M0GATEC\TM1M0//定时T1工作方式2

PCON=0x00;//SMOD波特率倍增位,PCON=0X01时倍增//电源控制寄存器

SCON=0x50;//SM0SM1SM2RENTB8RB8TIRI//串行控制寄存器

TH1=0xFd;

TL1=0xFd;

TR1=1;

}

voiddsreset(void)//sendresetandinitializationcommand//发送初始化及复位信号/*为了识别已连接到单总线上的数字温度传感器*/

{

uinti;

DS=0;

i=103;

while(i>0)i--;//480us~960us/*处理器先向DS18B20发送一个持续480~960us的低电平信号*/

DS=1;/*然后进入输入模式释放总线*/

i=4;

while(i>0)i--;//15~60us/*在检测到I/O引脚上升沿之后,等待15~60us*/

}/*如果由DS18B20所返回的低电平持续时间少于60us,则表示就绪信号无效。

主机要重新发送初始化时间序列*/

/*读取数据的一位,满足读时隙要求*/

bittmpreadbit(void)//readabit//readabit读一位//DS18B20的读时序:

分为读0时序和读1时序两个过程

{

uinti;//对于DS18B20的读时隙是从主机把单总线拉低之后,

bitdat;//dat的取值为0、1。

//在15微秒之内就得释放单总线,以让DS18B20把数据传输到单总线上。

DS=0;i++;//i++fordelay小延时一下//DS18B20在完成一个读时序过程,至少需要60us才能完成。

DS=1;i++;i++;//延时15us以上,读时隙下降沿后15us,DS18B20输出数据才有效

dat=DS;

i=8;while(i>0)i--;

return(dat);

}

/*读取数据的一个字节*/

uchartmpread(void)//readabytedate,读数据的一个字节

{

uchari,j,dat;

dat=0;

for(i=1;i<=8;i++)

{

j=tmpreadbit();

dat=(j<<7)|(dat>>1);//读出的数据最低位在最前面,这样刚好一个字节在DAT里

}

return(dat);//将一个字节数据返回

}

/*写数据的一个字节,满足写1和写0的时隙要求*/

voidtmpwritebyte(uchardat)//writeabytetods18b20,向传感器写入一个字节//DS18B20的写时序:

写0时序和写1时序两个过程

{//写一个字节到DS18B20里//

uinti;

ucharj;

bittestb;

for(j=1;j<=8;j++)

{

testb=dat&0x01;

dat=dat>>1;取下一位(由低位向高位)

if(testb)//write1//对于DS18B20写0时序和写1时序的要求不同,当要写0时序时,单总线要被拉低至少60us,保证DS18B20能够在15us到45us之间能够正确地采样IO总线上的“0”电平,当要写1时序时,单总线被拉低之后,在15us之内就得使单总线变高,整个写1时隙不低于60us。

{

DS=0;//产生写0时隙的过程:

MCU拉低总线后,只要在整个时隙期间保持低电平即可(至少60US)

i++;i++;

DS=1;

i=8;while(i>0)i--;

}

else

{

DS=0;//write0

i=8;while(i>0)i--;

DS=1;

i++;i++;

}

}

}

voidtmpchange(void)//DS18B20beginchange

{

dsreset();

delay

(1);

tmpwritebyte(0xcc);//addressalldriversonbus,//允许MCU不提供64位ROM编码就使用存储器操作命令,在单点总线情况下节省时间

tmpwritebyte(0x44);//initiatesasingletemperatureconversion//(操作RAM)发送温度转换命令,结果存入9字节RAM。

//

}

uinttmp()//getthetemperature

{

floattt;

uchara,b;

dsreset();

delay

(1);

tmpwritebyte(0xcc);

tmpwritebyte(0xbe);//发送读取数据命令,读内部RAM9字节的内容

a=tmpread();

b=tmpread();

temp=b;

temp<<=8;//twobytecomposeaintvariable

temp=temp|a;//得到真实十进制温度值,两字节合成一个整型变量

tt=temp*0.0625;//1/16=0.0625,每个数值代表1/16

temp=tt*10+0.5;//放大十倍,这样做的目的将小数点后第一位也转换为可显示数字,同时进行一个四舍五入操作。

returntemp;//返回温度值

}

voidreadrom()//readtheserial

{

ucharsn1,sn2;

dsreset();

delay

(1);

tmpwritebyte(0x33);

sn1=tmpread();

sn2=tmpread();

}

voiddelay10ms()//delay;延时

{

uchara,b;

for(a=10;a>0;a--)

for(b=60;b>0;b--);

}

voiddisplay(uinttemp)//显示程序

{

ucharA1,A2,A2t,A3,ser;

ser=temp/10;//分离出三位要显示的数字

SBUF=ser;

A1=temp/100;//

A2t=temp%100;

A2=A2t/10;

A3=A2t%10;

dula=0;

P0=table[A1];//显示百位

dula=1;

dula=0;

wela=0;

P0=0x7e;

wela=1;

wela=0;

delay

(1);

dula=0;

P0=table1[A2];//显示十位

dula=1;

dula=0;

wela=0;

P0=0x7d;

wela=1;

wela=0;

delay

(1);

P0=table[A3];//显示个位

dula=1;

dula=0;

P0=0x7b;

wela=1;

wela=0;

delay

(1);

}

voidmain()

{

uchara;

Init_Com();

do

{

tmpchange();

//delay(200);

for(a=10;a>0;a--)

{display(tmp());

}

}while

(1);

}

 

附录四元件清单

名称

参数

个数

单片机stc89c52

直插封装DIP40

1

ds18b20

1

排阻

10k

1

瓷片电容

22p

2

74hc573

DIP20

2

无源晶振

11.0592HZ

1

极性电容

10u

1

色环电阻

2.7k/10k

1/1

三位共阴数码管

5361AH

1

.

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