三极管的识别与检测.docx
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三极管的识别与检测
临沂市工业学校教案
课题
三极管的识别与检测
授课时间第13周
地点
教室/实训室课时5班级
16电工
课题分析
本课题包括：
三极管的基本构成，电感，三极管的分类，三极管的主要参数，三极管的识读、三极管的检测
学生状况分析
学生基础知识薄弱或者根本就为零，由于学生学习积极性不足，注意力分散，动手能力一般。
教学目标
1■专业能力：
三极管的识别与检测的基本技能
2■方法能力：
理论知识的学习，技能的训练
3■社会能力：
团结合作，诚实守信，爱国敬业
教学重点难点
1■教学重点：
三极管的识别与检测
2■教学难点：
三极管的识读
教学设计说明
1.教学过程设计说明：
启发学生积极思考，主动参与教学活动
2.教法运用说明：
讲授法、启发引导、练习、自学
3■教学评价说明：
现场提问打分
教学准备
1.场所：
教室、实训室
2■设备：
星科实训台
3■教具：
多媒体电脑、投影仪
4■资料：
网络
5■分组与座位：
11组
板书设计
第1页共10页
教学过程
时间
教学阶段
任务或问题
教师活动
学生活动
教学方法
媒体与手段
可能出现的问题
及解决方案
预期效果
5
复习提问
上节课知识点
提问
思考、回答
提冋、引导
不熟练。
强化练习
回顾旧知
10
合作自学
基本知识点
巡视、指导
讨论、自学
启发、点拨
不理解。
及时
预习新知
10
教师讲解
重点、难点
讲解、分析
学习、思考
讲授、引导
注意力不集中。
提
醒
化解难点、剖析重点
15
强化训练
知识的运用
指导、辅导
思考、讨论、练习
练习、辅导
知识运用偏差。
纠
正
掌握知识
占
八、、
5
小结
任务总结
总评
回顾、总结
归纳
系部审核意见
审核人员签字
附件：
【任务书】或【学案】
《三极管的识别与检测》任务书
教学过程：
一、知识链接：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个
PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
二、合作自学：
1、三极管的外形
特点：
有三个电极，故称三极管
塑封「极管玻壳三极管微型「极管片状三极管
2、三极管的结构
发射区
（a）NPN型
（b）P1XP型
Kvt
ri
e
/集电区
”2
基区ho
基区
N
'发射区
严1集电区
2.1所示。
三极管是由两个PN结构成的，其基本特性是具有电流放大作用。
三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两种。
相应的结构示意图及电路符号如图
特点：
有三个区一一发射区、基区、集电区；
c（C）;
两个PN结一一发射结（BE结）、集电结（BC结）；三个电极一一发射极e（E）、基极b（B）和集电极两种类型——PNP型管和NPN型管。
工艺要求：
发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
三极管内部结构分为发射区、基区和集电区，相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。
发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。
电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在正常工作时发射极电流的实际方向。
三极管在制作时，其内部结构特点是：
（1）发射区掺杂浓度高；
（2）基区很薄，且掺杂浓度低；
（3）集电结面积大于发射结面积。
以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。
3、晶体三极管的符号箭头：
表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：
V
（a）NPN型（b）PNP型
三、教师讲解：
1、晶体三极管的分类
按内部结构分：
有NPN型和PNP型管;按工作频率分：
有低频和咼频管；按功率分：
有小功率和大功率管；按用途分：
有普通管和开关管；按半导体材料分：
有锗管和硅管等等
2、三极管的电流放大作用三极管放大的条件
三极管实现电流放大的外部偏置条件：
发射结正偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是：
NPN型UC>UB>UE
PNP型UCvUBvUE
3、晶体三极管在电路中的基本连接方式
有三种基本连接方式：
共发射极、共基极和共集电极接法。
最常用的是共发射极接法。
伍）共发射极接法（b）共基极接法也）共集电极接法
4、三极管内电流的分配和放大作用电流分配关系
IE=IC+IB
因IB很小，贝UIC:
IE
由上述实验结果可知，当IB有一微小变化时，能引起IC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。
电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。
5、三极管的特性曲线输入特性曲线
三极管的输入特性曲线如图2.5所示
由图2.5所示的输入特性曲线可以看出：
曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加LBE电压小于死区电压时，三极管不
能导通，处于截止状态。
三极管正常工作时，UBE变化不大，对于硅管，LBE约为
0.7V左右，锗管的约为0.3V左右。
输出特性曲线
当IB取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，如图2.6所示。
饱和区
T巳E俣大区
;B=l40gA•%F20pA
一/b=100mA—」日=80叭—^B=60pA
^^40gA
-/b=2O^A
（1）三极管输出特性曲线中，IB=0的输出特性曲线以下，横轴以上的区域称为截止区。
其特点是：
发射结和集电结均为反偏，各电极电流很小，相当于一个断开的开关。
（2）输出特性曲线中，截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。
其特点是：
发射结正偏，集电结反偏。
此时IC受控于IB;同时IC与UCE基本无关，可近似看成恒流。
此区内三极管具有电流放大作用。
⑶输出特性曲线中，UCECUBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。
饱和区的特点是：
发射结和集电结均为正偏。
饱和时的UCE称为饱和压降，用UCES表示，UCES艮小，一般约为0.3V。
工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关，没有电流放大作用。
6三极管主要参数
1）共发射极电流放大系数：
直流放大系数、交流放大系数
电流放大系数一般在10~100之间。
太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。
一般取30~80为宜。
2）集电极一一基极反向饱和电流ICBQ
集电极发射极反向饱和电流ICEO
反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。
因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。
硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
3）集电极最大允许电流ICM
三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏
管子。
集电极最大允许耗散功率PCM
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。
集电极发射极间反向击穿电压V（BR）CEO
管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。
当电压越过此值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。
四、强化训练：
三极管的简单测试
1、硅管或锗管的判别
2丄6三极管的简单测试
一「硅管或错管的判别
估计比较“的人小
NPN管估测电路如图所示口
万用表设置在*IkS.测量并比较开关S断开和接通时的电阻值“前后两个读数相差越大”说明管子的Q越高，即电流放大能力越大口
估测PNP管时才将万用表两只表笔对换位置摘
三.估测命加
NPN管估测电路如图所示。
所测阻值越大，说明管子的
ZCE0趣小。
若阻值无穷大，三极管开路；若阻值为零，三极管短路口
测FNP型管时，红、黑表笔对调才方法同前。
1CEO的怙测
四.NPN管型和PNP管型的判断
将万用表设置在Ax1k或Ax100k挡，用黒表笔和任一管脚相接（假设它是基极b）,红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小.则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子口如图6）所示口如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极円如图（b）所示m
基极b的判断
玉K1K£三个骨脚的判断
如图所示”首先确定三极管的基极和管型’然后采用估测0值的方法判断（：
■E极。
摆动幅度大的一次，黑
表笔所连接的管脚是集电极
一红表笔所连接的管脚为发射极4
HHJkC）
估测“的电路
方法是先假定一个待定电极为集电极（另一个假走为发射极）接入电路，记下电阻表的摆动幅度’然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下电阻表的摆动幅度口
测PNP管时’只要把图示电路中红.黑表笔对调位置，仍照上述方法测试口
五、评价标准
实训内容
评分标准
分值
得分
8min内完成6只三极管的识别工作并记录
1、元件识别错误每次扣2分。
2、引脚识别有误差每次扣2分
40分
5min内完成6只三极管的检测工作并记录
1、万用表档位选错每次扣3分
2、测量过程中未校零扣3分
3、里程选择错误母次扣2分
4、测量结果错误每次扣2分
30分
5min内完成6只三极管检测并记录
30分
安全文明操作
1、损坏、丢失兀器件，扣1~5分
2、物品随意乱放扣1~5分
10分
总评成绩
自我评价
六、课堂小结：
1、熟悉电感器的分类并了解三极管的主要参数
2、掌握三极管的识别与检测技能
作业：
结本节课要点
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