JY3晶体管测试仪技术说明书文档格式.docx
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VCE：
1V～25V，IC：
1mA～5.99AVCE：
1V～15V，IC：
6A～20A
ICEO、ICBO
、IEBO
0.1uA～10mA
10V～1000V（VEB：
1V～100V）
V（BR）CEO、V（BR）CBO
10V～1000V
50uA～10mA
V（BR）EBO
5V～100V
VCES、VBES
0.1V～3V
IC：
10mA～20A，
IB：
1mA～3A
加温PCM范围：
5V～25VIC：
0.1A～6A加温时间T：
0～10S
4．使用条件
4.1电网电压:
220V±
10%频率:
50HZ环境温度:
0℃--30℃相对湿度：
≤85％
4.2整机最大功耗:
600W
4.3重量：
15kg
4.4外形尺寸：
（宽×
高×
深mm）450×
180×
460
4.5其它：
无强电磁场干扰和有害腐蚀性气体
5．使用前注意事项
5.1仪器使用电源进线为单相三线，其中的地线必须与大地接触良好，以确保安全。
5.2仪器使用220V±
10%，最好使用稳压器。
5.3使用前应先参阅使用说明书的技术性能、使用方法等章节。
6.JY-3晶体管测试仪使用方法
6.1打开本机电源
大屏幕液晶显示键盘
1ABC
2DEF
3GHI
测试
打印
复位
4JKL
5MNO
6PQR
返回
↑
确认
7STU
8VWX
9YZ
←
转换
→
0
·
退格
↓
暂停
面板外形示意图
在大屏幕液晶显示左下角显示的“NPN3DD15”，表示系统已经设定的被测器件为三极管3DD15。
如果需要测试器件的型号为三极管3DD15，（如果需要测试器件的型号不是三极管3DD15，请按键盘数字“1”，选择所需要测试的器件型号。
）请按键盘数字“4”，进入“器件自动测试”步骤,液晶屏显示界面如下：
测试三极管3DD15
1.开始自动测试
2.浏览测试结果
3.打印测试条件
4.返回
测试方法一：
插入被测器件，按键盘数字“1”，仪器自动测试被测器件。
测试完毕显示测试报表如下：
器件3DD15测试报表累计测试：
1次
项目
常温
高温
变化量
单位
Vbe
V
Hfe1
6
%
倍
Hfe2
Iceo
uA
Icbo
Iebo
V（br）ceo
V（br）cbo
V（br）ebo
Vces
Vbes
Vbc
当将测试端口器件取下，仪器进入自动探测状态，测试口有否被测器件自动设别测试。
测试端口更换另一个被测器件后，不用按键，仪器就可自动测试被测器件。
测试方法二：
插入被测器件，按键盘“测试”，仪器自动测试被测器件。
测试完毕显示测试报表如上。
更换另一个被测器件后，按键盘“测试”，仪器自动测试被测器件。
测试过程中如果发现某项参数超标，蜂鸣器发出一秒长鸣以示告警，并在液晶屏上显示告警信息。
注意事项：
在自动探测状态测试时，更换另一个被测器件后，请立刻把手离开测试端口，以免高压打手。
6.2在开机界面下：
按键盘数字“1”，可以选择所需要测试的器件型号，液晶屏显示界面如下：
设定测试三极管型号
1．选择NPN器件型号
2．选择PNP器件型号
NPN3DD152000-01-0108:
08:
00
按数字键“1”或“2”，进入选择器件状态，显示界面如下：
选择NPN器件
输入1——250的器件序号
10
库中器件名称
3DD15
在“输入1—250的器件序号”中输入器件序号，器件型号自动显示在“库中器件名称”中。
或按键盘“↑”、“↓”可往前、往后改变器件型号，“←”、“→”可快速往前、往后改变器件型号，器件型号显示在“库中器件名称”中，按“确认”键即将该器件选为当前被测器件。
自动返回开机菜单。
6.3在开机界面下：
按键盘数字“2”,可以设置测试判据，液晶屏显示界面如下：
三极管判断值条件设置表
测试型号
3DD15
测试项目
测试选择及判断条件
L_Vbe
★
≤
1
ΔVbe
0.13
L_Hfe1
≥
10
200
ΔHfe1%
30
%
L_Iceo
0.01
mA
H_Iceo
0.1
ΔIceo
0.09
L_Icbo
H_Icbo
ΔIcbo
L_Iebo
H_Iebo
ΔIebo
L_V（br）ceo
H_V（br）ceo
L_V（br）cbo
H_V（br）cbo
L_V（br）ebo
H_V（br）ebo
L_Hfe2
○
ΔHfe2%
L_Vces
H_Vces
L_Vbes
H_Vbes
L_Vbc
H_Vbc
HfeFD1
--
20
HfeFD2
HfeFD3
40
HfeFD4
50
HfeFD5
60
HfeFD6
70
HfeFD7
80
HfeFD8
90
HfeFD9
100
HfeFD10
500
此时可对当前被测三极管“判断值条件设置表”进行检查或修改。
项目参数前“L_”、“H_”、“Δ”分别表示为该参数为常温参数、高温参数、常温与高温变化量。
其中HfeFD1至HfeFD10为放大倍数分档设定范围，可由小到大任意设定。
“↑”、“↓”可在输入时移动高亮条转换输入项目，“←”可将当前输入的数据清零。
“→”可恢复原数值。
当高亮条所在的该行第二列有图案时，按“转换”键可将图案在“★”和“○”之间转换，“★”表示该项目在自动测试时进行测试，“○”表示在自动测试中该项不作测试。
按“确认”可将修改数据存盘，并返回上层菜单。
按“返回”即放弃修改结果返回开机菜单。
6.4在开机界面下：
按键盘数字“3”，可以设置测试参数。
液晶屏显示界面如下：
三极管设置条件
Ib
Vce
Ic
A
Vcb
Veb
加温条件
T
S
此时可对当前被测三极管“测试条件设置表”进行检查或修改。
“↑”、“↓”可移动测试项目（高亮条），“←”可将当前项输入的数据清零。
6.5在开机界面下：
按键盘数字“5”,可以对当前被测器件手动测试，液晶屏显示界面如下：
手动测试NPN器件3DD15
测试结果
Hfe
“↑”、“↓”可移动测试项目，按“测试”可对高亮条所在项测试，按“确认”或“返回”返回开机菜单。
6.6在开机界面下：
按键盘数字“6”,可以统计器件测试分析报告:
显示测试统计报表
请输入需要统计的器件量：
100
如输入的“器件量”为100，表示所统计的器件是第1至第100个所测器件。
统计数字最多为250个。
（1）.按“转换”按键，显示如下：
1.显示常温统计报表
2.显示高温统计报表
3.显示差值统计报表
4．返回上层菜单
A.按数字键“1”，显示常温统计报表，如下：
3DD15常温测试统计报表累计测试：
100次
最小值
最大值
平均值
B.按数字键“2”，显示高温统计报表，如下：
3DD15高温测试统计报表累计测试：
C.按数字键“3”，显示差值统计报表，如下：
3DD15差值测试统计报表累计测试：
D.按数字键“4”，返回上层菜单；
E.按“打印”键可打印上述结果，按“确定”和“返回”键可返回上层菜单。
6.7在开机界面下：
按键盘数字键“7”，可以系统设置，液晶屏显示界面如下：
1.修改系统时间
2.系统打印设置
⑴修改系统时间:
按数字键“1”,液晶屏显示界面如下：
*001010101：
01：
01
年月日时分秒
修改完毕按“确认”键，返回开机菜单.
（2）系统打印设置:
按数字键“2”，液晶屏显示界面如下：
允许自动打印
按“转换”键，选择“允许自动打印”或“禁止自动打印”常态。
设置完毕按“确认”键返回开机菜单.
注意：
如果需要打印，请先连接好打印线，开启打印机，再开主机。
在测试前打印设置常态选择“允许自动打印”。
如果不需要打印，请在测试前打印设置常态选择“禁止自动打印”。
6.8在开机界面下：
按键盘数字“4”,液晶屏显示界面如下：
1.开始自动测试
2.浏览测试结果
3.打印测试条件
4.返回
按键盘数字“2”，可以浏览测试结果。
“↑”、“↓”可在测试时翻看前后记录，按“确认”或“返回”返回上层菜单。
按键盘数字“4”，返回上层菜单。
按“打印”键打印测试结果。
6.9在开机界面下：
按键盘数字“1”，可以新增库中器件型号：
在第一行高亮条中输入所要增加的器件的排序号。
按“转换”键显示第二个高亮条，在第二高亮条内输入所要增加器件的型号。
如果在输入器件型号时，有连续2个字在同一个按键上，则在输入第二个字前先按一次“·
”。
按“确认”键保存器件的序号和型号，自动转入测试条件和测试判据设置。
按“返回”键取消所作更改,返回开机菜单。
7.键盘布局如下：
其中“1”到“9”、“0”为数字键，用于输入参数和菜单选择，“·
”为数据输入中的小数点，“退格”键用于删除本行中输入的数字和字符的最后一个。
“确认”键用于对新增、设置或更改的数据进行保存，并返回上层菜单或进入下一级菜单。
“返回”按键用于取消或放弃当前所作的修改，并返回上层菜单。
“↑”、“↓”用来数据输入时转换输入焦点、输入项目或手动测试中转换被测项目。
“←”也称为“数据清零键”，可将当前输入的数据清零。
“→”也称为“数据复原键”，当发生数据错误改动时，按此键即可恢复原数值。
8.主机联电脑:
器件型号、测试时间、测试条件、失效判据、检测结果及器件编号，可通过电脑串行口保存在电脑中。
开机前请先把主机与电脑通过电脑串行线联机，然后
先开电脑，点新记录开始，再开主机，在测试前打印设置常态选择“允许自动打印”。
在开机界面下：
按键盘数字“4”，进入“器件自动测试”后，按键盘数字“3”，可通过电脑串行口保存器件型号、测试时间、测试条件、失效判据，然后进入自动测试。
8.根据部标确定热敏参数的测试条件（室温25℃）（内部参考资料）8.1失效判据的具体确定：
△VBE：
硅管PCM＞9W,120mv—130mv。
PCM＜9w，80mv—85mv。
锗管60mv—70mv
△hFE%：
30%—35%
ICEOH：
硅管：
PCM＜500mw，1uA
PCM500mw—9w，10uA
PCM＞9W，100uA
锗管：
根据实际要求设定
8.2加温条件的具体确定：
⑴、加温方式：
给三极管加瞬态超功率（VCE，IC），并保持一定时间，使三极管结温升高，达到温升目的。
⑵、加温VCE，IC和T的确定：
A：
VCE不能超过所加加温功率下的二次击穿电压，一般在BVCEO×
70%以内选。
B：
通过多次调整VCE，IC和T的大小，使大部分器件的△VBE
测试结果满足：
PCM＜9W：
△VBE50—60mV（硅管）
30—40mV（锗管）
PCM＞9W：
△VBE90—100mV（硅管）
60—70mV（锗管）
注：
a：
fT600MHZ的高频小功率管，加温IC不可大于100mA。
b：
加温功率VCE，IC确定时，小电流高电压的晶体管，VCE可选得
大一些，IC可选得小一些；
大电流低电压的晶体管IC可选得大一些。
c：
VCE，Ic和T越大，△VBE越大
d：
每次调整VCE，Ic和T的大小后，须换一只管子。
8.3测试条件的确定：
ICEO：
测试电压为部标VCE
VBE：
测试电流为IB
P＞9W：
IB＝10mA
P＜9W：
IB＝5mA
fT＞500MHZ：
IB＝3mA
hFE：
测试电压、电流为部标VCE、IC
加温：
确定施加功率脉冲、T取决于△VBE值
三极管筛选条件
型号
最佳加温条件
最佳失效判据
VCE
（V）
IC
（mA）
加温时间
（S）
△VBE（mV）
△hFE%
8050
18
110
2
80
35
C1008
180
3
25
3CG21（733）
100
3DG201
10
50
3.5
9015
15
2500
2.5
120
SD1B
30
500
SC1B
20
200
3DF5
3000
9.常见故障排除
9.1打开电源，电源指示灯及LCD不显示，没有交流电或保险丝被熔断。
9.2打印机没有打印，请进入打印设置常态，按“转换”键，选择“打印”常态。
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