《模拟电子技术基础》复习资料与答案Word文档下载推荐.docx
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B管的b=50，ICEO=10mA，其他参数大致相同，相比之下B管的性能较好。
22.点接触二极管的主要优点是结电容小，多用于高频检波、小电流整流及小功率开关电路。
23.稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在击穿区 ，所以当反向电压 大于稳定电压UZ时，它才能产生稳压作用。
24.变容二极管是利用PN结的势垒电容随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。
25.双极型三极管有两 种极性的载流子参与导电；
场效应管有一 种极性的载流子参与导电。
26.三极管有两个PN结，即发射结和集电 结，在放大电路中发射 结必须正偏，集电 结必须反偏。
27.三极管个电极电流的分配关系是IE=IB+IC。
28.三极管有_NPN_型和PNP 型，前者在电路中使用的符号是 ，后者在电路中使用的符号是
。
29.晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：
发射区需 重 掺杂，基区宽度要窄 ；
外部条件是：
发射结要正向 偏置，集电结要 反向 偏置。
30.处于放大状态的三极管IC与IB的关系是_IC=bIB_，处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制，_失去_了放大作用，处在截止状态的三极管IC»
0 。
5
31.电流放大系数b的定义是»
IC/IB。
32.当NPN锗管工作在放大区时，在E、B、C三个电极中，以集电极电位最高，_发射极_的电位最低；
UBEQ约等于0.2V。
33.当PNP型硅三极管处于放大状态时，在E、B、C三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电位最低。
34.三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而_升高 ，穿透电流ICEO随温度升高而增加 ，UBE随温度的升高而下降 ，b值随温度的升高而增加 。
35.三极管的三个主要极限参数是PCM 、 ICM 和 反向击穿电压 。
36.从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成放大区 、饱和区 、截止区 和击穿区四个工作区域。
当三极管工作在放大 区时，关系式IC=bIB才成立；
当三极管工作在 截止 区时，IC»
0；
当三极管工作在 饱和 区时，UCE»
0。
37.三极管有三个电极，分别是集电极 、发射极 和 基极 。
38.用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V,VC=+10.3V,
VE=+10V，则该管工作在_饱和 区。
39.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V,VB=+2.9V,VC=-2V，则从材料看为锗管，从结构上看为PNP型管，且A为发射极，B为基极，C为集电极。
40.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V,VB=+1.8V,VC=+6.3V，则从材料看为硅管，从结构上看为PNP型管，且A为发射极，B为集电极，C为基极极。
41.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V,VB=+1.8V,VC=+2.5V，则从材料看为硅管，从结构上看为NPN型管，且A为集电极，B为发射极，C为基极极。
42.在放大状态下，三极管的1，2，3三个电极的电流分别为I1=1.5mA，I2=30mA，I3=1.53mA，则电极1
为集电极，电极2 为基极，电极 3 为发射极。
b=50，a=0.98 。
43.从输出特性上分析单级PNP管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致 饱和 失真，从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；
工作点设置偏低，则有可能导致_截止 失真。
44.交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波）。
45.如图一（a）是NPN管共射放大电路。
若其输出波形如图一（b）、（c）所示，则图一（b）是饱和 失真，解决办法是将基极偏置电流调 小 ；
图一（c）是截止 失真，解决办法是将基极偏置电流调大 。
+VCC
UO
t
Rb RC
RL
Ui 0 0
（a）
（b）
图一
（c）
46.放大电路有两种工作状态，Ui=0时的直流状态称为静态；
当有交流信号Ui输入时，放大电路的工作状态称为动态，此时，三极管各极电压、电流均有直流分量和交流分量两部分叠加而成。
47.在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的电容和直流电源 视为短路。
48.交流放大电路的基本分析方法有图解法 和微变等效电路法 两种。
49.对于电压放大电路，输入电阻越_大 ，就越能从前级信号源获得较大的电信号；
输出电阻越小 ，放大电路带负载的能力越强。
50.影响放大电路工作点稳定的主要因素是 温度 的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入直流负反馈 。
51.在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现 饱和 失真，常通过调整基极偏置电阻 元件来消除失真。
52.在单级共射放大电路中（如图一（a）电路所示），如果输出信号的波形产生了截止失真，常通过调整基极偏置电阻Rb 元件来消除失真，且应减小 其阻值。
53.在单级共射放大电路中，无论是NPN型还是PNP型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高时，容易出现 饱和 失真，过低时容易产生截止 失真。
若采用基极上偏置电阻Rb来消除失真，对于前者应使Rb 增大 ，对于后者应使Rb减小 。
54.反映双极型晶体三极管（BJT管）放大能力的参数是b ，反映场效应管（FET管）放大能力的参数是跨导gm 。
55.BJT管是 电流 控制器件，而FET管则是电压 控制器件。
56.当BJT管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在放大区；
当BJT管发射结和集电结均正偏时，放大电路工作在饱和区；
当BJT管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在截止区。
57.双极型晶体三极管放大电路有共基 、共集 和共射 三种连接方式。
58.放大电路中的三极管有共基、共集和共射三种接法，其中电压、电流放大倍数都比较大的是共射接法。
所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以发射极作为输入输出信号的共同参考点。
59.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共射 放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数；
共集 放大电路的电压放大倍数最低。
60.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共射 放大电路既有电压放大，又有电流放大；
共集 放大电路只有电流放大，而无电压放大；
共基 放大电路只有电压放大，而无电流放大。
61.在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选共集 电路，欲要电压放大且频率响应好的应选共基 电路。
62.共集电极电路的特点是：
输入电阻很大 ，输出电阻很小，电压放大倍数 小于近似等于1 ，动态范围较大。
63.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共集 放大电路的输入电阻最高；
共集 放大电路的输出电阻最低。
64.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，共集和共基 电路输入输出电压同相， 共射 电路输入输出电压反相。
65.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，当待处理的信号是电流时，可采用共基 放大电路，利用的是该电路的输入电阻小、输出电阻大 的特点。
66.直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是：
各级静态工作点相互影响、需要电平配置 和零点漂移 。
67.零点漂移一般都是折合到输入 端来衡量的。
若Au=1000，输出端最大漂移为50mV，则该放大电路的漂移为50mV 。
68.多级放大器的耦合方式有：
直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合 三种。
69.多级交流放大电路的极间耦合方式有直接耦合 、 阻容耦合 和变压器耦合 三种，在低频电压放大电路中常采用阻容 耦合方式， 直接_耦合电路存在零点漂移问题。
70.多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压增益为20dB，则总电压增益为 60dB ，折算为电压放大倍数为 1000 倍。
71.多级放大电路中，第一级电压放大倍数为100倍，第二级电压放大倍数为1000倍，则总电压放大倍数为 105 倍，折算为电压增益为 100 dB。
72.一般而言，多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻 ；
输出电阻等于末级的输出电阻 。
73.场效应管从结构上可分为 结型场效应管 和绝缘栅场效应管 两大类；
从其导电沟道上可分为
N沟道和P 沟道两大类。
74.场效应管在其输出特性上可分为饱和（或线性放大，或恒流） 区、截止区、可变电阻 区和击穿区四个区域。
75.场效应管放大电路中，其输入电阻 很高 ，故栅流IG»
0 。
76.场效应管的共漏组态电路通常称为源极跟随器，它和双极型晶体三极管的共集组态电路具有相似的特性，即输入电阻很高，输出电阻很低，电压放大倍数小于近似等于1，且输入电出电压的相位相同。
77.场效应管放大电路有_共栅 、共源 和共漏 三种连接方式。
78.在如图二所示的电路中，VT1、VT2组成两级阻容 耦合放大电路。
其中VT1管组成共射 电路，
VT2管组成共集电路，又称射随器电路；
电路中C1、C3、C4称为隔直耦合电容，其作用是隔断晶体三极管与信号源或负载之间的直流联系，并使信号能顺利通过，即起到耦合信号（传送交流）的作用，C2称为旁路电容，其作用是为发射极电流中的交流成分提供通路，使发射极电阻（如图二中的R4）两端的交流压降为零。
R3
C3
R5
+Vcc
R1
C1
VT1
+
Ui
-
VT2
C4
R2
R4
C2
R6
R
L
Uo
图二
79.在晶体三极管放大电路中，当f=fb时，|b|值为b0（低频时的数值）的2倍；
当f=fT时，|b|值为=1 ，
fT称为特征频率 ，fb称为共射截止频率 。
80.单级共射放大电路高频特性的斜率为 -20 dB/十倍频程，若中频区的|Au|=100，折合40 dB；
当
f=fh时，折合为37 dB，其附加相移为-45 度。
81.*含有两个极点频率的放大电路，其高频区对数幅频特性的最大斜率（指绝对值）为 40 dB/十倍频程。
82.*由两级相同的放大器组成的多级放大电路，已知每级电压增益为20dB，上限频率为10kHz，下限频率为50Hz，则多级放大电路总电压增益为40dB，总上限频率fh»
10/21/2kHz，总下限频率fL»
21/2´
50Hz，总的带宽fbw»
fh»
10/21/2kHz。
83.为了使输出电流稳定，应引入交流电流负_反馈，其输出电阻将 增大 。
84.为了使输出电压稳定，应引入交流电压负 反馈，其输出电阻将 减小 。
85.若希望负载变化时，放大器的输出电压稳定，应引入交流电压负反馈，此时输出电阻将减小。
86.为了使放大器的输入电阻提高，应引入交流串联负 反馈。
87.为了使放大器的静态工作点稳定，应引入 直流电流负 反馈。
88.若要减小放大器从信号源索取电流，应引入交流串联负 反馈。
89.若要提高放大器的带负载能力，应引入 交流电压负 反馈。
90.若信号源的内阻大，应引入 交流并联负 反馈，效果才显著。
91.交流串联负反馈只有信号源内阻较小 时，效果才显著。
92.负反馈有四种类型：
电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、电压并联 负反馈和_电流并联
负反馈。
93.电路引入负反馈可以改善放大电路的性能，如_提高增益的稳定性_、展宽通频带 、减小非线性失真 、根据需要改变输入输出电阻 等等。
94.某放大器无反馈时，输入信号为20mV，输出电压为10V。
而引入负反馈后，欲使输出电压不变，则输入信号应增大为200mV，故所引入的反馈深度为10 。
95.负反馈放大器产生自激振荡的条件为开环增益与反馈系数的乘积A&
F&
=-1 。
96.某放大器的闭环增益为40dB，当基本放大器的增益的相对变化量变化了10%时，闭环增益的相对变化量变化1%，则开环增益为60 dB。
97.*欲使负反馈放大电路稳定可靠地工作，应要求增益裕度Gm£
-10dB，相位裕度jm³
45度 。
98.在低频功率放大器中，集电极电流的导通角q=180°
为甲类；
导通角q=90°
为乙类；
90°
<
q<
180°
为甲乙类。
99.在理想情况下，甲类和乙类功率放大电路的效率hC=Po/PU´
100%分别为50% 和78.5% 。
100.OTL功放电路中，设UCC=12V，RL=8W，UCES=1V，则射极静态电位（即中点电位）=6 V，输出最大电压Uom=5 V，输出交流功率Po=1.56 W。
101.OTL功放电路中，设UCC=24V，RL=8W，理想情况下，Pomax=9 W，两射极欲负载RL之间应接有容量较大的电容 。
102.乙类互补推挽功率放大电路存在交越 失真，为克服它，应使它工作在甲乙类 。
103.一个交流输出功率Po=20W的乙类互补推挽功率放大电路，应选每只晶体三极管集电极最大允许功耗
PCM至少为0.2Po=4 W。
对于UCC=±
24V的OCL功放，每管的耐压U（BR）CEO³
2UCC=48 V。
104.复合管在功放电路中的作用是提高功放电路的输出功率 。
105.对功率放大电路的基本要求是能够向负载提供足够大的输出功率，有较高的功率转换效率 和较小的非线性失真。
106.对于互补对称功率放大电路，两边的三极管（均是单管）要求它们的导电类型互补，各个参数对称 。
107.已知差分放大电路的两个输入电压uI1=20mV，uI2=15mV，则其差模输入电压uId=5mV，共模输入电压uIC=17.5mV；
当输入电压uI1=uI2=20mV时，其差模输入电压uId=0mV，共模输入电压uIC=20mV；
当输入电压uI1=-uI2=20mV时，其差模输入电压uId=40mV，共模输入电压uIC=0mV。
108.差分放大电路的差模输入信号是指两管输入端的信号具有大小相等、相位相反的特点；
共模输入信号是指两管输入端的信号具有大小相等、相位相同的特点。
109.差分放大电路的差模放大倍数比共模放大倍数要大；
双端输出形式的共模抑制比比单端输出形式要高；
双端输出形式的输出电阻比单端输出形式的输出电阻要大；
双端输入形式的输出电阻和单端输入形式的输入电阻相同。
110.长尾式差分放大电路中的射极公共电阻Re对差模信号可视为短路 ；
而对共模信号具有负反馈作用。
111.集成运放的第一级通常采用差分放大 电路，主要是为了减小零点漂移，提高共模抑制比 。
112.有源负载在集成运放的中间级中所起的作用是获得较高的电压放大倍数 。
113.理想集成运放的开环电压放大倍数=无穷大；
差模输入电阻=无穷大；
输出电阻=零 ；
共模抑制比KCMR=无穷大；
-3dB带宽fh=无穷大。
114.理想运放在线性区工作时，其两输入端的电位（u+，u-）相等 ，
电流（i+，i-）相等且等于零。
RF
115.集成运放的“虚短”概念是指同相端的电压等于反相端的电压
（u+=u-） ；
“虚断”的概念是指同相端的电流等于反相端的电流 R1 ¥
u
且等于零（i+=i-=0）；
“虚地”的概念是指反相端的电压等于同相端uI A
o
图三
的电压且等于零（u+=u-=0） 。
116.在集成运放组成的反相放大组态（如图三所示）中，引入的是电压并联负 反馈，而同相放大组态中，引入的是电压串联负 反馈。
117.若集成运放反相输入端和反馈支路上的电阻分别为R1和RF，则反相放大组态和同相放大组态的闭环电压增益Auf分别为-RF/R1 和1+（RF/R1） 。
118.在基本积分电路和微分电路中，反馈支路应分别接入电容 和电阻 元件。
119.用理想运放组成的放大器，应工作在线性 状态；
而电压比较器则应工作在非线性 状态，所以电压比较器的输出只有高 和低两种电平。
120.由集成运放组成的方波发生器，它是由迟滞比较器和RC充放电电路或RC积分电路 组成的。
121.线性稳压电源（即串联型稳压电源）包括调整管、取样电路、比较放大 和基准电压四个部分。
122.设电源变压器次级电压有效值为U2，则桥式整流电容滤波电路的输出电压Uo=1.2U2；
当电容因故开路，仅有负载RL时，输出电压Uo=0.9U2；
当电容滤波电路的负载RL开路时，输出电压Uo=1.4U2；
若桥式整流电路的四个整流二极管中有一个被开路（损坏），而且电容也因故开路，仅有负载RL时，则输出电压Uo=0.45U2。
二、单项选择题
1.P型半导体的少数载流子是
（2）
（1）空穴
（2）电子 （3）正离子 （4）负离子
2.PN结加正向电压或加反向电压，其状态是
（2）
（1）前者导通，后者导通
（2）前者导通，后者截止
（3）前者截止，后者导通 （4）前者截止，后者截止
3.PN结加正向电压时，扩散电流
（1）漂移电流。
（1）大于
（2）小于 （3）等于 （4）不能确定
4.PN结加反向电压时，其阻挡层将
（1）。
（1）变宽
（2）变窄 （3）不变 （4）不能确定
5.对于不对称的PN结，如P+N结，其耗尽区主要伸向（ B ）。
AP+区 B N区 C P+和N区相同 D 不能确定
6.二极管的伏安特性可用数学式来描述，其数学式是（ C ）。
A i=IS（1-ekT/qu） B i=IS（ekT/qu-1） C i=IS（equ/kT-1） D i=IS（1-equ/kT）
7.PN结在不同的运用状态下表现的特性不同，了解其特性是理解和使用晶体二极管、三极管的重要依据，其特性包括（D ）。
APN结的单向导电性 B PN结的击穿特性
C PN结的电容效应 D PN结的特性应包括以上三个特性
8.二极管在同一工作点上其直流电阻比交流电阻
（1）。
（1）大
（2）小 （3）基本相等 （4）不能确定
9.NPN型晶体三极管电路，测得其三个电极对同一参考点的电压分别为VB=+2.7V，VC=+7V，
VE=+2V，则该管处于
（2）
（1）饱和状态
（2）放大状态 （3）截止状态 （4）击穿状态
10.晶体三极管工作时，当环境温度升高时，则|UBE|
（2）。
（1）增大
（2）减小 （3）基本不变 （4）由于与温度无关，故无法判断
11.晶体三极管饱和时，则（3）
（1）发射结正偏，集电结反偏
（2）发射结反偏，集电结正偏
（3）发射结正偏，集电结正偏 （4）发射结反偏，集电结反偏
12.NPN型三极管工作在放大区时，说法正确的是（4）
（1）发射结正偏，集电极正偏
（2）发射结反偏，集电结反偏
12
（3）发射结反偏，集电结正偏 （4）发射结正偏，集电结反偏
13.如图四所示各电路中的场效应管有可能工作在恒流区的是（D ）。
（a） （b） （c） （d）
图四
分析
对于N沟道：
uDS>
uGS-UGS（th）——放大区（或恒流区）；
uDS=uGS-UGS（th）——预夹断；
uDS<
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