机械工程材料老师给的复习题华南理工大学广州学院答案最新范文.docx
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机械工程材料老师给的复习题华南理工大学广州学院答案最新范文
机械工程材料老师给的复习题华南理工大学广州学院答案
篇一：
机械工程材料习题集答案-华南理工大学
习题集参考答案
Ch1金属的晶体结构三、
1.bcc、fcc、hcp,bcc、fcc、hcp。
2.致密度,配位数
3.2/a2、1.4/a2、2.31/a2;1/a、1.4/a、0.58/a。
{111}、。
4.多、晶体缺陷。
5.fcc、hcp。
6.4、
2
a、12、0.74。
4
7.空位、间隙原子;位错;晶界和亚晶界。
8.[121]、（121）
9.畸变,升高,下降。
10.晶体中已滑移的部分,未滑移部分。
11.⊥、∥
12.位错线和。
1;无数。
四、
Ch2纯金属的结晶
三、1.低于理论结晶温度才结晶,理论结晶温度-实际结晶温度。
2.形核与长大。
3.大、细、高、好。
4.液、固相自由能差,液相过冷。
5.平面、密排面。
6.表面细等轴晶、柱状晶、中心粗等轴晶。
7.偏析、疏松、气孔、夹杂物。
8.（
1）细,
（2）细,（3）细。
四、五、
Ch3金属的塑性变形与再结晶三、
1.滑移、孪生,滑移2.原子密度最大。
3.{110},6,,2,12;{111},4,,3,12。
Fcc,滑移方向较多。
4.?
k?
?
scos?
cos?
或?
?
k
s?
cos?
cos?
小,软位向。
5.晶界、晶体位向差,较高。
6.提高,升高,下降。
再结晶退火。
7.织构。
8.回复、再结晶、晶粒长大。
9.去应力退火,200-3000C。
10.去应力退火。
11.再结晶退火,降低硬度、恢复塑性。
12.再结晶温度。
低于再结晶温度,高于再结晶温度。
13.偏析、杂质、夹杂物,热加工纤维组织（流线）。
14.优于。
四、
Ch4合金的相结构与二元合金相图三、1.固溶体;金属化合物
2.溶剂,溶质,溶剂。
3.溶质,溶剂;置换固溶体、间隙固溶体。
4.升高,提高,下降。
5.正常价化合物;电子化合物;间隙化合物。
6.平衡,平衡、状态。
7.合金,两条边界线。
8.差,树枝,差,多,少。
9.晶格结构。
10.三,水平。
11.机械混合物,数量、形态、分布。
12.共晶、包晶、共析。
13.固溶强化、细晶强化、弥散强化、时效硬化。
14.Ⅲ,Ⅱ;Ⅰ,Ⅲ;Ⅱ,Ⅰ。
1
Ch5铁碳合金三、
1.δ-Fe,γ-Fe,α-Fe;bcc,fcc,bcc。
2.α、Fe3C,2。
3.5,L、δ、γ、α、Fe3C。
4.3,HJB、ECF、PSK;包晶、共晶、共析。
5.﹤0.0218%,α+Fe3CⅢ。
6.4.3%,P=40.4%、Fe3C共晶=47.8%、Fe3CⅡ=11.8%。
7.0.47%
8.单相γ,塑,锻压。
9.共晶,莱氏体,铸造。
10.α=88.78%,Fe3C共析=11.22。
11.1.3%C。
12.PSK、GS、ES。
13.C,α-Fe,bcc。
14.Fe3CⅡ,P。
15.α,P。
16.Si、Mn、P、S;P、S,P、S。
17.杂质P、S含量。
18.﹤0.25%;0.25-0.6%;﹥0.6。
2
Ch6钢的热处理三、
1.加热、保温、冷却,组织。
2.扩散,扩散。
3.Ac1、Ac3、Accm;Ar1、Ar3、Arcm。
4.加热温度、保温时间、原始组织、化学成分。
5.快,高、长。
6.8,1、8。
1-4,5-8。
7.α、Fe3C;片层间距不同。
8.低,好。
9.化学成分,奥氏体化条件。
10.扩散型,半扩散型,非扩散型。
11.板条状,﹤0.2%,位错;针状,﹥1.0%,孪晶。
12.α条间;α内,好。
13.过冷奥氏体等温转变曲线,TTT;过冷奥氏体等连续转变曲线图。
14.晶体结构,C%,过饱和固溶体。
15.低,多。
16.晶格畸变量的大小,C%。
17.水;油。
18.获得全部M的冷却速度,好。
19.C%,化学成分、奥氏体化条件。
20.低温回火,时效,消除应力。
21.等温淬火。
22.Ac3、Accm,空冷。
23.M+F,偏低。
24.正火、球化退火;再结晶退火,定型处理;去应力退火。
25.Ac1,M+K+A’（少量）,M+A’（大量）,K,A’,A晶粒粗大。
26.淬透性,距水冷端10-15mm处硬度为HRC36。
27.调质,S回,表面淬火+低温回火,M回。
28.P球或P+Fe3C,B下+Fe3C粒,B下+M+Fe3C粒+A’（少量）,M+Fe3C粒+A’（少量）。
29.M+A’（少量）,M+B+A’（少量）,F+M+B+A’（少量）,F+P。
30.T8,T12。
31.淬火+高温回火;S回。
32.0.4-0.5%。
33.分解、吸附、扩散。
34.双液淬火。
35.过共析,共析,亚共析。
36.0.7,0.15。
37.氰化,软氮化。
3
五、
Ch7合金钢三、
1.扩大,上升,下降。
2.右,降低,提高。
3.二。
4.S、P、Pb、Ca;改善切削性能。
5.油,消除第二类回火脆性。
6.去应力（定型）,淬火+中温回火。
7.降低硬度,淬火,组织准备。
8.低碳,中碳,高碳。
9.P球,Fe3C。
10.W：
产生二次硬化、提高红硬性;Cr：
提高淬透性;V：
细化晶粒。
成型,改善碳化物分布（打碎鱼骨状碳化物）;
560C,3;M回、K、A’;高硬度、高耐磨性、高红硬性。
11.M,提高,二次淬火。
12.
（1）提高淬透性;提高电极电位;
（2）细化晶粒;消除晶间腐蚀。
13.化学,电化学;氧化、氢蚀、化学介质;微电池,电化学。
14.M,F,A。
15.固溶、稳定化、去应力。
16.（略）
17.A,良好的耐冲击磨损;冲击及。
18.碳化物的弥散硬化,A’→M的二次淬火。
19.在较高温度（如500-6000C）仍保持高硬度和耐磨性。
4
篇二：
单片机原理及应用（华南理工大学广州学院）
（D）MOVP2,#33H
MOVR2,#55HMOVXA,@R2
6．80C51单片机要用传送指令访问片内程序存储器,它的指令操作码助记符是以下哪个？
（A）MOV（B）MOVX（C）MOVC（D）MUL
7．假定设置堆栈指针SP的值为37H,在进行子程序调用时把断点地址进栈保护后,SP的值为
（A）36H（B）37H（C）38H（D）39H
8．在80C51中,可使用的堆栈最大深度为
（A）80个单元（B）32个单元（C）128个单元（D）8个单元
9．下列条件中,不是中断相应必要条件的是
（A）TCON或SCON寄存器中相关的中断标志位置1（B）IE寄存器中相关的中断允许位置1（C）IP寄存器中相关位置1
（D）中断请求发生在指令周期的最后一个机器周期
10．执行中断返回指令,要从堆栈弹出断点地址,以便去执行被中断了的主程序。
从堆栈弹出的断点地址送给（A）A（B）CY（C）PC（D）DPTR
11．下列叙述中,不属于单片机存储器系统特点的是
（A）程序和数据两种类型的存储器同时存在（B）芯片内外存储器同时存在
（C）扩展数据存储器与片内数据存储器存储空间重叠（D）扩展程序存储器与片内程序存储器存储空间重叠
12．PSW=18H时,则当前工作寄存器是
（A）0组（B）1组（C）2组（D）3组
13．MCS-51的中断允许控制寄存器内容为8AH,CPU可以响应的中断请求是
（A）T1,（B）T0,T1
（C）T1,串行接口（D）T0
14．指令AJMP的跳转范围是多少？
（A）64KB（B）2KB（C）256B（D）128B
15．下列指令中正确的是
（A）MOVP2.1,A（B）JBCTF0,L1
（C）MOVXB,@DPTR（D）MOVA,@R3
二、填空题（每空0.5分,共29分）
1．一个机器周期包括（）个状态周期,一个状态包含
（2）个时钟周期2．执行如下指令序列：
MOVC,P1.0ANLC,P1.1ANLC,/P1.2MOVP3.0,C
后,所实现的逻辑运算式为（P3.0=P1.0∧P1.1∧{EMBEDEquation.3
|P1.2
）
3．假定外部数据存储器2000H单元的内容为80H,执行下列指令后,累加器A中的内容为（80H）。
MOVP2,#20H;MOVR0,#00H;MOVXA,＠R0;
4．假定标号qaz的地址为0100H,标号qwe值为0130H（即调转的目标地址为0130H）应执行指令：
qaz:
SJMPqwe
该指令的相对偏移量（即指令的第2字节）为（2EH）。
5．假定（A）＝0C3H,R0=0AAH、CY=1。
执行指令：
ADDCA,R0
后,累加器A的内容为（6EH）,CY的内容为
（1）,OV的内容
（1）,AC的内容（0）6．在变址寻址方式中,以（A）作变址寄存器,以（PC）或（DPTR）作为基址寄存器。
7．定时器0工作于方式2的计数方式,预置计数初值为156,若通过引脚T0输入周期为1ms的脉冲,则定时器0的定时时间为（100ms）。
8．设A=50H,B=0A0H,则执行指令MULAB后的执行结果A=（00H）,B=（32H）,OV=
（1）CY=（0）。
9．设执行指令DIVAB前,（A）=0A3H,（B）=20H,则执行指令后（A）=（05H）,（B）=（03H）,CY=（0）,OV=（0）
10．若系统晶振频率为6MHz,则机器周期
（2）μs,最短和最长的指令周期分别为
（2）μs和（8）μs。
11．MCS-51单片机PC的长度为（16）位;SP的长度为（8）位;DPTR的长度为（16）位。
12．ORG0003H
LJMP2000HORG000BH
LJMP3000H当CPU响应外部中断0后,PC的值是（2000H）
13．指令执行前PC=07FFH,执行指令AJMP300H后,执行结果
PC=（0B00H）
14．假定累加器A的内容为35H,执行指令：
1000H:
MOVCA,＠A+PC
后,把程序存储器（1036H）单元的内容送累加器A中。
15．8255能为数据I/O操作提供A,B,C3个8位口,其中A口和B口只能作为数据口使用,而C口则即可以作为（数据）口使用,又可作为（控制）口使用。
16．在80C51单片机系统中,为解决内外程序存储器衔接问题所使用的信号是（/EA）（此题1分）
三、判断题,正确的打√,错误的打×。
（每题1分,共10分。
）
1.内部寄存器Rn（n=0~7）作为间接寻址寄存器。
………………….（×）2.MOVA,30H这条指令执行后的结果是（A）=30H…..……………（×）3.SP称之为堆栈指针,堆栈是单片机内部的一个特殊区域,与RAM无关。
……………………………………………………………….…….（×）4.中断响应最快响应时间为三个机器周期。
（√）
5.8255内部有3个8位并行口,每个口都有3种工作方式。
（×）6.MCS-51的特殊功能寄存器分布在60H~80H地址范围内。
（×）7.8255具有三态缓冲器,因此可以直接挂在系统的数据总线上。
（√）8.PC存放的是当前执行的指令。
（×）
9.80C51有4个并行I\O口,其中P0~P3是准双向口,所以由输出转输入时必须先写入”0”（×）
10.EPROM的地址线为10条时,能访问的存储空间有4K。
（×）四、
简答题（每题3分,共15分）
可用程序状态字PSW的RS1,RS0两位进行选择
1．如何确定和改变当前工作寄存器组？
2．80C51单片机堆栈可以设置在什么地方？
如何实现？
答：
80C51单片机堆栈可以设置在内部RAM中。
当系统复位时,堆栈指针地址为07H,只要改变堆栈指针SP的值,使其为内部RAM中地址量,就可以灵活的将堆栈设置在内部RAM中。
3.如果采用晶振的频率为6MHz,定时器/计数器工作方式0、1、2下,其最大的定时时间为多少？
1212T?
?
?
2（?
s）因为机器周期,cy
fOSC6?
106
所以定时器/计数器工作方式0下,其最大定时时间为
TMAX?
213?
TC?
213?
2?
10?
6?
4.096（ms）;16.384ms同样可以求得方式1下的最大定时时间为
TMAX?
216?
TC?
216?
2?
10?
6?
131.072（ms）;方式2下的最大定时时间为512?
s。
五、
程序分析题（每题3分,共15分。
）
后累加器A,50H,R6,32H和P1口中的内容是什么MOVA,30H;MOV50H,A;MOVR6,31H;MOV@R1,30H;MOVP1,32H;
解：
A=AAH,（50H）=AAH,R6=BBH,（32H）=AA,P1=AAH2.已知A=7AH,R0=30H,（30H）=A5H,PSW=80H。
试问如下指令执行后的结果是什么？
A=?
（30H）=?
PSW=?
（1）ADDCA,30H
INC30H
答：
A=20H,（30H）=A6H,PSW=0C0H
（2）SUBBA,R0
DEC30H答：
A=（49H）,（30H）=A4H,PSW=01H
3.假定（A）=83H,（R0）=17H,（17H）=34H,执行以下程序段后,A的内容=?
ANLA,#17HORL17H,AXRLA,@R0CPLA答：
1.已知：
R1=32H,（30H）=AAH,（31H）=BBH,（32H）=CCH,试问如下指令执行
篇三：
大学复习参考广州
民族神话
鸿蒙未辟
宇宙洪荒
亿万斯年
四极不张
广州大学
名牌专业中期检查表
学院：
专业名称：
填写时间：
年月日
广州大学教务处制
表一、专业基本情况
注：
1、专业类别指：
①IT本科专业,②其他本科专业,③高职高专专业。
表二、师资队伍基本情况（按教研室填）
2、学历按博士研究生、硕士研究生、本科、大专、中专等层次填报。
3、高资历教师指两院院士、国务院学位委员会委员（含学科组成员）、国家教指委委员（含学科组成员）、特聘教授、博士生导师。
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