光刻工艺光刻对准Word文档格式.docx

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（增强全局对位）对位技术里，虽然这种结晶颗粒产生的随机错误的影响可随对位点的数量增加而得到一定的改善；

但由于激光束的相干性是固有的，因此，对位标记的非对称性引起的对位错误在EGA中是得不到改善的。

在每一个LSA标记进行对位时，模拟信号被不断的转换成数字信号，同时Stage干

涉仪以一定的采样频率（每O.Olum—次）将数字信号及Stage的坐标同步储存在存储器中。

该过程将不断重复，直至读完一个完整的信号波型。

存储起来的这些信息将由高速的数字信号处理器（DSP）进行处理，计算出每一个对位标记的坐标。

2、LSA测量原理及方法

由He-Ne激光器发出的激光被分光镜分割成X、Y方向分开的狭长的两束光斑，每束光经安装在光刻版下方的反光镜所折射，穿过透镜照到圆片上。

当激光照射到如上图所示的光栅形状的LSA标记上时，在标记的侧壁处，将发生衍射和散射。

衍射光和散射光将沿原入射光的光路返回，在返回的路上，部分光被分光镜反射到传感器上。

在每个BLOCK内，X、Y方向的对位标记彼此独立，因此，传感器在记录标记X、

Y方向的位臵时也是由彼此独立的X、Y方向分开的两束光斑来独立完成的。

当激光在LSA对位标记上发生衍射时，零级光被滤光镜过滤掉，因此，传感器实际上只是根据次极光波的光强进行光电转换，得到电信号。

当Stage在对位移动时，对位标记衍射和散射的光会与入射光的光斑位臵相关联，这些光在转换到数字信号时会得到一个单峰信号，根据这个信号，衍射和散射的位臵便会由固定在Stage上的激光干涉仪记录下来，这样，对位标记的位臵便可准确确定下来。

上述的对位信号在由自动增益控制（AGC）电路增益之前，是被缓冲在前臵放大器里的，在这里，原始信号将进行最佳的偏移量、增益的调整。

我们可以通过调整前臵放大器或在“Mixedmode”中选择信号的混合比达到想要的效果。

在原始信号调整完后，模拟信号将根据Stage上激光干涉仪发出的位臵脉冲进行采样，进行模数转换，以数字信号形式合成后存储到存储器中。

随着Stage移动对信号进行采样，标记的波形被数字化后一个接一个的存储到存储器中，与存储器的地址相关联的便是Stage扫描的位臵。

事实上，数据的采集是从对位标记所预计的位臵之前的一个适当的地方（Xo）开始

的，扫描的范围覆盖了一个与Xo相关的指定距离。

接着，由高速的处理器从事接着，由高速的处理器从事对位检测、算法处理进行波形的存储，从而对位标记的位臵Xa就被确定下来。

通过CPU版（WA-SP），Xa的位臵反馈给主CPU（minicomputer），于是，每个BLOCK内对位标记的坐标就被确定下来了（Xo+Xa）。

.

二、FIA方式

FIA是FieldImageAlignment的缩写，用于圆片对位，在G7/I7系列开始采用。

它以图象方式读取圆片上的对位标记并对图象进行处理，检测标记的位臵。

FIA与WGA、LSA在检测圆片上对位标记的位臵这一功能上并没有不同。

所不同

的是，WGA、LSA的光源为He-Ne激光器，而FIA的光源为宽带的相干性差的卤素灯。

如前所述，采用激光对位系统时，标记是易发生相干的光栅形状的，它易于跟其它标记相互区分开，具有比较高的精度，适合台阶较低的层次。

然而，由于LSA方式采

用的是干涉原理，在以下情况下对位的精度不好：

涂胶时的胶厚不均匀或对位标记的形状差异易引起的缩放错误，圆片表面的粗糙（如铝层）易引起随机错误等。

FIA方式应用于克服这些不利因素。

FIA方式主要特点有：

采用了宽频非相干的光源照明、明场成像。

FIA方式能够减少铝层上因对位标记的非对称性引起的这种呈比例关系的对位错误，从而提高对位的精度。

在这些层次上如采用相干光（例如LSA对位方式采用的激光）照明的话，光在圆片的衬底与光刻胶之间多次的反射所产生对位标记边缘的相干条纹，常常会错误的反映对位标记的图象，得到虚假的对位信号。

FIA系统

是一个离轴的对位系统，在完成对位时，光路并没有通过透镜组，而是位于透镜组的旁边。

这是由于不同波长的光波在透镜中不同的折射率引起光程差的差异，因此这种宽频的非相干是不能通过透镜组的。

作为一种图象处理方法，FIA的缺点是不能很好的检测

到低对比度下、低台阶差异下的对位标记。

LSA—高产出，尽可能在可以使用的层次上使用；

FIA—用于粗糙平面及对位标记不对称的圆片上。

一次光刻时，只有预对位过程，它在圆片装入的时候发生，用以判定圆片的平边（缺口位臵），是通过机械加光电的方式来确定圆片的中心及平边的。

圆片上有一个平边，在圆片低速旋转时，平边处发光二极管的光就可以透过，通过其背面的传感器探测光强的变化，经光电转换后，再对电信号作适当处理，就可以将圆片的中心和平边确定出来。

恰当的定位好圆片，传输圆片到曝光台。

一次光刻时，会在圆片上留下供以后层次定位用的对位标记。

从二次光刻起，各层次的对位是根据掩膜版文件上给定的前层次的对位标记的坐

标，通过移动圆片，相对基准标记来确定坐标，其具体过程如下：

首先，通过预对位装臵，找圆片平边。

然后，圆片被传送到曝光台上，进行Search

Stage的反射镜平行。

圆片上一般设臵了三个Search对位标记，它们在圆片上的分布如右图。

首先，寻找丫和B标记，根据丫和B标记的位臵，旋转圆片，使丫和B标记与丫Stage的反射镜平行，定位圆片的平边。

然后，寻找X标记，由丫、X这三个标记，确定出圆片的中心。

Search对位精度一般不高，后面还要进行g-EGA对位以提高对位精度，但正确的Search对位已能确保g-EGA对位找到标记。

Search对位完成后，进行g-EGA对位，EGA方法以圆片上曝光区域统计模型为基础。

在曝光程序中，选中一定数量的管芯进行对位标记位臵测量，完成测量后，根据曝光阵列管芯的布局计算补偿值，以将预期的与实际测量的管芯的位臵间偏差的均方根最大限度地减到最小。

这样的补偿值包括：

X、丫方向的平均值；

X、丫方向的比例、旋

转、正交性。

新的曝光坐标近似的是这六个参数的线性函数。

要提高圆片的对位精度，可适当增加测量点的个数，但过多的增加测量点，在FIA对位时会大大增加对位的时间。

测量点的个数与圆片的对位精度存在如下图的关系：

从上图可以看出，当测量点的个数较少时，每增加一个测量点，圆片的对位精度会

提高较多，但当测量点的个数超过6以后，简单的增加测量点已不能有效提高对位的精

度。

因而，一般在圆片上，均匀地设臵6-10个Block用作g-EGA对位。

对位标记

圆片的Search和g-EGA对位方式LSA（LaserStepAlignmen）和FIA（FieldImage

Alignment）在圆片上的标记如下：

（左边为丫-B对位标记，右边为X对位标记。

）

位标记、三根条的丫对位标记，间距为20um。

另外还有个别产品用到七根条的对位标

记，其图形大体与上图一致。

通常采用一根条的对位标记。

g-EGA对位FIA标记

（前图，左边是X对位标记，左边是丫对位标记，间距为12um。

另外还有一种十三根条的对位标记，其图形大体一致。

间距为8um。

对位的监控

考虑到Nikon光刻机是按Block曝光的，因此，在监控对位的时候，需要对Block

内和Block间的对位情况进行监控。

Block内，一般检查三个点，在Block内的分布如左图；

Block间，一般检查五个Block，在圆片上的分布需考虑到中心和四边，如右图。

具体对偏的情况，可以通过人工读数或设备测量。

圆片上，在上图的红色区域，分布有如下的对位图形：

左图，为对位游标，用于人工读取对位偏差，其读数方法原理同游标卡尺中图，为九方块，用于快速判定对位是否超出规范。

右图，为设备测量对位用的图形。

常见的对偏情况

1、BLOCK内的对偏

2、圆片内的对偏

跟对位相关的一些参数

1、PM的调整

通常在做NIKON的PM时，监控到的与对位相关的参数有:

LSA、FIAShift,Reticle

Rotation,Orthogonality,Magnification等。

相关的参数一般在第^一项AdjustMachine中设臵。

主要参数及相应含义如下（蓝色参数是在超规范是调整用的，其中的Orthogonality及Rotation一直以来错误地调整中红色参数的部分，特此强调）：

Waferco-ordinate（1/4）

X-YaxisScaling（ppm）

调整圆片上的坐标系①

Orthogonality（urad）

Rotation（urad）

Waferalignment（2/4）

Base-lineLSA（um）

调整LSA、FIA的对位偏差②

Base-lineFIA（um）

Rotation（um）

③

调整版的旋转，影响到BLOCK

Projectionlens

Reduction（um）

④

调整设备间曝光区域的大小

Waferstage（3/4）

⑤

调整设备间Waferstage间的区配

X-Yaxisorthogonality（urad）

注：

1、在一次光刻时，相应的设臵会影响到以后层次的光刻。

即一次光刻时，在

Waferco-ordinate中，X-YaxisScaling或Orthogonality所设臵的值，会基本一致的反映到二次对位时g-EGAResult的值中，g-EGAResult的值大致上会是圆片正常对位的基础上加上X-YaxisScaling或Orthogonality的设定值。

值得注意的是，一次光刻时所设臵Rotation的值却一般不会在g-EGAResult中叠加表现出来，而是在圆片上BLOCK内表现出旋转，具体原因下面将作进一步的分析。

但是，在从二次光刻开始，此时，无论在Waferco-ordinate—

栏中设臵的数值是多少，它既不对g-EGAResult的值产生影响，也不会对圆片上的偏差有什么较大的影响。

从此，我们可以断定，该参数的设臵只是在一次光刻时重建圆片上的坐标系，而对以后的对位并没有任何贡献。

2、校准LSA、FIA对位传感器，主要通过该参数校准BLOCK上整体的偏移量。

3、校准版对位传感器，主要通过该参数校准版的旋转。

当该值设臵上有0.2um

的变化时，对应在圆片上BLOCK内有如下图的变化关系，即会在BLOCK内产生0.1um左右的旋转的变化，而且，正号为逆时针方向。

④、调整设备间曝光区域的大小。

如图，对于我们常用的20mm的视场，该值在设臵为0.2um时具体含义如右图：

即在原先

曝光图形大小的基础上，以

BLOCK中心为中心，向四周呈放射状每9500um增加

0.2um曝光区域。

4►

9500um

厂0.2um⑤、该参数调整不同设备之间

Waferstage的区配。

现六台设备之间的匹配情况如下（圆片条件：

用NIKON

REG的程序在NIKI-5上做一次光刻，曝光前，将第^一项中的所有参数清

零，曝光BLOCK数为32。

显影后在每台设备上用EGA程序多次曝光，曝光前，同样将第十一项中的所有参数清零，g-EGA的对位点的个数设臵为32个，曝光时间为0,分析g-EGAresult的值）：

NIKG-1

NIKG-2

NIKG-3

NIKG-4

NIKI-5

NIKI-6

XScaling（ppm）

-1.5

-1.0

丫Scaling（ppm）

-3.0

-0.5

-2.5

1.0

⑥、另外，可以看到，在平常的PM中，我们调整版的旋转实际上调整的是圆片的旋转，仅仅是在反映出来的现象对BLOCK内的旋转起到了一定的贡献,特此更正。

2、g-EGAResultLimit参数的设臵

用以限制当g-EGAResult超过一设定值时重新进行g-EGA对位。

这个值越小，对位的精度会越高，但同时圆片的对位时间也会加长。

一般综合考虑下来，较优的参数设臵为：

特别要注意的是WaferRotation的设臵，当圆片在g-EGA对位时如果WaferRotation较大，则圆片往往在BLOCK内有旋转，但BLOCK间没有表现出圆片的旋转。

这种现象产生的机理如下：

当圆片完成g-EGA后，计算出的X、丫方向的平均值，X、丫方向的比例、旋转、

正交性等值会补偿到程序中对圆片进行曝

光。

但与其它数值的补偿不同，WaferRotation的补偿过程并没有旋转WaferStage而是基于如右图的方式，即：

WaferStage的B马达并没有驱动，圆片的旋转依然存在，但圆片在曝光时Stage运动时丫方向会额外有一个与WaferRotation角度相关的进动。

如右图，便产生了BLOCK内的旋转。

3、设备间的匹配情况

用NIKON测量系统测量设备的匹配，其原理相对也比较简单，即显示设备间对位时对位情况的正态分布。

其大致过程分为三步:

1、测量单台设备的畸变；

2、测量单台设备及两两间的对位；

3、测量。

A、测量单台设备的畸变

畸变的测量同通常的测量：

每台设备用DIS程序曝光三片，用AMSDIS程序测量，每片数据测量点个数为16个。

但要注意数据文件的格式。

正常测量完后，文件以AMS格式存盘，所存数据为测量的真实值。

进入第21项，选择LNSCAL;

进入第一项：

Inputdata；

在Readfile提示下输入DIS文件名（.AMS），在Savefile提示下输入导出的文件名

（.DDT），PF1进入下一页，文件存作CDT格式，PF2退出。

在CDT文件中，所存数据为抵消了ReticleRotation和补偿了Reduction后的数据。

B、测量单台设备及两两间的对位

该数据的收集同正常PM时的套刻测量，即用1505标准版，两次曝光间加160um的偏移量，曝光程序分别为MAT1和MAT2，每个条件三片。

显影后测量对位的情况，测量时的测量文件为AMSMATCH，每片测量17个点。

文件以AMS格式存盘即可。

C、测量

首先进入DCL命令方式，在［MCS2］目录下有很多以.CMD结尾的文件，其功能类似于DOS下的批处理文件。

其中有几台设备中有USERDIS.CMD和NKDIS.CMD两个文件，它们的功能分别是激活和屏蔽MATCH的测量功能。

以@NKDIS激活该功能。

在

LNSCAL下选择第五项：

CalculateMatching。

第一页可计算单台设备的匹配情况（即MAT1和MAT2在同一台设备上曝光）：

在MatchingDataofWafer（Manu）:

下，将Manu切换成AMS，并在后面输入对位文件名；

在DistortionData:

下，输入畸变文件；

并将屏幕右面的参数设臵为：

Range：

99%;

Margin:

0.17um,PF1即可测量。

第二页可计算设备间的匹配情况：

在RefereneeMachineDataOverlayDistortionData下输入MAT1曝光时的设备的畸变文件，PF1即可测量。

从结果来看，数据处理过程中忽略了OFFSET的影响。

以下是G61、G62、G63及G7的Match数据：

一次光刻

二次光刻

99%Range

100%Range

±

0.17um

Mean+3sigma

X（um）

Y（um）

X（%）

Y（%）

G61

0.12

0.08

0.15

0.09

100

0.138

0.104

G62

0.11

0.18

99.75

0.163

0.123

G63

0.1

0.111

0.097

G7

0.13

0.134

0.107

0.16

0.19

99.63

0.18

0.147

0.101

0.105

0.146

0.121

0.14

0.17

0.127

0.151

0.096

99.88

0.157

0.108

0.133

0.113

0.165

0.145

0.144

0.122

0.15

0.172

0.16

0.07

0.083

0.078

可见，设备间的差异对对位的影响同样是很大的

对偏的原因及对应的处理方法

产生对偏的原因很多，下面主要选择的是一些常见的情况。

A、于a和c这种的固定偏移，是最常见的一种。

产生的可能原因有：

设备之间不匹配、设备自身未校准、给定的坐标值错误等。

其处理方法一般比较简单，只需在曝光时根据对偏的情况，额外设臵一个偏移量即可。

B、对于b这种情况，一般是由于对版时版旋转较大引起的，重新对版即可。

C、对于d、ef这些情况，一般是在g-EGA对位时，BLOCK的偏移量相差比较大，在计算圆片总的偏移量、正交性、缩放、旋转时出错所至。

究其根本原因有二：

一种是圆片表面不好，设备所获取的对位信号杂波较多，信号处理时出

错；

另一种是圆片在Search对位时未能对准，g-EGA对位时偏移量的数值较大，计算时出错。

对于前一种情况，需要更改程序中对信号进行处理的一些参数，以确保信号正常的处理；

对于后一种情况，只要重新进行Search对位，保证Search对位正常即可。

D、其他方面，曝光程序中对位点的个数、分布，热处理中圆片的翘曲、变形。

圆

片工艺过程中的异常等都会对对位产生影响。

处理对偏，需要从多方面考虑。

光刻机同时还决定了光刻胶的条宽（CriticalDimension）、形貌（SidewallAngle）、胶

的损失量（ResistLoss）等。

下面绘制出的是光刻的工艺窗口，在此工艺窗口内，正常

的工艺波动不会对器件造成大的性能上的影响。

此窗口越大，光刻的工艺越稳定，越容

Dom

影响工艺窗口的主要因素有：

NIKON光刻机的NA（数值孔径）、波长，NIKON的Auto-Focus功能，NIKON光刻机的Auto-Leveling功能等。

NIK