太阳能电池的工作原理课件PPT.pptx

太阳能电池的工作原理课件PPT.pptx

《太阳能电池的工作原理课件PPT.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《太阳能电池的工作原理课件PPT.pptx（51页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

,太阳能电池的工作原理,硅太阳电池,化合物太阳电池,硅太阳电池*以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。

单晶硅（Singlecrystaline-Si）太阳电池。

多晶硅（Polycrystaline-Si）太阳电池。

非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。

微晶硅（c-Si）太阳电池。

HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer）电池。

双面太阳电池。

3-1太阳电池的分类,按基体材料分,化合物太阳电池*以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物太阳电池。

单晶化合物太阳电池。

多晶化合物太阳电池。

有机半导体太阳电池。

染料敏化太阳电池。

按电池结构分,1.同质结太阳电池pn结是同一种半导体材料的同质结构成的太阳电池。

2.异质结太阳电池由禁带宽度不同的半导体材料形成的异质结构成的太阳电池。

3.肖特基结太阳电池利用金属-半导体界面上的肖特基势垒而构成的太阳电池称肖特基结太阳电池。

4.复合结太阳电池由两个或多个pn结形成的太阳电池称为复合结太阳电池。

按用途分,1.空间太阳电池指在人造卫星、宇宙飞船等航天器上应用的太阳电池。

制作精细，价格较高。

2.地面太阳电池指用于地面阳光发电系统的太阳电池。

具有较高的功率价格比。

3.光敏传感器光照强度不同，电流大小也不一样。

3-2太阳电池的工作原理,通常应用的太阳电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，其基本构造是由半导体的P-N结组成。

半导体（semiconductor）*定义：

形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。

电阻率在某个温度范围内随温度升高而增加。

电导率在10-4104/（.cm）之间。

原子示意图,晶体的共价键结构,N型半导体*,n型半导体：

硅晶体中掺入少量五价元素磷或砷原子。

磷或砷原子称为施主。

这种杂质半导体主要靠施主能级激发到导带中去的电子来导电，称为电子型半导体或n型半导体。

额外电子,P,具有较高的功率价格比。

当温度变化时，太阳电池的输出电压会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池开路电压的变化值称为电压温度系数，通常用表示：

在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在开路情况下的端电压，亦即伏安特性曲线与横坐标的交点所对应的电压，通常用UOC来表示。

6x106km2（1.【例3-1】某一面积为100cm2的太阳电池，测得其最大功率为1.电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势。

=UmIm/AtPin电导率在10-4104/（.12x1015MWh/a可见光:

380-780nm（46.短路电流（Short-circuitcurrent）3-3太阳电池的电学特性5W，则该电池的转换效率是多少？

54x1015MWh/a-直径12756km,对于n型半导体，电子浓度远大于空穴浓度，电子为多数载流子称为多子，空穴称为少子。

p型半导体：

硅晶体中掺入少量三价硼原子。

硼原子称为受主。

这种杂质半导体的导电机构主要取决于满带空穴运动，故称空穴半导体或p型半导体。

P型半导体*,对于p型半导体，电子浓度远小于空穴浓度，空穴为多数载流子称为多子，电子称为少子。

如果将n型和p型半导体两者紧密结合，连成一体，导电类型相反的两块半导体之间的过渡区域，称为P-N结。

空间电荷区势垒区耗尽区内建电场扩散流漂移流,平衡PN结,热平衡时：

扩散流=漂移流PN结中无净电流。

当半导体的表面受到太阳光照射时，如果其中有些光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度，就能使电子挣脱原子核的束缚，在半导体中产生大量的电子-空穴对，这种现象称为内光电效应。

实现条件：

hvEg或hC/Eg,吸收光子，产生电子空穴对。

电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势。

将PN结用导线连接，形成电流。

在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。

At-包括栅线面积在内的太阳电池总面积；太阳电池的主要技术参数非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。

通常应用的太阳电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，其基本构造是由半导体的P-N结组成。

-在地球表面的辐射功率1.3-3太阳电池的电学特性输出功率:

流进负载的电流为I，负载端电压为U5W，则该电池的转换效率是多少？

可见光:

380-780nm（46.Um、Im-最大输出功率点的电压、电流；3-1太阳电池的分类54x1015MWh/a理想的太阳电池等效电路：

只有ISC和Id短路电流（Short-circuitcurrent）利用金属-半导体界面上的肖特基势垒而构成的太阳电池称肖特基结太阳电池。

上电极（-）,抗反射层,背面接触,基本晶体硅太阳电池的结构,3-3太阳电池的电学特性,大气质量太阳光线通过大气层的路程对到达地球表面的太阳辐射的影响AM0地球大气层外的太阳辐射AM1穿过1个大气层的太阳辐射（太阳入射角为0）AM1.5太阳入射角为48.2的太阳辐射,国际上统一规定地面太阳电池的标准测试条件是：

光强：

1000W/m2光谱分布：

AM1.5电池温度：

25,电性能测试,大气质量（AM0-2）太阳光谱,大气质量（AM）太阳光谱定义几何示意图（AM=1/cosz=（1+（s/h）2）-1/2）,s是高度为h的垂直竿的阳光下投影长度，z太阳天顶角。

太阳数据,-直径1392000km-表面积6.9x1012km2-表面温度5500K-表面辐射密度63000kW/m2-辐射能量3.36x1024MWh/a-大气层外太阳光谱分布分类与所占比例紫外线:

380nm（6.46%）可见光:

380-780nm（46.25%）红外线:

780nm（47.29%）-晶体Si太阳电池光谱响应范围1100nm（50%）,-到太阳的平均距离1.5x108km-直径12756km-表面积5.11x108km2-陆地面积1.49x108km2（29.2%）-中国面积9.6x106km2（1.87%）?

-大气层外辐射密度（太阳常数）13677W/m2-在地球空间方向上的辐射功率1.76x1011MW-在地球空间方向上的辐射能量1.54x1015MWh/a-在地球表面的的辐射密度（全球辐射）1000W/m2-在地球表面的辐射功率1.28x1011MW-在地球表面的辐射能量1.12x1015MWh/a-在中国的辐射能量2.09x1013MWh/a?

地球的数据,太阳辐射到地球表面的传播过程,直射辐射漫射辐射散射吸收云层反射地面反射,大气质量（AM0,AM1.5）太阳光谱,AM1.0与AM1.5太阳光谱,-大气层外辐射密度（太阳常数）13677W/m2Pm=ImUm：

最大输出功率输出功率:

流进负载的电流为I，负载端电压为U-大气层外太阳光谱分布分类与所占比例光强：

1000W/m2n型半导体：

硅晶体中掺入少量五价元素磷或砷原子。

3-3太阳电池的电学特性12x1015MWh/a当半导体的表面受到太阳光照射时，如果其中有些光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度，就能使电子挣脱原子核的束缚，在半导体中产生大量的电子-空穴对，这种现象称为内光电效应。

半导体（semiconductor）*HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer）电池。

太阳能电池的实际状态等效电路短路电流（Short-circuitcurrent）具有较高的功率价格比。

红外线:

780nm（47.,AM1.5太阳光谱与晶体硅太阳电池的可用光谱范围,太阳辐射穿过大气层的情况,AM0（1367W/m2）,AM1.5（963W/m2）,太阳能电池的理想状态等效电路,理想的太阳电池等效电路：

只有ISC和Id,Iph,太阳能电池的实际状态等效电路,实际太阳电池等效电路：

并联一个旁路电流支路等效电路,Iph,输出功率:

流进负载的电流为I，负载端电压为U,1.伏安特性曲线,Isc:

短路电流Voc:

开路电压,2.最大功率点,输出功率:

流进负载的电流为I，负载端电压为UPm=ImUm：

最大输出功率M点：

太阳能电池的最佳工作点或最大功率点Im：

最佳工作电流Um：

最佳工作电压Rm:

最佳负载电阻,3.开路电压（Open-circuitvoltage）,在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在开路情况下的端电压，亦即伏安特性曲线与横坐标的交点所对应的电压，通常用UOC来表示。

4.短路电流（Short-circuitcurrent）,在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，亦即伏安特性曲线与纵坐标的交点所对应的电流，通常用Isc来表示。

当U=0时，Isc=Iph。

太阳电池的短路电流Isc与太阳电池的面积大小有关，面积越大，Isc越大。

5.填充因子（FillFactor）,填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数，定义为太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流的乘积之比，通常用FF或CF表示。

FF=B/A,6.太阳电池的转换效率,太阳电池接受光照的最大功率与入射到该电池的全部辐射功率的百分比称为太阳电池的转换效率。

即：

=UmIm/AtPin式中：

Um、Im-最大输出功率点的电压、电流；At-包括栅线面积在内的太阳电池总面积；Pin-单位面积入射光的功率。

【例3-1】某一面积为100cm2的太阳电池，测得其最大功率为1.5W，则该电池的转换效率是多少？

解：

太阳电池转换效率=UmIm/AtPin=1.5/（10010-4）1000=15%,7.电流温度系数,当温度变化时，太阳电池的输出电流会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池短路电流的变化值称为电流温度系数，通常用表示：

当温度变化时，太阳电池的输出电压会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池开路电压的变化值称为电压温度系数，通常用表示：

8.电压温度系数,5太阳入射角为48.在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。

12x1015MWh/a在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在开路情况下的端电压，亦即伏安特性曲线与横坐标的交点所对应的电压，通常用UOC来表示。

-表面温度5500K3-2太阳电池的工作原理由禁带宽度不同的半导体材料形成的异质结构成的太阳电池。

开路电压（Open-circuitvoltage）紫外线:

380nm（6.36x1024MWh/aHIT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer）电池。

当温度变化时，太阳电池的输出电压会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池开路电压的变化值称为电压温度系数，通常用表示：

在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。

指用于地面阳光发电系统的太阳电池。

太阳电池的短路电流Isc与太阳电池的面积大小有关，面积越大，Isc越大。

温度对太阳电池的影响,电流温度系数：

0.1%电压温度系数：

-0.4%（-2.3mV/）,曲线125曲线235,12,9.功率温度系数,当温度变化时，太阳电池的输出功率会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池输出功率的变化值称为功率温度系数，通常用表示。

忽略平方项，得：

10.太阳辐照度的影响,硅太阳电池,化合物太阳电池,硅太阳电池*以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。

单晶硅（Singlecrystaline-Si）太阳电池。

多晶硅（Polycrystaline-Si）太阳电池。

非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。

微晶硅（c-Si）太阳电池。

HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer）电池。

双面太阳电池。

3-1太阳电池的分类,按基体材料分,化合物太阳电池*以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物太阳电池。

单晶化合物太阳电池。

多晶化合物太阳电池。

有机半导体太阳电池。

染料敏化太阳电池。

3-2太阳电池的工作原理,通常应用的太阳电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，其基本构造是由半导体的P-N结组成。

半导体（semiconductor）*定义：

形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。

电阻率在某个温度范围内随温度升高而增加。

电导率在10-4104/（.cm）之间。

以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。

太阳电池的主要技术参数-大气层外辐射密度（太阳常数）13677W/m23-1太阳电池的分类在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，亦即伏安特性曲线与纵坐标的交点所对应的电流，通常用Isc来表示。

可见光:

380-780nm（46.半导体（semiconductor）*Pm=ImUm：

最大输出功率电导率在10-4104/（.-在地球表面的辐射功率1.如果将n型和p型半导体两者紧密结合，连成一体，导电类型相反的两块半导体之间的过渡区域，称为P-N结。

非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。

36x1024MWh/a太阳电池的主要技术参数HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer）电池。

晶体的共价键结构,2.最大功率点,输出功率:

流进负载的电流为I，负载端电压为UPm=ImUm：

最大输出功率M点：

太阳能电池的最佳工作点或最大功率点Im：

最佳工作电流Um：

最佳工作电压Rm:

最佳负载电阻,10.太阳辐照度的影响,