《材料科学基础》期末复习考试.docx

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《材料科学基础》期末复习考试

安庆师范学院

2010-2011学年度第一学期期末复习考试

《材料科学基础》课程

院系化学化工学院专业材料化学班级

姓名学号□□□□□□□□□

题号

总分

得分

注 意 事 项

1、本试卷共五大题。

2、考生答题时必须准确填写院系、专业、班级、姓名、学号等栏目,字迹要清楚、工整。

得分

一.选择题:

(本大题共十小题,每小题1分,共10分,将答案填入下面表格中)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1、右图最可能是哪种晶体的结构()

A.萤石结构   B.尖晶石结构

C.钙钛矿结构  D.金红石结构

2.下列四个选项中,哪项不会影响填隙型固溶体的固溶度……()

A尺寸B离子价

C导电性D电负性

3、下图为六方最密堆积(A3),则其每个原子的配位数为(  )个。

A.2B.4C.8D.12

4、在烧结模型中,中心距缩短的双球模型适用于()传质的烧结。

A蒸发-冷凝B溶解-沉淀

C晶格扩散D表面扩散

5、过冷熔体的结晶过程是由两步组成的,它包括()

A.晶核生长和晶体生长B.晶核生长和析出晶体

C.析出晶体和晶体生长D.快速冷却和析出晶体

6、下列图中哪个晶胞最可能是尖晶石晶体结构()

7、阴离子具有立方密堆积,阳离子填满所有四面体空隙的是下列哪种结构()

A.萤石结构B.反萤石结构

C.尖晶石结构D.反尖晶石结构

8、下列缺陷中属于线缺陷的是(   )

A.位错B.晶界

C.层错D.空位

9、当硅氧四面体被共用的顶点数S=4时,其形成的结构为()

A.岛状结构B.链状结构

C.层状结构D.骨架结构

10、下图中,高温熔体M缓慢析晶将在()点结束。

 

A.K点B.P点

C.E点D.D点

得分

得分

二、填空题(本大题共13小题,共27分)

1、烧结是一个过程(1分),(1分)是推动烧结进行的基本动力。

2、在一定的热力学条件下,系统虽未处于最低能量状态,却处于一种可以较长时间存在的状态,称为(1分)。

3、晶体产生Fenkel缺陷时,晶体体积(1分),晶体密度(1分);而有Schottky缺陷时,晶体体积(1分),晶体密度(1分)。

4、关于玻璃结构的两个重要学说是(1分)和(1分)。

5、(1分)是指晶体中原子或分子的排列情况,由空间点阵+结构基元构成的。

6、依据(1分)之间关系的不同,可以把所有晶体的空间点阵划归为七类,即(1分)晶系、单斜晶系、(1分)晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和(1分)晶系。

7、扩散的基本推动力是(1分),一般情况下以(1分)等形式(列出一种即可)表现出来,扩散常伴随着物质的(1分)。

8、晶面族是指(1分)的一组晶面,同一晶面族中,不同晶面的指数的(1分)相同,只是(1分)不同。

   

9、向MgO、沸石、TiO2、萤石中,加入同样的外来杂质原子,可以预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是(1分)。

   

10、烧结过程可以分为(1分)三个阶段,在烧结的中后期,与烧结同时进行的过程是(1分)。

11、液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同,而固体则不同,这种说法(是/否)正确,因为(1分)。

   

12、从熔体结构角度,估计长石、辉石(MgO·SiO2)、镁橄榄石三种矿物的高温熔体表面张力大小顺序(1分)。

 

13、刃型位错的柏氏矢量与位错线呈(1分)关系,而螺位错两者呈(1分)关系。

得分

三、简答题(本大题共4小题,共31分)

1、(6分)图1是Na2O的理想晶胞结构示意图,试回答:

  

(1)晶胞分子数是多少;

  

(2)结构中何种离子做何种密堆积;何种离子填充何种空隙;

  (3)结构中各离子的配位数为多少,写出其配位多面体;

  (4)计算说明O2-的电价是否饱和;

  (5)画出Na2O结构在(001)面上的投影图。

 

2、(选做一)TiO2掺入到Nb2O3中,请写出二个合理的方程,写出固溶体的化学式,并判断可能成立的方程是哪一种?

(5分)

(选做二)

(1)写出下列缺陷反应式(5分+5附加分):

    

CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶体,并写出固溶体的化学式;

    

NaCl形成肖脱基缺陷。

    

(2)为什么间隙型固溶体不能形成无限固溶体?

(选做三)写出下列缺陷方应方程式。

(5分)

        

TiO2加入到A12O3中(写出两种);

      

NaCl形成肖脱基缺陷。

3、硅酸盐熔体的结构特征是什么?

从Na2O—SiO系统出发,随引入B2O3量的增加,系统的粘度如何变化,为什么?

(10分)

 

4、熔体结晶时(10分):

    

(1)讨论温度对总结晶速率的影响;

    

(2)指出在哪一温度范围内对形成玻璃有利,为什么?

 

得分

四、计算、作图及问答题(本大题共4小题,共32分)

1、In具有四方结构,其相对原子质量Ar=114.82,原子半径r=0.1625nm,晶格常数a=0.3252,c=0.4946nm,密度ρ=7.286g/cm3,试问In的单位晶胞内有多少个原子?

In的致密度(空间占有率)为多少?

(10分)

 

2、(选做一)作图表示立方晶体的(12

)、(0

2)晶面及[

02]、[

11]晶向。

(6分)

(选做二)画出立方晶系中的(3

)晶面和[13

]晶向。

(6分)

3、

(1)MgO晶体中,肖脱基缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。

(2)如果MgO晶体中,含有百万分之一摩尔的A12O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。

(10分)

4、(选做一)如图A-B-C三元系统相图,根据相图回答下列问题(24分):

1)在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质;(6分)

2)判断化合物F、G、H的性质;(3分)

3)写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式;(6分)

4)写出组成点M1在完全平衡条件下的冷却结晶过程;(6分)

5)写出组成点M2在完全平衡条件下进行加热时,开始出现液相的温度和完全熔融的温度;写出完全平衡条件下进行冷却,结晶结束时各物质的百分含量(用线段比表示)。

(3分)

(选做二)

下图是A-B-C三元系统相图,根据相图回答下列各题:

(26分)

1)在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质;(9分)

2)判断化合物D、M的性质;(3分)

3)写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式;(4分)

4)写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程;(5分)

5)写出组成点H在完全平衡条件下进行加热时,开始出现液相的温度和完全熔融的温度;写出完全平衡条件下进行冷却,结晶结束时各物质的百分含量(用线段比表示)。

(5分)

安庆师范学院

2010-2011学年度第一学期期末复习考试

《材料科学基础》课程

参考答案及评分标准

一、选择题(共10题,每题2分,共20分)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

C

C

D

B

A

D

B

A

D

C

二、填空题(共10题,共27分)

1.自发的不可逆,系统表面能降低;

2.介稳态;3.不变,不变,变大,变小;

4.无规网络学说,微晶学说;

5.晶体结构。

6.晶胞参数,三斜,正交(斜方),立方。

7.化学位梯度,浓度梯度的,定向迁移。

8.原子排列状况相同但位向不同,数字、数序和正负号不同。

9.沸石>萤石>TiO2>MgO。

10.烧结初期、烧结中期和烧结后期,再结晶和晶粒长大。

11.是,固体质点不能自由移动。

12.镁橄榄石>辉石>长石。

13.垂直平行。

三、简答题(共4题,每题5分,共20分)

1、

(1)4;

 

(2)O2-离子做面心立方密堆积,Na+填全部四面体空隙;

 (3)

=4CNO2-=8[NaO4][ONa8];

 (4)O2-电价饱和,因为O2-的电价=(Na+的电价/Na+的配位数)×O2的配位数;

 (5)

2、(选做一)

3TiO2

3TiNb˙+VNb´´´+6OO2TiO2

2TiNb˙+Oi´´+3OO

Nb2-4/3xTixO3可能成立Nb2-xTixO3-x/2

(选做二)

(1)CaCl2

VNa′+2ClCl+CaNa′(2分)

    NaC1-2xCaxCl (1分)

  

(2)O

VNa′+VCl′(2分)

  (3)一是因为晶体中的间隙位置有限,二是因为间隙质点超过一定的限度会不破坏晶体结构的稳定性。

(选做三)1)

(2分)

       

(2分)

      2)

(1分)

3、[SiO4]为基本结构单元,四面体组成形状不规则大小不同的聚合力子团,络阴离子团之间依靠金属离子连接。

(4分);

  从Na2O—SiO2系统出发,随引入B2O3量的增加,[BO3]与游离氧结合,转变为[BO4],使断裂的网络重新连接,系统粘度增加(3分);

  继续引入B2O3,B2O3以层状或链状的[BO3]存在,系统的粘度降低(3分)。

4、

(1)如右图,I表示核化速率,u表示晶化速率(5分);

   

(2)在阴影部分以外的温度对形成玻璃有利,因为此时核化速率与晶化速率都较小或只存在一种情况(5分)。

四、计算、作图及问答题(本大题共4小题,共32分)

1.

故In的单位晶胞中有2个原子。

2.作图如下

(选做一)

图略

(选做二)

图略

3.解:

(1)根据热缺陷浓度公式

n/N=exp(-E/2RT),E=6eV=6×1.602×10-19=9.612×10-19J,

T=298k:

n/N=1.92×10-51,T=1873k:

n/N=8.0×10-9;

(2)在MgO中加入百万分之一的AL2O3,AL2O3

2ALMg·+VMg’’+3OO,∵[AL2O3]=10-6,∴[杂质缺陷]=3×10-6/2=1.5×10-6,∴比较可知,杂质缺陷占优。

4.(选做一)

1)见图;(6分)

2)G,一致熔融二元化合物;F,不一致熔融二元化合物;H,不一致熔融三元化合物(3分)

  3)E1,单转熔点,

     E2,低共熔点,

      E3,低共熔点,

     E4,单转熔点,

      E5,单转熔点,

     E6,多晶转变点,

(6分)

   4)

   L:

   (结晶结束)(B消失)(4分)

   S:

(产物A+F+H)(2分)

   5)E2温度,M2点所在温度;过M2点做副三角形CGH的

     两条边GH、GC的平行线M2X、M2Y,C%=YH/HC×100%,

     H%=CX/HC×100%,G%=XY/HC×100%。

(4分)(3分)。

选做二

解:

1)见图,副三角形3分,界线性质2分,界线上温度降低方向4分;

2)D,一致熔融二元化合物,高温稳定、低温分解;(2分)

M,不一致熔融三元化合物;(1分)

3)(4分)E1,单转熔点,

E2,低共熔点,

E3,单转熔点,

E4,过渡点,

4)(4分)

液相点移动路程

(结晶结束)

固相点移动路程

(产物C+B+M)

5)E2温度(1分),H点所在温度(1分);过H点做副三角形BCM的两条边CM、BM的平行线HH1、HH2,C%=BH2/BC×100%,B%=CH1/BC×100%,C%=H1H2/BC×100%(3分)。

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