工艺技术纳米加工平台工艺申请表.docx

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工艺技术纳米加工平台工艺申请表

纳米加工平台工艺申请表（2010年8月版）

批号:

申请人

申请人电话

申请人邮箱

申请人签字

付费人

课题编号

付费人邮箱

付费人签字

申请日期

所属单位

试验目的及说明

样品材料

样品尺寸

样品数量与编号

序号

工艺名称

工艺要求及说明

日期

工艺记录和检测结果

工艺员

计价和确认

备注

清洗

样品数量：

2片；

需清洗材料：

氮化铝，尺寸：

4英寸；

预去除污染物：

清洗液：

使用设备：

八槽清洗机/超声清洗机/手动容器

废液处理方法：

设备类型：

开始时间：

完成时间：

废液处理方式：

检测结果：

本步工艺程序确认：

合格（签字）：

不合格（签字）：

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

匀胶

KS-L150

ST22＋

KW-4A

加工数量：

3片；

衬底：

材料：

硅片，尺寸：

4英寸、6英寸；

光刻胶类型：

AZ1500；厚度：

1.2±0.4微米

HDMS预处理：

需要；

使用匀胶机类型：

SSE、国产小匀胶机、Track

匀胶机类型：

开始时间：

完成时间：

衬底尺寸：

匀胶次数：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

光刻

MA6/BA6

URE-2000/35

加工数量：

3片；

衬底材料/尺寸/厚度：

硅片/4英寸/525微米；

光刻胶类型/厚度：

AZ1500/1-1.6微米；

光刻最小线宽：

2微米；

套刻要求：

正反面对准，对准精度：

±5微米；

使用光刻机类型：

SussMA6/BA6,国产光刻机

光刻机类型：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

步进式光刻机

NSR1755i7B

加工数量：

3片；

衬底材料/尺寸/厚度：

硅片/4英寸/525微米；

光刻胶类型/厚度：

EPL/1-1.6微米；

光刻最小线宽：

2微米；

套刻精度：

±1微米；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

电子束光刻

JBX-5500ZA

加工数量：

1片；

衬底材料/尺寸/厚度：

硅片/4英寸/525微米；

光刻胶类型/厚度：

AZ1500/1-1.6微米；

光刻最小线宽：

30nm；

套刻要求：

套刻误差小于40nm；

拼接要求：

误差小于40nm

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

显影

OPTIspinST22

加工数量：

3片；

衬底：

材料：

硅片，尺寸：

4英寸；

显影液类型：

标配TMAH；

使用显影机类型：

SSE,Track

显影机类型：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

干法去胶

M4L

加工数量：

3片；批次：

1批

材料：

硅片，尺寸：

4英寸或碎片；

需去除光刻胶类型：

AZ1500

需去除胶厚：

50nm；

去胶功率：

300W

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

喷胶

ST20i

加工数量：

3片；

衬底材料：

硅片，尺寸：

4英寸；

光刻胶类型：

AZ4620；目标胶厚：

30微米

图形深宽比：

1：

2

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

晶片键合

CB6L

加工数量：

3对；

材料：

硅片和玻璃尺寸：

4英寸；

键合类型：

阳极键合；

是否需要套刻：

是（套刻精度：

5微米）

键合对数：

单次键合用时：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

磁控溅射

LAB18

加工数量：

3片；批次：

1批

衬底材料：

硅片，尺寸：

2英寸

膜层材料/厚度：

Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm

厚度均匀性要求：

±5%

衬底加热温度：

200℃

工艺气体：

Ar或N2

溅射批数：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

溅射各层材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

电子束蒸发

ei-5z

EBE-09

加工数量：

3片；批次：

1批

衬底材料：

硅片，尺寸：

6英寸

膜层材料和厚度：

Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm

厚度均匀性要求：

±5%

衬底温度：

200℃

蒸发台类型：

ei-5z,EBE-09

使用蒸发台：

蒸镀批数：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

蒸镀各层材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

热蒸发

EVA-09-2

加工数量：

1片；批次：

1批

衬底材料：

硅片，尺寸：

2英寸

膜层材料和厚度：

AG/Au,500nm/200nm

厚度均匀性要求：

±5%

衬底温度：

蒸镀次数：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

蒸镀材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

PECVD

OXFORD100

加工数量：

3片；批次：

3批

衬底材料：

硅片，尺寸：

6英寸

膜层材料和用途：

SiO2、绝缘层

厚度：

1000nm折射率:

1.46

厚度均匀性要求：

±5%

衬底温度：

300℃

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

光学薄膜蒸发

OTFC-900

加工数量：

3片；批次：

1批

衬底材料：

硅片，尺寸：

4英寸

膜层材料和厚度：

SiO2/ITO,50nm/200nm

厚度均匀性要求：

±2%

衬底温度：

200℃

蒸镀次数：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

蒸镀各层材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认

氧化

HDC8000A

加工数量：

20片；批次：

1批

衬底材料尺寸：

6英寸

氧化类型：

干氧、湿氧、干湿氧

厚度：

1000nm厚度均匀性要求：

±3%

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

快速退火

RTP-500

加工数量：

3片；批次：

1批

衬底材料/尺寸：

GaN片/2英寸

退火温度和时间：

600℃，15sec

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

管式退火炉

L4508-07-1

L4508-07-2

加工数量：

3片；批次：

1批

衬底材料/尺寸：

GaN片/2英寸

退火温度/时间：

600℃/120min

退火气氛：

N2、压缩空气、氢气

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

IBE刻蚀

IBE-A-150

加工数量：

3片；批次：

1批

需刻蚀材料：

硅片，尺寸：

2英寸或碎片；

掩膜材料：

光刻胶，Ti等

刻蚀深度：

2微米；

粘片：

需要

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

RIETegal903e

加工数量：

3片；批次：

3批

需刻蚀材料：

SiO2/SiNx，尺寸：

6英寸或4英寸；

掩膜材料：

光刻胶

刻蚀尺寸：

深度：

2微米；线宽：

2微米

粘片：

需要

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

/

ICP刻蚀

ICP180

加工数量：

3片；批次：

1批

需刻蚀材料/尺寸：

GaN片/2英寸或碎片；

掩膜材料：

SiO2

刻蚀尺寸：

深度：

2微米；线宽：

2微米

粘片：

需要

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

深硅刻蚀

STSMPXHRM

加工数量：

3片；批次：

3批

材料：

Si片/SOI，尺寸：

6英寸；

掩膜材料：

SiO2、光刻胶

刻蚀尺寸：

深度：

10微米；线宽：

2微米

侧壁陡直度/粗糙度：

89+/-1度/100nm

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

解理

Titan

OSM-80TP-Y

LoomisLSD100

加工数量：

3片；

需解理材料/尺寸：

蓝宝石/2英寸

管芯形状：

长方形；

管芯大小：

280×320um2；

切深要求：

24微米；

使用划片机类型：

Titan、OSM-80TP-Y、LSD100

划片机类型：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

解理刀数：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

压焊

747677E

压焊点数：

30点；

焊盘：

材料：

金，尺寸：

80×80微米；

焊线：

材料：

金，线径：

25微米；

压焊工艺类型：

球焊，楔焊；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

裂片

OBM-90TP

加工数量：

3片；

需裂片材料/尺寸/片厚：

GaN/2英寸/80微米；

管芯形状：

长方形；

管芯尺寸：

300×300微米；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

倒装焊

FC150

加工数量：

3片；

基底：

材料：

Si，尺寸：

10×10毫米；

基底焊盘材料：

金，尺寸：

50×50微米；

芯片：

材料：

Si，尺寸：

10×10毫米；

芯片焊盘材料：

金，尺寸：

50×50微米；

焊料：

金锡温度/时间：

200℃/30min

工艺气体：

甲酸、N2

焊接工艺类型：

热压焊，回流焊；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

回流炉

SRO702

加工数量：

3片；批次：

1批

基底：

材料：

Si，尺寸：

10×10毫米；

基底焊盘材料：

金，尺寸：

50×50微米；

芯片：

材料：

Si，尺寸：

10×10毫米；

芯片焊盘材料：

金，尺寸：

50×50微米；

焊料：

金锡温度/时间：

200℃/30min

真空度：

5mTorr

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

CMP减薄

HRG-150

加工数量：

3片；批次：

3批

需减薄材料/尺寸/厚度：

Si/4英寸/400微米

减薄后厚度：

100微米；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

CMP研磨

AL-380F

加工数量：

3片；批次：

2批

需研磨材料/尺寸/厚度：

Si/4英寸/100微米

研磨后厚度：

90微米；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

CMP抛光

AP-380F

加工数量：

3片；批次：

2批

需抛光材料/尺寸/厚度：

Si/4英寸/90微米

抛光后厚度：

80微米；

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

八槽清洗机

HL-071004

加工数量：

3片；批次：

1批

需清洗材料/尺寸/厚度：

Si/4英寸/525微米

使用清洗液：

1号液、2号液、硫酸双氧水

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

Lift-off

WetSB30

加工数量：

3片；批次：

3批

需剥离衬底材料/尺寸/厚度：

Si/4寸/525微米

光刻胶类型：

AZ4620；

图形线宽/厚度：

100nm/200nm

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

SEM

JSM-6390

加工数量：

3片；

材料：

碳纳米线，尺寸：

50nm；

是否喷金：

是

扫描模式：

二次电子像/背散射

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

喷金次数：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

喷金仪

JFC-1600

加工数量：

3片；批次：

1批

衬底材料：

硅片，尺寸：

10×10毫米；

喷Pt厚度：

10nm

开始时间：

完成时间：

喷金次数：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

分光光度计

Lambda750

加工数量：

3片；

扫描波长范围：

扫描角：

测试类型：

反射、透射

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

LED芯片测试仪

WPS-1900

加工数量：

3片；

测试电压范围：

测试波长范围：

测试电流范围：

开始时间：

完成时间：

本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：

￥

工艺负责人确认：

工艺申请人确认：

加工平台批准人签字

最终服务质量评价（请签名）

非常满意_______基本满意_______不满意_________

最终检验结论：

最终检验员（签字）

工艺流程总计价：

￥

计价核准人：

日期：