半导体常用术语.docx

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半导体常用术语

Fab厂常用术语

somephrasesandwordsinFABcleanroomsystem

A.M.U原子质量数

ADIAfterdevelopinspection显影后检视

AEI蚀科后检查

Alignment排成一直线，对平

Alloy融合：

电压与电流成线性关系，降低接触的阻值

ARC：

anti-reflectcoating防反射层

ASHER:

一种干法刻蚀方式

ASI光阻去除后检查

Backside晶片背面

BacksideEtch背面蚀刻

Beam-Current电子束电流

BPSG:

含有硼磷的硅玻璃

Break中断，stepper机台内中途停止键

Cassette装晶片的晶舟

CD：

criticaldimension关键性尺寸

Chamber反应室

Chart图表

Childlot子批

Chip（die）晶粒

CMP化学机械研磨

Coater光阻覆盖（机台）

Coating涂布，光阻覆盖

ContactHole接触窗

ControlWafer控片

Criticallayer重要层

CVD化学气相淀积

Cycletime生产周期

Defect缺陷

DEP:

deposit淀积

Descum预处理

Developer显影液；显影（机台）

Development显影

DG:

dualgate双门

DIwater去离子水

Diffusion扩散

Doping掺杂

Dose剂量

Downgrade降级

DRC:

designrulecheck设计规则检查

DryClean干洗

Duedate交期

Dummywafer挡片

E/R:

etchrate蚀刻速率

EE设备工程师

EndPoint蚀刻终点

ESD:

electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤

ET:

etch蚀刻

Exhaust排气（将管路中的空气排除）

Exposure曝光

FAB工厂

FIB:

focusedionbeam聚焦离子束

FieldOxide场氧化层

Flatness平坦度

Focus焦距

Foundry代工

FSG:

含有氟的硅玻璃

Furnace炉管

GOI:

gateoxideintegrity门氧化层完整性

Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称

HCI:

hotcarrierinjection热载流子注入

HDP：

highdensityplasma高密度等离子体

High-Voltage高压

Hotbake烘烤

ID辨认，鉴定

Implant植入

Layer层次

LDD:

lightlydopeddrain轻掺杂漏

Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污

LOCOS:

localoxidationofsilicon局部氧化

Loop巡路

Lot批

Mask（reticle）光罩

Merge合并

MetalVia金属接触窗

MFG制造部

Mid-Current中电流

Module部门

NIT:

Si3N4氮化硅

Non-critical非重要

NP:

n-dopedplus（N+）N型重掺杂

NW:

n-dopedwellN阱

OD:

oxidedefinition定义氧化层

OM:

opticmicroscope光学显微镜

OOC超出控制界线

OOS超出规格界线

OverEtch过蚀刻

Overflow溢出

Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度

OX:

SiO2二氧化硅

P.R.Photoresisit光阻

P1:

poly多晶硅

PA;passivation钝化层

Parentlot母批

Particle含尘量/微尘粒子

PE:

1.processengineer;2.plasmaenhance1、工艺工程师2、等离子体增强

PH:

photo黄光或微影

Pilot实验的

Plasma电浆

Pod装晶舟与晶片的盒子

Polymer聚合物

PORProcessofrecord

PP:

p-dopedplus（P+）P型重掺杂

PR:

photoresist光阻

PVD物理气相淀积

PW:

p-dopedwellP阱

Queuetime等待时间

R/C:

runcard运作卡

Recipe程式

Release放行

Resistance电阻

Reticle光罩

RF射频

RM:

remove.消除

Rotation旋转

RTA:

rapidthermalanneal迅速热退火

RTP:

rapidthermalprocess迅速热处理

SA:

salicide硅化金属

SAB:

salicideblock硅化金属阻止区

SAC:

sacrificelayer牺牲层

Scratch刮伤

Selectivity选择比

SEM：

scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜

Slot槽位

Source-Head离子源

SPC制程统计管制

Spin旋转

SpinDry旋干

Sputter溅射

SRSirichoxide富氧硅

Stocker仓储

Stress内应力

STRIP:

一种湿法刻蚀方式

TEOS–（CH3CH2O）4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。

作LPCVD/PECVD生长SiO2的原料。

又指用TEOS生长得到的SiO2层。

Ti钛