电子技术选择题1A3Word下载.docx

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A、5伏B、7.7伏

C、12伏D、5.7伏

17.某人用万用表测量一电子线路中的晶体管测得

=-3V、VCE=6V、VBC=-5.4V，则该管是（）。

A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态

C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态

18.放大器的电压放大倍数在（）时增大。

A、负载电阻增加B、负载电阻减小C、负载电阻不变

19.已知两级放大器中各级的电压放大倍数为60和30，各级的相位差分别为

和

，该放大器的电压放大倍数和相位差分别为（）。

A、90和

B、1800和

C、90和

D、1800和

20.关于理想运算放大器的错误叙述是（）。

A、输入阻抗为零，输出阻抗也为零；

B、输入信号为零时输出处于零电位；

C、频带宽度从零到无穷大；

D、开环电压放大倍数无穷大；

21.为了满足振荡的相位平衡条件，反馈信号与输入信号的相位差应等于（）。

A、

B、

C、

D、

22.NPN硅管截止条件是（）。

0

<

0B、

0.7V

C、

V

23.若使主从JK触发器的输出状态由1变为0，则应使（）。

A、CP1→0时，JK=01B、CP1→0时，JK=10

C、CP0→1时，JK=01D、CP0→1时，JK=10

24.如图3-24所示电路稳压管VZ1和VZ2的稳压值分别为6V和7V，且工作于稳定工作状态，由此可知输出电压为（）

A、6V

B、7V

C、0V

D、1V

25.如图3-25所示电路，（）

A、不满足相位平衡条件，电路不能振荡

B、不满足振幅平衡条件，电路不能振荡

C、不满足相位平衡条件和振幅平衡条件，电路不能振荡

D、满足自激振荡条件，电路能够振荡

26.如图3-26所示电路，当Vi=3V时，三极管的工作于（）

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不确定

27.如图3-27所示OCL放大电路，设电路的电压放大倍数为1，Vi是有效值为4V的正弦波，RL为4Ω，则负载电阻上消耗的功率为（）

A、9/4WB、4WC、9WD、2W

28.如图3-28所示电路中，

（1）设Vi的有效值为10V，则Vo为（）

A、4．5VB、9V

C、12VD、14V

（2）电路正常工作，当电网电压波动使VL增大时，IR将增大，则Iw将（）

Ａ增大B、减小C、基本不变D、为零

29.如图3-29电路中存在的交流负反馈是（）

A、Re1的电压串联负反馈

B、Re2的电流串联负反馈

C、RB的电压并联负反馈

D、RC的电压并联负反馈

30.图3-29，如果断开C3，则放大器的动态指标出现的变化（）

A、输入电阻增大B、输入电阻变小

C、电压放大倍数增大D、输出电阻变小

31.在图3-31中，VZ1=7V，VZ2=9V，D2的正向压降为0.7V，则输出电压V0为（）。

A、7.7VB、9VC、9.7VD、16V

32.在图3-32所示两级阻容放大器中，级间反馈的性质是（）。

A、正反馈B、电压串联负反馈C、电流串联负反馈Ｄ、电压并联负反馈

33.半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。

A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性

C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

34图3-34所示电路中，流过二极管的电流I1，I2分别为（）。

A、I1=8mA，I2=0　　Ｂ、I1=2mA，I2=0

Ｃ、I1=2mA，I2=0　　　Ｄ、I1=0，I2=6mA

35.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻，可以（）。

A、提高回路的Q值B、加宽放大器的通频带

C、增大中心频率D、增加谐振电阻

36.甲类功率放大器的最高理想效率是（）。

A、35%B、50%C、70%D、80%

37.在图３－37电路中用集成运放和电压表组成的测量电阻的基本原理电路，当开关

S打在“1”位置时，电压表的指示为5V，则此时被

测电阻RX的阻值为（）。

A、5MΩ

B、0.5MΩ

C、1MΩ

D、10MΩ　　　　　　　　　　　　　　　　　

38.能实现Y=1功能的逻辑电路是（）。

Ａ、Ｂ、

Ｃ、　Ｄ、

39.硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）

A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性

40.在直流稳压电源中加滤波电路的主要目的是（）

A、变交流电为直流电B、去掉脉动直流电中的脉动成分

C、将高频变为低频D、将正弦交流电变为脉冲信号

41.射极输出器是一种（）负反馈放大器。

A、电压并联B、电流串联C、电压串联D、电流并联

42.集成运放内部电路的耦合方式是（）

A、直接耦合B、变压器耦合C、阻容耦合D、电容耦合

43.石英晶体振荡器与LC正弦波振荡器比较，主要优点在（）

A、能获得高的频率稳定性；

B、能获得较高的振荡频率；

C、易于调节振荡频率

44.若反馈深度|1+AVF|>

1时，放大电路工作于（）状态。

A、正反馈B、负反馈C、自激振荡D、无反馈

45.8421BCD码“0110”表示的十进制数为（）

A、6B、4C、7D、8

46.在图3-46所示的电路中，VBE=0.6V，静态时

集电极电位VC1等于（）

A、9VB、6VC、-9VD、-6V

47.某二极管反向击穿电压180V，则其最高反向工作电压为（）

A、180VB、360VC、90VD、30V

48.既能减轻前级信号源的负担，又能提高带载能力的反馈类型为（）。

A、电流串联负反馈B、电压串联负反馈

C、电压并联负反馈D、电流并联负反馈

49.检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止最简便的方法是测量（）。

A、IBQB、VBEQC、ICQD、VCEQ

50.如图3-50所示的电路中，A、B、C为开关，Z是电灯，从电灯亮的角度出发，Z与A、B、C之间应满足（）。

A、Z=A+B+CB、Z=B+AC

C、Z=A+BCD、Z=AB+AC

51.已知VA=3V、VB=2.4V、VC=-6V，则下列说法正确的是（）

A、管脚分别为B、E、CB、NPN型、放大

C、PNP型，B，E、CD、PNP型、硅管

52.下列有关理想集成运放表述错误的是（）

A、AVO=∞，ri=ro=0B、fbw=∞C、V+=V-=0Dvi=0时，vo=0

53.下列对串联型带放大环节稳压电源表述错误的是（）

A、有调整元件、比较放大、基准电源、采样电路

B、放大对象是采样信号与基准电源的差值

C、需要时，调整管才工作；

不需要时，调整管不工作。

D、比并联型稳压电路的输出电流大。

54.电路如图3-54所示，VO=24V，下列说法正确的是（）

A、如一只二极管开路，则VO=12V

B、如一只二极管开路，则VRM=28。

28V

C、如一只二极管断路，则VO=0V

D、如一只二极管断路，则VRM=56。

56V

55.下列有关功放描述正确的是（）

A、输入信号为0时，甲类功放和乙类功放的输出功率也为零，电源提供功率也为零。

B、OTL与OCL电路相比，在电路参数完全一致的情况下输出功率、效率也一样。

C、OTL与OCL电路相比，前者存在附加失真

D、OCL电路为提高输出功率，常用自举电路。

56.已知输入、输出波形，该逻辑功能与下列（）相对应。

57.一个标有220V，100W的灯泡，当把它接在图3-57所示的单相半波整流电路上，其消耗的功率为（）

A、100W

B、50W

C、20.25W

D、10.5W

58.基本共射放大电路如图3-58所示，当输入1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压的负半周出现失真，为消除失真，应（）

A、减小Rc

B、改换小的管子

C、增大Rb

D、减小Rb

59.某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得VE=-3V，VCE=6V，VBC=-5.4V，则该管是（）

A、PNP型，处放大工作状态B、PNP型，处于截止状态

C、NPN型，处于截止状态D、NPN型，处于放大状态

60.反馈放大器如图3-60所示，试判断反馈类型是（）

A、电流并联负反馈B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈D、电压串联负反馈

61.图3-61所示电路，以下说明正确的是（）

A、该电路可以产生正弦波振荡

B、该电路不满足相位平衡条件，不能产生振荡

C、该电路不满足振幅平衡条件，不能产生振荡

D、该电路不满足振幅平衡条件和相位平衡条件，不能产生振荡

62.OCL互补对称功率放大电路中，要求在8Ω的负载上得到9W最大理想不失真输出功率，应选电源电压是（）

A、12VB、17V

C、24VD、25V

63.8421BCD码00010011表示十进制数的大小为（）

A、10B、12

C、13D、17

64.图3-64所示电路中，电路为微分电路的是（）

A、图bB、图aC、图cD、图a和图b

65.晶闸管有三个PN结，三个电极，内部可模拟成三极管的是（）

A、两个NPN三极管复合管B、PNP和NPN两个三极管相互正反馈

C、两个PNP三极管复合管D、NPN和PNP两个三极管相互负反馈

66.晶闸管单相半波电感性负载可控整流电路中，续流二极管的作用是（）

A、防止晶闸管烧坏。

B、使晶闸管在电压波形变负时承受反向电压页断开。

C、使晶闸管由阻断变为导通状态。

D、对晶闸管进行过流保护。

67.用万用表测得电子线路中晶体管的VCE≈+VG，则该管处于（）

A、放大工作状态。

B、饱和工作状态。

C、截止工作状态。

D、短路状态。

68.电路如图3-68所示。

（1）判断反馈类型，正确的是（）

A、电压并联直流负反馈。

B、电压并联交直流负反馈。

B、电流串联交流负反馈。

D、电流串联直流负反馈。

（2）C3断开时对电路性能产生哪些影响（）

A、静态工作点下移。

B、降低输入电阻。

C、增加放大倍数。

D、增大输出电阻

69.将正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用（）

A、十进制计数器B、单稳态触发器

C、施密特触发器D、石英多谐振器

70.单相桥式整流电路中，如一只整流管接反，则（）

A、输出直流电压减小B、将引起电源短路

C、将成为半波整流电路D、仍为桥式整流电路

71.某三极管有A、B、C、三个电极，各电极的电位分别为VA=-4伏、VB=-3.3伏、VC=-8伏，则A、B、C三个电极名称顺序为（）

A、发射极、集电极、基极

B、基极、发射极、集电极

C、发射极、基极、集电极

D、基极、集电极、发射极、

72.为了改善电路的性能，引进反馈后的集成运算放大器总是为（）

A、电流负反馈B、电压正反馈

C、电压负反馈D、电流正反馈

73.用于把矩形波转变为尖峰波的电路是（）

A、RC耦合电路B、微分电路

C、积分电路D、施密特电路

74.硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）

75.在直流稳压电源中加滤波电路的主要目的是（）

A、变交流电为直流电B、去掉脉动直流电中的脉动成分

C、将高频变为低频　　　　D、将正弦交流电变为脉冲信号

76.射极输出器是一种（）负反馈放大器。

A、电压并联B、电流串联

C、电压串联D、电流并联

77.集成运放内部电路的耦合方式是（）

A、直接耦合B、变压器耦合

C、阻容耦合D、电容耦合

78.若反馈深度|1+AVF|>

A、正反馈B、负反馈

C、自激振荡D、无反馈

79.图3-79中，电路出现故障，经测定得知VE=0，VG=VG，则可判定（）

A、RC开路

B、Rb2短路

C、Re短路

D、Rb1开路

80.图3-79中，当Re减小时，AV及RI将如何变化?

（）

A、AV增大、RI不变B、AV减小、RI减小

C、AV减小、RI增大D、AV和RI均不变

81.某放大器接入电阻RL=1.5KΩ时，其输出电压VO=150mV，当断开RL时，其输出电压VOˊ=330mV，

由此可见其输出电阻为（）

A、1.5KΩB、3.3KΩC、1.8KΩD、3KΩ

82.OTL功率放大器的电源为VG，负载RL上正弦波电压、电流幅值为VLm和ILm，此时放大器的最大输出功率Pom=1W。

若将负载RL减小为RLˊ=RL，则（）

A、Pˊom=2WB、IˊLm=2ILmC、VˊLm=2VLmD、IˊLm=2ILm

83.若功率放大器的效率降低了，则在电源供给功率一定的情况下，放大器的输出功率和耗散功率（）。

A、都增大B、都减小C、分别减小和增大D、分别增大和减小

84.功率放大电路比电压放大电路之所以输出功率大，是由于功率放大电路的（）较大。

A、AVB、AiC、APD、以上都不正确

85.一个十进制计数器，至少需要几个触发器构成？

（）

A、2个B、3个C、4个D、5个

86.输入不变而改变施密特触发器回差电压时，则输出电压（）变化。

A、幅度B、脉宽C、频率

87.差动放大电路可以（）。

A、提高输入电阻B、减小输出电阻

C、稳定放大倍数D、减小零点漂移

88.在共发射极放大电路之间插入射极输出器，其总的电压放大倍数（）。

A、不变B、增大C、减小

89.要增大放大器的输入电阻，稳定输出电流，应选的负反馈类型是（）。

A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联

90.如图3-90所示，晶闸管原先导通，当开关S打开后，电压表没有指示，说明此时晶闸管（）。

A、已经坏了

B、由导通变为阻断

C、仍为导通状态

D、电流上升率很大

91.稳压电路一般来说，它属于（）电路。

A、负反馈自动调整B、负反馈放大

C、直流放大D、交流放大

92.如图3-92所示，（）构成微分电路（ui脉宽tp=100us）

93.能实现“有0出1，全1出0”逻辑功能的是（）。

A、与门B、或门C、与非门D、或非门

94.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）

A、10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ

95.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）

A、共射极电路B、共基电路

C、共集电路D、共集—共基电路

96.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）

A、输入电阻大B、输入电阻小

C、输出电阻大D、输出电阻小

97.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（）

A、提高回路的Q值B、加宽放大器的通频带

C、增大中心频率D、增加谐振电阻

98.有一个基本放大器发生了削波失真，但在增大Rb后，失真必是（）

A、饱和失真B、截止失真C、频率失真D、交越失真

99.只有暂稳态的电路是（）

A、多谐振荡器B、单稳态电路

C、施密特触发器D、定时器

100.主从JK触发器的初始状态为0，JK=11时，经过2n+1个触发脉冲后，输出状态为（）

A、一直为0C、在0、1之间翻转，最后为1

B、一直为1D、在0、1之间翻转，最后为0

101.一个单端输出的差动放大器，要提高共模抑制比，办法是（）

A、尽量使管子参数对称。

B、尽量使电路参数对称。

C、增大共模负反馈电阻RE数值

D、减小共模负反馈电阻RE数值

102.一个理想乙类功放电路的最大输出功率为20W，当信号为零时，每个功放管的管耗为

A、10WB、20WC、0WD、4W

103.甲乙类推挽功率放大器设置合适的静态工作点其目的是（）

A、改善频率特性B、增大放大倍数

C、消除饱和失真C、消除交越失真

104.功放电路的效率主要与下列哪个有关（）

A、电源供给的直流功率B、电路输出信号是最大功率

C、电路的工作状态D、放大器件的性能

105.增大单结晶体管振荡器中充电回路时间常数，可改变输出脉冲（）

A、频率B、相位C、幅度

106.晶闸管导通后，通过晶闸管的电流大小决定于（）

A、电路负载B、晶闸管电流容量C、阳—阴极间电压

107.能把矩形波变换成锯齿波的电路是（）

A、RC微分电路B、RC积分电路

C、RC脉冲电路D、RC耦合电路

答案

1-5CBABD6-10DCAAA11-15DACBB16-20CCABA

21-25DAADD26-30BB28CA29B30A31-35ABBAB36-40BBAAB

41-45CAABA46-50ACBDD51-55DCCDC56-60DACDB

61-65BACBB66-70BCADCB71-75BCBAB76-80CACDA

81-85CACDC86-90BDACB91-95BBCCC96-100BBBAD

101-107CCDBAAB

单项选择题

（2）

1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　）

A．本征半导体B．温度

C．杂质浓度D．掺杂工艺

2.半导体中的少数载流子产生的原因是（）

A.外电场B.内电场

C.掺杂D.热激发

3.在本征半导体中掺入（ 

A）就成为P型半导体。

A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素

4当PN结外加正向电压时，扩散电流（A）漂移电流，耗尽层变窄。

A.大于B.小于C.等于

5当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变宽。

A.大于B.小于C.等于

6.N型半导体可以在纯净半导体中掺入（）价元素实现。

A.3价B.4价C.5价D.6价

7随着环境温度的升高，半导体二极管的反向电流将（）

A减少B.略有增加

C.保持不变D.与温度成比例增加

8对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是（）。

A.最大整流电流大，最高工作频率高

B.最大整流电流小，最高工作频率高

C.最大整流电流大，最高工作频率低

D.最大整流电流小，最高工作频率低

9.三极管的主要参数UCEO其定义是　（）。

A.集电极—发射极反向击穿电压B.集电极—发射极正向压降

C.基极—发射极正向压降D.集电极—发射极反向饱和电流

10．下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是（）。

11．理想二极管构成的电路如题2图所示，则（）

A．V截止U0＝－10V

B．V截止U0＝－3V

C．V导通U0＝－10V

D．V导通U0＝－6V

12. 

如图所示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是（C）；

设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=0.7V,当温度上升到40℃时，则VD大小为（）。

A.I=2mAB.I<

2mAC.I>

2mA

D.VD=0.7VE.VD>

0.7VF.VD<

0.7V

13如图所示，D1~D3为理想二极管，a、b、c灯泡功率相同，其中最亮的灯是（）。

A.bB.cC.a

题13图题14图 

题15图 

14电路如图所示，输出电压UO应为（）。

A）0.7VB）3.7VC）10VD）0.3V

15.在图所示的二极管中，当温度上升时，电流I将（）。

A.增大B.减小

C.不变D.不确定

16.某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V，+1.4V，+1.6V，则该晶体管是（）。

A.工作在放大区的NPN硅管

B.工作在饱和区的NPN硅管

C.工作在截止区的NPN硅管

D.工作在饱和区的PNP锗