半导体专业术语.docx

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半导体专业术语

1.acceptancetesting（WAT:

waferacceptancetesting）

2.acceptor:

受主，女口B,掺入Si中需要接受电子

3.Acid:

酸

4.Activedevice:

有源器件，女口MOSFEJ非线性，可以对信号放

大）

5.Alignmark（key）:

对位标记

6.Alloy:

合金

7.Aluminum：

¥吕

8.Ammonia氨水

9.Ammoniumfluoride:

NH4F

10.Ammoniumhydroxide：

NH4OH

11-Amorphoussilicon:

a-Si,非晶硅（不是多晶硅）

12.Analog:

模拟的

13.Angstrom:

A（1E-10m）埃

14.Anisotropic:

各向异性（如POLYETQH

is.AQL（AcceptanceQualityLevel）:

接受质量标准，在一定采样下,

可以95滬信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）

16.ARC（Antireflectivecoating）:

抗反射层（用于META導层的光刻）

17.Argon（Ar）氮

is.Arsenic（As）石申

19.Arsenictrioxide（As2O3）三氧化二石申

20.Arsine（AsH3）

21.Asher：

去胶机

22.Aspectration:

形貌比（ETCFfr的深度、宽度比）

23.Autodoping:

自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）

24.Backend:

后段（CONTAC取后、PCMW试前）

25.Baseline:

标准流程

26.Benchmark：

基准

27.Bipolar:

双极

28.Boat:

扩散用（石英）舟

29.CD（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。

在工艺上通常指条宽，例如POLYCOM多晶条宽。

30.Characterwindow:

特征窗口。

用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。

31.Chemical-mechanicalpolish（CMI?

:

化学机械抛光法。

一种去掉圆片表面某种物质的方法。

32.Chemicalvapordeposition（CVD:

化学汽相淀积。

一种通过

化学反应生成一层薄膜的工艺。

33.Chip:

碎片或芯片。

34.CIM：

computer-integratedmanufacturing的缩写。

用计算机控

制和监控制造工艺的一种综合方式。

35.Circuitdesign:

电路设计。

一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。

se.Cleanroom:

一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特

殊要求的特定区域。

37.Compensationdoping:

补偿掺杂。

向P型半导体掺入施主杂质

或向N型掺入受主杂质。

38.CMOScomplementarymetaloxidesemiconductor的缩写。

一种

将PMO^HNMO駐同一个硅衬底上混合制造的工艺。

39.Computer-aideddesign（CAD:

计算机辅助设计。

40.Conductivitytype:

传导类型，由多数载流子决定。

在N型材

料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。

41.Contact:

孑L。

在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。

42.Controlchart:

控制图。

一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。

43.Correlation:

相关性。

44.Cp：

工艺能力，详见processcapability。

45.Cpk：

工艺能力指数，详见processcapabilityindex。

46.Cycletime:

圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。

通常用来衡量流通速度的快慢。

47.Damage损你对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。

48.Defectdensity:

缺陷密度。

单位面积内的缺陷数。

49.Depletionimplant:

耗尽注入。

一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。

（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。

）

so.Depletionlayer:

耗尽层。

可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。

51.Depletionwidth:

耗尽宽度。

53中提到的耗尽层这个区域的宽度。

52.Deposition:

淀积。

一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。

53.Depthoffocus（DOIJ:

焦深。

54.designofexperiments（DOE）:

为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。

55.develop:

显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）

56.developer:

I）显影设备；n）显影液

57.die:

硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及

芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。

58.dielectric:

I）介质，一种绝缘材料；n）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。

59.diffusedlayer:

扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。

so.drive-in:

推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。

61.dryetch:

干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。

62.effectivelayerthickness:

有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。

63.EMelectromigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致

电子沿铝条连线进行的自扩散过程。

64.epitaxiallayer:

外延层。

半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延

65.equipmentdowntime:

设备状态异常以及不能完成预定功能的时

间。

66.etch:

腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。

67.exposure:

曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。

68.fab:

常指半导体生产的制造工厂。

69.featuresize:

特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。

70.field-effecttransistor（FE1）:

场效应管。

包含源、漏、栅、

衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的

横向电场控制。

71.film:

薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。

72.flat:

平边

73.flowvelocity:

流速计

74.flowvolume:

流量计

75.flux:

单位时间内流过给定面积的颗粒数

76.forbiddenenergygap:

禁带

77.four-pointprobe:

四点探针台

78.functionalarea:

功能区

79.gateoxide:

栅氧

so.glasstransitiontemperature:

玻璃态转换温度

si.gowning：

净化月艮

82.grayarea:

灰区

83.grazingincidenceinterferometer:

切线入射干涉仪

84.hardbake:

后烘

85.heteroepitaxy:

单晶长在不同材料的衬底上的外延方法

86.high-currentimplanter:

束电流大于3ma的注入方式，用于批

量生产

87.hign-efficiencyparticulateair（HEPA）filter:

高效率空气颗

粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒

88.hOSt:

主机

89.hotcarriers:

热载流子

90.hydrophilic:

亲水性

91.hydrophobic:

疏水性

92.impurity:

杂质

93.inductivecoupledplasma（ICP）:

感应等离子体

94.inertgas:

惰性气体

95.initialoxide:

一氧

96.insulator:

绝缘

97.isolatedline:

隔离线

98.implant:

注入

99.impurityn:

掺杂

wo.junction:

结

101.junctionspikingn:

铝穿刺

102.kerf:

划片槽

103.landingpadrrPAD

104.lithographyn制版

105.maintainability,equipment设备产能

106.maintenancen:

保养

107.majoritycarriern:

多数载流子

108.masks,deviceseriesofn:

一成套光刻版

109.materialn:

原料

no.matrixrd:

矩阵

in.meann:

平均值

112.measuredleakraten:

测得漏率

113.mediann:

中间值

114.memoryn:

记忆体

ns.metaln:

金属

“6.nanometer（nm）n：

纳米

117.nanosecond（ns）n:

纳秒

ns.nitrideetchn:

氮化物刻蚀

119.nitrogen（N2）n:

氮气，一种双原子气体

120.n-typeadj:

n型

121.ohmspersquaren：

欧姆每平方：

方块电阻

122.orientationn:

晶向，一组晶列所指的方向

123.overlapn:

交迭区

124.oxidationn:

氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应

125.phosphorus（P）n:

磷，一种有毒的非金属元素

126.photomaskn：

光刻版，用于光刻的版

127.photomask,negativen:

反刻

128.images:

去掉图形区域的版

129.photomask,positiven:

正刻

iso.pilotn:

先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子

131.plasman：

等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体

132.plasma-enhancedchemicalvapordeposition（PECVD）n:

等离子

体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺

133.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn:

TEO錠积，淀积TEOS

的一种工艺

134.pnjunctionn:

pn结

ns.pockedbeadn：

麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠

136.polarizationn:

偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语

is?

polyciden:

多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构

138.polycrystallinesilicon（poly）n:

多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）

的硅，能导电。

139.polymorphismn:

多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不

同的形态结晶的现象

140.probern:

探针。

在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。

141.processcontroln:

过程控制。

半导体制造过程中，对设备或产

品规范的控制能力。

142.proximityX-rayn:

近X射线：

一种光刻技术，用X射线照射置

于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。

143.purewatern:

纯水。

半导体生产中所用之水。

144.quantumdevicen:

量子设备。

一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。

145.quartzcarriern:

石英舟。

146.randomaccessmemory（RAM）rT随机存储器。

147.randomlogicdevicen:

随机逻辑器件。

148.rapidthermalprocessing（RTP）n:

快速热处理（RTP）。

149.reactiveionetch（RIE）n:

反应离子刻蚀（RIE）。

iso.reactorn:

反应腔。

反应进行的密封隔离腔。

151.recipen:

菜单。

生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。

152.resistn:

光刻胶。

153.scanningelectronmicroscope（SEM）n:

电子显微镜（SEM）。

154.scheduleddowntimen:

（设备）预定停工时间。

155.Schottkybarrierdiodesn:

肖特基二极管。

156.scribelinen:

戈1!

片槽。

157.sacrificialetchbackn:

牺牲腐蚀。

158.semiconductorn:

半导体。

电导性介于导体和绝缘体之间的元素。

159.sheetresistance（Rs）（orpersquare）n:

薄层电阻。

一般用以衡

量半导体表面杂质掺杂水平。

wo.sideload:

边缘载荷，被弯曲后产生的应力。

161.silicononsapphire（SOS）epitaxialwafer:

外延是蓝宝石衬底

硅的原片

162.smallscaleintegration（SSI）:

小规模综合，在单一模块上由2

到10个图案的布局。

174.spinwebbing:

旋转带,在旋转过程中在下表面形成的细丝状的

剩余物。

175.sputteretch:

溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。

次空间错误。

177.steambath:

蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。

178.stepresponsetime:

瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中,普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。

179.stepper:

步进光刻机（按BLOCK曝光）

180.stresstest:

应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。

181.surfaceprofile:

表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓

（没有特指的情况下）。

182.symptom:

征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。

183.tackweld:

间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。

184.Taylortray:

泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。

185.temperaturecycling:

温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环用它的。

187.thermaldeposition:

热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。

188.thinfilm:

超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一

层特殊薄膜。

189.titanium（Ti）:

钛。

190.toluene（C6H5CH3）:

甲苯。

有毒、无色易燃的液体，它不溶于

水但溶于酒精和大气。

191.1,1,1-trichloroethane（TCA）（CL3CCH3）:

有毒、不易燃、有刺

激性气味的液态溶剂。

这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。

192.tungsten（W）:

鸨。

193.tungstenhexafluoride（WF6）:

氟化辛乌。

无色无味的气体或者是淡黄色液体。

在CVD^WFGffl于淀积硅化物，也可用于鸨传导的薄膜。

194.tinning:

金属性表面覆盖焊点的薄层。

195.

F列是硅表面不可动电荷密

totalfixedchargedensity（Nth）:

度的总和：

氧化层固定电荷密度（Nf）、氧化层俘获的电荷的密度

（Not）、界面负获得电荷密度（Nit）o

196.watt（W）:

瓦。

能量单位。

197.waferflat:

从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的

导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列

晶片。

198.waferprocesschamber（WPC）:

对晶片进行工艺的腔体。

199.well:

阱。

200.wetchemicaletch:

湿法化学腐蚀。

201.trench:

深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。

202.via:

通孔。

使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。

203.window:

在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。

204.torr:

托。

压力的单位。

205.vaporpressure:

当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽

所施加的压力。

蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。

206.vacuum:

真空。

207.transitionmetals:

过渡金属

4.ADIAfterdevelopinspection显影后检视

5.AEI蚀科后检查

6.Alignment排成一直线，对平

7.Alloy融合：

电压与电流成线性关系，降低接触的阻值

8.ARC:

anti-reflectcoating防反射层

9.ASHERL种干法刻蚀方式

10.ASI光阻去除后检查

11.Backside晶片背面

12.BacksideEtch背面蚀刻

13.Beam-Current电子束电流

14.BPSG:

含有硼磷的硅玻璃

15.Break中断，stepper机台内中途停止键

16.Cassette装晶片的晶舟

17.CD：

criticaldimension

关键性尺寸

18.Chamber反应室

19.Chart图表

20.Childlot子批

21.Chip（die）晶粒

22.CMP化学机械研磨

23.Coater光阻覆盖（机台）

24.Coating涂布，光阻覆盖

25.ContactHole接触窗

26.Controlwafer控片

27.Criticallayer重要层

28.CVD化学气相淀积

29.Cycletime生产周期

30.Defect缺陷

31.DEP:

deposit淀积

32.Descum预处理

33.Developer显影液；显影（机台）

35.DG:

dualgate双门

39.Dose剂量

36.DIwater去离子水

40.Downgrade降级

37.Diffusion扩散

41.DRC:

designrulecheck设计规则检查

42.DryClean干洗

54.FieldOxide场氧化层

63.HDP：

highdensityplasma

高密度等离子

43.Duedate交期

55.Flatness平坦度

体

44.Dummywafer挡片

56.Focus焦距

64.High-Voltage高压

45.E/R:

etchrate蚀刻速率

57.Foundry代工

65.Hotbake烘烤

46.EE设备工程师

58.FSG:

含有氟的硅玻璃

66.ID辨认，鉴定

47.EndPoint蚀刻终点

59.Furnace炉管

67.Implant植入

48.ESD:

electrostaticdischarge/electro

60.GOI:

gateoxideintegrity

门氧化层完整

68.Layer层次

staticdamage静电离子损伤

性

69.LDD:

lightlydopeddrain

轻掺杂漏

49.ET:

etch蚀刻

61.Hexamethyldisilazane,

经去水烘烤的

70.Localdefocus局部失焦因机台或晶片造

50.Exhaust排气（将管路中的空气排除）

晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着

成之脏污

51.Exposure曝光

力的化合物，称

71.LOCOS:

localoxidationofsilicon局部

52.FAB工厂

62.HCI:

hotcarrierinjection

热载流子注

氧化

53.FIB:

focusedionbeam聚焦离子束

入

72.Loop巡路

74.Mask（reticle）光罩

75.Merge合并

76.MetalVia金属接触窗

77.MFG制造部

78.Mid-Current中电流

79.Module部门

80.NIT:

Si3N4氮化硅

81.Non-critical非重要

82.NP:

n-dopedplus（N+）N型重掺杂

83.NW:

n-dopedwellN阱

84.OD:

oxidedefinition定义氧化层

85.OM:

opticmicroscope光学显微镜

86.OOC超出控制界线

87.OOS超出规格界线

88.OverEtch过蚀刻

确度

91.OX:

SiO2二氧化硅

92.P.R.Photoresisit光阻

93.P1:

poly多晶硅

94.PA;passivation钝化层

95.Parentlot母批

96.Particle含尘量/微尘粒子

97.PE:

1.processengineer;2.plasmaenhancel、工艺工程师2、等离子体增强

98.PH:

photo黄光或微影

99.Pilot实验的

100.Plasma电浆

101.Pod装晶舟与晶片的盒子

102.Polymer聚合物

103.PORProcessofrecord

106.PVD物理气相淀积

107.PW:

p-dopedwellP阱

108.Queuetime等待时间

109.R/C:

runcard运作卡

110.Recipe程式

111.Release放行

112.Resistance电阻

113.Reticle光罩

114.RF射频

115.RM:

remove.消除

116.Rotation旋转

117.RTA:

rapidthermalanneal迅速热退火

118.RTP:

rapidthermalprocess迅速热处理

119.SA:

salicide硅化金属

120.SAB:

salicideblock硅化金属阻止区

122.Scratch刮伤

123.Selectivity选择比

124.SEM：

scanningelectronmicroscope扫

描式电子显微镜

125.Slot槽位

126.Source-Head离子源

127.SPC制程统计管制

128.Spin旋转

129.SpinDry旋干

130.Sputter溅射

131.SRO:

Sirichoxide富氧硅

132.Stocker仓储

133.Stress内应力

134.ST