IC制程与封装一些名词Word文档下载推荐.docx
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裸体芯片"
组装,可节省整体成本约30%左右.
7、BeamLead光芒式的平行密集引脚
是指"
卷带自动结合"
（TAB）式的载体引脚,可将裸体芯片直接焊接在TAB的内脚上,并再利用其外脚焊接在电路板上,这种做为芯片载体的梁式平行密集排列引脚,称为BeamLead.
8、BondingWire结合线
指从IC内藏的芯片与引脚整间完成电性结合的金属细线而言,常用者有金线及铝线,直径在1-2mil之间.
9、Bump突块
指各种突起的小块,如杜邦公司一种SSD制程（SelectiveSolderDeposit）中的各种SolderBump法,即"
突块"
的一种用途（详见电路板信息杂志第48期P.72）.又,TAB之组装制程中,芯片（Chip）上线路面的四周外围,亦做有许多小型的焊锡或黄金"
（面积约1μ2）,可用以反扣覆接在TAB的对应内脚上,以完成"
晶粒"
（Chip）与"
载板"
（PCB）各焊垫的互连.此"
之角色至为重要,此制程目前国内尚未推广.
10、BumpingProcess凸块制程
指在线路完工的晶圆表面,再制做上微小的焊锡凸块（或黄金凸块）,以方便下游进行TAB与FlipChip等封装与组装制程.这种尺寸在1mm左右的微小凸块,其制作技术非常困难,国内至今尚未投入生产.
11、C4ChipJoint,C4芯片焊接
利用锡铅之共融合金（63/37）做成可高温软塌的凸球,并定构于芯片背面或线路正面,对下游电路板进行"
直接安装"
（DCA）,谓之芯片焊接.C4为IBM公司二十多年前所开故的制程,原指"
对芯片进行可控制软塌的芯片焊接"
（ControlledCollapsedChipConnection）,现又广用于P-BGA对主机板上的组装焊接,是芯片连接以外的另一领域塌焊法.
12、Capacitance电容
当两导体间有电位差存在时,其介质之中会集蓄电能量,些时将会有"
电容"
出现.其数学表达方式C＝Q/V,即电容（法拉）＝电量（库伦）/电压（伏特）.若两导体为平行之平板（面积A）,而相距d,且该物质之介质常数（DielectricConstant）为ε时,则C＝εA/d.故知当A、d不变时,介质常数愈低,则其间所出现的电容也将愈小.
13、Castallation堡型集成电路器
是一种无引脚大型芯片（VLSI）的瓷质封装体,可利用其各垛口中的金属垫与对应板面上的焊垫进行焊接.此种堡型IC较少用于一般性商用电子产品,只有在大型计算机或军用产品上才有用途.
14、ChipInterconnection芯片互连
指半导体集成电路（IC）内心脏部份之芯片（Chip）,在进行封装成为完整零件前之互连作业.传统芯片互连法,是在其各电极点与引脚之间采打线方式（WireBonding）进行;
后有"
（TAB）法;
以及最先进困难的"
覆晶法"
（FlipChip）.后者是近乎裸晶大小的封装法（CSP）,精密度非常高.
15、ChiponBoard芯片黏着板
是将集成电路之芯片,以含银的环氧树脂胶,直接贴合黏着在电路板上,并经由引脚之"
打线"
（WireBonding）后,再加以适当抗垂流性的环氧树脂或硅烷（Silicone）树脂,将COB区予以密封,如此可省掉集成电路的封装成本.一些消费级的电子表笔或电子表,以及各种定时器等,皆可利用此方式制造.该次微米级的超细线路是来自铝膜真空蒸着（VacuumDeposit）,精密光阻,及精密电浆蚀刻（PlasmaEtching）法所制得的晶圆.再将晶圆切割而得单独芯片后,并续使晶粒在定架中心完成焊装（DieBond）后,再经接脚打线、封装、弯脚成型即可得到常见的IC.其中四面接脚的大型IC（VLSI）又称"
ChipCarrier芯片载体"
而新式的TAB也是一种无需先行封装的"
芯片载体"
.又自SMT盛行以来,原应插装的电阻器及电容器等,为节省板面组装空间及方便自动化起见,已将其卧式轴心引脚的封装法,更改而为小型片状体,故亦称为片状电阻器ChipResistor,或片状电容器ChipCapacitor等.又,Chips是指钻针上钻尖部份之第一面切削刃口之崩坏,谓之Chips.
16、ChipOnGlass晶玻接装（COG）（芯片对玻璃电路板的直接安装）
液晶显像器（LCD）玻璃电路中,其各ITO（IndiumTinOxide）电极,须与电路板上的多种驱动IC互连,才能发挥显像的功能.目前各类大型IC仍广采QFP封装方式,故须先将QFP安装在PCB上,然后再用导电胶（如Ag/Pd膏、Ag膏、单向导电胶等）与玻璃电路板互连结合.新开故的做法是把驱动用大型IC（DriverLSI）的Chip,直接用"
覆晶"
方式扣装在玻璃板的ITO电极点上,称为COG法,是一很先进的组装技术.类似的说法尚有COF（ChiponFilm）等.ConformalCoating贴护层,护形完成零件装配的板子,为使整片板子外形受到仔细的保护起见,再以绝缘性的涂料予以封护涂装,使有更好的信赖性.一般军用或较高层次的装配板,才会用到这种外形贴护层.
17、Chip晶粒、芯片、片状
各种集成电路（IC）封装体的心脏位置处,皆装有线路密集的晶粒（Dies）或芯片（Chip）,此种小型的"
线路片"
是从多片集合的晶圆（Wafer）上所切割而来.
18、DaisyChainedDesign菊瓣环设计
指由四周"
矩垫"
紧密排列所组成之方环状设计,如同菊瓣依序罗列而成的花环.常见者如芯片外围之电极垫,或板面各式QFP之焊垫均是.
19、Device电子组件
是指在一独立个体上,可执行独立运作的功能,且非经破坏无法再进一步区分其用途的基本电子零件.
20、Dicing芯片分割
指将半导体晶圆（Wafer）,以钻石刀逐一切割成电路体系完整的芯片（Chip）或晶粒（Die）单位,其分割之过程称为Dicing.
21、DieAttach晶粒安装
将完成测试与切割后的良好晶粒,以各种方法安装在向外互连的引线架体系上（如传统的LeadFrame或新型的BGA载板）,称为"
安晶"
.然后再自晶粒各输出点（Output）与脚架引线间打线互连,或直接以凸块（Bump）进行覆晶法（FlipChip）结合,完成IC的封装.上述之"
晶粒安装"
早期是以芯片背面的镀金层配合脚架上的镀金层,采高温结合（T.C.Bond）或超音波结合（U.C.Bond）下完成结合,故称为DieBond.但目前为了节省镀金与因应板面"
直接晶粒安装"
（DCA或COB）之新制程起见,已改用含银导热胶之接着,代替镀金层熔接,故改称为"
DieAttach"
.
22、DieBonding晶粒接着
Die亦指集成电路之心脏部份,系自晶圆（Wafer）上所切下一小片有线路的"
以其背面的金层,与定架（LeadFrame）中央的镀金面,做瞬间高温之机械压迫式熔接（ThermoCompressionBonding,T.C.Bonding）.或以环氧树脂之接着方式予以固定,称为DieBond,完成IC内部线路封装的第一步.
23、Diode二极管
为半导体组件"
晶体管"
（Transistor）之一种,有两端点接在一母体上,当所施加电压的极性大小不同时,亦将展现不同导体性质.另一种"
发光二极管"
可代替仪表板上各种颜色的发光点,比一般灯泡省电又耐用.目前二极管已多半改成SMT形式,图中所示者即为SOT-23之解剖图.
24、DIP（DualInlinePackage）双排脚封装体
指具有双排对称接脚的零件,可在电路板的双排对称脚孔中进行插焊.此种外形的零件以早期的各式IC居多,而部份"
网状电阻器"
亦采用之.
25、DiscreteComponent散装零件
指一般小型被动式的电阻器或电容器,有别于主动零件功能集中的集成电路.
26、Encapsulating囊封、胶囊
为了防水或防止空气影响,对某些物品加以封包而与外界隔绝之谓.
27、EndCap封头
指SMD一些小型片状电阻器或片状电容器,其两端可做为导电及焊接的金属部份,称为EndCap.
28、FlatPack扁平封装（之零件）
指薄形零件,如小型特殊的IC类,其两侧有引脚平行伸出,可平贴焊接在板面,使组装品的体积或厚度得以大幅降低,多用于军品,是SMT的先河.
29、FlipChip覆晶,扣晶
芯片在板面上的反扣直接结合,早期称为FacedownBonding,是以凸出式金属接点（如GoldBump或SolderBump）做连接工具.此种凸起状接点可安置在芯片上,或承接的板面上,再用C4焊接法完成互连.是一种芯片在板面直接封装兼组装之技术（DCA或COB）.
30、FourPointTwisting四点扭曲法
本法是针对一些黏焊在板面上的大型QFP,欲了解其各焊点强度如何的一种外力试验法.即在板子的两对角处设置支撑点,而于其它两对角处施加压力,强迫板子扭曲变形,并从其变形量与压力大小关系上,观察各焊点的强度.
31、GalliumArsenide（GaAs）砷化镓
是常见半导体线路的一种基板材料,其化学符号为GaAs,可用以制造高速IC组件,其速度要比以硅为芯片基材者更快.
32、GateArray闸极数组,闸列
是半导体产品的基本要素,指控制讯号入口之电极,习惯上称之为"
闸"
33、GlobTop圆顶封装体
指芯片直接安装于板面（Chip-On-Board）的一种圆弧外形胶封体（Encapsulant）或其施工法而言.所用的封胶剂有环氧树脂、硅树脂（Silicone,又称聚硅酮）或其等混合胶类.
34、GullWingTead鸥翼引脚
此种小型向外伸出的双排脚,是专为表面黏装SOIC封装之用,系1971年由荷兰Philips公司所首先开发.此种本体与引脚结合的外形,很像海鸥展翅的样子,故名"
鸥翼脚"
.其外形尺寸目前在JEDEC的MS-012及-013规范下,已经完成标准化.
35、IntegratedCircuit（IC）集成电路器
在多层次的同一薄片基材上（硅材）,布置许多微小的电子组件（如电阻、电容、半导体、二极管、晶体管等）,以及各种微小的互连（Interconnection）导体线路等,所集合而成的综合性主动零件,简称为I.C..
36、J-LeadJ型接脚
是PLCC（PlasticLeadedChipCarrier）"
塑料晶（芯）片载体"
（即VLSI）的标准接脚方式,由于这种双面接脚或四面脚接之中大型表面黏装组件,具有相当节省板子的面积及焊后容易清洗的优点,且未焊装前各引脚强度也甚良好不易变形,比另一种鸥翼接脚（GullWingLead）法更容易维持"
共面性"
（Coplanarity）,已成为高脚数SMD在封装（Packaging）及组装（Assembly）上的最佳方式.
37、Lead引脚,接脚
电子组件欲在电路板上生根组装时,必须具有各式引脚而用以完成焊接与互连的工作.早期的引脚多采插孔焊接式,近年来由于组装密度的增加,而渐改成表面黏装式（SMD）的贴焊引脚.且亦有"
无引脚"
却以零件封装体上特定的焊点,进行表面黏焊者,是为Leadless零件.
38、KnownGoodDie（KGD）已知之良好芯片
IC之芯片可称为Chip或Die,完工的晶圆（Wafer）上有许多芯片存在,其等品质有好有坏,继续经过寿命试验后（Burn-inTest亦称老化试验）,其已知电性良好的芯片称为KGD.不过KGD的定义相当分歧,即使同一公司对不同产品或同一产品又有不同客户时,其定义也都难以一致.一种代表性说法是:
「某种芯片经老化与电测后而有良好的电性品质,续经封装与组装之量产一年以上,仍能维持其良率在99.5%以上者,这种芯片方可称KGD」.
39、LeadFrame脚架
各种有密封主体及多只引脚的电子组件,如集成电路器（IC）,网状电阻器或简单的二极管三极体等,其主体与各引脚在封装前所暂时固定的金属架,称成LeadFrame.此词亦被称为定架或脚架.其封装过程是将中心部份的芯片（Die,或Chip芯片）,以其背面的金层或银层,利用高温熔接法与脚架中心的镀金层加以固定,称为DieBond.再另金线或铝线从已牢固的芯片与各引脚之间予以打线连通,称为LeadBond.然后再将整个主体以塑料或陶瓷予以封牢,并剪去脚架外框,及进一步弯脚成形,即可得到所需的组件.故知"
脚架"
在电子封装工业中占很重要的地位.其合金材料常用者有Kovar、Alloy42以及磷青铜等,其成形的方式有模具冲切法及化学蚀刻法等.
40、LeadPitch脚距
指零件各种引脚中心线间的距离.早期插孔装均为100mil的标准脚距,现密集组装SMT的QFP脚距,由起初的50mil一再紧缩,经25mil、20mil、16mil、12.5mil至9.8mil等.一般认为脚距在25mil（0.653mm）以下者即称为密距（FinePitch）.
41、Multi-Chip-Module（MCM）多芯片（芯片）模块
这是从90年才开始发展的另一种微电子产品,类似目前小型电路板的IC卡或Smart卡等.不过MCM所不同者,是把各种尚未封装成体的IC,以"
（BareChips）方式,直接用传统"
DieBond"
或新式的FlipChip或TAB之方式,组装在电路板上.如同早期在板子上直接装一枚芯片的电子表笔那样,还需打线及封胶,称为COB（ChipOnBond）做法.但如今的MCM却复杂了许多,不仅在多层板上装有多枚芯片,且直接以"
凸块"
结合而不再"
.是一种高层次（HighEnd）的微电子组装.MCM的定义是仅在小板面上,进行裸体芯片无需打线的直接组装,其芯片所占全板面积在70%以上.这种典型的MCM共有三种型式即（目前看来以D型最具潜力）:
MCM-L:
系仍采用PCB各种材质的基板（Laminates）,其制造设傋及方法也与PCB完全相同,只是较为轻薄短小而已.目前国内能做IC卡,线宽在5mil孔径到10mil者,将可生产此类MCM.但因需打芯片及打线或反扣焊接的关系,致使其镀金"
（Bump）的纯度须达99.99%,且面积更小到1微米见方,此点则比较困难.MCM-C:
基材已改用混成电路（Hybrid）的陶瓷板（Ceramic）,是一种瓷质的多层板（MLC）,其线路与Hybrid类似,皆用厚膜印刷法的金膏或钯膏银膏等做成线路,芯片的组装也采用反扣覆晶法.MCM-D:
其线路层及介质层的多层结构,是采用蒸着方式（Deposited）的薄膜法,或GreenTape的线路转移法,将导体及介质逐次迭层在瓷质或高分子质的底材上,而成为多层板的组合,此种MCM-D为三种中之最精密者.
42、OLB（OuterLeadBond）外引脚结合
是"
TAB（TapeAutomaticBonding）技术中的一个制程站是指TAB组合体外围四面向外的引脚,可分别与电路板上所对应的焊垫进行焊接,称为"
外引脚结合"
.这种TAB组合体亦另有四面向内的引脚,是做为向内连接集成电路芯片（Chip或称芯片）用的,称为内引脚接合（ILB）,事实上内脚与外脚本来就是一体.故知TAB技术,简单的说就是把四面密集的内外接脚当成"
桥梁"
而以OLB方式把复杂的IC芯片半成品,直接结合在电路板上,省去传统IC事先封装的麻烦.
43、Packaging封装,构装
此词简单的说是指各种电子零件,完成其"
密封"
及"
成型"
的系列制程而言.但若扩大延伸其意义时,那幺直到大型计算机的完工上市前,凡各种制造工作都可称之为"
InterconncetedPackaging互连构装"
.若将电子王国分成许多层次的阶级制度时（Hierarchy）,则电子组装或构装的各种等级,按规模从小到大将有:
Chip（芯片、芯片制造）,ChipCarrier（集成电路器之单独成品封装）,Card（小型电路板之组装）,及Board（正规电路板之组装）等四级,再加"
系统构装"
则共有五级.
44、PassiveDevice（Component）被动组件（零件）
是指一些电阻器（Resistor）、电容器（Capacitor）,或电感器（Incuctor）等零件.当其等被施加电子讯号时,仍一本初衷而不改变其基本特性者,谓之"
被动零件"
;
相对的另有主动零件（ActiveDevice）,如晶体管（Tranistors）、二极管（Diodes）或电子管（ElectronTube）等.
45、Photomask光罩
这是微电子工业所用的术语,是指半导体晶圆（Wafer）在感光成像时所用的玻璃底片,其暗区之遮光剂可能是一般底片的乳胶,也可能是极薄的金属膜（如铬）.此种光罩可用在涂有光阻剂的"
硅晶圆片"
面上进行成像,其做法与PCB很相似,只是线路宽度更缩细至微米（1~2μm）级,甚至次微米级（0.5μm）的精度,比电路板上最细的线还要小100倍.（1mil＝25.4μm）.
46、PinGridArray（PGA）矩阵式针脚封装
是指一种复杂的封装体,其反面是采矩阵式格点之针状直立接脚,能分别插装在电路板之通孔中.正面则有中间下陷之多层式芯片封装互连区,比起"
双排插脚封装体"
（DIP）更能布置较多的I/OPins.附图即为其示意及实物图.
47、PopcornEffect爆米花效应
原指以塑料外体所封装的IC,因其芯片安装所用的银膏会吸水,一旦未加防范而径行封牢塑体后,在下游组装焊接遭遇高温时,其水分将因汽化压力而造成封体的爆裂,同时还会发出有如爆米花般的声响,故而得名.近来十分盛行P-BGA的封装组件,不但其中银胶会吸水,且连载板之BT基材也会吸水,管理不良时也常出现爆米花现象.
48、Potting铸封,模封
指将容易变形受损,或必须隔绝的各种电子组装体,先置于特定的模具或凹穴中,以液态的树脂加以浇注灌满,待硬化后即可将线路组体固封在内,并可将其中空隙皆予以填满,以做为隔绝性的保护,如TAB电路、集成电路,或其它电路组件等之封装,即可采用Potting法.Potting与Encapsulating很类似,但前者更强调固封之内部不可出现空洞（Voids）的缺陷.
49、PowerSupply电源供应器
指可将电功供应给另一单元的装置,如变压器（Transfomer）、整流器（Rectifier）、滤波器（Filter）等皆属之,能将交流电变成直流电,或在某一极限内,维持其输入电压的恒定等装置.
50、Preform预制品
常指各种封装原料或焊接金属等,为方便施工起见,特将其原料先做成某种容易操控掌握的形状,如将热熔胶先做成小片或小块,以方便称取重量进行熔化调配.或将瓷质IC熔封用的玻璃,先做成小珠状,或将焊锡先做成小球小珠状,以利调成锡膏（SolderPaste）等,皆称为Preform.
51、PurplePlague紫疫
当金与铝彼此长久紧密的接触,并曝露于湿气以及高温（350℃以上）之环境中时,其接口间生成的一种紫色的共化物谓之PurplePlague.此种"
紫疫"
具有脆性,会使金与铝之间的"
接合"
出现崩坏的情形,且此现象当其附近有硅（Silicone）存在时,更容易生成"
三元性"
（Ternary）的共化物而加速恶化.因而当金层必须与铝层密切接触时,其间即应另加一种"
屏障层"
（Barrier）,以阻止共化物的生成.故在TAB上游
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