模拟电子技术基础模拟综合试卷12(附答案)Word文档格式.doc
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11、差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0mV；
若uI1=100mV，uI2=80mV则差模输入电压uId=20mV；
共模输入电压uIc=90mV。
二、按要求选其中正确的一项填入括号（26分，每小题2分）
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的。
（B）
A多数载流子浓度增大B少数载流子浓度增大
C多数载流子浓度减小D少数载流子浓度减小
2、晶体三极管的各极电流是由（C）形成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、两种载流子D、热运动
3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定，可以加入下列负反馈：
（B）
A、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联
4、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12V，3.7V，3V，则它是（A）。
A．NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
5.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（D）。
A、基本共射放大电路B、基本共集放大电路
C、反相比例运算电路D、同相比例运算电路
6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（C）。
A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性
C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响
7、某只硅稳压管的稳定电压Vz=4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（D）。
A+5v和-5vB-5v和+4vC+4v和-0.7vD+0.7v和-4v
8、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（A），而提高共模抑制比。
A抑制共模信号；
B抑制差模信号；
C放大共模信号；
D既抑制共模信号又抑制差模信号；
9、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（D）。
A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强
10、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时，输出波形容易产生失真，Q点偏高时的失真叫做失真，对应的输出电压波形将出现失真。
A饱和；
顶部B饱和；
底部C截止；
底部D截止；
顶部
11、当我们想要放大频率为10KHZ以上的信号时，应采用（B）滤波器。
A、低通B、高通C、带阻D、带通
iD/mA
-4
uGS/V
5
12、石英晶体振荡频率稳定的原因是（B）
A体积小B品质因数高C振荡频率高D有两个振荡频率
13、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。
A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管
三、电路分析（16分）
1、判断图3.1.1，图3.1.2电路的反馈极性与组态（6分）
图3.1.1图3.1.2
（瞬时极性标图1上）（瞬时极性标图2上）
电流并联负反馈电压串联负反馈
+VCC
R2
R1
+
C1
2、判断电路工作状况（10分）
（1）图3.2.1电路如下图示，请回答问题：
图1电路无（填有或无）放大作用。
简单说明理由：
因电容隔直作用，该电路中基极静态偏置
电流为零，所以放大电路处于截止状态，
无法对交流信号进行放大。
图3.2.1
（2）图3.2.2电路如下图示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区，并说明理由。
图3.2.2
解：
图A、晶体管为PNP，因发射结正偏、集电结反偏，所以三级管工作在放大区；
图B、晶体管为NPN，因发射结反偏、集电结反偏，所以三级管工作在截止区；
图C、晶体管为PNP，因发射结正偏、集电结偏置电压为零伏，所以三级管工作在临界饱和区；
四、电路分析和计算（34分）
1、如下图所示的电压串联负反馈电路中，假设集成运放的开环电压放大倍数A=100000，电阻R1=2KΩ，RF=18KΩ。
（15分）
1）估算反馈系数和反馈深度；
2）估算闭环放大倍数；
3）如果开环电压放大倍数的相对变化量为±
10%，求闭环电压放大倍数的相对变化量。
图4.1
该电路为电压串联负反馈电路，
1）反馈系数为；
反馈深度为。
2）因反馈类型为电压串联负反馈，所以闭环放大倍数即为闭环电压放大倍数。
3）因，所以闭环电压放大倍数的相对变化量为
C2
Ui
-
RL
RC
Rb
UO
2、下图示放大电路中，已知三极管的，，、，，。
（12分）
（1）试估算静态工作点；
（2）计算三极管的值；
（3）求出中频时的电压放大倍数、输入
电阻和输出电阻；
图4.2
解：
（1）
（2）
（3）中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻为
（微变等效电路不提供）
3、试推导图4.3反相输入求和电路的求和表达式。
（7分）
A
R’
VI2
VI1
Rf
Vo
设上电流为，上电流为，上电流为。
根据“虚断”可得
根据“虚短”可得
推导可得：
图4.3
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