模拟电子技术综合练习.docx
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模拟电子技术综合练习
模拟电子技术综合检测题
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一、填空题
1、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。
2、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为，等效成断开；
4、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结，集电结。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic，发射结压降。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是、、放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用负反馈，为了稳定交流输出电流采用负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数AF=，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=BW，其中BW=，
称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的失真，而采用类功率放大器。
13、OCL电路是电源互补功率放大电路；OTL电路是电源互补功率放大电路。
14、共集电极电路电压放大倍数，输入电阻，输出电阻，因此常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制漂移，也称漂移，所以它广泛应用于电路中。
16、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
17、半导体中中存在两种载流子：
和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：
型半导体——多数载流子是；
型半导体——多数载流子是。
18、当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
19、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：
区、区和区。
20、为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
21、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
22、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
23、多极放大电路常用的耦合方式有三种：
耦合、耦合和耦合。
24、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
25、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
26、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈
了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：
负反馈、负反馈、
负反馈和负反馈。
27、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于电流场合，而电感滤波适用于电流场合。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。
28、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=；
29、集成运算放大器在理想状态下，得出两个重要结论他们是：
和。
30、单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=V;若负载电阻RL=100Ω,整流二极管电流Id（av）=A。
31、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有网络。
32、在桥式整流电路中，理想二极管承受最高反压是。
33、PN结中扩散电流的方向是，漂移电流的方向是。
34、某多级放大器中各级电压增益为：
第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为，总的放大倍数为。
35、差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=；
若uI1=100V，uI2=80V，则差模输入电压uId=；
共模输入电压uIc=。
36、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ=、静态时的电源功耗PDC=。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到，但这种功放有失真。
37、在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是，失真最小的是。
38、集成运算放大器工作在线性区时，两输入端的电位可以近似为U+U-。
39、理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念，就是流进运放的电流为，两个输入端的电位，为保证运放工作在线性状态，必须引入反馈。
40、为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于状态；为了工作在非线性区，应使集成运放电路处于状态。
41、输入电阻很大的运算电路是比例运算放大器，电路中引入的是
负反馈。
42、电压比较器中的集成运放通常工作在区，电路工作在状态或引入反馈。
43、在模拟运算电路时，集成运算放大器工作在区，而在比较器电路中，集成运算放大器工作在区。
44、过零比较器可将正弦波变为波。
45、直流稳压电源一般由、、和四部分电路组成。
46、在负载电流比较小时且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流比较大时应采用滤波电路。
47、若电源变压器副边电压为U2，则采用整流电路，其输出电压平均值为UO（AV）＝0.45U2；采用全波整流电路，其输出电压平均值为UO（AV）＝U2。
48、若电源变压器副边电压为U2，则桥式整流后的输出电压平均值为UO（AV）＝，桥式整流电容滤波后[满足RLC≥（3～5）T/2]的输出电压平均值为UO（AV）＝。
二、选择题
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）击穿电压，它才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）
3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小
5、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移
6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负
7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。
A、1B、2C、3
8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联
9、分析运放的两个依据是（）、（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1
10、为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（）；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（）。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈
11、RC串并联网络在
时呈（）。
（A）感性（B）阻性（C）容性
12、通用型集成运放的输入级多采用（）。
（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法
13、两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β
14、在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。
（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路
15、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
（A）>（B）<（C）=（D）≤
16、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。
（A）大（B）小（C）相等
17、图所示电路，设Ui=sinωt（V），V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
18、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
（）
19、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
A、12VB、5VC、9V
20、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（PNP）E、（NPN）
21、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率
22、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移
23、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低
24、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A、0~20B、20~200C、200~1000
25、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz
A、0.45B、0.9C、1.2
26、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1
27、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A、U0高，B、P0大C、效率高D、Ri大E、波形不失真
28、振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号
29、在本征半导体中掺入微量的价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五
30、在P型半导体中，自由电子浓度空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于
31、本征半导体温度升高以后，。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
32、空间电荷区是由构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子
33、PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定
34、稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
35、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏
36、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小D.都有可能
37、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A.83B.91C.100D.10
38、晶体管是器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流
39、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为；图2为。
A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管
40、场效应管是器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流
41、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化
C.保护信号源D.防止输出电压被短路
42、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC
43、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位。
A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°
44、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是失真。
A.饱和B.截止C.双向D.相位
45、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。
若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是。
A.10μA，1mAB.20μA，2mAC.30μA，3mAD.40μA，4mA
46、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小
47、要求组成的多级放大电路体积最小，应选耦合方式。
A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器
48、放大电路的三种组态（）。
A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用
C.都有功率放大作用D.都不是
49、一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（）。
A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB
50、放大电路产生零点漂移的主要原因是（）。
A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大
C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源
三、综合分析计算题
1、已知电力如下图示：
为理想二极管，试分析：
①二极管导通还是截止？
②UA0=？
2、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：
（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？
（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？
（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？
管耗为多少？
3、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？
如果能振荡，求出F0；
4、已知：
电路如图示：
Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K，RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β=100，CE=10uf。
求：
①ICQ②UCEQ③Au④Ri⑤R0（取小数点后1位）
5、已知：
R=7.9KΩ，C=0.02uF，RF=10K，求：
①fo②R1冷态电阻值；③指明R1的温度特性；
6、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
试判断各晶体管的类型（是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管）,并区分e、b、c三个电极。
7、电路如图所示K=0.1VU1=3VU2=-6V求：
Uo=?
8、已知：
电路如图所示求：
Uo=?
9、、已知电力如图示：
Vcc=12V，RB=300KΩ，RE=RL=2KΩ，Rs=500Ω，UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwtmV。
求：
①ICQ②UCEQ③Au（取小数点后2位）④Ri⑤R0（10分）
10、在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，rbe=1kΩ，RB1=5kΩ，RB2=15kΩ，RE=2.3kΩ，RC=RL=3kΩ，VCC=12V。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）估算信号源内阻为RS=1kΩ时，
的数值。
11、在图示OCL电路中，已知T1、T2管的
，电源电压为±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。
12、设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组和的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。
13、在图示电路中，要求RF=100kΩ，比例系数为11，试求解R、和
的阻值。
14、求解图示电路的运算关系式。
15、在图示文氏电桥振荡电路中，已知R1=10kΩ，R和C的可调范围分别为1~100kΩ、0.001~1μF。
（1）振荡频率的可调范围是多少？
（2）RF的下限值为多少？
16、在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R1=R2=R3=200Ω，试求输出电压U0的调节范围。
17、串联型稳压电路如图所示，T2和T3管特性完全相同，T2管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为UZ。
填空：
调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路组成；
输出电压调节范围的表达式为。
18、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。
管号
T1
T2
T3
管号
T1
T2
T3
管脚
电位
（V）
①
0.7
6.2
3
电极
名称
①
②
0
6
10
②
③
5
3
3.7
③
材料
类型
19、将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算电路的振荡频率和R1的最大值。
20、在图示电路中，已知W7805的输出电压为5V，IW=5mA，R1=1kΩ，R2=200Ω。
试求输出电压U0的调节范围。
21、判断如图所示电路中引入了何种反馈，并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。
22、如图所示电路中D为理想元件，已知ui=5sinωtV，试对应ui画出uo的波形图。
23、若ui=6sinωtV，UR为方波如图所示，试画出uo的波形。
24、理想运放电路如图所示，设电位器动臂到地的电阻为KRW，0≤K≤1。
试求该电路电压增益的调节范围。
25、一串联型稳压电路如图所示。
已知误差放大器的Au>>1，稳压管的Uz＝6V，负载RL＝20Ω。
1．试标出误差放大器的同相、反相端；2．说明电路由哪几部分组成？
3．求Uo的调整范围；
26、电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为（）。
（a）最大值为40V，最小值为0V
（b）最大值为40V，最小值为+10V
（c）最大值为10V，最小值为－40V
（d）最大值为10V，最小值为0V
27、:
电路如图所示，输入电压
，运算大器的输出电压饱和值为
，电阻
，试求：
（1）开关
均打开时，输出电压
;
（2）开关
打开,
合上时，输出电压
;（3）开关
均合上时，输出电压
;
28、整流电路如图所示，二极管为理想元件，已知负载电阻
，负载两端直流电压
试求：
（1）交流电压表
和交流电流表（A）的读数（设电压表内阻为无穷大，电流表内阻为零）。
（2）在下表中选出合适型号的二极管。
29、:
图示电路中，J，K，M，N四点中哪两点连接起来，可以提高这个电路的输入电阻，并判断级间反馈极性（正，负反馈）和类型。
30、电路高精度数据放大器如图所示，各电阻阻值如图所示，试估算电压放大倍数。
31、电路如图所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件，应如何连接电路？
32、:
电路如图所示，晶体管T为硅管，β＝40，
=0.6V，要求：
（1）估算
，
，
；
（2）若TTL集成门的电源电压为5V，则F端的电压
约为多少？
33、判断图所示电路能否产生自激震荡；若能产生震荡，试写出震荡频率fo的表达式，设CB对谐振频率fo的容抗可不计。
34、对图所示OCL电路，解答下列问题：
1）VD1、VD2两个二极管可否反接于电路中？
2）V1、V2两晶体管工作在哪种状态？
3）若V1、V2的饱和压降UCES1=UCES2=2V，RL=8Ω，求该电路的最大不失真功率Pom。
4）若电源提供的总功率PE=16.3W，求每管的最大管耗PV1，PV2。
图18-25
35、运算电路如图A.6所示，设各集成运放均具有理想特性，试求各电路输出电压uo的大
小或表达式。
36、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。
试问：
（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？
（2）若T临界饱和，则Rb≈？
37、电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。
38、某同学连接的文氏桥振荡电路如图6-2所示。
（1）改正图中的错误，画出正确的图形。
（2）当电压uO增大时，分析电路的稳幅过程。
39、正弦波振荡电路如图6-3所示。
（1）为了满足相位平衡条件，在放大器A的输入端标明集成运放的“＋”和“－”；并在图中标出反馈电压uF及其极性。
（2）说明电路是哪种正弦波振荡电路，并写出振荡频率的表达式。
40、试用相位平衡条件分析判断图6-4示电路是否有可能产生正弦波振荡。
如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型（如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等），并估算其振荡频率。
已知这两个电路中的L=0.5mH，C1=C2=40pF。
（b）
（a）
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