电子科大2008半导体物理期末考试试卷A-参考答案与评分标准Word文件下载.doc
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4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（D）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
5、.一块半导体寿命τ=15µ
s，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µ
s后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（C）。
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>
>
/ND-NA/时，半导体具有（B）半导体的导电特性。
A.非本征B.本征
7、在室温下，非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图（C）所示的最恰当的依赖关系：
Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ
ＮＤ ＮＤ ＮＤ
ＮＤ
Ａ Ｂ Ｃ Ｄ
8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A）移动；
当掺杂浓度一定时，温度从室温逐步增加，费米能级向（C）移动。
A.Ev；
B.Ec；
C.Ei；
D.EF
9、把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（D）。
A.改变禁带宽度；
B.产生复合中心；
C.产生空穴陷阱；
D.产生等电子陷阱。
10、对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（C）。
A.非平衡载流子浓度成正比；
B.平衡载流子浓度成正比；
C.非平衡载流子浓度成反比；
D.平衡载流子浓度成反比。
11、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（B）。
A.变大，变小；
B.变小，变大；
C.变小，变小；
D.变大，变大。
12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（B）空穴的俘获率，它是（D）。
A.大于；
B.等于；
C.小于；
D.有效的复合中心；
E.有效陷阱。
13、在磷掺杂浓度为2×
1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A）。
A.In（Wm=3.8eV）；
B.Cr（Wm=4.6eV）；
C.Au（Wm=4.8eV）；
D.Al（Wm=4.2eV）。
14、在硅基MOS器件中，硅衬底和SiO2界面处的固定电荷是（B），它的存在使得半导体表面的能带（C）弯曲，在C-V曲线上造成平带电压（F）偏移。
A.钠离子；
B.过剩的硅离子；
C.向下；
D.向上；
E.向正向电压方向；
F.向负向电压方向。
二、简答题：
（5+4+6=15分）
跃迁过程1（0.5分）
Ec（0.5分）
1、用能带图分别描述直接复合、间接复合过程。
（4分）
跃迁过程2（0.5分）
Et（或：
杂质或缺陷能级）（0.5分）
跃迁过程Ec（0.5分）
2、对于掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情形下对载流子的主要散射机构是什么？
写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系。
答：
对掺杂的元素半导体材料Si、Ge，其主要的散射机构为长声学波散射（1分）和电离杂质散射
其散射几率和温度的关系为：
声学波散射：
，电离杂质散射：
（根据题意，未含Ni也可）
3、如金属和一n型半导体形成金属－半导体接触，请简述在什么条件下，形成的哪两种不同电学特性的接触，说明半导体表面的能带情况，并画出对应的I-V曲线。
（忽略表面态的影响）（6分）
在金属和n型半导体接触时，如金属的功函数为Wm,半导体的功函数为Ws。
当Wm＞Ws时，在半导体表面形成阻挡层接触，是个高阻区，能带向上弯曲；
（2分）
当Wm＜Ws时，在半导体表面形成反阻挡层接触，是个高电导区，能带向下弯曲；
对应的I-V曲线分别为：
V
I
V
（1分）（1分）
三、在３００Ｋ时，某Ｓｉ器件显示出如下的能带图：
（6+4+4=14分）
０ ｘ１ Ｌ／３ ｘ２ ２Ｌ／３ Ｌ ｘ
（１）平衡条件成立吗？
试证明之。
（6分） Ｅｇ／３
ＥＦ
Ｅi
Ｅｃ
Ｅｖ
成立。
因为费米能级处处相等的半导体处于热平衡态（即）（2分）
或EFn=EFp=EF（2分）
或np=ni2（2分）
或J=0（2分）
（２）在何处附近半导体是简并的？
答：
在靠近ｘ＝L附近（4分）或分为三个区域，每个区各为2分
或2L/3<
x<
L（半对）2分
（３）试推导流过x=x1处的电子的电流密度表达式？
四、一束恒定光源照在n型硅单晶样品上，其平衡载流子浓度n0=1014cm-3，且每微秒产生电子－空穴为1013cm-3。
如τn=τp=2μs，试求光照后少数载流子浓度。
（已知本征载流子浓度ni=9.65×
109cm-3）（5分）
解：
在光照前：
光照后：
五、在一个均匀的n型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴。
在样品上施加一个50V/cm的电场，在电场力的作用下这些少数载流子在100μs的时间内移动了1cm，求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数。
（kT=0.026eV）（6分）
在电场下少子的漂移速率为：
迁移率为：
扩散系数为：
六、掺杂浓度为ND=1016cm-3的n型单晶硅材料和金属Au接触，忽略表面态的影响，已知：
WAu=5.20eV,χn=4.0eV,Nc=1019cm-3,ln103=6.9在室温下kT=0.026eV,半导体介电常数εr=12,ε0=8.854×
10-12F/m，q=1.6×
10-19库，试计算：
（4+4+4=12分）
⑴半导体的功函数；
⑵在零偏压时，半导体表面的势垒高度，并说明是哪种形式的金半接触，半导体表面能带的状态；
⑶半导体表面的势垒宽度。
⑴由得：
（1分）
⑵在零偏压下，半导体表面的势垒高度为：
对n型半导体，因为Wm＞Ws，所以此时的金半接触是阻挡层（或整流）接触（1分），半导体表面能带向上弯曲（或：
直接用能带图正确表示出能带弯曲情况）（1分）。
⑶势垒的宽度为：
七、T=300K下，理想MOS电容，其能带图如下图所示。
所施加的栅极偏压使得能带弯曲，在Si-SiO2界面EF=Ei。
Si的电子亲合势为4.0eV，Nc=1019cm-3。
利用耗尽近似，回答下列问题：
（5+5+5+5+6=26分）
EFm
Ec
Ev
x
ρ
0.29eV
0.59eV
Ei
EFs
（1.5分）（1.5分）
1.半导体中达到了平衡吗？
为什么？
（5分）
达到了平衡。
因为半导体中EF处处相等（或EFn=EFp=EF，或np=ni2，或J=0）。
2.求出半导体Si-SiO2界面EF=Ei处的电子浓度？
同时绘出与该能带图对应的定性电荷块图。
（1分）（0.5分）（0.5分）
或
电荷块图见上图（评分标准在电荷块图下方）
3.求出ND？
4.写出VG详细表达式？
或
如果两个n型半导体构成的MOS结构除了器件1是Al栅，器件2是Au栅，其它参数都相同，将导致这两个MOS结构的高、低频C-V特性曲线发生什么定性变化？
试绘出定性高、低频C-V特性曲线。
已知WAl=4.25eV，WAu=4.75eV。
（6分）
（1）VFB（Al）<
0,VFB（Au）>
0
或：
直接在C-V图中VG坐标上明确标出VFB（Al）位于VG坐标轴负方向（1分），VFB（Au）位于VG坐标轴正方向（1分）
（2）判题时请注意，如果考生将两个C-V曲线分别绘在两个坐标图中，注意VFB（Al）是否位于VG坐标轴负方向（1分）、VFB（Au）是否位于VG坐标轴正方向
Al栅C-V：
2分（高频C-V1分+低频C-V1分）
Au栅C-V：
Al栅（低频各1分）Au栅
VFB（Au）
VFB（Al）
VG
C
（高频各1分）
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