电子科2008半导体物理

1、半 导 体 物 理,教材:刘恩科朱秉升罗晋生等,1.1 半导体的晶格结构和结合性质,1 金刚石型结构和共价鍵,介绍半导体单晶材料中电子状态及其运动规律,最重要的半导体材料:硅锗,属四族元素,晶格结构:金刚石结构,主要特点:1.每一个原子有4。

2、每个原子被四个异类原子所包围。
若角顶和面心上为III族原子，则内部4个原子为V族原子。
两类原子：III族（铟,镓）和V族（磷,砷,锑）,堆积方式：III、V族原子构成双原子层堆积，每一个原子层都是一个111面，III、V族。

3、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效2012半导体物理学期末试题一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称该能带中的空穴为 E .A. 曲率大。

4、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称。

5、4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数r是乙的3/4， mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离。

6、4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数r是乙的3/4， mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离。

7、B.9 #C.10 #D.8 #【解析】#正确答案 ：#答案D。
#D。
#注意公交车第一站（始发站）不下人，第十站（终点站）不上人。
#前九站构成公差为1的等差数列，和=8#9=72人。
#如果每站下的人数一样，下九次应每次下8人。
#第2题：#为鼓励学生参加体育锻炼，学校计划拿出不超过1600元的资金再购买一批篮球和排球，已知篮球和排球的单价比为3：#2，单价和为80元。
#若要求购买的篮球和排球的总数量是36个，且购买的篮球数量多于25个，那么学校购买的排球数最少有几个?#（） #A.6 #B.8 #C.9 #D.10 #【解析】#正确答案 ：#答案B。
#本题需先求出篮球和排球的单价。
#根据“篮球和排球的单价比为3：#第3题：#养花专业户李某为防止偷花，在花房周围私拉电网。
#一日晚，白某偷花不慎触电，经医院抢救，不治身亡。
#李某对这种结果的主观心理态度是（）。
#A.直接故意#B.间接故意。

8、微电子器件半导体物理考试复习纲要间接复合能带示意图间接复合示意图俄歇复合能带示意图准费米能级表示非平衡半导体。

9、精品电子科技大学半导体物理答案11半导体中的电子状态习题12什么叫本征激发温度越高,本征激发的载流子越多,为什么试定性说明之.13试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因.13试指出空穴的主要特征.14简述GeSi和GaAS的能带结。

10、化合物半导体器件,Dai Xianying,化合物半导体器件,Compound Semiconductor Devices微电子学院 戴显英2014.9,第三章半导体异质结,Dai Xianying,化合物半导体器件,异质结及其能带图异质结。

11、化合物半导体器件,化合物半导体器件,Compound Semiconductor Devices微电子学院 戴显英2014.9,第四章异质结双极型晶体管,化合物半导体器件,HBT的基本结构HBT的增益HBT的频率特性先进的HBT,4.1 H。

12、化合物半导体器件,Dai Xianying,化合物半导体器件,Compound Semiconductor Devices微电子学院 戴显英2014.9,第二章化合物半导体材料与器件基础,Dai Xianying,化合物半导体器件,半导体材。

13、化合物半导体器件,化合物半导体器件,Compound Semiconductor Devices微电子学院 戴显英2014.10,金属半导体肖特基接触MESFETHEMT,化合物半导体器件,第五章化合物半导体场效应晶体管,场效应晶体管,场效。