TLP521中文资料Word文档格式.docx
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℃
接收侧
Collector−emittervoltage集电极发射极电压
VCEO
55
Emitter−collectorvoltage发射极集电极电压
VECO
7
Collectorcurrent集电极电流
IC
Collectorpowerdissipation（1circuit）集电极功耗
PC
150
100
mW
Collectorpowerdissipationderating（1circuitTa≥25℃）集电极功耗减率
ΔPC/℃
−1.5
−1.0
mW/℃
Storagetemperaturerange储存温度范围
Tstg
−55~125
Operatingtemperaturerange工作温度范围
Topr
−55~100
Leadsolderingtemperature无铅焊接温度
Tsol
260（10s）
Totalpackagepowerdissipation整体功耗
PT
250
Totalpackagepowerdissipationderating（Ta≥25℃）整体功耗减率
ΔPT/℃
−2.5
Isolationvoltage隔离电压
BVS
2500（AC,1Min最小,R.H.≤60%）
Vrms
注：
使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
RecommendedOperatingConditions建议操作条件
Min最小
Typ典型
Max最大
Supplyvoltage电源电压
VCC
―
24
16
25
1
10
Operatingtemperature操作温度
−25
85
型号
Classi−fication（*1）分级标准
CurrentTransferRatio（%）（IC/IF）经常转移率（%）（IC/IF）
MarkingOfClassification标志的分类
IF=5mA,VCE=5V,Ta=25℃
最小
最大
TLP521
600
Blank,Y,Y,G,G,B,B,GB
RankY
Y,Y
RankGR
300
G,G
RankBL
200
B,B
RankGB
G,G,B,B,GB
Blank,GR,BL,GB
GR,BL,GB
*1:
Ex.rankGB:
TLP521−1（GB）
（Note）:
Applicationtypenameforcertificationtest,pleaseusestandardproducttypename,i.e.
TLP521−1（GB）:
TLP521−1,TLP521−2（GB）:
TLP521−2
IndividualElectricalCharacteristic单独的电气特性参数（Ta=25℃）
TestCondition测试条件
Forwardvoltage正向电压
VF
IF=10mA
1.0
1.15
1.3
Reversecurrent反向电流
IR
VR=5V
—
μA
Capacitance电容
CT
V=0,f=1MHz
30
pF
接收侧
Collector−emitterbreakdownvoltage集电极发射极击穿电压
V（BR）CEO
IC=0.5mA
Emitter−collectorbreakdownvoltage发射极集电极击穿电压
V（BR）ECO
IE=0.1mA
Collectordarkcurrent集电极暗电流
ICEO
VCE=24V
nA
VCE=24V,Ta=85℃
2
Capacitance（collectortoemitter）电容（集电极到发射极）
CCE
V=0,f=1MHz
CoupledElectricalCharacteristic耦合电气特性参数s（Ta=25℃）
Currenttransferratio经常转移的比率
IC/IF
IF=5mA,VCE=5VRankGB
%
SaturatedCTR饱和率
IC/IF（sat）
IF=1mA,VCE=0.4VRankGB
60
Collector−emittersaturationvoltage集电极-发射极饱和电压
VCE（sat）
IC=2.4mA,IF=8mA
0.4
IC=0.2mA,IF=1mARankGB
0.2
IsolationCharacteristic耦合电气特性参数（Ta=25℃）
Capacitance（inputtooutput）电容（输入输出）
CS
VS=0,f=1MHz
0.8
Isolationresistance隔离电阻
RS
VS=500V,R.H.≤60%
1011
Ω
AC,1Min最小ute
2500
AC,1second,inoil
5000
DC,1Min最小ute,inoil
Vdc
SwitchingCharacteristic开关特性参数（Ta=25℃）
Risetime上升时间
tr
VCC=10VIC=2mARL=100Ω
μs
Falltime下降时间
tf
3
Turn−ontime开启时间
ton
Turn−offtime关断时间
toff
tON
RL=1.9kΩ（Fig.1）VCC=5V,IF=16mA
μs
Storagetime存储时间
ts
15
tOFF
图3TLP521-1封装图图4TLP521-2封装图
图5TLP521-4封装图
图6开关时间测试电路
特性曲线图：
应用电路：
图7打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图
74HC04特性:
∙缓冲输入
∙传输延迟（典型值）:
6nsatVCC=5V,CL=15pF,TA=25°
C
∙扇出（驱动）能力：
（在温度范围内）
-标准输出...............10LSTTLLoads
-总线驱动...............15LSTTLLoads
∙宽工作温度范围...–55°
Cto125°
∙对称的传输延迟和转换时间
∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多
∙HCTypes
-工作电压：
2V到6V
-高抗扰度:
NIL=30%,NIH=30%ofVCCatVCC=5V
∙HCTTypes
4.5V到5.5V
-兼容直接输入LSTTL逻辑信号,VIL=0.8V（Max）,VIH=2V（Min）
-兼容CMOS逻辑输入,Il
1μAatVOL,VO
该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL（LSTTL）电路。
功能作用：
六反相器
图1引脚图功能
图2逻辑图
图37404真值表
最大额定值
电源电压
-0.5to+7.0V
DC输入电压
-1.5toVcc+1.5V
直流输出电压
-0.5toVcc+0.5V
钳位二极管电流
±
20mA
直流输出电流，每个引脚（输出）
25mA
功耗
600mW
建议操作条件:
OperatingConditions操作条件
最小
最大
单位
SupplyVoltage电源电压（VCC）
2
6
V
DC输入或输出电压（输入电压，输出电压）
0
VCC
OperatingTemp.Range（TA）
工作温度
MM74HC
-40
+85
MM54HC
-55
+125
InputRiseorFallTimes输入上升或下降时间（tr,tf）
VCC=2.0V
1000
ns
VCC=4.5V
500
VCC=6.0V
400
直流电气特性
Symbol符号
Parameter参数
Conditions条件
TA=25℃
74HCTA=-40to85℃
54HCTA=-55to125℃
单位
典型
GuaranteedLimits保证极限
VIH
输入高电平电压
2.0V
1.5
4.5V
3.15
3.15
6.0V
4.2
4.2
VIL
输入低电平电压
0.5
4.5V
1.35
1.35
6.0V
1.8
VOH
输出高电平电压
VIN=VIL丨IOUT丨≤20μA
2.0
1.9
4.5
4.4
6.0
5.9
5.9
VIN=VIL丨IOUT丨≤4.0mA丨IOUT丨≤5.2mA
3.98
3.84
3.7
5.7
5.48
5.34
5.2
VOL
输出低电平电压
VIN=VIH丨IOUT丨≤20μA
0.1
0.1
VIN=VIH丨IOUT丨≤4.0mA丨IOUT丨≤5.2mA
0.2
0.26
0.33
0.4
0.26
0.33
IIN
最大输入电流
VIN=VCCorGND
1.0
μA
ICC
电源电流
VIN=VCCorGNDIOUT=0μA
20
40
交流电气特性:
条件
GuaranteedLimit保证极限
tPHL,tPLH
最高传播延迟时间
8
15
ACElectricalCharacteristicsVCCe2.0Vto6.0V,CLe50pF,tretfe6ns（unlessotherwisespecified）交流电气特性:
Symbol
符号
Conditions条件
TA=25℃
TAeb40to85℃
TAeb55to125℃
保证界限
最大传输延迟时间
55
95
120
145
11
19
29
9
16
24
tTLH,tTHL
MaximumOutputRiseandFallTime最大输出上升和下降时间
30
75
110
8
19
22
7
13
CPD
PowerDissipationCapacitance（Note5）功耗电容
（pergate）
pF
CIN
最大输入电容
5
10
图4
CMOS相反器构成震荡电路
图5利用三个反向器组成一个clock的振荡器电路
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