集成电路技术真题精选.docx

集成电路技术真题精选.docx

《集成电路技术真题精选.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《集成电路技术真题精选.docx（10页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

集成电路技术真题精选

　　[填空题]1现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？

请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？

　　参考答案：

国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。

在这种工艺中所采用的新技术有：

铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。

　　[填空题]2STI

　　参考答案：

浅槽隔离工艺。

　　[填空题]3LOCOS

　　参考答案：

局部氧化工艺。

　　[填空题]4高纯硅制备过程为（）→（）→（）→（）→（）。

　　参考答案：

氧化硅；粗硅；低纯四氯化硅；高纯四氯化硅；高纯硅

　　[填空题]5Chipless

　　参考答案：

既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。

　　[填空题]6微电子

　　参考答案：

微型电子电路。

　　[填空题]7什么是离子注入损伤？

　　参考答案：

离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。

　　[填空题]8热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。

　　参考答案：

干氧氧化；水蒸汽氧化；湿氧氧化；氢氧合成氧化

　　[填空题]9RTA

　　参考答案：

快速热退火。

　　[填空题]10常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

　　参考答案：

余误差；高斯分布

　　[填空题]11SOI

　　参考答案：

绝缘体上硅。

　　[填空题]12有哪些损伤类型？

　　参考答案：

损伤类型：

空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。

　　[填空题]13真空蒸发设备由三大部分组成，分别是（）、（）、（）及（）系统。

　　参考答案：

真空系统；蒸发系统；基板；加热

　　[填空题]14特征尺寸

　　参考答案：

集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸

　　[填空题]15什么是沟道效应？

　　参考答案：

对晶体靶进行离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的，而是将沿沟道运动并且很少受到原子核的碰撞，因此来自靶原子的阻止作用要小得多，而且沟道中的电子密度很低，受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损失率就很低。

在其他条件相同的情况下，很难控制注入离子的浓度分布，注入深度大于在无定形靶中的深度并使注入离子的分布产生一个很长的拖尾，注入纵向分布峰值与高斯分布不同，这种现象称为离子注入的沟道效应。

　　[填空题]16常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。

　　参考答案：

氩气（Ar）；13.56MHz

　　[填空题]17Moorelaw

　　参考答案：

芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

　　[填空题]18如何降低沟道效应？

　　参考答案：

减少沟道效应的措施：

（1）对大的离子，沿沟道轴向

　　（110）偏离7－10o；

（2）用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层

　　（3）增加注入剂量；

　　（4）表面用SiO2层掩膜。

　　[填空题]19有限源扩散

　　参考答案：

杂质总量恒定；杂质分布为高斯函数分布（Gaussian）；表面浓度随着时间下降，结深随着时间增加。

　　[填空题]20特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。

　　参考答案：

高分辨率；高灵敏度的光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准；对大尺寸硅片的加工

　　[填空题]21与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

　　参考答案：

　　1.可在较低的温度下，将各种杂质掺入到不同的半导体中；

　　2.能够精确控制晶圆片内杂质的浓度分布和注入的深度；

　　3.可实现大面积均匀性掺杂，而且重复性好；

　　4.掺入杂质纯度高；5.由于注入粒子的直射性，杂质的横向扩散小；

　　6.可得到理想的杂质分布；7.工艺条件容易控制。

　　更多内容请访问《睦霖题库》微信公众号

　　[填空题]22净化级别

　　参考答案：

以大于或等于被考虑的粒子最大浓度限值进行划分的等级标准。

　　[填空题]23湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。

　　参考答案：

硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液；KOH溶液；HF溶液；磷酸

　　[填空题]24扩散源有哪些存在形态？

　　参考答案：

扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。

　　[填空题]25干法腐蚀

　　参考答案：

指利用等离子体激活的化学反应或者利用高能粒子束轰击完成除去物质的方法。

　　[判断题]

　　26、连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体。

　　参考答案：

错

　　[填空题]27热扩散机制有哪些？

　　参考答案：

替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散

　　[填空题]28湿法腐蚀

　　参考答案：

通过使用特定的溶液与需要被腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。

　　[判断题]

　　29、热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO2中有离子键成份，氧空位表现为带正电。

　　参考答案：

对

　　[填空题]30临界曝光量

　　参考答案：

使角膜开始溶解所需最小曝光量。

　　[填空题]31氧化膜厚度的测定方法？

　　参考答案：

双光干涉法、比色法

　　[判断题]

　　32、温度对氧化速率常数

　　A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。

　　参考答案：

对

　　[填空题]33分辨率R

　　参考答案：

是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述。

　　[填空题]34热氧化常见的缺陷有？

　　参考答案：

表面缺陷、结构缺陷、氧化层中的电荷

　　[判断题]

　　35、预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。

　　参考答案：

对

　　[填空题]36ULSI对光刻的要求

　　参考答案：

高分辨率；高灵敏光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准。

　　[判断题]

　　37、离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

　　参考答案：

对

　　[填空题]38影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？

降低这些电荷浓度的措施？

　　参考答案：

（1）可动离子电荷（Qm）：

加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂

（2）固定离子电荷Qf：

（1）采用干氧氧化方法

（2）氧化后，高温惰性气体中退火

　　（3）界面陷阱电荷Qit：

在金属化后退火（PMA.；低温、惰性气体退火可降低

　　（4）氧化层陷阱电荷Qot：

选择适当的氧化工艺条件；在惰性气体中进行低温退火；采用对辐照不灵敏的钝化层可降低

　　[填空题]39光刻三要素

　　参考答案：

光刻机，光刻板（掩模板），光刻胶。

　　[判断题]

　　40、蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中，对坩埚进行间接加热。

　　参考答案：

对

　　[填空题]41影响氧化速率的因素有？

　　参考答案：

温度、气体分压、硅晶向、掺杂

　　[填空题]42光刻

　　参考答案：

通过光化学反应，将光刻板上的图形转移到光刻胶上。

　　[判断题]

　　43、LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

　　参考答案：

对

　　[填空题]44热氧化工艺有哪些？

　　参考答案：

有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化[填空题]45选择性外延

　　参考答案：

是指利用外延生长的基本原理以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面指定区域生长外延层而其他区域不生长的技术。

　　[判断题]

　　46、通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。

　　参考答案：

对

　　[填空题]47氧化硅的主要作用有哪些？

　　参考答案：

　　1、作为掩膜，2、作为芯片的钙化和保护膜，3、作为电隔离膜，4、作为元器件的组成部分。

　　[填空题]48SOS

　　参考答案：

蓝宝石上硅或者尖晶石的衬底上进行硅的异质外延。

　　[填空题]49SiO2中杂质有哪些类型？

　　参考答案：

替代式杂质、间隙式杂质

　　[判断题]

　　50、集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

　　参考答案：

错

　　[填空题]51分子束外延（MBE）

　　参考答案：

在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子数，直接射到沉底表面，形成外延层。

　　[填空题]52何谓桥键氧，非桥键氧？

它们对SiO2密度有何影响？

　　参考答案：

连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。

桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松。

　　[填空题]53不同（）的硅片，它的化学、电学、和机械性质都（），这会影响最终的（）。

例如（），界面态等。

　　参考答案：

晶向；不同；器件性能；迁移率

　　[填空题]54自掺杂效应

　　参考答案：

在外延生长过程中，衬底杂质及其他来源杂质因为热蒸发，或者化学反应等非人为地参入外延层，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质十几分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应。

　　[填空题]55何谓掺杂？

　　参考答案：

在一种材料（基质）中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料（基质）产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。

　　[填空题]56简述掺氯氧化工艺。

　　参考答案：

在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3%以下）以改善SiO2–Si的界面特性。

其优点：

①氯离子进入SiO2–Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累。

　　②氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污。

　　[填空题]57异质外延

　　参考答案：

外延层与沉底的材料同。

　　[填空题]58SiO2按结构特点分为哪些类型？

热氧化生长的SiO2属于哪一类？

　　参考答案：

二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。

　　[填空题]59简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。

　　参考答案：

①结构及质量：

热生长的比沉积的结构致密，质量好。

　　②成膜温度：

热生长的比沉积的温度高。

可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。

　　③硅消耗：

热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。

　　[填空题]60同质外延

　　参考答案：

外延层与沉底的材料相同。