南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案.docx
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南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案
《模拟电子技术》复习题综合(第
1、2章)
选择题
1、在本征半导体中掺入微量的
价元素,形成
N型半导
体。
A.
B.
C.
D.
2、在N型半导体中掺入浓度更大的
价元素,变成为
型半导体。
A.
B.
C.
D.
3、在本征半导体中,自由电子浓度
空穴浓度。
A.大于
B.
等于
C.
小于
4、在P型半导体中,
自由电子浓度
空穴浓度。
A.大于
B.
等于
C.
小于
5、本征半导体温度升高以后,
A.
自由电子增多,空穴数基本不变
B.
空穴数增多,自由电子数基本不变
C.
自由电子数和空穴数都增多,且数目相同
D.
自由电子数和空穴数都不变
6、空间电荷区是由
构成的。
A.
确定
A.电子
B.
空穴
C.
离子
D.分子
PN结加正向电压时,
空间电荷区将
变窄
B.
基本不变
C.
变宽
D.
无法
8、设二极管的端电压为
U,则二极管的电流方程是
A.
U
IseB.
IseUUt
C.
Is(eUUT-1)
D.Is
9、稳压管的稳压区是其工作在
A.
正向导通
B.
反向截止
C.
反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应
A.
前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
D.
A。
C.减小D.都有
前者反偏、后者正偏
11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将
A.增大B.不变可能
12、工作在放大区的某三极管,如果当Ib从12卩A增大到22
卩A时,Ic从1mA变为2mA,那么它的卩约为C。
A.83B.91C.100D.10
13、当场效应管的漏极直流电流Id从2mA变为4mA时,它的
低频跨导gm将_A。
A.
增大B.
不变C.
减小
D.都有
可能
14、
晶体管是A
器件。
A.
电流控制电流
B.电流控制电压
C.
电压控制电
压D.电压控制电流
15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量
D。
A.IbB.
IcC.UbED.UcE
16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位
如图所示,试判断管子的类型和材料。
图
为_A。
[基极电位总是处于中间
1为_D;图2
]
锗管
A.NPN硅管B.PNP
硅管C.NPN
17、增强型
PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压
锗管D.PNP
耗尽型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压
A.只能为正
B.
只能为负
C.
可正可负
D.
可正可负,也可为零
18
、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的
D.
19
A.可变电阻(欧姆)区
击穿区
、表征场效应管放大能力的重要参数是
A.夹断电压
IDSSD.
开启电压
20、场效应管是
A.电流控制电流
电压D.
B.
截止区
C.
饱和区
UGS(off)B.低频跨导
UGS(th)
B.
电压控制电流
21、基本共射放大电路中,基极电阻
A.
信号短路
B.
C.
器件。
电流控制电压
C.
C.
Rb的作用是
限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入
把基极电流的变化转化为输入电压的变化
保护信号源
D.
防止输出电压被短路
饱和漏极电流
电压控制
22、基本共射放大电路中,集电极电阻
Rc的作用是
A.限制集电极电流的大小
B.
将输出电流的变化量转
化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路
D.
保护直流电压源
23、基本共射放大电路中,如果使用直流电压表测出
可能是因为
A.Rb短路B.
Rb开路C.
Rc短路
D.
过小
24、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察
输出电压
Uo和晶体管集电极电压
Uc的波形,
二者相位
A.相同
B.
相反
C.
相差90
D.
相差
270
25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,
过减小
Rb失真消除,这种失真-—定是
失真。
A.饱和
B.
截止
C.
双向
D.
相位
Ic=1mA。
若只更换3=100的晶体管,而其他参数不变,则
IB和IC分别是A。
A.10A,1mAB.
20iA,2mAC.
30iA,3mA
A.输入电阻大B.
D.输出电阻小
28、放大电路产生零点漂移的主要原因是
A.环境温度变化引起参数变化
C.采用了直接耦合方式
29、要求组成的多级放大电路体积最小,应选式。
A.阻容B.直接C.
器
30、放大电路的三种组态(
A.都有电压放大作用
C.都有功率放大作用
D.40iA,4mA
27、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大
器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,
测得甲的输出电压小,这说明甲的B
输入电阻小C.输出电阻大
A。
B.放大倍数太大
D.外界存在干扰源
B耦合方
变压器D.阻容或变压
C)。
B.都有电流放大作用
D.都不是
一个放大器由两级相同的放大器组成,已知它们的增益分别为30dB和40dB,则放大器的总增益为(
A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB
31.多级放大器与单级放大器相比,电压增益将(
A.提高B.降低
C.不变D.不确定
二、填空
从P区到N区,漂移电流
1、PN结中扩散电流的方向是:
的方向是从N区到P区
2、PN结的最大特点是单向导电性
位。
PN结正偏时,
有利于
多数载流子的运动,
阻碍少数载
流子的运行。
PN结反偏时,
电场与外电场的方向
相同
空间电荷区变
宽,有利于
少数
载流子的漂移运动,
阻碍
多数载流子的
扩散运动,
此时PN结呈现的电阻
,PN结处于
截止状态。
6、温度增加
PN结呈现的电阻将会变
7、P型半导体中的多数载流子是
空穴
,N型半导体中的
多数载流子是
电子
以上为第一章习题
8、从基极输入,从集电极输出的是共
射极电路,从基极输
入,从发射极输出的是共
集电
极电路。
9、从栅极输入,从漏输出的是共
源极电路;从栅极输入,
从源极输出的是共
漏极电路。
10
、共
集电极
放大电路的电压放大倍数不可能大于
基极
放大电路的电流放大倍数不可能大于
11
、某多级放大器中各级电压增益为:
第一级
25dB
、第二级
12
13
30dB、第三级—
15dB、第四级
60dB,放大器的总增益为
100
,总的放大倍数为
10
、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数
0.707
围,称为放大电路的
.时,所对应的两个频率分别称为
和下限频率
通频带
路频率特性的一个重要质量指标。
、多级电压放大器级间耦合方式有
变压器
耦合和
阻容
判断题
1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
2、PN结正向电流的大小由温度决定的。
Avo
上限频
,它们之间的频率
,它是放大电
直接
耦合、
耦合三种。
3、PN结的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
(X)
4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型
为P型半导体。
(V)
5、因为N型半导体的多子是自由电子,
所以它带负电。
(X)
6、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
7、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成
的。
(X)
8、结型场效应管外加的栅反向电压,才能保证其
-源电压应使栅
-源间的耗尽层承受
Rgs大的特点。
(V)
9、若耗尽型
N沟道MOS管的Ugs大于零,则其输入电阻会明
显变小。
(X)
以上为第一章习题
10、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;
(X)
11、可以说任何放大电路都有功率放大作用;(V)
12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;
(X)
13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(X)
14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;(V)
15、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号
时,任何放大电路的输出都毫无变化;(X)
16、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(X)
2dB、第二级
IZmin=
R的取
17、某两级放大器中各级电压增益为:
第一级
四、分析题
1、已知稳压管的稳定电压
Uz=6V,稳定电流的最小值
5mA,最大功耗
PZM=
150mW。
试求左图所示电路中电阻
值围。
o
—
3dB,放大器的总增益为6dB。
(X)
解:
稳压管的最大稳定电流
Izm=Pzm/Uz=25mA
电阻R的电流为IZM〜IZmin,所
以其取值围为
UiUz
Iz
0.36〜1.8k
Ri=1kQ,RL=3kQ,Ui=12V,Uz=6V,
2、下图示电路中,
已知输入
Iz=5mA,PzM=90mW,问输出电压
否等于6V?
解:
稳压管正常稳压时,工作电流
IDZ应满足IzVIdzVIzm,而
Uo能
PzM
90mW“八
ZM
Uz
15mA
6V
即5mAVIdzv15mA
UiUz
Uz
IDZIRIl—Z
-4mA
R
rl
显然,1DZ不在稳压工作电流围。
以上为第一章习题
3、测得工作在放大电路中三极管
1、
2、3脚的电位分别是
3.5V,2.8V,7.8V。
试判断它是
NPN
型还是PNP型,是硅管
还是锗管,并在图上分别标出
e、b、
c。
设电路中Dz能正常稳压,则
Uo=Uz=6V。
可求得:
4、管子对地电位如图所示。
判断管子的工作状态和材料。
+6V
+0.1V
-2V
-0.2V
(A)
(B)
+0.3V
+1V
0V
(C)
-2V
+6V
+4V
+5.5V
(D)
+4V
+4V
(E)
解:
(A)NPN型管。
Ube=0.1-(-0.2)=0.3V
JE正偏,
Ubc=0.1-6
-5.9V,Jc反偏。
故该管工作在放大状态,为锗管。
PNP型管。
Ueb=1-0.3=0.7V
JE正偏,
Ucb=-2-0.3
-2.3V,Jc反偏。
故该管工作在放大状态,为硅管。
NPN型管。
Ube=-3-(-2)=-1V
JE反偏,
Ubc=-3-0
-3V
JC反偏。
故该管工作在截止状态。
PNP型管。
Ueb=6-5.3=0.7V
Je正偏,
Ucb=5.5-5.3
0.2V,Jc正偏。
故该管工作在饱和状态,为硅管。
(E)NPN型管。
Ube=4-4=0V
Ubc=4-4=0V。
则该管可能被击穿损坏,也可能电路接线问题。
5、判断以下两工作电路处于何种状态
3)
0+(
图(a)没有放大作用。
Je可能烧毁。
在Vbb中串接电阻
图(b)没有放大作用。
放大元件
Vbb对信号有短接作用;
Rb。
T没有合适的偏置状态。
Ube过大,
Rb
接点移至到
C1后
五、
计算题(都为第二章习题
Rb1=20k
Q
RE=2.3kQ
Rc=RL=10kQ,Vcc=15V,
3=80,
r
bb-=100Q,
UBEQ=0・7V
。
试求解:
(
1)
估算静态工作点
Q;
(
2)
估算电压放大倍数
Au、输入电阻Ri和
输出电阻
Roo
(
3)
若将晶体管换成
3
为100的管子,Q
点将如何变化?
(
4)
若Ce开路,则
Au与
Ri将如何变化。
解(
1)求解
Q点。
因为
R
Rb1vv(1+3)
E,所以
UBQ
Rb1
RB1RB2
VCC
15
520
3V
1EQ
UBQUBEQ
Re
31mA
2.3
1BQ
1EQ
80
0.0125mA12.5
UCEQVCC
1EQ(RC
Re)151(102.3)2.7V
(2)求解Au、Ri和Roo
画出微变等效电路
2亠X
M
-•
卜4
•
jU
角,
01
pc
<
d
U
)26(mV)
"lE(mA)
100()
(1
1(mA)
22002.2k
Rl
rbe
22
Ri
RB1〃RB2〃rbe
1/51/201/2.21.42k
Ro
RC10kQ
3)当卩
80变为100时,ICQ与UcEQ基本不变,而
IBQ
IEQ
电路的微变
所示。
Au
Ri
Ro
100
100
0.01mA10A
4)
rbe
rbe
(1)Re
(1)ibRe
RB1//RB2//[rbe
RC10kQ
如右图所示电路中,
RC=RL=5.1k
Q,卩=80,
静态工作点
(1
已知
)Re]
bb,
Rl接入和断开两种情况下的
输入电阻
(4)若信号源有阻,
2.2(180)2.3
1/51/201/(2.2802.3)
Vcc=15V,RB=750kQ
100
Q。
试求解:
Au。
Ri和输出电阻
Ro。
且Rs=1.42kQ,则负载时的
3.92k
Aus=?
解:
(1)利用估算法求
Aus
IBQ
ICQ
UCEQ
VccUbeq
Rb
IBQ
80
Vcc
ICQ
(2)求
IEQ
rbe
Rl断开时
Rl接入时
Ri
Au
Ro
3)求解
RB〃rbe
Vcc
R
-15mA0.02mA
750
0.02mA
1.6mA
Re
15
1.65.16.84V
20A
Ren
C2
Rl
100(
1420
Au
Au
Ri
RC5.1k
4)求负载时的
1.42
(1
Rl
rbe
Rl
rbe
26(mV)
lE(mA)
(180)^mn
1.6(mA)
1.42k
Roo
1.42k
Aus
ICQ=1.6mA
80
80
5.1
287
1.42
5.1
2
1.42
144
1.421.42(144)
72
3、如下图所示电路中,
已知
RB=250kQ,
RE=5kQ,
VCC=15V,3=80,
rbe=2k
UBEQ=0.7V
(1)估算静态工作点
7
。
试求解:
+Vc
C2
输入电阻Ri
解:
(1)先求静态工作点
IBQ
VccUbeq
Rb(i)RE
150.7
250815
0.022mA
22
(2)当RL=5kQ时,
IeQRl(1Re//IRLQ8l5k0.022mA1.78mA
UCEQVCCIEQRE
151.7856.1V
(1)Rl
rbe
(1)RL
812.5
2812.5
0.990
RiRb//[rbe
(1)Re]
1
155k
11
2502815
《模拟电子技术》复习题综合(第
3、4章)
填空题
3-1•差分放大电路,若两个输入信号
uI1
UI2,则输出电
压,U0
0;若uI1
100
80
差模输入电压
Uid
20V;共模输入电压
UIc
90
3-2•乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流
ICQ
、静态时的电源功耗
PDC
。
这类功放的能
量转换效率在理想情况下,
可达到
78.5%
,但这种功
放有
交越
失真。
3-3.差动放大器输入信号为零时,
输出电压偏离其起始值的
现象称为
失调电压
3-4.理想情况下,集成运放的各项技术指标为
OO
Ro=
BW从0
OO
Kcmr=
OO
3-5.在差分放大电路中,
大小相等、
极性或相位一致的两个
输入信号称为
共模
信号;
大小相等,
极性或相位
相反的两个输入信号称为
差模
信号。
3-6.集成运放的输入级都采用
差动放大
电路,输出级
通常采用
甲乙类互补
电路。
3-7.
在甲类,
乙类和甲乙类三种功率放大电路中,
效率最低
的是
甲类
,失真最小的是
甲乙类
4-1
•串联负反馈可以使放大器的输入电阻
增大
,并
联负反馈可以使放大器的输入电阻
减小
电压负
反馈可以使放大器的输出
电压
稳定,
电流负反馈
可以使放大器的输出
电流
稳定。
4-2•射极输出器的特性归纳为:
电压放大倍数
约等于
,电压跟随性好,输入阻抗
,输出阻抗
,而且具有一定的
电流
放大能力和功率
放大能力,射极输出器的反馈类型是
电压串联负反
4-3.
直流负反馈的作用是稳定静态工作点
•
判断题
3-1.
一个完全对称的差分式放大器,
其共模放大倍数为零。
(
V)
3-2.
一个理想的差分放大电路,
只能放大差模信号,
不能放
大共模信号。
(V)
3-3.差动放大电路的Avd越大越好,而Avc则越小越好。
(V)
3-4.零点漂移就是静态工作点的漂移。
(V)
3-5.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
(V)
3-6.不管差分放大电路的参数是否理想对称,RE均有共模负
反馈作用。
(V)
3-7•差分放大电路采用恒流源代替RE是为了增大差模放大
倍数。
(X)
3-8•放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。
(X)
3-9.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
(V)
3-10.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够
增大差模放大倍数。
(V)同时也可以增大共模抑制
比。
(V)
4-1•射极输出器是电压串联负反馈放大器,它具有稳定输出
电压的作用。
(V)三.选择题
3-1、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了
C_。
A.稳定增益
B.提高输入电阻
C.抑制温漂D.
扩展频带
3-2、差模信号是差
分放大电路两个输入端信号的
B。
A.和B.
差C.比值
D.平均值
阻Re可视为B
A.开路B.短路C.2ReD.Re
3-4、在长尾式差分放大电路中,Re的主要作用是B
A.提高差模增益B.提高共模抑制比
C•增大差分放大电路的输入电阻D.减小差分放大
电路的输出电阻
3-5、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入
双端输出时,其差模放大倍数将
A;改接成单端输入
端输出时,其差模放大倍数将_C。
A.不变B.增大一倍C.减小一半D.不确
疋
3-6、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入
双端输出时,其输入电阻将_A;输出电阻将_A;若改
接成单端输入—单端输出时,
其输入电阻将
A,输出电阻
A.很大B.很小
3-9、与甲类功率放大方式相比,
点是(C)。
A•不用输出变压器
C•效率高D
3-9、与乙类功率放大电路比较,
A.不变B.增大一倍C.减小一半D.不确
疋
3-7、差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出时比单端
输出时_A。
A.强B.弱C.相同D.无法比较
3-8、由于恒流源的电流恒定,因此等效的交流电阻A
而等效的直流电阻C。
C.不太大D.等于零
乙类互补对称功放的主要优
B•不用输出端大电容
•无交越失真
甲乙类功率放大电路的主要
优点是_D。
交越失真小
3-10、理想状态下,甲类功率放大电路的效率最大可达A
乙类功率放大电路的效率最大可达C。
A.50%B.87.5%C.78.5%D.100%
3-11、所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号
幅值足够大,使输出信号基本不失真且幅值最大时,
A.晶体管上得到的最大功率
率
C.负载上获得的最大直流功率
交流功率
3-12、当互补推挽功率放大电路的输入信号为
正弦电压时,输出电压波形如图
了巴;
A.饱和失真B.截止失真
交越失真
D
B.电源提供的最大功
D.负载上获得的最大
1kHz、10V的
4-1所示。
说明电路中出现
C.频率失真D.
为了改善输出电压波形,应
置电压
A.
进行相位补偿
B.
适当减小功率放大管的直流偏
C.
IUbeI
适当增大功率放大管的直流偏置电压
1UBEI
D.
当减小输入信号
3-13、当互补推挽功率放大电路的输入信号为
正弦电压时,输出电压波形如图
说明电路中出现了_D;为了改
压波形,应_C。
1kHz
4-2
10V的
所示。
£
Di立
I)A7
善输出电
A.OTL
乙类
B.OTL
甲乙类
C.OCL
乙类
D.OCL
甲乙类
静态时,
点的电位为
A.0VB.5VC.10VD.20V
若管子的饱和压降不计,
电路的最大不失真输出功率
Pom=
若管子的饱和压降
UCES=2V
,贝VPom=A
A.4WB.6.25W
C.8WD.12.5W
3-15
、集成运放的
Aod越大,
表示D
;Kcmr越大,
表示
A.
最大共模输入电压越大
B.
抑制温漂的能力越强
C.
最大差模输入电压越大
D.
对差模信号的放大能
力越