中文模块C型液晶图文显示器.docx

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中文模块C型液晶图文显示器

使用说明书

感谢您关注和使用我们的OCMJ（奥可拉中文集成模块）C系列液晶显示器产品，欢迎您提出您的要求、意见和建议，我们将竭诚为您服务、让您满意。

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金鹏科技有限公司

GoldenPalmScienceTechnologyCo.,Ltd

八、模块尺寸图12

附：

汉字字符集

一、OCM4X8C液晶显示模块概述

1.OCM4X8C液晶显示模块是128×64点阵的汉字图形型液晶显示模块，可显示汉字及图形，内置国标GB2312码简体中文字库（16X16点阵）、128个字符（8X16点阵）及64X256点阵显示RAM（GDRAM）。

可与CPU直接接口，提供两种界面来连接微处理机：

8-位并行及串行两种连接方式。

具有多种功能：

光标显示、画面移位、睡眠模式等。

2.外观尺寸：

93×70mm（4X8C）,84×44mm（2X8C），110×65mm（2x8C_2）,116×39mm（2X10）,180×65mm（4X16A）

3.视域尺寸:

73×39mm（4X8C）,78×25mm（2x8C_2）,70×20mm（2X8C），85×20mm（2X10）,132×39mm（4X16A），

●补充说明：

外观尺寸可根据用户的要求进行适度调整。

二、模块引脚说明

1）表—1：

OCM2X8C（128X32）、OCM2X10C（160X32）模块引脚说明

引脚

名称

方向

说明

引脚

名称

方向

说明

VSS

GND（0V）

DB4

I/O

数据4

VDD

SupplyVoltageForLogic（+5v）

DB5

I/O

数据5

SupplyVoltageForLCD（悬空）

DB6

I/O

数据6

RS（CS）

H/L

DataL:

InstructionCode

DB7

I/O

数据7

R/W（STD）

H/L

ReadL:

Write

PSB

H/L

16032此脚为：

RESET脚

E（SCLK）

H,H/L

EnableSignal

DB0

I/O

数据0

/RST

H/L

16032此脚为空

DB1

I/O

数据1

LEDK

16032此脚为A

DB2

I/O

数据2

LEDA

16032此脚为K

DB3

I/O

数据3

注：

以上K为负，A为正

2）表—2：

OCM2X8C-2（128X32）模块引脚说明

引脚

名称

方向

说明

引脚

名称

方向

说明

---

背光源负极

DB3

I/O

数据3

---

背光源正极

DB4

I/O

数据4

VSS

---

地

DB5

I/O

数据5

VDD

---

+5V

DB6

I/O

数据6

EnableSignal

DB7

I/O

数据7

DataL:

Instruction

Code

Read

Write

DB0

I/O

数据0

RST

复位

DB1

I/O

数据1

PSB

ParallelMode

SerialMode

DB2

I/O

数据2

3）表—3：

OCM4X8C（128X64）引脚说明

引脚

名称

方向

说明

引脚

名称

方向

说明

VSS

GND（0V）

DB4

I/O

数据4

VDD

SupplyVoltageForLogic（+5v）

DB5

I/O

数据5

SupplyVoltageForLCD（悬空）

DB6

I/O

数据6

RS（CS）

H/L

DataL:

InstructionCode

DB7

I/O

数据7

R/W（STD）

H/L

ReadL:

Write

PSB

H/L

ParallelMode

SerialMode

E（SCLK）

H,H/L

EnableSignal

空脚

DB0

I/O

数据0

/RST

H/L

ResetSignal低电平有效

DB1

I/O

数据1

空脚

DB2

I/O

数据2

LEDA

背光源正极（LED+5V）

DB3

I/O

数据3

LEDK

背光源负极（LED-OV）

4）表—4：

OCM4X16A（256X64）引脚说明

引脚

名称

方向

说明

引脚

名称

方向

说明

FRAMEGROUND

DB0

I/O

数据0

VSS

GND（0V）

DB1

I/O

数据1

VDD

SupplyVoltageForLogic（+5v）

DB2

I/O

数据2

空脚

DB3

I/O

数据3

R/W

H/L

ReadL:

Write

DB4

I/O

数据4

H,H/L

EnableSignal1

DB5

I/O

数据5

H,H/L

EnableSignal2

DB6

I/O

数据6

H/L

DataL:

InstructionCode

DB7

I/O

数据7

空脚

/RST

H/L

ResetSignal低电平有效

空脚

注

背光源负极（LED-OV）

背光源正极（LED+5V）

三、OCM4X8C液晶硬件接口

1、逻辑工作电压（VDD）：

4.5～5.5V

2、电源地（GND）：

3、LCD驱动电压（V0）：

0～-10V

4、工作温度（Ta）：

0～55℃（常温）/-20～70℃（宽温）保存温度（Tstg）：

-10～65℃（常温）

5、电气特性见附图1外部连接图（参考附图2）

模块有并行和串行两种连接方法（时序如下）：

1、8位并行连接时序图

MPU写资料到模块

MPU从模块读出资料

2、串行连接时序图

3、AC电气特性（TA=25℃VCC=5V）

SYMBOL

Characteristics

Testcondition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Fosc

OSCfrequency

Rf=39KΩ

480

540

600

KHz

PARAMETER

SYMBOL

MESURETIME

UNIT

FORWRITEMODE（WRITINGDATAFROMMPUTOST7920）

Systemcycletime

13,000

Addresssetuptime

TAS

1,500

Addressholdtime

TAH

1,500

Datasetuptime

TDSW

1,000

Dataholdtime

Enablepulsewidth

TPW

1,500

Enablerise/falltime

TR,TF

FORREADMODE（READINGDATAFROMST7920TOMPU）

Systemcycletime

13,000

Addresssetuptime

TAS

1,500

Addressholdtime

TAH

1,500

Datasetuptime

TDDR

1,000

Dataholdtime

Enablepulsewidth

TPW

1,500

Enablerise/falltime

TR,TF

四、用户指令集

1、指令表1：

（RE=0：

基本指令集）

指令

指令码

说明

执行时间（540KHZ）

DB7

DB6

DB5

DB4

DB3

DB2

DB1

DB0

清除显示

将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”

4.6ms

地址归位

设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”，并且将游标移到开头原点位置；这个指令并不改变DDRAM的内容

4.6ms

进入点

设定

I/D

指定在资料的读取与写入时，设定游标移动方向及指定显示的移位

72us

显示状态

开/关

D=1：

整体显示ON

C=1：

游标ON

B=1：

游标位置ON

72us

游标或显示移位控制

S/C

R/L

设定游标的移动与显示的移位控制位元；这个指令并不改变DDRAM的内容

72us

功能设定

DL=1（必须设为1）

RE=1：

扩充指令集动作

RE=0：

基本指令集动作

72us

设定CGRAM地址

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

设定CGRAM地址到地址计数器（AC）

72us

设定DDRAM

地址

AC6

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

设定DDRAM地址到地址计数器（AC）

72us

读取忙碌标志（BF）和地址

AC6

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

读取忙碌标志（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出地址计数器（AC）的值

0us

写资料到RAM

写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）

72us

读出RAM的值

从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）

72us

指令表—2：

（RE=1：

扩充指令集）

指令

指令码

说明

执行时间（540KHZ）

DB7

DB6

DB5

DB4

DB3

DB2

DB1

DB0

待命模式

将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”

72us

卷动地址或IRAM地址选择

SR=1：

允许输入垂直卷动地址

SR=0：

允许输入IRAM地址

72us

反白选择

选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白与否

72us

睡眠模式

SL=1：

脱离睡眠模式

SL=0：

进入睡眠模式

72us

扩充功能设定

RE=1：

扩充指令集动作

RE=0：

基本指令集动作

G=1：

绘图显示ON

G=0：

绘图显示OFF

72us

设定IRAM地址或卷动地址

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

SR=1：

AC5—AC0为垂直卷动地址

SR=0：

AC3—AC0为ICONIRAM地址

72us

设定绘图RAM地址

AC6

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

设定CGRAM地址到地址计数器（AC）

72us

备注：

1、当模块在接受指令前，微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态，即读取BF标志时BF需为0，方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查BF标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成，指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。

2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在最后的状态，除非再次变更“RE”位元，否则使用相同指令集时，不需每次重设“RE”位元。

具体指令介绍：

1、清除显示（指令代码为01H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

清除显示屏幕，把DDRAM位址计数器调整为“00H”

2、位址归位（02H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM

3、点设定（07H/04H/05H/06H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

I/D

功能：

设定光标移动方向并指定整体显示是否移动。

I/D=1光标右移，I/D=0光标左移。

SH=1且DDRAM为写状态：

整体显示移动，方向由I/D决定（I/D=1左移，I/D=0右移）

SH=0或DDRAM为读状态：

整体显示不移动

4、显示状态开/关（08H/0C0H/0E0H/0F0H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

D=1；整体显示ONC=1；游标ONB=1；游标位置ON

5、游标或显示移位控制（10H/14H/18H/1CH）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

S/C

R/L

功能：

10H/14H：

光标左/右移动；18H/1CH：

整体显示左右移动，光标跟随移动，AC值不变

6、功能设定（36H/30H/34H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

0RE

功能：

DL=1（必须设为1）RE=1；扩充指令集动作RE=0：

基本指令集动作

7、设定CGRAM位址（40H-7FH）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

功能：

设定CGRAM位址到位址计数器（AC）

8、设定DDRAM位址（80H-9FH）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

AC6

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

功能：

设定DDRAM位址到位址计数器（AC）

9、读取忙碌状态（BF）和位址（BF=1,状态忙）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

AC6

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

功能：

读取忙碌状态（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出位址计数器（AC）的值

10、写资料到RAM

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）

11、读出RAM的值

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）

12、待命模式（01H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

进入待命模式，执行其他命令都可终止待命模式

13、卷动位址或IRAM位址选择（02H/03H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

SR=1；允许输入卷动位址SR=0；允许输入IRAM位址

14、反白选择（04H\05H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白的与否

15、睡眠模式（08H/0CH）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

功能：

SL=1；脱离睡眠模式SL=0；进入睡眠模式

16、扩充功能设定（36H/30H/34H）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

1RE

功能：

RE=1；扩充指令集动作RE=0；基本指令集动作G=1；绘图显示ONG=0；绘图显示OFF

17、设定IRAM位址或卷动位址（40H-7FH）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

功能：

SR=1；AC5~AC0为垂直卷动位址SR=0；AC3~AC0写ICONRAM位址

18、设定绘图RAM位址（80H-FFH）

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0

AC6

AC5

AC4

AC3

AC2

AC1

AC0

功能：

设定GDRAM位址到位址计数器（AC）

五、显示坐标关系

1、图形显示坐标

2、汉字显示坐标

X坐标

Line1

80H

81H

82H

83H

84H

85H

86H

87H

Line2

90H

91H

92H

93H

94H

95H

96H

97H

Line3

88H

89H

8AH

8BH

8CH

8DH

8EH

8FH

Line4

98H

99H

9AH

9BH

9CH

9DH

9EH

9FH

3、字符表

代码（02H---7FH）

六、显示步骤

1、显示资料RAM（DDRAM）

显示资料RAM提供64×2个位元组的空间，最多可以控制4行16字（64个字）的中文字型显示，当写入显示资料RAM时，可以分别显示CGROM、HCGROM与CGRAM的字型；ST7920A可以显示三种字型，分别是半宽的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型，三种字型的选择，由在DDRAM中写入的编码选择，在0000H—0006H的编码中将自动的结合下一个位元组，组成两个位元组的编码达成中文字型的编码（A140—D75F），各种字型详细编码如下：

1、显示半宽字型：

将8位元资料写入DDRAM中，范围为02H—7FH的编码。

2、显示CGRAM字型：

将16位元资料写入DDRAM中，总共有0000H，0002H，0004H，0006H四种编码。

3、显示中文字形：

将16位元资料写入DDRAMK，范围为A1A1H—F7FEH的编码。

绘图RAM（GDRAM）

绘图显示RAM提供64×32个位元组的记忆空间，最多可以控制256×64点的二维也纳绘图缓冲空间，在更改绘图RAM时，先连续写入水平与垂直的坐标值，再写入两个8位元的资料到绘图RAM，而地址计数器（AC）会自动加一；在写入绘图RAM的期间，绘图显示必须关闭，整个写入绘图RAM的步骤如下：

1、关闭绘图显示功能。

2、先将垂直的坐标（Y）写入绘图RAM地址；

3、再将水平的位元组坐标（X）写入绘图RAM地址；

4、将D15——D8写入到RAM中；

5、将D7——D0写入到RAM中；

6、打开绘图显示功能。

绘图显示的记忆体对应分布请参考表

2、游标/闪烁控制

ST7920A提供硬体游标及闪烁控制电路，由地址计数器（addresscounter）的值来指定DDRAM中的游标或闪烁位置。

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