哈尔滨工程大学数字信号处理实验七Word格式.docx

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2;

Rb2=6e+03;

1;

Rb1=24e+03;

Rb=Rb1*Rb2/(Rb1+Rb2);

YL=(Rc+RL)/(Rc*RL);

Rs1=Rs*Rb/(Rs+Rb);

Zi=h(1,1)-h(2,1)*h(1,2)/(YL+h(2,2));

Z1=Zi*Rb/(Zi+Rb);

vb=vs*Z1/(Z1+Rs);

ib=vb/Zi;

Ro=1/h(2,2);

ic=h(2,1)*ib*Ro/(Ro+1/YL);

vo=-ic/YL;

Av=vo/vb;

formatshort;

Yo=h(2,2)-h(2,1)*h(1,2)/(h(1,1)+Rs1)+1/Rc;

Zo=1/Yo;

Zi=round(Zi);

Zo=round(Zo);

Av=round(Av*10)*.1;

ifKp==1;

Vbe=.6;

ns='

Si'

;

else;

Vbe=.2;

Ge'

A=[(Rb1+Rb2)/Rb2Rb1;

1Rb+(1+beta)*Re];

B=inv(A)*[EcVbe]'

Vb=B

(1);

Ib=B

(2);

Ie=(1+beta)*Ib;

Vc=Ec-beta*Ib*Rc;

Vb=round(Vb*10)*.1;

Vc=round(Vc*10)*.1;

Ie=round(Ie*1e+04)*.1;

end

实验内容一

学习共发射极放大电路的原理,使用缺省参数或自己设定参数运行amplif1程序

设置参数如下,运行程序,得到输出结果

Rc=10*10^3;

beta=100;

vs=10^(-3);

h=[1.2e+33.37e-4;

Rb1=8*10^3;

Rb2=3*10^3;

Re=10^3;

RL=5*10^3;

Rs=500;

[Av,Zi,Zo,Ie,Vb,Vc,vo]=amplif1(Rb1,Rb2,Rc,Re,RL,h,Rs,vs,beta,Ec,Kp)

Av=-133.1000Zi=1148Zo=8575Ie=-2.7000Vb=3.3000Vc=38.5000vo=-0.0800

二、直接耦合放大器

实验讲义第55页图3.8是一个典型的直接耦合放大电路,由3个晶体管组成,第一级为低噪声放大,第二级为高增益放大,第三级为射随器,整个放大器的电压有负反馈电路决定,该电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。

amplif2函数的用法如下:

[Av,Zi,Zo,Vb,Ie,E,vo]=amplif2(Rb1,Re1,Rc1,R1,R2,Rc2,Re3,Rf,h,vs,beta,Ec,Ed,Kp)

hfehoe]为晶体管的h参数,beta为晶体管的直流放大系数,Ec为电源电压,Ed第一级的输入电压,参数Kp=1表示硅管,Kp=2表示锗管,vs为信号源的开路电压

A=[AvAv0Av1Av2]Av电压放大倍数(V),Av0开环电压放大倍数Av1第一级电压放大倍数,Av2第二级电压放大倍数Zi输入阻抗(Ω),Zo输出阻抗(Ω),

Vb=[Vb

(1)Vb

(2)Vb(3)]三个晶体管的基极电压(V)Ie=[Ie

(1)Ie

(2)Ie(3)]

三个晶体管的发射极电流(mA)

建立amplif2函数如下

function[Av,Zi,Zo,Vb,Ie,E,vo]=amplif2(Rb1,Re1,Rc1,R1,R2,Rc2,Re3,Rf,h,vs,beta,Ec,Ed,Kp);

14;

13;

Ed=15;

12;

Ec=24;

vs=1e-03;

8027.1e-6];

Rf=33e+03;

Re3=3.3e+03;

Rc2=18e+03;

R2=3.9e+03;

R1=130;

Rc1=100e+03;

Re1=100;

Rb1=1000e+03;

hie=h(1,1);

hfe=h(2,1);

hoe=h(2,2);

Rc=hie*Rc1/(hie+Rc1);

T=[hoe+1/Re1-hoe-1-hfe;

-hoehoe+1/Rchfe;

10hie];

V=inv(T)*[00vs]'

v2=V

(2);

ib2=v2/hie;

Av1=v2/vs;

Zi=vs/V(3);

Re=Re3/hoe/(Re3+1/hoe);

Rc=Rc2/hoe/(Rc2+1/hoe);

T=[1/Re-1-hfe;

1hie+Rc];

V=inv(T)*[0-hfe*Rc*ib2]'

Av2=V

(1)/v2;

Av0=V

(1)/vs;

Zo=V

(1)/((1+hfe)*hfe*Rc*ib2/(Rc+hie));

Zo=abs(Zo);

B=Re1/(Rf+Re1);

F=1+Av0*B;

Av=Av0/F;

Zi=Zi*F;

Zi=Zi*Rb1/(Zi+Rb1);

Zo=Zo/F;

vo=Av*vs;

Av=[AvAv0Av1Av2];

Vbe=.7;

Z=[Rb1+R2+(1+beta)*Re1-(1+beta)*R2;

beta*Rc1-R2Rc1+(1+beta)*(R1+R2)];

Ib=inv(Z)*[-VbeEd-Vbe]'

I1=(1+beta)*Ib

(1);

I2=(1+beta)*Ib

(2);

I3=(1+beta)*(Ec-Vbe-Rc2*beta*Ib

(2))/(Rc2+(1+beta)*Re3);

I=[I1I2I3];

I=round(I*1e+04)*.1;

V=[Re1*I1(R1+R2)*I2Re3*I3]+Vbe;

V=round(V*10)*.1;

Av=round(Av);

E=[EcEd];

Vb=V;

Ie=I;

formatshort;

实验内容二

学习直接耦合放大电路的原理,使用缺省参数或自己设定参数运行amplif2程序

Rb1=2e6;

Re1=150;

Rc1=1e5;

R1=450;

R2=5e3;

Rc2=3e4;

Re3=5e3;

Rf=4e4;

h=[1.2e33.37e-4;

vs=1e-3;

Ed=12;

[Av,Zi,Zo,Vb,Ie,E,vo]=amplif2(Rb1,Re1,Rc1,R1,R2,Rc2,Re3,Rf,h,vs,beta,Ec,Ed,Kp)

Av=2681630074-7-230243

Zi=1950469Zo=8Vb=0.70003.30009.4000

Ie=0.10000.50001.7000

E=2412

vo=0.2676

三、差分放大器

在分析差分放大器交流参数的过程中,可忽略射随输入阻抗对前一级的影响,这样该放大器可用晶体管T1的基极,发射极和集电极;

晶体管T2多的基极,发射极和集电极;

晶体管T5的集电极,7个节点来描述。

T1的基极为放大器的输入端,T2的基极在交流上是接地的,因此节点方程有5个,另外再加上两个晶体管的基极电流方程一共得到7个方程,使用矩阵方法求解这些方程就可以得到差分放大器的各项交流参数。

Amplif3函数的用法如下:

[Av,Zi,Zo,V,I,vo]=amplif3(Rb,Rc,Re,R1,R2,R3,R4,Re3,Zee,h,vs,beta,Ec,Kp);

Zee恒流源的等效交流阻抗,

hfehoe]为晶体管的h参数,beta为晶体管的直流放大系数,

Ec为电源电压,Ed第一级的输入电压,参数Kp=1表示硅管,Kp=2表示锗管,vs为信号源的开路电压

A=[Av1Av2]Av11端电压放大倍数,Av22端电压放大倍数

Zi输入阻抗(Ω),Zo输出阻抗(Ω),

Vb=[Vb5Vb2Vb4]晶体管T5,T2,T4的基极电压(V)

Ie=[Ie1Ie4]晶体管T1T4的发射极电流(mA)

建立amplif3函数如下

function[Av,Zi,Zo,V,I,vo]=amplif3(Rb,Rc,Re,R1,R2,R3,R4,Re3,Zee,h,vs,beta,Ec,Kp);

%UNTITLED4Summaryofthisfunctiongoeshere

10027.1e-6];

Zee=1e+05;

Re3=3300;

R4=47;

R3=680;

R2=2400;

R1=4800;

Re=68;

Rc=560;

Rb=4700;

A=[10000hie0;

001000hie;

];

A=[A;

(1+Re*hoe)-Re*hoe00-1-(1+hfe)*Re0];

00(1+Re*hoe)-Re*hoe-10-(1+hfe)*Re];

Zee0Zee0-(2*Zee+Re)00];

Rc*hoe-(1+Rc*hoe)000-hfe*Rc0];

00Rc*hoe-(1+Rc*hoe)00-hfe*Rc];

V=inv(A)*[vs000000]'

vo=[V

(2)V(4)];

Av=vo/vs;

Rb1=1/(1/Rb+1/R2+1/R1);

Zi=vs/V(6);

Zo=(Rc+hie)/(1+hfe);

Vbe=.8;

A=[(R1+R2+R3)/R3R1+R2R2;

1-(1+beta)*R40;

0beta-2*(1+beta)];

B=inv(A)*[Ec+(R1+R2)/R3*VbeVbe0]'

V=[B

(1)Ec-R1*((B

(1)-Vbe)/R3+B

(2)+B(3))-Rb*B(3)Ec-beta*B(3)*Rc];

I=[B(3)*(1+beta)(V(3)-Vbe)/Re3];

实验内容三

学习差分放大电路的原理,使用缺省参数或自己设定参数运行amplif2程序

Rb=6e3;

Rc=800;

Re=150;

R1=7e3;

R2=3500;

R3=900;

R4=100;

Re3=4e3;

Zee=2e5;

[Av,Zi,Zo,V,I,vo]=amplif3(Rb,Rc,Re,R1,R2,R3,R4,Re3,Zee,h,vs,beta,Ec,Kp)

Av=-2.40002.4000

Zi=1596Zo=20

V=1.60704.64948.8354

I=42

vo=-0.00240.0024

四、阻容耦合音频放大器的频率响应

将晶体管的h参数转换成Z参数后,考虑发射极的电阻和电容,相当于两个串联的两端口网络,总的Z参数为晶体管的Z参数与发射极电阻电容的Z参数之和,然后再将Z参数转换成A参数,就可以用T型网络A参数相乘的方式求出整个等效电路的A参数,也可得幅频特性,相频特性和输入阻抗。

Amplif4函数的用法如下:

[H,Zi]=amplif4(Ce,C1,C2,Rb1,Rb2,Rc,Re,RL,h,Rs);

输入参数:

C1基级耦合电容,C2集电极耦合电容,Ce发射极旁路电容,Rs信号源内阻h=[hiehre;

hfehoe]为晶体管的h参数

H=vo/vi放大器的转移函数,Zi输入阻抗

建立amplif4函数如下

function[H,Zi]=amplif4(Ce,C1,C2,Rb1,Rb2,Rc,Re,RL,h,Rs);

%UNTITLED5Summaryofthisfunctiongoeshere

C2=20e-06;

C1=20e-06;

Ce=200e-06;

symss;

zt=[hie0;

-hfe/hoe1/hoe];

ze=Re/(1+s*Re*Ce);

ze=ones(2,2)*ze;

Z=zt+ze;

A=[Z(1,1)det(Z);

1Z(2,2)]/Z(2,1);

A=[1Rs+1/s/C1;

01]*[10;

1/Rb1]*A*[10;

1/Rc1]*[11/s/C2;

01];

A=A*[10;

1/RL1];

Zi=A(1,1)/A(2,1)-Rs;

f=logspace(1,5,101);

[b,a]=numden(Zi);

b=sym2poly(b);

a=sym2poly(a);

Zi=freqs(b,a,2*pi*f);

k=max(abs(Zi+Rs)./Zi);

H=k/A(1,1);

[b,a]=numden(H);

H=freqs(b,a,2*pi*f);

Av=20*log10(abs(H));

Avm=round(max(Av)*10)*.1;

subplot(211);

semilogx(f,Av);

grid;

zoomxon;

xlabel('

requency(Hz)'

);

ylabel('

Av(dB)'

title(['

Av_m_a_x='

num2str(Avm),'

(dB)'

]);

subplot(212);

semilogx(f,real(Zi),f,imag(Zi));

Zi(Ohm)'

set(gcf,'

units'

'

pix'

pos'

[200,120,560,420],'

name'

CommonEmitterAmplifer,BBI2000'

num'

off'

实验内容四

学习阻容耦合音频放大电路的原理,使用缺省参数或自己设定参数运行amplif4程序,得到各输出参数,绘出阻容耦合音频放大器的幅频特性和输入阻抗曲线。

运行程序,得到输出结果如下图所示

五、共发射极放大电路的高频频率响应

分析高频频率响应,应采用混合π型高频等效电路,整个高频等效电路如60页图3.11所示,表征一个晶体管高频工作特性的主要参数有:

特征频率fT集电极电容Cc,集电极工作电流Ic,其他参数可以有上述参数和低频h参数得到。

Amplif5函数的用法如下:

[H]=amplif5(Cc,ft,Ic,Rb1,Rb2,Rc,RL,Rs,h,rbc);

Cc集电极电容,ft晶体管的特征频率

Ic集电极电流(mA)Rb1和Rb2基极偏执电流,两者并联之后为Rb

Rc集电极电阻,RL负载电阻,Rs信号源内阻,rbc集电极交流电阻

hfehoe]晶体管的h参数

建立amplif5函数如下

function[H]=amplif5(Cc,ft,Ic,Rb1,Rb2,Rc,RL,Rs,h,rbc);

rbc=5e+06;

h=[12003.37e-4;

Ic=2.5;

ft=100e+06;

Cc=3e-012;

gm=Ic/26;

hfe=min([hfe.95*hie*gm]);

rbe=hfe/gm;

rbb=hie-rbe;

cbe=gm/(2*pi*ft);

RL1=1/(hoe+1/Rc+1/RL);

ybe=1/rbe+s*cbe;

zc=1/(1/rbc+s*Cc);

A=[1zc;

gm1]/(1-gm*zc);

A=[1Rs;

1/Rb1]*[1rbb;

ybe1]*A*[10;

H=1/A(1,1);

f=logspace(3,8,201);

Avm=max(Av);

I=find(abs(Av-(Avm-3))<

.1);

I=fix(mean(I));

f3db=f(I);

Av3db=Av(I);

semilogx(f,Av,[f3dbf3db],Avm-[020],'

r:

'

frequency(Hz)'

tstr=['

f_3_d_B='

num2str(round(f3db*1e-04)*.01),'

(MHz)'

tstr=[tstrblanks(6)'

Av_0='

num2str(round(Avm*10)*.1),'

dB'

title(tstr);

semilogx(f,angle(H)*180/pi-180);

Phase(a)'

set(gcf,'

'

[200,120,560,420],'

CommonEmitterAmplifier,BBI2000'

实验内容五

学习共射集放大电路的高频频率响应原理,使用缺省参数或自己设定参数运行amplif5程序,得到各输出参数,绘出图

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