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TCXO发展现状
TCXO在近十几年中得到长足发展，其中在精密TCXO（温度补偿型石英晶体谐振器，具有精度高等特点）的研究开发与生产方面，日本居领先和主宰地位。
在70年代末汽车电话用TCXO的体积达20以上，目前的主流产品降至0.4，超小型化的TCXO器件体积仅为0.27。
在30年中，TCXO的体积缩小了50余倍乃至100倍。
日本京瓷公司采用回流焊接方法生产的表面贴装TCXO厚度由4mm降至2mm，在振荡启动4ms后即可达到额定振荡幅度的90％。
金石（KSS）集团生产的TCXO频率范围为2～80MHz，温度从－10℃到60℃变化时的稳定度为±
1ppm或±
2ppm；
数字式TCXO的频率覆盖范围为0.2～90MHz，频率稳定度为±
0.1ppm（－30℃～＋85℃）。
日本东洋通信机生产的TCO－935/937型片式直接温补型TCXO，频率温度特性（点频15.36MHz）为±
1ppm/－20～＋70℃，在5V±
5％的电源电压下的频率电压特性为±
0.3ppm，输出正弦波波形（幅值为1VPP），电流损耗不足2mA，体积1，重量仅为1g。
PiezoTechnology生产的X3080型TCXO采用表面贴装和穿孔两种封装，正弦波或逻辑输出，在－55℃～85℃范围内能达到±
0.25～±
1ppm的精度。
国内的产品水平也较高，如北京瑞华欣科技开发有限公司推出的TCXO（32～40MHz）在室温下精度优于±
1ppm，第一年的频率老化率为±
1ppm，频率（机械）微调≥±
3ppm，电源功耗≤120mw。
目前高稳定度的TCXO器件，精度可达±
0.05ppm。
高精度、低功耗和小型化，仍然是TCXO的研究课题。
在小型化与片式化方面，面临不少困难，其中主要的有两点：
一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小，温度补偿更加困难；
二是片式封装后在其回流焊接作业中，由于焊接温度远高于TCXO的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将TCXO的频率变化量控制在±
0.5×
10－6以下。
但是，TCXO的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。
来源：
（-晶振_木子_新浪博客
3.TCXO的应用：
石英晶体振荡器的发展及其在无线系统中的应用，由于TCXO具有较高的频率稳定度，而且体积小，在小电流下能够快速启动，其应用领域重点扩展到移动通信系统。
TCXO作为基准振荡器为发送信道提供频率基准，同时作为接收通道的第一级本机振荡器；
另一只TCXO作为第2级本机振荡器，将其振荡信号输入到第2变频器。
目前移动电话要求的频率稳定度为0.1～2.5ppm（－30～＋75℃），但出于成本上的考虑，通常选用的规格为1.5～2.5ppm。
移动电话用12～20MHz的TCXO代表性产品之一是VC－TCXO－201C1，采用直接补偿方式，外观如图2（b）所示，由日本金石（KSS）公司生产。
电压控制晶体振荡器（VCXO）
电压控制晶体振荡器（VCXO），是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。
在典型的VCXO中，通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。
VCXO允许频率控制范围比较宽，实际的牵引度范围约为±
200ppm甚至更大。
如果要求VCXO的输出频率比石英晶体振子所能实现的频率还要高，可采用倍频方案。
扩展调谐范围的另一个方法是将晶体振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。
与单一的振荡器相比，这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展。
在移动通信基地站中作为高精度基准信号源使用的VCXO代表性产品是日本精工·
爱普生公司生产的VG－2320SC。
这种采用与IC同样塑封的4引脚器件，内装单独开发的专用IC，器件尺寸为12.6mm×
7.6mm×
1.9mm，体积为0.19。
其标准频率为12～20MHz，电源电压为3.0±
0.3V，工作电流不大于2mA，在－20～＋75℃范围内的频率稳定度≤±
1.5ppm，频率可变范围是±
20～±
35ppm，启动振荡时间小于4ms。
金石集团生产的VCXO，频率覆盖范围为10～360MHz，频率牵引度从±
60ppm到±
100ppm。
VCXO封装发展趋势是朝SMD方向发展，并且在电源电压方面尽可能采用3.3V。
日本东洋通信机生产的TCO－947系列片式VCXO，早在90年代中期前就应用于汽车电话系统。
该系列VCXO的工作频率点是12.8MHz、13MHz、14.5MHz和15.36MHz，频率温度特性±
2.5ppm/－30～＋75℃，频率电压特性±
0.3ppm/5V±
5％，老化特性±
1ppm/年，内部采用SMD/SMC，并采用激光束和汽相点焊方式封装，高度为4mm。
日本富士电气化学公司开发的个人手持电话系统（PHS）等移动通信用VCXO，共有两大类六个系列，为适应SMT要求，全部采用SMD封装。
Saronix的S1318型、Vectron国际公司的J型、Champion技术公司的K1526型和Fordahi公司的DFVS1－KH/LH等VCXO，均是表面贴装器件，电源电压为3.3V或5V，可覆盖的频率范围或最高频率分别为32～120MHz、155MHz、2～40MHz和1－50MHz，牵引度从±
25ppm到±
150ppm不等。
MF电子公司生产的T－VCXO系列产品尺寸为5mm×
7mm，曾被业内认为是外形尺寸最小的产品，但这个小型化的记录很快被打破。
目前新推出的双频终端机用VCXO尺寸仅为5.8mm×
4.8mm，并且有的内装2只VCXO。
Raltron电子公司生产的VX－8000系
恒温控制晶体振荡器（OCXO）
CXO是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器，其内部结构如图4所示。
在OCXO中，有的只将石英晶体振子置于恒温槽中，有的是将石英晶体振子和有关重要元器件置于恒温槽中，还有的将石英晶体振子置于内部的恒温槽中，而将振荡电路置于外部的恒温槽中进行温度补偿，实行双重恒温槽控制法。
利用比例控制的恒温槽能把晶体的温度稳定度提高到5000倍以上，使振荡器频率稳定度至少保持在1×
10－9。
OCXO主要用于移动通信基地站、国防、导航、频率计数器、频谱和网络分析仪等设备、仪表中。
OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。
通常人们是利用热敏电阻“电桥”构成的差动串联放大器，来实现温度控制的。
具有自动增益控制（AGC）的（C1app）振荡电路，是目前获得振荡频率高稳定度的比较理想的技术方案。
在近几年中，OCXO的技术水平有了很大的提高。
日本电波工业公司开发的新器件功耗仅为老产品的1/10。
在克服OCXO功耗较大这一缺点方面取得了重大突破。
该公司使用应力补偿切割（SCCut）石英晶体振子制作的OCXO，与使用AT切形石英晶体振子的OCXO比较，具有高得多的频率稳定度和非常低的相位噪声。
相位噪声是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。
在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声。
Bliley公司用AT切形晶体制作的NV45A在补偿点10Hz、100Hz、1kHz和10kHz处的相位噪声分别为100、135、140和145dBc/Hz，而用SC切割晶体制成的同样OCXO，则在所有补偿点上的噪声性能都优于5dBc/Hz。
金石集团生产的OCXO，频率范围为5～120MHz，在－10～＋60℃的温度范围内，频率稳定度有±
0.02、±
0.03和±
0.05ppm，老化指标为±
0.02ppm/年和±
0.05ppm/年。
Oak频率控制公司的4895型4.096～45MHz双恒温箱控制OCXO，温度稳定度仅为0.002ppm（2×
10－10）/0～75℃；
4895型OCXO的尺寸是50.8mm×
50.8mm×
38.3mm，老化率为±
0.03ppm/年。
如果体积缩小一点，在性能指标上则会有所牺牲。
Oak公司生产的10～25MHz表面贴装OCXO，频率稳定度为±
0.05ppm/0～70℃。
PiezoCrystal的275型用于全球定位系统（GPS）的OCXO采用SC切形石英晶体振子，在0～75℃范围内总频偏小于±
0.005ppm，最大老化率为±
0.005ppm/年。
Vectron国际公司的CO－760型OCXO，尺寸为25.4mm见方，高12.7mm，在OCXO产品中，体积算是较小的。
随着移动通信产品的迅猛增长，对OCXO的市场需求量会逐年增加。
OCXO的发展方向是顺应高频化、高频率稳定度和低相位噪声的要求，但在尺寸上的缩小余地非常有限。
晶体谐振器
晶体谐振器现已被广泛使用，很多厂商在考虑成本因素的前提下，甚至用晶体谐振器代替振荡器。
晶体谐振器常见有3种封装方式：
金属、陶瓷、玻璃。
其中金属封装最为常见，玻璃封装则最为便宜，但含铅（技术瓶颈）；
陶瓷封装价格介于两者之间，但技术要求高，目前产品比较成熟的厂家只有少数几家，如日本京瓷、台湾鸿星、浙江嘉康等。
目前亚洲市场产销量较大的国内厂家是浙江东晶电子，还有台湾晶技这两家的客户都是日本一线电子厂家如松下电子，SONY等。
需要说明的是目前市场主导产品盒型分为：
49S，49SMD，SMDS3225，SMD6035，SMDG8045。
有关晶体的正负极
晶振分为有源晶振和无源晶振。
无源晶振只有两个引脚，没有所谓的正负极。
有源晶振需要接电源才能工作，一般有四个引脚，其中有两个电源输入引脚，有正负极之分。
电容
概述
电容（或电容量,Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；
记为C，国际单位是法拉（F）。
一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；
造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。
也是电容器的俗称。
简介
定义 电容（或称电容量）是表征电容器容纳电荷本领的物理量。
我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。
电容器从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质（就像一只水桶一样，你可以把电荷充存进去，在没有放电回路的情况下，刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显，可能电荷会永久存在，这是它的特征），它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。
主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。
电容的符号是C。
C=εS/4πkd=Q/U
在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）（皮法又称微微法）等，换算关系是：
1法拉（F）=1000毫法（mF）＝1000000微法（μF）
1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）。
相关公式：
一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：
C=Q/U但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：
C=εS/4πkd。
其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。
常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。
）
电容器的电势能计算公式：
E=CU^2/2=QU/2
多电容器并联计算公式：
C=C1+C2+C3+…+Cn
多电容器串联计算公式：
1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn
多电容器并联相加串联C=（C1*C2*C3）/（C1+C2+C3）
电容与静电场
电容是指容纳电场的能力。
任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。
一般认为：
孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体
[编辑本段]电容器的型号命名方法
国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：
名称，用字母表示，电容器用C。
第二部分：
材料，用字母表示。
第三部分：
分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：
序号，用数字表示。
用字母表示产品的材料：
A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
[编辑本段]电容功能分类介绍
名称：
聚酯（涤纶）电容（CL）
符号：
电容量：
40p--4μ
额定电压：
63--630V
主要特点：
小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：
对稳定性和损耗要求不高的低频电路
聚苯乙烯电容（CB）
10p--1μ
100V--30KV
稳定，低损耗，体积较大
对稳定性和损耗要求较高的电路
聚丙烯电容（CBB）
1000p--10μ
63--2000V
性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
云母电容（CY）
10p--0.1μ
100V--7kV
高稳定性，高可靠性，温度系数小
高频振荡，脉冲等要求较高的电路
高频瓷介电容（CC）
1--6800p
63--500V
高频损耗小，稳定性好
高频电路
低频瓷介电容（CT）
10p--4.7μ
50V--100V
体积小，价廉，损耗大，稳定性差
要求不高的低频电路
玻璃釉电容（CI）
63--400V
稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
脉冲、耦合、旁路等电路
铝电解电容（CD）
0.47--10000μ
6.3--450V
体积小，容量大，损耗大，漏电大
电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）
0.1--1000μ
6.3--125V
损耗、漏电小于铝电解电容
在要求高的电路中代替铝电解电容
空气介质可变电容器
可变电容量：
100--1500p
损耗小，效率高；
可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
电子仪器，广播电视设备等
薄膜介质可变电容器
15--550p
体积小，重量轻；
损耗比空气介质的大
通讯，广播接收机等
薄膜介质微调电容器
1--29p
损耗较大，体积小
收录机，电子仪器等电路作电路补偿
陶瓷介质微调电容器
0.3--22p
损耗较小，体积较小
精密调谐的高频振荡回路
（-电容_木子_新浪博客 名称：
独石电容
容量范围：
0.5PF--1ΜF
耐压：
二倍额定电压。
应用范围：
广泛应用于电子精密仪器。
各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石电容的特点：
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，我们做的一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后，用示波器看频率，眼看着就慢慢变化，后来换成涤纶电容就好多了。
就温漂而言：
独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。
就价格而言：
钽、铌电容最贵，独石、CBB较便宜，瓷片最低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也稍贵。
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。
2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。
电容的应用
很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。
由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。
下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。
1、标称电容量（CR）：
电容器产品标出的电容量值。
云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在5000pF以下）；
纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中（大约在0005μF10μF）；
通常电解电容器的容量较大。
这是一个粗略的分类法。
2、类别温度范围：
电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。
3、额定电压（UR）：
在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。
电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。
电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。
在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。
对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。
4、损耗角正切（tanδ）：
在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。
这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。
图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。
对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。
这个关系用下式来表达：
tanδ=Rs/Xc=2πf×
c×
Rs因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。
5、电容器的温度特性：
通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。
补充：
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。
电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πfc（f表示交流信号的频率，C表示电容容量）电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：
电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：
毫法（mF）、微法（μF）/mju:
/、纳法（nF）、皮法（pF）。
其中：
1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：
1m=1000μF1P2=1.2PF1n=1000PF
数字表示法：
三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：
102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10（4）pF。
在这种表示法中
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