聚酰亚胺薄膜的改性分类及其在电子行业中的应用Word格式文档下载.docx
《聚酰亚胺薄膜的改性分类及其在电子行业中的应用Word格式文档下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《聚酰亚胺薄膜的改性分类及其在电子行业中的应用Word格式文档下载.docx（8页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
聚酰亚胺作为很有发展前途的高分子材料已经得到充分的认识，在绝缘材料中和结构材料方面的应用正不断扩大。
在功能材料方面正崭露头角，其潜力仍在发掘中。
关键词：
聚酰亚胺；
薄膜；
低介电常数；
电子工业
1.引言
聚酰亚胺（PI）是重复单元中含有酰亚胺基团的芳杂环高分子化合物，刚性酰亚胺结构赋予了聚酰亚胺独特的性能，如良好的力学性能、耐高温性能、尺寸稳定性、耐溶剂性等，成功应用于航空、航天、电子电器、机械化工等行业。
随着微电子工业的不断发展，对相关材料的耐热性能以及介电性能等提出了更高的要求，这为PI材料在微电子领域内的应用起到了极大的推动作用[1]。
而随着科技的日新月异与工业技术的蓬勃发展，聚酰亚胺薄膜（PolyimideFilm，简称PI）除能符合各类产品的基本物性要求，更具备高强度、高韧性、耐磨耗、耐高温、防腐蚀等特殊性能，可符合轻、薄、短、小之设计要求，是一种具有竞争优势的耐高温的绝缘材料。
经过四十多年的发展，已经成为电子、电机两大领域上游重要原料之一，广泛应用于软板、半导体封装、光伏（太阳能）能源、液晶显示器等电子领域，在电机领域应用于航天军工、机械、汽车等各产业绝缘材料[2]。
本论文通过介绍聚酰亚胺膜的各种改性方法及研究进展，来进一步认识其在电子行业中的应用。
2.对聚酰亚胺的不同改性尝试
根据Clausius-Mosotti方程，材料的介电常数与其摩尔极化率和摩尔体积密切相关[3]。
如果分子的对称性好，在外加电场中不容易被极化，材料就具有较低的介电常数，如有机高分子；
若分子变形能力强容易被极化，材料就具有较高的介电常数，如金属离子。
因此，要得到低介电常数PI绝缘材料，一种行之有效的方法就是引入原子序数小的元素，如氟元素，并减少离子键的数目。
降低PI介电常数的方法主要包括引入氟原子降低PI的极化率、引入硅氧烷增大PI分子的自由体积、引入孔洞降低PI材料的密度等。
事实上，这些方法常常被结合起来使用以达到更好的效果[4]。
2.1 引入氟原子降低PI的极化率
由于C—F键的偶极极化能力较小，且能够增加分子间的空问位阻，因而引入C—F键可以有效降低介电常数，使得含氟聚酰亚胺（FluorinatedPoly．imide，FPI）在微电子领域的应用相当广泛。
人们相继开发出了一系列含有全氟脂肪链、含三氟甲基和六氟丙基、芳氢氟代、含氟侧基以及全氟的聚酰亚胺。
其中，以通过在单体化学结构中引入三氟甲基提高含氟量的方法最为常见，这是因为庞大的三氟甲基的引入既能够阻止高分子链的紧密堆积，有效地减少高度极化的二酐单元的分子间电荷传递作用，还能进一步增加高分子的自由体积分数，达到降低介电常数的目的。
2.2 引入硅氧烷增大PI自由体积
由于聚合物自由体积的增大可以降低单位体积内极性基团的数量，实验中常采用加入硅氧烷如笼型倍半硅氧烷（POSS）的方式。
S.Devaraju等[5]在由双酚A醚二胺（BEAD）和均苯四甲酸二酐（PMDA）制备得到的PI中引入OAPS，未加入OAPS的PI介电常数为3.34，而OAPS在体系中质量分数为15%时，可获得介电常数低至2.68的POSS-PI杂化材料。
基于分子层面设计的低介电材料可用于集成电路工业，T.Seckin等[6]将POSS通过多点连接PI制备了一种POSS–PI星形纳米复合材料。
包含PI的POSS–NH2表现出许多可取的特性，包括低的水吸附性和高的热稳定性。
研究表明，在PI分子主链中适当引入POSS，能使材料的介电常数降低，同时改善其力学性能和热性能。
N.Kivilcim等[7]研究了基于四甲酸二酐和2，5-二氨基吡啶的PI有机溶剂体系制备高度多孔聚合物–硅杂化材料的方法。
3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APS）被用来增强链内的化学成键和跨链间的氢键，能够有效地影响所制备的膜的形态和特性，介电常数随着被SiO2改性的APS含量的增加而有效降低。
2.3 引入孔洞降低PI密度
对于多孔材料来说，孔隙率越高，则材料密度越低，因而介电常数越低。
为此研究人员探索各种致孔方法，引入纳米级的分散孔隙，制备具有纳米微孔的PI薄膜。
材料除了被使用在集成电路中，多孔PI材料还被用于染料敏化太阳能电池中[8]。
贾红娟等[9]将纳米SiO2加入4，4'
-二胺基二苯醚（ODA）和PMDA中，原位缩聚合成PI/SiO2复合薄膜。
用氢氟酸刻蚀SiO2纳米粒子，形成具有微孔的PI薄膜。
当致孔剂含量为15%时，薄膜的介电常数从纯PI的3.54降低至3.05（1kHz）。
W.Kim等[10]通过在垂直的硅纳米线阵列上固化聚酰胺酸溶液后，使用二氟化氙（XeF2）选择性地蚀刻掉硅纳米线阵列。
孔隙的大小和密度是可控的：
前者依赖于纳米线直径和蚀刻的持续时间，而孔隙密度由硅纳米线的密度决定。
溶胶-凝胶过程也被用来制备含硅PI杂化膜，ZhangYihe等[11]将PI前驱体和四乙基原硅酸盐在DMAc中混合，再以氢氟酸蚀刻杂化膜中的SiO2粒子，所得多孔膜比含硅杂化膜具有相对较低的介电常数。
ZhangYaoming等[12]发现加入SiO2纳米粒子后，PI前驱体溶液在干燥过程中会形成由纯纳米粒子，纯聚合物以及两者混合物构成的三层结构，除去纳米粒子后可以获得多孔PI。
WangQihua等[13]也用此法制备了孔径可控的低介电微孔PI材料，当孔隙率达到37%时，PI介电常数从4.11下降至2.57。
在实际应用中，研究者更多的是将多种方法相结合以达到更低的介电常数。
此外，近年来，也有研究者致力于PI的高性能化，期望得到既有低介电性又有高力学性能的PI材料。
3.不同类型的聚酰亚胺薄膜
聚酰亚胺薄膜是目前世界上性能最好的薄膜类绝缘材料之一，具有优良的力学性能、电性能、化学稳定性以及很高的抗辐射性能及耐高温和耐低温性能，在航空航天、国防军工、新型建材、环保消防等领域中发挥着越来越重要的作用。
根据不同的应用需求，可将聚酰亚胺薄膜分为几类。
3.1低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜
目前，聚酰亚胺薄膜最大的应用领域是挠性印制电路板，其用量占绝缘基膜总用量的85％以上。
低热膨胀系数聚酰亚胺具有高强度、高尺寸稳定性以及良好的可加工工艺性，满足挠性印制电路向高密度方向发展的要求，将这种PI膜与铜箔复合制备的无胶黏剂覆铜板，可降低内应力，提高挠性电路板的耐热性和力学性能。
近年来人们开始采用低热膨胀系数的聚酰亚胺与聚酯、聚醚等聚合物的共聚物作为挠性印制电路基板，使聚酯良好的加工性和对金属的优良粘结性与聚酰亚胺优异的耐热性相结合，极大提高了挠性电路板的综合性能，应用前景十分广阔[14]。
例如，用低热膨胀系数聚酰亚胺包覆材料作为半导体元件的保护膜，能克服无机膜的气泡、裂纹发生率和表面光滑性等缺陷，而它本身又具有良好的屏蔽α射线的效果，故可用于大规模集成电路；
具有感光性能的SiO2/PI杂化材料，除具有常规PI的优良性能外，还可在材料上直接刻蚀图形，简化工艺步骤。
由此可见，具有热膨胀系数较低和力学性能更好的聚酰亚胺膜仍是今后PI研究的重点，以满足航空航天、微电子领域不断发展的更高要求。
3.2高耐热、低介电常数含氟聚酰亚胺材料
刘金刚等[15]以4，4’（-六氟异丙基）双邻苯二甲酸二酐（6FDA）作为二酐单体，1，4-双（4-氨基-2-三氟甲基苯氧基）苯（p-6FAPB）、1，1-双（4-氨基苯基）-1（-3’，5’-双三氟甲基）苯基-2，2，2-三氟乙烷（9FDA）、4（-3’，5’-双三氟甲基苯基）-2，6-双（4"
-氨基苯基）吡啶（p-DTFAP）以及4（-3’，5’-双三氟甲基苯基）-2，6-双（3"
-氨基苯基）吡啶（m-DTFAP）作为二胺单体，通过两步缩聚法，合成了4种高氟含量PI材料并系统研究了这类材料结构与其性能的关系。
p-DTFAP与m-DTFAP两种单体中都含有含氟庞大侧基取代的吡啶单元，吡啶环可与相邻的苯环形成共轭，而庞大的含氟取代结构则可能会降低材料的介电常数，将这两种因素加以统一则有望实现合成兼具耐热与低介电常数两方面要求的新型材料。
3.3超薄聚酰亚胺薄膜
超薄化是PI薄膜发展的一个重要趋势，其驱动力主要来自宇航、电子等工业对于器件减重、减薄以及功能化的应用需求[16]。
在柔性印刷线路板（FPC）领域中，PI超薄膜主要用作覆盖膜（coverlay或covercoat，也称保护膜），以保护FPC线路免受氧化与破坏，以及在FPC制作过程中的表面贴装（SMT）工序中起阻焊作用。
如果使用PI超薄膜则可以有效减小覆盖膜的厚度，进而减小FPC的厚度。
而FPC的减薄可以使得电子终端产品（如手机、笔记本电脑）的厚度变得更薄，从而增加其便携性。
便携式电子产品轻薄化、多功能化的发展趋势，必将使得PI超薄膜在FPC覆盖膜中的应用越来越广泛。
PI超薄膜在微电子封装领域中的另外一个典型应用是作为封装基板的基体材料。
在有机封装基板中，柔性PI薄膜基板近年来得到了快速的发展，这主要是由于它具有高耐热、高可靠、耐挠曲、低密度、低介电常数、低CTE、易于实现微细图形电路加工等特性。
日本Toyobo公司开发的XENOMAX®
薄膜已经成功应用于封装基板的制造中。
该薄膜的分子中含有联苯型骨架结构，因此表现出高弹性模量、超低CTE（3×
10-6/℃，与Si相似）、低热收缩等特性，同时还具有优异的力学、介电以及阻燃特性。
用该薄膜制备的PI层压板在封装基板应用考核，包括倒装焊、激光通孔、热老化循环等测试中表现出了良好的综合性能。
例如，其在经受1000个-55～125℃热循环后仍表现出良好的可靠性。
3.4功能型聚酰亚胺薄膜
随着航空、轨道交通以及电子信息等诸多技术领域日新月异的发展，市场和产品的不断细分以及新兴研究领域的开拓，传统的PI膜已经不能满足市场的多元化需求。
为此，国内外研究人员一方面通过特殊单体来制备具有特殊功能的PI膜，另一方面通过添加功能型纳米填料来改性传统PI膜，以满足不同领域对PI膜的性能要求，这两种手段都取得了一定的进展[17]。
（1）透明聚酰亚胺薄膜
目前随着光电通讯领域迅速的发展，光电封装材料、光伏材料、光波导材料以及液晶显示器领域的取向膜材料都迫切需要光学性能好、介电常数低、热稳定性好以及力学性能优异的薄膜材料，越来越多的人开始关注透明聚酰亚胺薄膜的研发。
由于所有的芳香族聚酰亚胺材料的分子结构中都含有共轭的芳香族结构，容易形成分子内电子转移络合物（CTC），对可见光有很强的吸收作用，因此外观呈现不透明，而在PI分子结构中引入含氟取代基，利用氟原子较大的电负性可以很好的抑制CTC的产生，提高PI膜的透光性，但是含氟单体的价格昂贵，生产成本居高不下，这也是导致透明聚酰亚胺薄膜尚未大规模应用的主要原因。
有研究者提出在合成过程中使用一部分脂环族单体来减少PI分子结构中芳香族结构的含量，从而降低生产成本，这不失为一个发展方向[18]。
（2）耐电晕聚酰亚胺薄膜
随着电机电器的小型化以及变频调速技术的推广应用，对绝缘薄膜材料提出了更高的要求，如高频脉冲波及其传输过程中很容易产生高频过电压，一旦电机绝缘中的气隙在高电压下起晕放电，会极大降低绝缘结构的寿命，因此具有耐电晕功能的聚酰亚胺薄膜才能满足市场的需求[19]。
耐电晕聚酰亚胺薄膜目前主要还是使用共混法进行生产，但是共混法存在一个致命的缺点，因为纳米粒子的比表面积和表面能大，粒子之间存在较强的相互作用，易产生团聚，因此纳米粒子与粘度较大的聚合物之间很难达到理想的纳米尺度复合，这势必会影响复合材料的综合性能。
高校和科研机构更倾向于使用溶胶凝胶法来制备耐电晕PI膜，纳米粒子可以很好的分散在树脂体系中，但是溶胶凝胶过程的影响因素太多，工业化生产有很大难度，因此还停留在实验室阶段。
如何在生产时能有效、便捷的将纳米填料均匀分散在树脂体系中，这是研究人员面临的难题。
（3）黑色聚酰亚胺薄膜
黑色聚酰亚胺薄膜具有良好的遮光性、导热性、导电性、防静电等性能，广泛应用于光学、电子材料、航空航天等领域，其制作是将各种遮光物质如碳黑、石墨、金属氧化物、无机或有机染料等涂覆在聚酰亚胺薄膜上，或者是将这些遮光物质添加于聚酰亚胺树脂，再通过流延和亚胺化成膜。
黑色聚酰亚胺薄膜目前广泛用于电子产品制造领域，利用其优良的黑度、耐热性来制作耐高温标签和胶带，而添加具有导电功能的炭黑粒子后，黑色PI膜还可以作为一种综合性能很好的电磁屏蔽材料用于智能手机、平板电脑等电子产品上，杜邦公司已经成功开发出该类产品并商业化多年，但是这种PI产品可用于军事领域，因此不对国内销售。
黑色PI膜的开发，对于打破国外企业的技术垄断具有极其重要的意义。
（4）导电聚酰亚胺薄膜
目前市面上常见的导电薄膜是油墨印刷发热膜和聚四氟乙烯发热膜，这些薄膜存在耐热范围窄、温度波动大以及力学性能差等缺点，并未得到广泛应用。
而随着航空航天以及交通运输技术的发展，对导电膜提出了更高的要求，例如汽车坐垫需要力学性能很好的导电膜，用以寒冷天气加热，为研究者提出了新的课题。
武德珍[20]采用原位一步法，将制备好的聚酰胺酸溶液和含Ag离子的溶液混合成均相溶液，浇铸成膜后经过热处理，在热处理过程中同时一步形成反光导电PI/Ag薄膜。
当银含量为12.9%时，反射率达到90%，导电性良好，电阻率低至38Ω。
具有导电功能的PI膜的表面电阻可达到60Ω，同时具有良好的热稳定性和力学性能，市场前景广阔，我国“九五”国家重点技术开发指南中也明确指出导电性聚酰亚胺薄膜是今后的重点开发方向，但是这类特殊PI膜的相关报道并不多见。
4.聚酰亚胺薄膜研究进展与市场前景
4.1研究进展
聚酰亚胺（PI）薄膜目前是世界上性能最好的绝缘薄膜材料，同时也是制约我国发展高新技术产业的三大瓶颈关键性合成材料之一。
随着科技的日新月异与工业技术的蓬勃发展，PI薄膜除符合各类产品的物性要求外，更具有高强度、高韧性、耐磨损、耐高温、耐腐蚀等特殊性能，符合轻、薄、短、小、高可靠性的设计要求。
近年来，高性能PI薄膜在高阶挠性印制电路板（FPC）、LED、电子通讯及光电显示等产业的新应用使得新型PI薄膜需求日益增多，在工业发展上扮演着越来越重要的角色[21]。
随着电工、电子行业的迅速发展，国内PI薄膜材料制造厂商开发了多种商品化的高性能与功能化PI薄膜，如桂林电科院、江阴天华、深圳瑞华泰等开发的高尺寸稳定性薄膜；
桂林电科院、苏州嘉银、宁波今山电子等开发的黑色PI薄膜；
桂林电科院、天津天缘、天津嘉亿等开发的耐电晕PI薄膜以及长春高琦开发的无色透明PI薄膜等。
2010年中科院化学所与深圳瑞华泰开始合作共建以开展PI薄膜双向拉伸、无色透明和微孔膜的产业化技术开发等研究为基础的高性能PI薄膜材料工程技术中心，以满足我国未来在柔性平板显示器、汽车大功率燃料电池以及有机薄膜太阳能电池等新型高技术产业发展的需求。
进入21世纪，随着国内电子工业的发展，尤其是柔性覆铜板（FCCL）的快速发展给聚酰亚胺薄膜市场带来巨大的发展空间，市场需求日益增加[22]。
FCCL是广泛应用于电子工业、汽车工业、信息产业和各种国防工业用挠性印制电路板（FPC）的主要材料，4G通讯、智能家电及汽车电子等方面的高速增长，推动FCCL市场的发展。
未来高性能PI薄膜在柔性有机薄膜太阳能电池和新一代柔性LCD和OLED显示器产业以及锂离子等新型动力蓄电池技术和产业将会有着广阔的市场[23-25]。
近年来PI在高阶FPC应用、LED、电子通讯与光电显示等相关产业的新应用如雨后春笋般浮现，新型聚酰亚胺材料的需求日益增多，如应用于手机的黑色聚酰亚胺膜产品、LED光条背光需求的白色聚酰亚胺膜产品及高导热、超薄及可电镀聚酰亚胺膜产品等。
研发使用PI膜生产挠性太阳能电池和用于柔性显示器的透明基板，如Ube后续研发重点是光相关材料（LED/EL）与新一代基板材料[26-28]。
此外，三星移动显示公司将把TFT薄膜晶体管置于塑料基板上，使用聚酰亚胺薄膜取代基板上所存有的乙烯基塑料保护层，以避免透光率受到影响。
4.2未来趋势
（1）扩大产能
扩增PI薄膜产能主要是提高现有设备制程能力与生产效率，如改善配方、增加薄膜幅宽、产线速率等等。
（2）降低成本
研制价格相对低廉的PI薄膜，如开发一种兼具两种或者更多功能的薄膜为努力方向。
（3）产地转移
由于台湾、大陆和韩国等地，为全球电子产业生产制造中心所在，美日系厂商在交货、服务和成本难以与亚洲厂商竞争。
如达迈科技看好大陆智能型手机的发展需要，计划投资20万美元于大陆设立PI薄膜销售子公司。
（4）缩短周期
缩短新品研发周期主要利用现有技术或者引进先进技术合作等。
如杜邦新品覆盖膜利用现有技术扩展在三个月内量产KaptonMB型新品，三个月后又量产出第二代产品KaptonMBC。
另外，达迈公司通过参与经济部工业局辅导计划，缩短进入新应用领域之时程。
再者，就是通过与最终客户探讨以对商品进行改进[29]。
5.结论
新材料产业研发周期长，市场导入周期也长，以聚酰亚胺薄膜耐高温、高电绝缘、高强韧的优异特性，当前应加快市场的开发，使其在高端材料领域的国产化进程进一步加快，成为最具有发展潜力、高附加值和广阔应用前景的产业用新型薄膜材料，从而改善其在电子电工行业中的应用，为国民产值进一步增收。
参考文献
[1]低介电常数聚酰亚胺的研究进展
[2]聚酰亚胺薄膜工业、产品及应用概况
[3]低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展
[4]低介电常数聚酰亚胺材料制备方法研究进展
[5] DevarajuS，etal.HighPerformPolym，2012，24
（2）:
85–96.
[6] SeckinT，etal.MaterChemPhys，2008，112（3）:
1040–1046.
[7] KivilcimN，etal.JPorousMat，2013，20（4）:
709–718.
[8] KimJH，etal.SolEnergy，2012，86（9）:
2606–2612.
[9] 贾红娟，等.功能材料，2011，42（9）:
1646–1648，1652.
[10] KimW，etal.MaterLett，2009，63（11）:
933–936.
[11] ZhangYihe，etal.AdvMatRes，2008，47–50:
973–976.
[12] ZhangYaoming，etal.AcsApplMaterInter，2014，6（13）:
10072–10077.
[13]]WangQihua，etal.JColloidInterfSci，2013，389:
99–105.
[14]低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜的研究进展
[15]高耐热、低介电常数含氟聚酰亚胺材料的合成与性能研究
[16]超薄聚酰亚胺薄膜研究与应用进展
[17]HedrickJL,MilerRD,YoonD.FunctionalOligomersandReactiveCopolymersfortheGenerationofThinFilmNanofoams[J].PolymPrepr,1997,38
（1）:
987-992.
[18]功能型聚酰亚胺薄膜研究进展
[19]MasciaL,KioulA.Polyimide-silicaHybridMaterialsbySol-gelProcessing[J].JMaterSciLett,1994,13:
641-643.
[20]武德珍.制备高反射高导电的聚酰亚胺银膜的新方法-原位一步法制备技术[J].现代涂料与涂装,2005,2:
4-6.
[21]国内聚酰亚胺薄膜产品概况及市场趋势
[22]聚酰亚胺薄膜技术进展与市场前景
[23]邹盛欧.聚酰亚胺发展动向[J].化工新型材料,1999,27（3）:
3-6.
[24]蔡敦盛.聚酰亚胺的发展动向[J].绝缘材料通讯,1986（4）:
35-42.
[25]宋晓峰.聚酰亚胺的研究与进展[J].纤维复合材料,2007（3）:
33-37.
[26]贺飞峰.聚酰亚胺的发展动向,机遇和对策[J].上海化工,2004
（8）:
28-31.
[27]余学新.改性聚酰亚胺薄膜[J].化工新型材料,1986（6）:
33.
[28]柯伟.联苯型聚酰亚胺薄膜制造方法的研究[J].合成树脂及塑料,1991,（3）:
75-76.
[29]聚酰亚胺薄膜工业、产品及应用概况
升级会员 