DDR和DDR2DDR3从外观上的区别Word下载.docx
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区别分析:
DDR2不能向下兼容DDR,DDR2内存芯片与内存模组与DDR有很大差异。
例如，DDR2的工作电压为1.8伏，低于DDR的2.5伏。
DDR2DIMMs不能插入DDR的插口，反之也不能，因为内存模组有专门的“键”或者插口与其连接器相连。
这些键必须与存储器中的一个键相连，才能插入模块。
所有DDR和DDR2模块类型是不同的，以防止插入了不兼容的插口。
如果外观看，很难区别DDR2和DDR主板。
特别提醒:
当DIMM键与插口键不匹配时，不要强行插入模组。
问：
内存ddr1和ddr2的区别是什么？
533400800是什么意思？
DDR1和DDR2分别是两个不同接口的。
DDR1内存在一个周期内执行2条指令，当他工作频率是200MHZ时，就是我们常说的DDR400，同样道理，市场上还有DDR333，466，566，677甚至800的内存。
对于DDR2来说，因为设计的原因，它在1个周期内能解决4条指令，换句话说，工作频率同样是200的DDR2内存，我们称其为DDR2800。
现在的新配机器已经都采用了DDR2作为标准的DIMM内存。
包括AMD刚刚上市的AM2处理器也集成了DDR2内存控制器。
可以这么说，除非是老机器升级内存可以选购DDR400内存，一般新配机器基本都是DDR2533或DDR2667的内存。
同代产品向下兼容，DDR1的333和DDR1的400可以混插，不同代的DDR不能混用。
软件的话用EVEREST比较准而且全面，能看整个电脑所有的硬件而且可以简单测试CPU和内存的性能，CPU-Z体积比较小巧但只能测CPU和内存及主板。
如何从外观上区分ddr1和ddr2内存条？
一般DDRII内存的内存颗粒都是比较小，一眼就可以看到。
还有就是一般在内存的品牌铭牌上面都会标注有（贴在内存颗粒上的）；
另外就是DDR内存是184pin，也就是说金手指那里是两面一共是184个触点，而DDRII是240pin，240个触点。
通过观察就会发现DDRII的金手指触片较细较密。
下图是金士顿DDR4001G内存条图片
下图是金士顿DDRII6671G内存条图片
DDRII6671G内存条图片
DDRII6672G内存条图片
从外观区别DDR和DDR2，DDR3
收集者：
小路
发布于：
发布时间：
2009-11-1813:
29:
41
发布人：
小路
1、DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；
DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.
2、DDR内存的颗粒为长方形
DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一
DDR2和防呆缺口DD
3、使用电压不同
DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V
参数不同之处
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电压VDD/VDDQ
2.5V/2.5V
1.8V/1.8V（±
0.1）
1.5V/1.5V（±
0.075）
I/O接口
SSTL_25
SSTL_18
SSTL_15
数据传输率（Mbps）
200～400
400～800
800～2000
容量标准
64M～1G
256M～4G
512M～8G
MemoryLatency（ns）
15～20
10～20
10～15
CL值
1.5/2/2.5/3
3/4/5/6
5/6/7/8
预取设计（Bit）
2
4
8
逻辑Bank数量
2/4
4/8
8/16
突发长度
2/4/8
封装
TSOP
FBGA
引脚标准
184Pin
240Pin
下一代DDR3内存技术与DDR2的区别
作者：
海枫
DDR2内存的好日子还没过上几天，它的下一代产品DDR3又成为了人们关注的对象。
在本届2006台北Computex会展上，威刚科技向人们展示了新一代的DDR3内存。
威刚此次展示的vitestaDDR3无缓冲DIMM内存包括DDR3-1066和DDR3-1333两种规格，单条容量均为1GB，针脚数240，核心电压1.5+/-0.1V，延迟设定为CL7，虽然DDR3与DDR2一样存在高延迟的缺点，不过DDR3比DDR2拥有更高频率的优势。
威刚科技表示，此次仅展示了DDR3-1066/1333规格，但DDR31666也会很快到来。
在威刚最新推出的DDR3内存中，加入了数据同步设计（DataSynchronization），使电压降低为1.5V，这对以省电为诉求的笔记本计算机而言，电池续航力增加，电池寿命及热量可得到更好的改善。
威刚DDR3系列初期将提供512M、1G容量规格，采用BGA封装，未来根据市场需求，相对地会推出2GB和4GB的更高容量。
目前DDR2尚未完全取代DDR内存，在目前的整机环境下，DDR2基本能够满足各类型电脑的应用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些优势，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。
另外，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
1．更高的外部数据传输率
2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
3．在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处：
突发长度（BurstLength，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BurstLength，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。
在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。
在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。
目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（BearLake），其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?
DDRSDRAM：
严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。
DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；
而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：
DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；
DDR使用了DLL（DelayLockedLoop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。
但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR2的详解
RDRAM：
RDRAM（RambusDRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。
与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。
在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。
而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。
但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。
同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。
另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。
一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。
“上古”时代的FP/EDO内存，由于半导体工艺的限制，频率只有25MHz/50MHz，自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz，终于遇到了难以逾越的障碍。
此后所诞生的DDR1/2/3系列，它们存储单元官方频率（JEDEC制定）始终在100MHz-200MHz之间徘徊，非官方（超频）频率也顶多在250MHz左右，很难突破300MHz。
事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证，除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。
既然存储单元的频率（简称内核频率，也就是电容的刷新频率）不能无限提升，那么就只有在I/O（输入输出）方面做文章，通过改进I/O单元，这就诞生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类。
通常大家所说的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其实并非是内存的真正频率，而是业界约定俗成的等效频率，这些DDR1/2/3内存相当于老牌SDR内存运行在400MHz、800MHz、1600MHz时的带宽，因此频率看上去很夸张，其实真正的内核频率都只有200MHz而已！
内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。
核心频率即为内存Cell阵列（MemoryCellArray，即内部电容）的刷新频率，它是内存的真实运行频率；
时钟频率即I/OBuffer（输入/输出缓冲）的传输频率；
而有效数据传输频率就是指数据传送的频率。
近年来内存的频率虽然在成倍增长，可实际上真正存储单元的频率一直在133MHz-200MHz之间徘徊，这是因为电容的刷新频率基本到了上限。
而每一代DDR的推出，都能够以较低的存储单元频率，实现更大的带宽，并且为将来频率和带宽的提升留下了一定的潜力。
虽然存储单元的频率一直都没变，但内存颗粒的I/O频率却一直在增长，再加上DDR是双倍数据传输，因此内存的数据传输率可以达到核心频率的8倍之多！
相信很多人都知道，DDR1/2/3内存最关键的技术就是分别采用了2/4/8bit数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍，与此同时I/O控制器也必须做相应的改进。
预取，顾名思义就是预先/提前存取数据，也就是说在I/O控制器发出请求之前，存储单元已经事先准备好了2/4/8bit数据。
简单来说这就是把并行传输的数据转换为串行数据流，我们可以把它认为是存储单元内部的Raid/多通道技术，可以说是以电容为单位的。
这种存储阵列内部的实际位宽较大，但是数据输出位宽却比较小的设计，就是所谓的数据预取技术，它可以让内存的数据传输频率倍增。
试想如果我们把一条细水管安装在粗水管之上，那么水流的喷射速度就会翻几倍。
DDR3内存的优势：
低功耗低发热
通过8bit预取技术，DDR3内存的有效频率在DDR2的基础上再次翻倍，延续了SDR/DDR的生命。
但DDR3并非是片面提升频率从而得到高带宽，实际上DDR3除了高频率之外，还有很多不为人知的优点。
工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%
众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发热的影响最大。
和CPU/GPU的发展类似，DRAM在提高频率和容量的同时，电压也在不断的降低。
DDR1的标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。
理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的（都是200MHz），DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！
但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。
使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降。
时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！
经常关注笔记本的朋友应该会发现2008下半年很多品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利用到DDR3内存的巨大带宽，但超低的功耗是非常诱人的，一些专为笔记本设计的内存将电压进一步降至1.35V，功耗仅为DDR2的37%，确实不可思议！
DDR3的最大误区：
相对延迟变大，绝对延迟变小
在DDR3发布初期，由于其性能表现并没有想象中的那么好，所以很多人认为DDR3被它较高的延迟拖了后腿，事实上这个论调在DDR2初代内存身上也出现过，并不稀奇。
那么DDR3真的是延迟太高影响性能了吗？
DDR3的I/O频率相比DDR2有了成倍的增加，为了保证高频率下数据精确的传递，DDR3的总体延迟相比DDR2有所提高。
这些延迟的提高会一定程度上造成内存性能下降，但绝不会超过高频率带来的性能提升。
事实上除了理论CL值这些延迟之外，内存真正的延迟还与工作频率有关。
片面地认为CL数值大就是DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。
事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL4-4-4、DDR2-667的CL5-5-5及DDR2-800的CL6-6-6，其内存延迟均为15ns。
内存实际延迟=CL值*1000/IO频率
通过公式代入计算就能得出，DDR3-1066C7、DDR3-1333C8、DDR3-1600C9的实际延迟都要低于DDR2默认的15ns，和主流的DDR2-800C5差不多。
不论DDR2还是DDR3都有高频低延迟的型号，DDR3依然占据上风。
3个的区别是频率，还有延时，DDR1的最高速度是DDR400，DDR2最高可达1150（极个别的超频条子），而DDR3最低都有1333左右，这个就跟电脑处理器的主频是差不多的，但是呢，随着频率的提高，延时也加大了，所以，最低的DDR3速度不会比最高的DDR2快，同样，DDR2533也比DDR400快不到哪里去。
但同一类型不同频率的内存可以混用，只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率这样会造成性能浪费.
SDR有PC-100和PC-133
DDR有226333400
DDR2有5336678001066
DDR3有1066133316002000甚至更高
升级会员 