低频电子线路真题精选.docx
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低频电子线路真题精选[填空题]1电路如例图（a）所示。
当开关S分别在“1”和“2”时，问哪一个位置的Ic较大，哪一个位置的集电极与发射极之间的耐压较高，为什么？
参考答案：
参考解析：
[填空题]
2电路如图所示。
的ID和Vo的值
参考答案：
利用硅二极管恒压降模型求电路
参考答案：
[填空题]4两只全同的稳压管组成的电路如图所示，假设它们的参数V2和正向特性的
Vth、rD为已知。
试绘出它的传输特性。
参考答案：
[填空题]5已知电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm＝1ms，设rd〉〉Rd。
求电压增益Av
参考答案：
[填空题]6电路参数如图所示。
设FET的参数为gm＝
0.8ms，rd＝200kΩ；3AG29（T2）的β＝40，rbe＝1kΩ。
试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。
参考答案：
[填空题]7测得某放大电路中BJT的三个电极
A、B、C的对地电位分别为VA＝－9V，VB＝一6V，Vc＝6．2V，试分析
A、B、C中哪个是基极
b、发射极
e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
参考答案：
[填空题]
8测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
（a）VC＝6VVB＝2VVE＝
5.4V
VB＝
0.7VVE＝
1.3V
（d）VC＝6V
VE＝0V（c）VC＝6V
VB＝4V
（b）VC＝6VVB＝6VVE＝
3.6V
（e）VC＝
3.6V
VB＝4V
VE＝
3.4V
参考答案：
（a）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。
（b）放大区，VBE＝（2—l．3）V＝0．7V，VCB＝（6－2）V＝4V，发射结正偏，集电结反偏。
（C）饱和区。
（d）截止区。
（e）饱和区。
[填空题]9如图画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：
电阻
Rb、RC的值
参考答案：
[填空题]10如图画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：
要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
参考答案：
基极正弦电流的最大幅值是20μA。
[填空题]11单管放大电路如图所示已知BJT的电流放大系数β＝50。
估算Q点
参考答案：
[填空题]12单管放大电路如图所示已知BJT的电流放大系数β＝50。
参考答案：
估算BJT的朝人电阻rbe[填空题]13如图所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
参考答案：
图a所示电路能稳定Q点，过程如下：
图b所示电路不能稳定Q点，因为[填空题]14电路如图所示，设β＝100
参考答案：
[填空题]15电路如图所示，设β＝100
试求电压增益RO1和RO2
试求输出电阻
参考答案：
[填空题]16一高频BJT，在Ic＝
1.5mA时，测出其低频H参数为：
rbe＝
1.1KΩ，βo＝50，特征频率fT＝100MHz，Cb′c=3pF，试求混合∏型参数
gm、rb′
e、rbb′、Cb′e。
参考答案：
[填空题]17电路如图所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻Rs=5KΩ的信号源．电路参数为：
Rb1=33KΩ，Rb2＝22KΩ。
Re＝
3.9KΩ，Rc＝
4.7KΩ，RL＝
5.1KΩ，Ce＝50μF（与Re并联的电容器）．Vcc＝5V．IE≈
0.33mA，β0＝120，rce＝300KΩ，rb′b=50Ω，fT=700MHZ及Cb′c=1pF。
参考答案：
上限频率fH[填空题]18设某集成运放的开环频率响应的表达式为
其中fH1＝1MHz，fH2＝10MHz，fH3＝50MHz。
若利用该运放组成一电阻性负反馈放大电路，并要求有45°的相位相度，问此放大电路的最大环路增益为多少？
参考答案：
[填空题]19如图所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导电路的传递函数，并求出其－3dB截止角频率ωH。
（A为理想运放）
参考答案：
[填空题]20双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图所示。
求解下列问题。
若vi1=1500μV。
vi2=500μV，求差模输人电压vid，共模输入电压vic的值
参考答案：
[填空题]21双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图所示。
求解下列问题。
入电压为vid时，若从C2点输出，求vc2与vid的相位关系
参考答案：
vc2与vid同相更多内容请访问《睦霖题库》微信公众号
[填空题]22电路如图所示，JFET的gm＝2mS，rDS＝20kΩ，求：
当输
时的差模电压增益AVD＝（vo1-vo2）／vid的值
参考答案：
双端输出[填空题]23电路如图所示，已知BJT的β1=β2=β3=50，rce=200kΩ，VBE=
0.7V，试求单端输出时的差模电压增益AVD2、共模抑制比
KCMR、差模输人电阻Rid和输出电阻Ro。
参考答案：
[填空题]24路如图所示，设所有BJT的β＝20，rbe＝
2.5KΩ，rce＝200KΩ，FET的gm＝4mS，其它参数如图所示。
求：
Rid和Ro
参考答案：
[填空题]25某反馈放大电路的方框图如图所示。
试推导其闭环增益
的表达式。
参考答案：
[填空题]26在同相输人加法电路如图所示，求输出电压vo；当R1＝R2＝R3＝Rf时，vo
＝？
参考答案：
[填空题]27图为一增益线性调节运放电路，试推导该电路的电压增益的表达式。
参考答案：
[填空题]28在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？
它们中哪一类放大电路效率最高？
参考答案：
在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流ic不出现截止状态（即导通角θ＝2π）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通（θ＝π）的称为乙类；导通时间大于半周而小于全周（π＜θ＜2π）的称为甲乙类。
其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达78．5％。
[填空题]29功率放大电路如图所示，已知，VCC=20V，-VCC=20V，负载电阻RL=8Ω。
设晶体管T1，T2的特性相同，死区电压Vces可忽略。
求：
R=0时，电路的最大输出功率PCM及此时的PV，η及每管的功耗PT
参考答案：
[填空题]30功率放大电路如图所示，已知，VCC=20V，-VCC=20V，负载电阻RL=8Ω。
设晶体管T1，T2的特性相同，死区电压Vces可忽略。
求：
R=
0.5Ω，电路的最大输出功率PCM及此时的PV，η，PT
参考答案：
[填空题]31变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v2av2b=√2V2sinωt假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。
iD1、iL、Lv及一极管承受的反向电压vRo的波形；
参考答案：
试画出v2a、v2b、iD1、[填空题]32变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v2a-v2b=√2V2sinωt假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。
均电流
ID、最大反向电压VRM
参考答案：
计算整流二极管的平
[填空题]33电路如图所示，稳压管Dz的稳定电压Vz＝6V，VI＝18V，C＝1000pF，R＝RL
＝1KΩ电路中稳压管接反或限流电阻R短路，会出现什么现象？
参考答案：
稳压管接反使VO降低到约为
0.7V；而限流电阻R短路，IR电流过大，使IZ电流超过允许值会使稳压管烧坏。
[填空题]34电路如图所示，稳压管Dz的稳定电压Vz＝6V，VI＝18V，C＝1000pF，R＝RL
＝1KΩ若电容器C断开，试画
vI、vO及电阻R两端电压vR的波形。
参考答案：
[填空题]35在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3，受主原子数等于3×1014cm-3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。
由此判断它是N型还是P型锗？
它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？
＝Nd＝1015cm-3，重做上述内容。
述内容。
参考答案：
（2）若Na
（3）若Nd＝1016cm-3，Na＝1014cm-3，重做上[填空题]36在室温（300K）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流为
0.5mA时应加多大的电压。
设二极管的指数模型为iD=IS（eυD/mVT-1），其中m＝1，VT＝26mV。
参考答案：
[填空题]37由理想二极管组成的电路如图所示，试求图中标注的电压V和电流I的大
小。
参考答案：
[填空题]38如图所示电路中稳压管的稳压值为6V，稳定电流为10mA，额定功率为
200mW，试问
当电源电压在18V~30V范围内变
化时，输出Vo是多少？
稳压管是否安全？
参考答案：
[填空题]39如图所示电路中稳压管的稳压值为6V，稳定电流为10mA，额定功率为200mW，试问压的大小应满足什么条件？
参考答案：
要使稳压管起稳压作用，电源电
[填空题]
40已知电路如图所示，试判断下列两种情况下电路中三极管的状态：
（1）
VCC=15VVCC=18V
Rb＝390kΩRb＝310kΩ
Rc＝
3.1kΩRc＝
4.7kΩ
β＝100
（2）β＝100
参考答案：
[填空题]41已知半导体三极管静态工作点电流ICQ=2mA，β＝80，|VA|＝100V，rbb′=0，试画出器件的混合π型等效电路，并求其参数rb′
e、gm和rce值。
参考答案：
[填空题]42画出如图放大电路的直流通路和交流通路以及ν
B、iB、iE、νE的波形图（设νs=Vsmsinωt，Vsm＜＜VBE，放大器处于线性状态工作，而且在工作频率下耦合电容Cb和Ce足够大，它们所呈现的阻抗很小，可视为短路）。
参考答案：
[填空题]43设计一个如图所示的分压式偏置电路。
已知β=50，VCC=12V它的静态工作点ICQ=1mA，VCEQ=
4.5V，VBEQ=
0.7V。
试选择Rb1、Rb2、Rc和Re。
参考答案：
[填空题]44如图所示电路，属于何种组态？
若输入信号波形为正弦波，试定性画出ν
BE、iE、iC、νCB及νo的波形，并说明νo与νi的相位关系。
参考答案：
[填空题]45由N沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如图，设静态值VGS＝-
0.2V，gm＝
1.2mA/V，试求：
电
压放大倍数Aυ，输入电阻Ri和输出电阻Ro。
参考答案：
[填空题]46在如图所示共发-共基组合差分放大器电路中，VB为共基管T3、T4提供偏置。
设超β管T1、T2的β1＝β2＝5000，T3、T4的β3＝β4＝200，设T3、T4管的|VA|→∞。
试求差模输入电阻Rid，双端输出时的差模电压增益Aυd。
参考答案：
[填空题]47如图所示为有源负载差分放大器，已知各管参数相同，VBE＝
0.7V，β＝100，|VA|＝100V，试画出差模交流通路和等效电路，并求差模输入电阻
Rid、差模输出电阻
Rod、差模电压增益Aυd＝υod/υid。
参考答案：
[填空题]48在图中，已知VCC＝15V，R4＝R5＝
0.5Ω，RL＝8Ω，三极管的饱和压降均为
2V，在输入电压足够大时，求：
负载电阻RL上的电流的最大值IL。
max
参考答案：
[填空题]49在如图所示电路中，已知二极管的导通电压VD（on）＝
0.7V，三极管导通时的VBE＝
0.7V，T2和T3管发射极静态电位VEQ＝0。
试问：
各为多少？
参考答案：
T1、T3和T5管基极的静态电位
[填空题]50在如图所示电路中，已知二极管的导通电压VD（on）＝
0.7V，三极管导通时的VBE＝
0.7V，T2和T3管发射极静态电位VEQ＝0。
试问：
若静态时IB1＞IB3，则应调节哪个参数可使IB1＝IB3？
如何调节？
参考答案：
若静态时iB1＞iB3，则可以向电阻增大方向调节电阻R3使iB1＝iB3。
[填空题]51在如图所示电路中，已知二极管的导通电压VD（on）＝
0.7V，三极管导通时的VBE＝
0.7V，T2和T3管发射极静态电位VEQ＝0。
试问：
电路中二极管的个数可以是
1、2、3、4吗？
你认为哪个最合适？
为什么？
参考答案：
在电路中采用题图的方式就很好，即用两支二极管和一个小电阻相串联，因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。
如果采用三支二极管相串联也可以，因为晶体管T1与T3之间刚好有三个PN结。
[填空题]52在如图所示电路中，已知二极管的导通电压VD（on）＝
0.7V，三极管导通时的VBE＝
0.7V，T2和T3管发射极静态电位VEQ＝0。
试问：
设R2＝10kΩ，R3＝100Ω。
若T1和T3管基极的静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流约为多少？
静态时υi为多少？
参考答案：
[填空题]53在图中，已知VCC＝15V，R4＝R5＝
0.5Ω，RL＝8Ω，三极管的饱和压降均为2V，在输入电压足够大时，求：
的输出功率Pomax和效率η
参考答案：
最大
[填空题]54在图中，已知VCC＝15V，R4＝R5＝
0.5Ω，RL＝8Ω，三极管的饱和压降均为2V，在输入电压足够大时，求：
不失真输出电压的有效值Vom
参考答案：
最大
[填空题]55比例式电流源电路如图所示，已知各三极管特性一致，VBE＝
0.7V，β＝100，|VA|＝120V，试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。
参考答案：
[填空题]56在如图所示的差分放大器中，已知υi1＝
5.01V，υi2＝
4.98V，β＝100，VBE＝
0.7V，试求T1和T2管的集电极静态电流ICQ，共模输入电压υic和差模输入
电压υid。
参考答案：
[填空题]57由N沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如图，设静态值VGS＝-
0.2V，gm＝
1.2mA/V，试求：
静
态值ID和VDS
参考答案：
[填空题]58已知如图所示放大电路中三极管的参数为β=40，rbb′=300Ω，试估算它的工作点及电压增益，如果放大器输出端外接4kΩ的负载，问这时放大器的电压增益下降到多少？
参考答案：
[填空题]59试用估算法确定如图所示放大电路的Q点。
已知三极管的β=50。
参考答案：
[填空题]60在如图所示的电路中，已知管子的β=100V，VBE（on）=-
0.7V，ICQ=-
2.17mA，rce不计，信号源νs=
0.1sinωt（V），Rs=10kΩ，设rbb′=0，试求三极管各极电压和电流值
iB、ν
BE、iC、νCE。
参考答案：
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