唐介电工学第三版-第11章电力电子技术.ppt
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1,第11章电力电子技术,11.1晶闸管,11.2可控整流电路,*11.3交流调压电路,*11.4直流调压电路,*11.5逆变电路,*11.6晶闸管触发电路,下一章,上一章,返回主页,大连理工大学电气工程系,2,11.1晶闸管,一、普通晶闸管,图形符号,1.基本结构,大连理工大学电气工程系,3,2.工作原理,
(1)uG0时无论uA0或uA0,晶闸管均截止。
PNP管,NPN管,大连理工大学电气工程系,4,
(2)uA0,uG0时,iGiB1T1导通iC1=iB2T2导通iB1=iGiC2T1进一步导通由于iB1iC2,可使iG=0。
T2,T1,管子迅速导通。
大连理工大学电气工程系,5,(3)晶闸管导通后若uA0,uG0,管子会继续导通。
(4)晶闸管由导通转换为截止的条件,结论:
晶闸管具有单向导电性(直流开关)。
uA0或iAIH(维持电流),大连理工大学电气工程系,6,3.主要参数,
(1)额定正向平均电流IF允许通过的工频正弦半波电流在一个周期内的平均值,
(2)正向重复峰值电压UFRM,(3)反向重复峰值电压URRM,(4)控制极触发电压UG和触发电流IG,大连理工大学电气工程系,7,*二、双向晶闸管,*三、可关断晶闸管,uA0时,uG0,管子导通;uA0时,uG0,管子截止。
相当于两个反向晶闸管并联,两者共用一个控制极。
大连理工大学电气工程系,8,单相桥式整流电路中的两个二极管用可控的晶闸管替换半控。
1.电路结构,11.2可控整流电路,大连理工大学电气工程系,9,2.工作原理,正半周,T2、D1承受反向电压截止,T1、D2承受正向电压,,控制极电压uG在t=时施加,故在t时,T1和D2导通,电流通路:
aT1,RLD2,b,a,b,T,+,-,u2,+,-,u1,uG,T1,D1,uG,T2,D2,RL,+,-,uO,iO,大连理工大学电气工程系,10,负半周,T1、D2承受反向电压截止,T2、D1承受正向电压。
控制极电压uG在t=+时施加,故在+t2时,T2和D1导通。
电流通路:
bT2,RLD1,a,a,b,T,+,-,u2,+,-,u1,uG,T1,D1,uG,T2,D2,RL,+,-,uO,iO,2.工作原理,大连理工大学电气工程系,11,3.工作波形,+,2,a,b,+,-,u2,uG,T1,D1,uG,T2,D2,RL,+,-,uO,iO,负载RL上得到不完整的全波脉动电压。
大连理工大学电气工程系,12,4.主要参数,uO,2,t,UO,
(1)负载直流电压,
(2)负载直流电流,大连理工大学电气工程系,13,(3)二极管和晶闸管平均电流,ID=IT=0.5IO,(4)晶闸管电流有效值,(5)晶闸管正向阳极电压最大值,大连理工大学电气工程系,14,(7)二极管反向阳极电压最大值,(6)晶闸管反向阳极电压最大值,大连理工大学电气工程系,15,例11.2.1一单相桥式半控整流电路,交流输入电压有效值U2=100V,负载电阻RL=10,控制角的调节范围为0o120o。
求下述数值的变化范围:
(1)输出直流电压,
(2)输出直流电流,(3)晶闸管平均电流,(4)晶闸管电流有效值。
解,
(1)输出直流电压的变化范围,当=0o时,,当=120o时,,大连理工大学电气工程系,16,
(2)输出直流电流的变化范围,当=0o时,,当=120o时,,(3)晶闸管平均电流的变化范围,当=0o时,,当=120o时,,大连理工大学电气工程系,17,(4)晶闸管电流有效值的变化范围,当=0o时,,当=120o时,,大连理工大学电气工程系,18,输出电压有效值,电路结构,*11.3交流调压电路,输出电流有效值,大连理工大学电气工程系,19,例11.3.1交流调压电路,交流输入电压有效值UI=220V,负载电阻RL=11,控制角的调节范围为0o90o。
求输出电压和输出直流的变化范围。
解,当=0o时,,大连理工大学电气工程系,20,当=90o时,,故当=0o90o时,UO=220V155.56V,IO=20A14.14A,大连理工大学电气工程系,21,输入电压和输出电压关系,电路结构:
*11.4直流调压电路,占空比,输出电压波形,直流输出电流,大连理工大学电气工程系,22,例11.1直流调压电路,输入电压UI=110V,若要求直流输出电压UO在080V范围内可调。
求占空比的调节范围。
解,当UO=0V时,,当UO=80V时,,大连理工大学电气工程系,23,逆变电路分类:
*11.5逆变电路,输入电源,电压型,电流型,输出电源相数,三相,单相,输出波形,矩形波,正弦波,逆变电路作用:
将直流电变换为交流电。
大连理工大学电气工程系,24,电路结构,可关断晶闸管电路,输出电压波形,大连理工大学电气工程系,25,*11.6晶闸管触发电路,也称为双基极二极管。
一、单结晶体管,图形符号,B2(第二基极),B1(第一基极),E(发射极),PN结,N型硅片,大连理工大学电气工程系,26,电路模型和伏安特性,伏安特性,电路模型,分压比,峰点电压,大连理工大学电气工程系,27,二、触发电路,触发波形,触发电路,大连理工大学电气工程系,28,完整的可控整流电路,T2,+,-,u2,T1,D1,T2,D2,RL,T1,+,-,u2,+,-,u1,R,B2,B1,C,R2,R1,第11章结束,下一章,上一章,返回主页,