24、电感式传感器有三种形式，分别称为（变气隙型）、（变面积型）、（螺管型）。
25、差动变压器的零点残余电动势是由于（制作上的不对称）及（铁芯位置）因素所造成的。
26、影响差动变压器输出线性度和灵敏度的主要因素是（零点残余电动势E0）的存在。
27、变间隙式电感传感器，导磁体的磁阻远远小于空气的磁阻则：
传感器的输出电感为近似为
（L=N2μ0A/2δ）。
A为铁心截面积，μ0为空气磁导率，N为线圈匝数，δ为空气隙厚度，
28、变间隙δ式自感传感器，其L与δ曲线为（双曲线）。
29、变间隙δ式自感传感器的衔铁的位移一般不能超过（0.1～0.2）δ0。
30、电感式传感器其电感L与气隙δ成（非线性）；与磁通截面积A成（正比）。
31、电涡流传感器的灵敏度主要受到（被测体大小）影响.
32、电涡流式传感器可以对表面为（金属导体）的物体实现多种物理量的（非接触）测量，
33、某些晶体，在一定方向受到外力作用时，内部将产生极化现象，相应地在晶体的两个表面产生符号相反的电荷；当外力作用除去时，又恢复到不带电状态。
当作用力方向改变时，电荷的极性也随着改变，这种现象称为（压电效应）。
34、石英晶体有三个晶轴，分别是（光轴、z轴）、（电轴、X轴）、（机械轴、Y轴）。
35、当沿着X轴对晶片施加力时，将在垂直于X轴的表面上产生电荷，这种现象称为（纵向压电效应）。
36、沿着Y轴对晶片施加力的作用时，电荷出现在与X轴垂直的表面上，称之为（横向压电效应）。
37、横向压电效应产生的电荷为（qxy=dxy（a/b）Fy）。
38、纵向压电效应产生的电荷为（qxx=dxx×Fx）。
39、横向压电效应产生的电荷与纵向压电效应产生的电荷的关系是（dxy（a/b）Fy=—dxx×Fx）。
40、当晶片受到X向的压力作用时，产生的电荷与晶片的几何尺寸（无关）。
41、沿机械轴方向向晶片施加压力时，产生的电荷与几何尺寸（有关）。
42、沿Y轴的压力产生的电荷与沿X轴施加压力所产生的电荷极性是（相反）的。
43、压电陶瓷具有（电畴）结构的压电材料。
44、压电陶硅通常取它的极化方向为（Z轴）。
45、当压电陶资在沿极化方向Z轴受力时，则在（垂直于Z）轴的表面上将会出现电荷为（q=dzzF）。
46、压电陶瓷在受到Y轴的作用力F时，则在（垂直于Z）轴的上下平面上分别出现正、负电荷
（q=－dzYFAX/AY）；
47、⑴、电涡流传感器可以用来探测诸多与（电涡流）有关的参数。
48、由电磁感应原理产生的旋涡状感应电流称为（电涡流），这种现象称为（电涡流）效应。
49、电涡流传感器中，利用阻抗Z作为变量的转换电路属于（调幅电路）
50、电涡流传感器中，利用电感L作为变量的转换电路属于（谐振电路）。
51、将n支同型号热电偶依次正负极相连接组成串联测量线路，若单支热电偶输出的热电动势为E，则电路总的输出电势为（nE）。
52、光电传感器一般由（光源、光学通路、光电元件）三部分组成。
53、光电传感器的常用光源有：
（发光二极管、钨丝灯泡、激光）等三种。
54、光电元件一般分成（真空和半导体）光电元件两大类。
55、用光照射某一物体，可以看做是一连串能量为hν的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应，这种物理现象称为（光电效应）。
56、通常把光电效应分为三类（外光电效应、内光电效应、光生伏特效应）
57、在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为（外光电）效应；
58、基于外光电效应的光电元件有（光电管、光电倍增管）等。
59、在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为（内光电）效应。
60、基于内光电效应的光电元件有：
（光敏电阻、光敏晶体管）等。
61、在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为（光生伏特效应）；
62、基于光生伏特效应的光电元件有：
（光电池）等。
63、要使电子逸出阴极表面成为光电子的必要条件是：
（hν>A：
A为电子逸出阴极材料的逸出功）。
64、对每一种阴极材料，入射光都有一个确定的频率限，当人射光的频率低于此频率限时，不会产生光电子发射，此频率限称为（红限）。
65、红限相应的波长为（λk=hc/A）。
66、在光电管内形成空间电子流，称为（光电流Iφ）。
67、在光线的作用下其阻值往往变小，这种现象称为（光导效应）；光敏电阻又称（光导管）。
68、光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为（暗阻）。
69、光敏电阻在室温和全暗条件下，流过暗阻的电流称为（暗电流）。
70、光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为（亮阻）。
71、光敏电阻在室温和一定光照条件下，流过亮阻的电流称为（亮电流）。
72、亮电流与暗电流之差称为（光电流）。
73、光敏电阻伏安特性近似（直线），而且没有（饱和）现象。
74、光源向各个方向射出的光功率。
也即每一单位时间射出的光能量称为（光通量）；以φ表示，单位为流明（lumen、简称lm）。
75、光源照射到单位面积上的光通量称为（光照度）；用E表示。
照度的单位为勒克斯（Lux,简称lx）
76、光敏电阻的光电流与光照度E之间的关系称为（光电）特性。
77、光敏电阻的光电特性呈（非线性）。
78、光敏电阻的相对灵敏度Kr与不同波长的人射光的关系，称为光敏电阻的（光谱）特性。
79、光敏电阻的相对灵敏度Kr与光强变化频率f之间的关系曲线，称为（频率）特性。
80、在一定照度下，光敏电阻两端所加的电压与流过光敏电阻的电流之间的关系称为（伏安）特性。
81、光敏晶体管通常指光敏二极管和光敏三极管，它们的工作原理也是基于（内光电）效应；
82、光敏二极管在电路中通常处于（反向偏置）状态，
83、在人射光照度一定时，光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化的特性称为（光谱）特性；
84、光敏三极管在不同照度下电流与电压的关系称为光敏三极管的（伏安）特性。
85、光敏三极管在外加偏置电压一定时，光敏晶体管的输出电流和光照度E的关系称为（光电）特性。
86、光敏晶体管受调制光照射时，相对灵敏度与调制频率的关系称为（频率）特性。
87、光敏三极管的伏安特性，是改变（光照度E（lx）），从而得到的一簇Uce-Ie曲线。
88、光电（照）特性指外加偏置电压一定时，光敏晶体管的输出电流和（光照度E）的关系。
89、光电池对不同波长的光，其灵敏度是不同的特性称为（光谱）特性。
90、光电池在不同的光照度下，光生电动势和光电流是不相同的特性称为（光电）特性。
91、光电池输出电流与人射光调制频率的关系称为光电池的（频率）特性。
92、光电池是一种（自发电式）的光电元件，它受到光照时自身能产生一定方向的电动势，在不加电源的情况下，只要接通外电路，便有电流通过。
93、光电池在不同的光照度下，光生电动势和光电流是不相同的特性称为硅光电池的（光电）特性。
94、硅光电池的光电特性表明：
开路电压与光照度的关系是（非）线性的，而且在光照E变为（2000）1x时就趋于饱和；
95、硅光电池的光电特性表明：
而短路电流在很大范围内与光照度成（线性）关系。
96、光电池在接近短路的状态工作，也就是把光电池作为（电流源）来使用。
97、硅光电池的频率特性较好，工作频率的上限约为（数万）Hz；
98、光电池在检测连续变化的光照度时，应当尽量使光电池在接近（短路）的状态工作，
99、霍耳传感器是利用半导体材料的（霍耳）效应进行测量的一种传感器。
100、霍耳传感器可以直接测量（磁场及微位移量），也可以间接测量液位、压力等工业生产过程参数。
101、在置于磁场中的导体或半导体里通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电势差，这种现象称为（霍耳效应）。
102、在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电荷的积累。
在A、B两端面因电荷积累而建立了一个电场EH，称为（霍耳电场）。
103、霍耳电场EH可表示为（EH=vB）
104、霍耳电压UH表示为（KHIB）。
105、霍耳系数表示为（RH=1/nq）：
106、霍耳系数RH，它表示一个霍耳元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的（霍耳电压）的大小；
107、霍耳元件灵敏度KH表示为（RH/d），它的单位是m/V（mA.T）；
108、霍耳元件灵敏度KH是在单位磁感应强度和单位激励电流作用下，霍耳元件输出的（霍耳电压值）。
109、霍耳元件灵敏度KH不仅决定于载流体材料，而且取决于它的（几何尺寸）（KH=1/nqd）。
110、霍耳元件的控制电流恒定时，磁场B愈大，霍耳电压UH（愈大）。
111、当磁场B改变方向时，霍耳电压UH（也改变）方向。
112、当霍耳灵敏度RH及磁感应强度B恒定时，增加控制电流I，也可以（提高）霍耳电压UH的输出。
113、在同样磁场强度、相同尺寸和相等功耗下，不同材料的元件输出的霍耳电压UHm仅仅取决于（µρl/2），即取决于（材料本身的性质）。
114、霍耳元件的温度特性是指元件的（内阻及输出）与温度之间的关系。
115、对于国产HZ-1型霍耳元件，α=0.04%，β=O.5%，Ri0=110Ω时，输
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