半导体物理学题库11

1、精品文档 一填空题 1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射. 2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子.这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N型半导体. 3. 当半导体中载流子浓度的分。

2、在存在自建电场的半导体中产生光生伏特,可制成光电池;光生载流子发生辐射复合时,伴随着发射光子,这就是半导体的发光现象,利用这种现象可制成发光管. 精品文档16. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变。

3、与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成 和纤锌矿等两种晶格结构. 金刚石,闪锌矿11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢 k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为 禁带半。

4、复习题半导体物理学一填空题1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射.2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子.这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N型半导体.3. 当半导体中载流子浓度的。

5、10对于 N 型半导体,当掺杂浓度提高时,费米能级分别向 移动;对于 P 型半导体,当温度升高时,费米能级向 移动.三简答题1什么是有效质量,引入有效质量的意义何在有效质量与惯性质量的区别是什么 2说明元。

6、半导体吸收光子后产生光生载流子,在均匀半导体中是电导率增加,可制成光敏电阻;在存在自建电场的半导体中产生光生伏特,可制成光电池;光生载流子发生辐射复合时,伴随着发射光子,这就是半导体的发光现象,利用这种现象可。

7、本形式的电荷或能态.10.对于 N 型半导体,当掺杂浓度提高时,费米能级分别向 移动;对于 P 型半导体,当温度升高时,费米能级向 移动.三简答题1.什么是有效质量,引入有效质量的意义何在有效质量与惯性质量的区。

8、半导体物理学题目整合1填空题1 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的的作用.二阶导数,内部势场2 半导体导带中的电子浓度取决于导带的即量子态按能量如何分布和 即电子在不同能量的量子态上如何。

9、兰州大学807半导体物理真题兰州大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:半导体物理 科目代码:807 考试时间: 月 日注:特别提醒所有答案一律写在答题纸上,直接写在试题或草稿纸上的无效一解释下列概念:1霍尔效应:2共有化运动。

10、半导体物理学简答题及答案复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 ,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同.原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的 形式存在,没。

11、 第三章习题第三章习题和答案和答案 1.计算能量在 EEc到2n2CL2m100EE 之间单位体积中的量子态数.解:2.试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式36.32223328100E2123322100E0021233231000。

12、半导体物理学简答题及答案精半导体物理学简答题及答案精 第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同.答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子。

13、半导体物理学第三章习题和答案第三章习题和答案1. 计算能量在EEc到 之间单位体积中的量子态数.解:2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式36.3. 当EEF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分。

14、最新复习题半导体物理学一填空题1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射.2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子.这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N型半导体.3. 当半导体中载流子浓。

15、完整word版半导体器件物理 试题库半导体器件试题库常用单位:在室温T 300K时,硅本征载流子的浓度为 ni 1.51010cm3电荷的电量q 1.61019C n1350 p500 08.8541012 Fm 一半导体物理基础部分一名词。

16、半导体物理学简答题及问题详解半导体物理学简答题及问题详解 复习思考题与自测题 第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中层电子和外层电 子参与共有化运动有何不同. 答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相。