半导体物理学题库

1、半导体物理作业题第一章习题1. 什么是电子的共有化运动 答:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限于某一个原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而,电子可以在整个晶体中运动.2. 金属导体与半导体,绝缘体与半导体,导电。

2、半导体物理习题答案 第一章半导体中的电子状态例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反.即:vk vk,并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零.解:K状态电子的速度为: 1同理,K状态电子的速度则为:2从一维。

3、半导体物理问答题2第一篇 习题 半导体中的电子状态11 什么叫本征激发温度越高,本征激发的载流子越多,为什么试定性说明之.12 试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因.13 试指出空穴的主要特征.14简述GeSi和GaAS的能带结。

4、半导体物理问答题第一篇 习题 半导体中的电子状态11 什么叫本征激发温度越高,本征激发的载流子越多,为什么试定性说明之.12 试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因.13 试指出空穴的主要特征.14简述GeSi和GaAS的能带结构。

5、与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成 和纤锌矿等两种晶格结构. 金刚石,闪锌矿11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢 k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为 禁带半。

6、复习题半导体物理学一填空题1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射.2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子.这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N型半导体.3. 当半导体中载流子浓度的。

7、半导体物理真题精选填空题1试分别说明:1在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,载流子浓度越高;2对一定的材料,当掺杂浓度一定时,温度越高,载流子浓度越高.参考答案 :1在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,则跃迁。

8、半导体物理真题docx历年真题第一章1SiGaAs半导体材料的导带底价带顶分别在k空间什么位置其晶体结构和解理面 分别是什么哪个是直接带隙,哪个是间接带隙 20062对于金刚石结构的硅Si和闪锌矿结构的碑化GaAs,在111晶面上,其原子面。

9、半导体物理习题第一篇半导体中的电子状态11什么叫本征激发为什么温度越高,本征激发的载流子越多. 12 试定性说明 Ge, Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因.13试指出空穴的主要特征.14简述 Ge Si 和 GaAS 的能带结构的主要特。

10、半导体物理学题目整合1填空题1 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的的作用.二阶导数,内部势场2 半导体导带中的电子浓度取决于导带的即量子态按能量如何分布和 即电子在不同能量的量子态上如何。

11、 CALFENGHAI2020YEARYICAIJINGBIAN半导体物理习题附: 半导体物理习题第一章 晶体结构1. 指出下述各种结构是不是布拉伐格子.如果是,请给出三个原基矢量;如果不是,请找出相应的布拉伐格子和尽可能小的基元.1 底心。

12、最新复习题半导体物理学一填空题1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射.2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子.这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N型半导体.3. 当半导体中载流子浓。

13、完整word版半导体器件物理 试题库半导体器件试题库常用单位:在室温T 300K时,硅本征载流子的浓度为 ni 1.51010cm3电荷的电量q 1.61019C n1350 p500 08.8541012 Fm 一半导体物理基础部分一名词。

14、半导体物理习题集第一章 半导体中的电子状态习题11 什么叫本征激发温度越高,本征激发的载流子越多,为什么试定性说明之.12 试定性说明 Ge Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因.13试指出空穴的主要特征.14简述 GeSi 和 GaAS 。