半导体物理学习题解答

1、在存在自建电场的半导体中产生光生伏特,可制成光电池;光生载流子发生辐射复合时,伴随着发射光子,这就是半导体的发光现象,利用这种现象可制成发光管. 精品文档16. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变。

2、精品半导体物理习题答案供参考关键字精品第一章半导体中的电子状态例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反.即:vk vk,并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零.解:K状态电子的速度为: 1同理,K状态电子的。

3、半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第三章习题和答案第三章习题和答案1. 计算能量在EEc到之间单位体积中的量子态数.解:2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式36.3. 当EEF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用费米。

4、2 试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因.3 试指出空穴的主要特征.4 简述GeSi和GaAs的能带结构的主要特征.5 某一维晶体的电子能带为其中E03eV,晶格常数a51011m。

5、3 试指出空穴的主要特征.4 简述GeSi和GaAs的能带结构的主要特征.5 某一维晶体的电子能带为其中E03eV,晶格常数a51011m.求: 1能带宽度; 2能带底和能带顶的有效质。

6、半导体物理学第7版第三章习题和答案第三章习题和答案1. 计算能量在EEc到 之间单位体积中的量子态数.解:2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式36.3. 当EEF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用费米分布函数和玻耳。

7、半导体吸收光子后产生光生载流子,在均匀半导体中是电导率增加,可制成光敏电阻;在存在自建电场的半导体中产生光生伏特,可制成光电池;光生载流子发生辐射复合时,伴随着发射光子,这就是半导体的发光现象,利用这种现象可。

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9、半导体物理学课后习题第五章第六章答案讲解学习半导体物理学课后习题第五章第六章答案第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm3, 空穴的寿命为100us.计算空穴的复合率.2. 用强光照射n型样品,假定光被均匀地吸收。

10、半导体物理综合练习题 参考答案1晶格常数2.5的一维晶格,当外加102Vm和107Vm电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间.110nm1010m2指出下图中各表示的是什么半导体3如图所示,解释一下n0T关系曲线.若费米能EF5。

11、半导体物理习题及答案讲课讲稿半导体物理习题及答案复习思考题与自测题第一章 1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同. 答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的。

12、第三次作业,1计算能量在 到 之间单位体积中的量子态数.解:导带底附近状态密度为:由状态密度定义:所以单位体积量子态数:两边积分,第三次作业,第三次作业,2试证明实际硅锗中导带附近状态密度公式为解:对于实际半导体硅锗,在它们的导带附近,等能。

13、半导体物理学简答题及答案复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 ,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同.原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的 形式存在,没。

14、半导体物理课后习题答案精第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Eck和价带极大值附近能量EVk分别为:h2k2h2kk12h2k213h2k2Ec ,EVk3m0m06m0m0m0为电子惯性质量,k11禁带宽度;2 导带底。

15、 第三章习题第三章习题和答案和答案 1.计算能量在 EEc到2n2CL2m100EE 之间单位体积中的量子态数.解:2.试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式36.32223328100E2123322100E0021233231000。

16、半导体物理学简答题及答案精半导体物理学简答题及答案精 第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同.答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子。

17、最新复习题半导体物理学一填空题1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射.2. 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质,当杂质电离时释放电子.这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N型半导体.3. 当半导体中载流子浓。