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TR518系列ICT训练课程

TR-518系列ICT训练课程

编辑整理:

 

尊敬的读者朋友们:

这里是精品文档编辑中心,本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的,发布之前我们对文中内容进行仔细校对,但是难免会有疏漏的地方,但是任然希望(TR-518系列ICT训练课程)的内容能够给您的工作和学习带来便利。

同时也真诚的希望收到您的建议和反馈,这将是我们进步的源泉,前进的动力。

本文可编辑可修改,如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅,最后祝您生活愉快业绩进步,以下为TR-518系列ICT训练课程的全部内容。

TR-518系列ICT训练课程

518系列ICT又分以下4款:

1.TR-518(1989年推出,CMOS切换开关,性能

稳定,德律首创之ICT)

2.TR—518F(1992年推出,CMOS+ArmatureRelay

创新技术,功能大辐提升,速度较518

快一倍,台湾精品奖)

3.TR-518FR(1996年推出,ReedRelay开关,方便

整合功能量测,功能强大,速度更较

518F快一倍,台湾精品奖)

4.TR—518FE(1996年推出,CMOS+ArmatureRelay

的完美应用,超强功能,速度较518F

快一倍以上,台湾精品奖)

 

ICT的概念

1.何谓ICT?

ICT即在线测试仪(InCircuitTester),是一大堆高级电表的组合.电表能测到,ICT就能测到,电表测不到,ICT可能也测不到。

例如:

R//Jumper,则R无法用电表测出,而ICT也测不出。

2.ICT能测些什么?

Open/Short,R,L,C及PN结(含二极管,三极管,Zener,IC)

3.ICT与电表有何差异?

ICT可对旁路组件进行隔离(Guarding),而电表不可以。

所以电表测不到,ICT可能测得到。

例如:

R//(R1+R2),则电表测不出R,只测出R(R1+R2)/(R+R1+R2),ICT却可测出R。

4.ICT与ATE有何差异?

ICT只做静态测试,而ATE可做动态测试。

即ICT对被测机板不通电(不加Vcc/GND),而ATE则通电。

例如:

板上有一颗反向器要测,则ATE可测其反向特性,而ICT不能测。

ICT量测原理

奥姆定律:

R=V/I

请各位仔细透彻的理解奥姆定律,即:

R既可认为是电阻,也可认为

是其它阻抗,如:

Zc容抗、Zl感抗。

而V有交流、直流之分。

I也

一样,有交流、直流之分。

这样才可以在学习ICT测试原理时,把

握其主脉,因为奥姆定律贯穿其始终,可称得上万能定律!

1.量测R:

单个R(mode0,1):

利用Vx=IsRx(奥姆定律),则Rx=Vx/Is.信号源Is取恒流(0。

1uA-5mA),量回Vx即可算出Rx值。

 

信号源Is与Rx关系表

Rx(标准值)

Is(常电流源)

Is/10(低档电流源)

0

mA5

mA0。

5

300≤Rx<3KΩ

mA0。

5

uA50

3KΩ≤Rx〈30KΩ

uA50

uA5

30KΩ≤Rx<300KΩ

uA5

uA0.5

300KΩ≤Rx<3MΩ

uA0.5

uA0.1

Rx≥3MΩ

uA0。

1

 

注:

系统测量电压Vx=IsRx=0。

15V-——1.5V

大电流应用:

R//C时,为测R,可以适当修改其Std_V(标准值),以便获得系统提供更大测试电流,条件是R接近上表的下限值,如330Ω//100uF,则改Std_V为299Ω,可提供5mA大电流,从而使测试更准确.

小电流应用:

R//D时,为测R,可以将Mode0改为Mode1,从而电流小一档,R两端压降小于D导通电压,使测试更准确。

R//C(mode2):

信号源Vs取恒压(0。

2V)、量回Ix,则

Rx=Vs/Ix=0。

2V/Ix算出

Rx值.

 

信号源取恒压0。

2V,是因为:

1电压越小,则电容充电到饱和的时间就

越短,电容充电饱和后,其相当于开路,测Rx就会准确.

2ICT量测放大器侦测电压线性区间为

0。

15V-1.5V,不宜取低于此范围的电

压.

R//L(mode3,4,5):

信号源取交流电压源Vs,籍相位法辅助。

|Y’|Cosθ=YRx=1/Rx,并Y’=I'x/Vs

故:

Rx=1/|Y'|Cosθ

根据Zl=2лfL,若R=20Zl,则R无法测试

 

2.量测C/L:

单个C/L(Mode0,1,2,3):

信号源取恒定交流压源Vs

Vs/Ix=Zc=1/2лfCx,求得:

Cx=Ix/2лfVs

Vs/Ix=Zl=2лfLx,求得:

Lx=Vs/2лfIx

 

电容:

范围

信号源

说明

1pF~2。

99pF

2:

100K-AC

AC100KHz

3:

1M—AC

AC1MHz

3pF~2。

99nF

0:

1K—AC

AC1KHz

1:

10K-AC

AC10KHz

2:

100K-AC

AC100KHz

3:

1M-AC

AC1MHz

5:

1K—相位

AC1KHz相位分离量测

6:

10K—相位

AC10KHz相位分离量测,用以测量与电感并联的电容

7:

100K-相位

AC100KHz相位分离量测

3nF~299.99nF

0:

1K-AC

AC1KHz

1:

10K—AC

AC10KHz

2:

100K—AC

AC100KHz

5:

1K—相位

AC1KHz相位分离量测

6:

10K—相位

AC10KHz相位分离量测

7:

100K—相位

9:

100-AC

AC100KHz相位分离量测

AC100Hz

300nF~2。

999mF

0:

1K—AC

AC1KHz

1:

10K-AC

AC10KHz

5:

1K—相位

AC1KHz相位分离量测

6:

10K-相位

9:

100—AC

AC10KHz相位分离量测AC100Hz

3mF~29.99mF

0:

1K-AC

AC1KHz

4:

C—DC

固定电流源量测

5:

1K-相位

9:

100-AC

AC1KHz相位分离量测

AC100Hz

30mF~149。

99mF

4:

C-DC

8:

C-DC(10mA)

9:

100—AC

固定电流源量测

固定电流源量测

AC100Hz

150mF~40mF

5:

1K—相位

固定电流源量测

8:

C-DC(10mA)

固定电流源量测

电感:

范围

信号源

说明

1mH~79。

99mH

2:

100K—AC

AC100KHz

3:

1M-AC

AC1MHz

80mH~799.99mH

0:

1K—AC

AC1KHz

1:

10K-AC

AC10KHz

2:

100K—AC

AC100KHz

3:

1M—AC

AC1MHz

6:

10K-相位

AC10KHz相位分离量测

7:

100K-相位

AC100KHz相位分离量测

800mH~7。

99mH

0:

1K-AC

AC1KHz

1:

10K—AC

AC10KHz

2:

100K-AC

AC100KHz

5:

1K-相位

AC1KHz相位分离量测

6:

10K-相位

AC10KHz相位分离量测

7:

100K-相位

9:

100—AC

AC100KHz相位分离量测

AC100Hz

8mH~79.99mH

0:

1K-AC

AC1KHz

1:

10K—AC

AC10KHz

2:

100K—AC

AC100KHz

5:

1K-相位

AC1KHz相位分离量测

6:

10K-相位

AC10KHz相位分离量测

7:

100K—相位

AC100KHz相位分离量测

80mH~799。

99mH

0:

1K—AC

AC1KHz

1:

10K-AC

AC10KHz

5:

1K-相位

AC1KHz相位分离量测

6:

10K—相位

AC10KHz相位分离量测

800mH~7.99H

0:

1K-AC

1:

10K-AC

AC1Khz

AC10KHz

 

5:

1K—相位

6:

10K—相位

9:

100-AC

AC1KHz相位分离量测

AC10KHz相位分离量测

AC100Hz

8H~60。

0H

0:

1K-AC

AC1KHz

 

5:

1K—相位

9:

100—AC

AC1KHz相位分离量测

AC100Hz

测试C或L时,取信号频率(f)的原则:

因为,Zc=1/2лfC,在实际测试时,我们希望Zc最好是在一定范围内,太大或太小,测试精度都会降低。

我们假设Zc=常数,则得到:

fC=常数,也即:

f∝1/C,可见f与C互为反比,这样我们得到一个重要的结论:

大电容以低频、小电容以高频进行测试,效果最好。

同理,我们也可推出:

f∝1/L,f与L互为反比。

C//R或L//R:

籍相位法辅助

|Y'|Sinθ=|Ycx|,即ωCx’Sinθ=ωCx

求得:

Cx=Cx’Sinθ(Cx’=Ix’/2лfVs)

|Y’|Sinθ=|Ycx|,即Sinθ/ωCx'=1/ωCx

求得:

Lx=Lx'/Sinθ(Lx’=Vs/2лfIx’)

 

3.量测PN结:

(D、Q、IC)

信号源0—10V/3mAor25mA可程序电压源,量PN结导通电压

4.量测Open/Short:

即以阻抗判定:

先对待测板上所有Pin点进行学习,R〈25Ω即归为ShortGroup,然后Test时进行比较,R<5Ω判定为Short,R〉55Ω判为Open。

5.Guarding(隔离)的实现:

当Rx有旁路(R1)时,Ix=Is—I1≠Is,

故:

Vx/Is≠Rx

此时取A点电位Va,送至C点,令Vc=Va,

则:

I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix

从而:

Vx/Is=Rx

 

 

程序的编写

1、在T[测试]下,设定P“测试参数"

测试参数

电路板名称:

DEBUGBOX

测试数据文件名称:

DEBUGBOX.DAT

治具上第一支测试针号码:

1

治具上最后一支测试针号码:

64

测试顺序:

开路/短路/零件测试

每几次测试即自动储存数据:

50

开路/短路不良时中断测试:

不要

开路/零件不良时重测次数:

2

双色打印机的厂牌:

VFI

VFI打印机是接到PC的:

COM1

测试不良时自动或手动打印:

手动打印

测试不良时最多打印行数:

10

开/短路不良测试点位置打印:

不要

不良零件位置图的横行数:

2

不良零件位置图的纵列数:

2

删略的针:

2、在E[编辑]下,编写程序:

步骤零件名称实际值位置高点低点隔点12345删略

量测值标准值上限%下限%延迟信号类别重测中停补偿值偏差%.

1R347KA121101000000

47K101000RD000

2C22100nD2752000000

100n303000C0000

3L122uB2187000000

22u303004L0000

4D50。

7VC11619000000

0.7V202000D0000

5Q1CE1。

8VA211754200000

0。

2V20-104Q0000

.

.

3、进入L[学习],做ShortGroup学习.若有IC,还需做ICClampingDiode学习。

4、在主画面在下测试,检验程序及开始Debug。

 

程序的Debug

编写好的程序在实测时,因测试信号的选择,或被测组件线路影响,有些Step会Fail(即量测值超出±%限),必须经过Debug。

R:

在E[编辑]下,ALT—X查串联组件,ALT-P查并联组件。

据此选好“信号”(Mode)和串联最少组件的Hi—P/Lo—P,并ALT-F7选择GuardingPin。

R//C:

Mode2及Dly加大(参考:

T=5RC)

R//D(orIC、Q):

Mode1

R//R:

Std—V取并联阻值

R//L:

Mode3、4、5;根据Zl=2πfL,故L一定时,若f越高,则Zl越大,则对

R影响越小

C:

在[编缉]下一般根据电容值大小,选择相应的Mode。

如小电容(pF级),可选高

频信号(Mode2、3),大电容(nF级)可选低频信号(Mode0、1),然后ALT—F7

选择隔离。

3uF以上大电容,可以Mode4、8直流测试。

C//C:

Std-V取并联容值

C//R:

Mode5、6、7,由Zc=1/2лfC,故C一定时,f越高,Zc越小,则R的影响越

小。

C//L:

Mode5、6、7,并且f越高效果越好。

L:

F8测试,选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V,然后Offset修正至准确。

L//R:

Mode5、6、7。

PN结:

F7自动调整,一般PN正向0。

7V(Si),反向(2V以上)

D//C:

Mode1及加Delay。

D//D(正向):

除正向导通测试,还须测反向截止(2V以上)以免D反插时误判。

Zener:

Nat-V选不低于Zener崩溃电压,若仍无法测出崩溃电压,可选Mode1(30mA),

另外10-48Vzener管,可以HV模式测试。

Q:

be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型(PNPorNPN),Hi—P一样(NPN),

Lo-P一样(PNP),并可Debugce饱和电压(0.2V以下),注意Nat-V为be偏置

电压,越大Q越易进入饱和,但须做ce反向判断(须为截止0。

2V以上),否则应

调小Nat—V。

不良报表的阅读

不良零件位置图:

ABCDE

1

2

3

4

5

6

R3H1

D5L2

L1VH

C22H2

以H0代有上限值(标准值,L0代表下限值:

L1表示:

量测值介于L0与L0—(H0—L0)10%之间

L2表示:

量测值介于L1与L0—(H0-L0)20%之间

VL表示:

量测值低于L2

H1表示:

量测值介于H0与H0+(H0-L0)10%之间

H2表示:

量测值介于H1与H0+(H0—L0)20%之间

VH表示:

量测值高于H2

不良记录:

******OpenFail******

(48)(4548)表示48点与短路组(4548)断开,可能是探针未接触到PCB焊盘,

或板上有断路。

******ShortFail******

(20)(23)表示20点与23点短路(R〈5Ω),可能是板上有锡渣造成Short,装错零件造成Short,零件脚过长造成Short等。

******ComponentFail******

1R3M—V:

52.06K,Dev:

+10。

7%

Act—V=47KStd—V=47KLoc:

A1

Hi-P=21L0-P=101+LM:

+10%-LM:

-10%

表示:

R3偏差+10。

7%,可能为零件变值,或接触不良。

若偏差+999.9%或很大,可能为缺件、错件超出标准值所在量程上限,(如47K在30K—300K量程内);若偏差0.00%

或很小,可能为短路,错件超出其标准值所在量程下限.

 

ICT误判分析

1.ICT无法测试部分:

⑴.内存IC(EPROM、SRAM、DRAM…)

⑵.并联大10倍以上大电容的小电容

⑶.并联小20倍以上小电阻的大电阻

⑷.单端点之线路断线

⑸.D//L,D无法量测

⑹.IC之功能测试

2。

PCB之测点或过孔绿油未打开,或PCB吃锡不好

3。

压床压入量不足.探针压入量应以1/2-2/3为佳

4.经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良

5.PCB板定位柱松动,造成探针触位偏离焊盘

6.治具探针不良损坏

7.零件厂牌变化(可放宽+-%,IC可重新Learning)

8。

治具未Debug好(再进行Debug)

9.ICT本身故障

 

硬件检测

1、开关板:

诊断(D)—---切换电路板(B)—---系统自我诊断(S)————切换电路板诊断(S)

若有B*C*表示SWB有Fail,请记录并通知TRI。

C*有可能为治具针点有Short

造成。

进入切换电路板诊断功能时,屏幕上显示如下的画面:

切换电路板自我检测

(治具上不要放置组装电路板,维修盒不要接到待测的切换电路板)

第几片插槽

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

测试点数

0

0

0

0

0

0

0

128

64

64

64

测试结果

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

OK

OK

OK

OK

OK

OK

第几片插槽

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

12

测试点数

DC

AC

OT7

0

0

0

0

0

0

0

0

测试结果

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

N/A

 

2、系统自我检测:

诊断(D)--—-硬件诊断(S)—-——系统自我检测(S)

有R、D项Fail可能为DC板故障,有C、L项Fail可能AC板Fail,

有Power项Fail可能Power板Fail。

也请记录并通知TRI.

电阻

电容

系统电源

Value

Meas—V

Dev%

Value

Meas—V

Dev%

Value

Meas—V

Dev%

50

50

OK

100p

100p

OK

5V

5V

OK

100

100

OK

1n

1n

OK

10V

10V

OK

1K

1K

OK

10n

10n

OK

12V

12V

OK

10K

10K

OK

100n

100n

OK

15V

15V

OK

100K

100K

OK

1u

1u

OK

24V

24V

OK

1M

1M

OK

10u

10u

OK

-5V

-5V

OK

10M

10M

OK

1n—G

1n-G

OK

-15V

—15V

OK

1K-G

1K—G

OK

15V

15V

OK

10VFunction

电感

D0。

6

D0.6

OK

100u

100u

OK

ZD3V

ZD3V

OK

1m

1m

OK

ZD6V

ZD6V

OK

10m

10m

OK

DAC—5V

DAC—5V

OK

100m

100m

OK

开路/短路测试线路:

<0>〈1><2〉<3>

TheEnd

 

附录一

1.指令树状结构图(CommandTree)

Level0Level1Level2Level3

测试开始测试(Testing)顺序(Test—Sequence)

(TEST)中断(Test—Abortion)

测试针(Test-Pin)

测试参数(Test—Par)修改参数(Update)短/开路设定(Short/OpenBase)

重测(Retry)

设定新参数(SetUp)打印机(Printer)

拷贝参数(Copy)位置图/自动打印(Map/Stamp)

删除参数(Delete)

选择板号(Board-Sel)压床型式(Test-Fixture)

网络设定(Network)

延迟时间(Delay-Time)

系统参数(System—Par)打印机(Printer)

统计基底(Report-Base)

编辑(EDIT)短路学习(Learning)

编辑(Edit)

短路点数据(Short/Open)打印(Print)

短路测试(Short-T)

开路测试(Open—T)

IC脚(IC—Pins)

IC保护二极管(Clamping-D)学习(Learning)

学习显示(Display)

(LEARN)打印(Print)

删除(Delete)

IC脚(IC-Pins)

学习(Learning)

并联测试(DiodeCheck)显示(Display)

打印(Print)

删除(Delete)

测试点数据(Pin—Information)测试点资料(Test—Pins)

打印(Print)

日报表显示(Day-Display)

报表(Total)日报表打印(Day-Print)

分布表(Histo)月报表显示(Month-Display)

分布图(Statis)月报表打印(Month—Print)

报告排行榜(Worst)屏幕显示不良零件排行(Disp_Comp)

(REPORT)存盘(Store)屏幕显示不良测试针排行(Disp_Pin)

读入(Load)打印不良零件排行(Print_Comp)

清除(Clear)打印不良测试针排行(Print_Pin)

系统自我检测(System—Check)

硬件诊断(Self—Check)切换电路板诊断(Switch—Board)

单体测试(Test-Exers)使用维修盒诊断(Debug-Box)

诊断切换电路板(Switch-Brd)

(DEBUG)测试针(Pin-Search)

压床(Fixture)

REMOTE

功能编辑(Function—Edit)

功能稳定性测试(Stability—Check)

(FUNC)

脚位编辑(IC—Pins)

空焊自动学习(OT—Learn)

IC空焊测试空焊数据编辑(OT—Edit)

(IC—OPEN)分布表(Histo)

删除(Delet

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