高维修电工习题.docx

高维修电工习题.docx

《高维修电工习题.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《高维修电工习题.docx（60页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

高维修电工习题

一、选择题

电工基础及仪表知识部分

1.在直流电路中，基尔霍夫第二定律的正确表达式是（B）。

（A）Σ

=0（B）Σ

=0（C）ΣIR=0（D）ΣE=0

2.关于磁场的基本性质下列说法错误的是（D）。

（A）磁场具有能的性质（B）磁场具有力的性质

（B）磁场可以相互作用（D）磁场也是由分子组成

3.线圈自感电动势的大小与（D）无关。

（A）线圈中电流的变化率（B）线圈的匝数

（C）线圈周围的介质（D）线圈的电阻

4.与自感系数无关的是线圈的（D）。

（A）几何形状（B）匝数（C）磁介质（D）电阻

5.变压器的铁心采用绝缘硅钢片叠压而成，其主要目的是（D）。

（A）减小磁阻和杂散损耗（B）减小磁阻及铜耗

（C）减小磁阻和电阻（D）减小磁阻和铁耗　

6.根据电磁感应定律ｅ＝－N（ΔΦ/Δｔ）求出的感应电动势，是在Δｔ这段时间内的（A）。

（A）平均值（B）瞬时值（C）有效值（D）最大值

7.在500匝的线圈中通入0.4安的电流，产生0.8韦的磁通，则该电流产生的磁势为（B）安匝。

（A）20（B）200（C）25（D）250

8.在一个磁导率不变的磁路中，当磁通势为10安匝时，磁通为0.5韦，当磁通势为5安匝时，磁阻为（A）1/亨利。

（A）20（B）0.5（C）2（D）10

9.互感电动势的大小正比于（D）。

（A）本线圈电流的变化量（B）另一线圈电流的变化量

（C）本线圈电流的变化率（D）另一线圈电流的变化率

10.在电磁铁线圈电流不变的情况下，衔铁被吸合过程中，铁心中的磁通将（A）。

（A）变大（B）变小（C）不变（D）无法确定

11.在铁磁物质组成的磁路中，磁阻非线性的原因是（A）是非线性的。

（A）磁导率（B）磁通（C）电流（D）磁场强度

12.正确的自感系数单位换算是（A）。

（A）1H=103mH（B）1μH=103mH

（C）1H=106mH（D）1μH=10-6mH

13.自感电动势的大小正比于本线圈中电流的（D）。

（A）大小（B）变化量（C）方向（D）变化率

14.磁极周围存在着一种特殊物质，这种物质具有力和能的特性，该物质叫（B）。

（A）磁性B）磁场（C）磁力（D）磁体

15.在磁路中（C）。

（A）有磁阻就一定有磁通（B）有磁通就一定有磁通势

（C）有磁通势就一定有磁通（D）磁导率越大磁阻越大

16.在一个磁导率不变的磁路中，当磁通势为5安培时，磁通为1Wb；当磁通势为10安匝时，磁通为（D）Wb。

（A）2.5（B）10（C）2（D）5

17.一直导体放在磁场中，并与磁力线垂直，当导体运动的方向与磁力线方向成（A）夹角时导体中产生的电动势最大。

（A）90°（B）30°（C）45°（D）0°

18.互感器线圈的极性一般根据（D）来判定。

（A）右手定则（B）左手定则（C）楞次定律（D）同名端

19.在线圈中的电流变化率一定的情况下，自感系数在，说明线圈的（D）。

（A）电流（B）电压（C）电阻（D）自感电动势

20.自感电动势的方向应由（B）确定。

（A）欧姆定律（B）楞次定律（C）焦耳定律（D）电磁感应定律

21.如图所示直流电路中I1为（D）。

（A）11（B）-5

（C）15（D）5

22.使用JSS－4A型晶体三极管测试仪时，在电源开关未接通前，将（C）。

（A）“VC调节”旋至最大，“IC调节”旋至最小

（B）“VC调节”旋至最小，“IC调节”旋至最大

（C）“VC调节”旋至最小，“IC调节”旋至最小

（D）“VC调节”旋至最大，“IC调节”旋至最大

23.JSS－4A型晶体三极管h参数测试仪的偏压源部分有（B）的输出电压，供被测管偏压使用。

（A）1V和10V（B）10V和30V

（C）30V和60V（D）60V和100V

24.用晶体管图示仪观察二极管正向特性时，应将（A）。

（A）X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于集电极电流

（B）X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于基极电流

（C）X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流

（D）X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于集电极电流

25.JSS－4型晶体三极管测试仪是测量中小型功率晶体三极管在低频状态下的h参数和（C）的常用仪器。

（A）击穿电压（B）耗散功率（C）饱和电流（D）频率特性

26.JSS－4A型晶体三极管h参数测试仪中的直流放大器采用了（C）放大器。

（A）交流（B）脉冲（C）差动（D）功率

27.示波器面板上的“辉度”是调节（A）的电位器旋钮。

（A）控制栅极负电压（B）控制栅极正电压

（C）阴极负电压（D）阴极正电压

28.示波器面板上的“聚焦”是调节（C）的电位器旋钮。

（A）控制栅极正电压（B）控制栅极负电压

（C）第一阳极正电压（D）第二阳极负电压

29.使用SR－8型示波器时，如果找不到光点，可调整（D）借以区别光点的位置。

（A）X轴位移（B）Y轴位移（C）辉度（D）寻迹

30.SR－8型双踪示波器中的电子开关有（D）个工作状态。

（A）2（B）3（C）4（D）5

31.双踪示波器的示波管中装有（A）偏转系统。

（A）一个电子枪和一套（B）一个电子枪和两套

（C）两个电子枪和一套（D）两个电子枪和两套

32.用SR－8型双踪示波器观察直流信号波形时，应将“触发耦合方式”开关置于（C）位置。

（A）AC（B）AC（H）（C）DC（D）任意

33.JT－1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是（B）伏。

（A）100（B）200（C）500（D）1000

34.使用SBT－5型同步示波器观察宽度为50微秒、重复频率为5000赫兹的矩形脉冲，当扫描时间置于10微秒档（扫描微调置于校正）时，屏幕上呈现（A）。

（A）约5厘米宽度的单个脉冲（B）约10厘米宽度的单个脉冲

（C）约5厘米宽度的两个脉冲（D）约10厘米宽度的两个脉冲

35.SBT－5型同步示波器中采用了（　B　）扫描。

（A）连续（B）触发（C）断续（D）隔行

36.示波器中的示波管采用的屏蔽罩一般用（D）制成。

（A）铜（B）铁（C）塑料（D）坡莫合金

37.使用SB－10型普通示波器观察信号时，欲使显示波形稳定，可以调节（B）旋钮。

（A）聚集（B）整步增幅（C）辅助聚焦（D）辉度

38.在SBT－5型同步示波器使用的过程中，希望荧光屏上波形的幅度不大于（D）厘米。

（A）1（B）2（5）5（D）8

39.观察持续时间很短的脉冲时，最好用（C）示波器。

（A）普通（B）双踪（C）同步（D）双线

40.SR－8型双踪示波器中的“DC－⊥－AC”是被测信号馈至示波器输入端耦合方式的选择开关，当此开关置于“⊥”档时，表示（A）。

（A）输入端接地（B）仪表应垂直放置

（C）输入端能通直流（D）输入端能通交流

41.SR－8型双踪示波器中的电子枪开关处在“交替”状态时，适合于显示（B）的信号波形。

（A）两个频率较低（B）两个频率较高

（C）一个频率较低（D）一个频率较高

42.使用示波器观察信号波形时，一般将被测信号接入（D）端钮。

（A）“Y轴输入”（B）“X轴输入”

（C）“Y轴输入”与“X轴输入”（D）“Y轴输入”与“接地”

43.示波器中扫描发生器实际上是一个（B）振荡器。

（A）正弦波（B）多谐振荡器（C）电容三点式（D）电感三点式

44.SR－8型双踪示波器与普通示波器相比，主要是SR－8型双踪示波器有（A）。

（A）两个Y轴通道和增加了电子开关（B）两个X轴通道和增加了电子开关

（C）一个Y轴通道和一个X轴通道（D）两个Y轴通道和两个X轴通道

45.TSS－4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源部分有（B）档输出且连续可调，给被测管提供偏流。

（A）一（B）二（C）三（D）四

46.JT－1型晶体管图示仪“基极阶梯信号”中的串联电阻的作用是（C）。

（A）限制基极电流（B）将输入电流变化转化为电流变化

（C）将输入电压变化转化为电流变化（D）限制功耗

47.使用示波器之前，宜将“Y轴衰减”置于（A），然后视所显示波形的大小和需要再适当调节。

（A）最大（B）最小（C）正中（D）任意档

48.电感为0.1H的线圈，当其中电流在0.5秒内从10A变化到6A时，线圈上所产生电动势的绝对值为（）。

（A）4V（B）0.4V（C）0.8V（D）8V

49.JT-1型晶体管特性图示仪测试台上的“测试选择”开关是用于改变（C）。

（A）被测管的类型（B）被测管的接地形式

（C）被测管A或B（D）被测管耐压

50.晶体管特性图示仪（JT-1）示波管X偏转板上施加的电压波形是（B）。

（A）锯齿波（B）正弦半波（C）阶梯波（D）尖脉冲

51.使用示波器时，要使圆光点居于屏幕正中，应调节（D）旋钮。

（A）“Y轴衰减”与“X轴位移”（B）“Y轴位移”与“X轴衰减”

（C）“Y轴衰减”与“X轴衰减”（D）“Y轴位移”与“X轴位移”

52.用信号发生器与示波器配合观测放大电路的小型时，为了避免不必要的机壳间的感应和干扰，必须将所有仪器的接地端（A）。

（A）连接在一起（B）加以绝缘隔离

（C）悬空（D）分别接地

模拟、数字电子技术部分

1.在实际调整模拟放大电路的静态工作点时，一般是以（B）为准。

（A）Ib（B）Ic（C）Uce（D）Ube

2.低频信号发生器的振荡电路一般采用的是（D）振荡电路。

（A）电感三点式（B）电容三点式（C）石英晶体（D）RC

3.在工业生产中，若需要低压大电流可控整流装置，常采用（D）可控整流电路。

（A）三相半波（B）三相全波

（C）三相桥式（D）带平衡电抗器的双反星形

4.在运算电路中，集成运算放大器工作在线性区域，因而要引入（B），利用反馈网络实现各种数学运算。

（A）深度正反馈（B）深度负反馈

（C）浅度正反馈（D）浅度负反馈

5.一般要求模拟放大电路的输入电阻（A）。

（A）大些好，输出电阻小些好（B）小些好，输出电阻大些好

（C）和输出电阻都大些好（D）和输出电阻都小些好

6.在模拟放大电路中，集电极负载电阻Rc的作用是（C）。

（A）限流（B）减小放大电路的失真

（C）把三极管的电流放大作用转变为电压放大作用

（D）把三极管的电压放大作用转变为电流放大作用

7.串联型稳压电路中的调整管工作在（A）状态。

（A）放大（B）截止（C）饱和（D）任意

8.在三相半控桥式整流电路中，要求共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为（B）。

（A）60°（B）120°（C）150°（D）180°

9.电子设备的输入电路与输出电路尽量不要靠近，以免发生（C）。

（A）短路（B）击穿（C）自激振荡（D）人身事故

10.在共发射极放大电路中，计算静态工作点的常用方法（C）。

（A）直接分析法（B）图形分析法

（C）近似估算法（D）正交分析法

11.在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（A）耦合方式。

（A）阻容（B）直接（C）变压器（D）电感

12.影响放大电路静态工作点稳定的主要因素是（D）。

（A）三极管的β值（B）三极管的穿透电流

（C）放大信号的频率（D）工作环境的温度

13.电容三点式正弦波振荡器属于（B）振荡电路。

（A）RC（B）LC（C）RL（D）石英晶体

14.直流差动放大电路可以（B）。

（A）放大共模信号，抑制差模信号（B）放大差模信号，抑制共模信号

（C）放大差模和共模信号（D）抑制差模和共模信号

15.集成运算放大器是一种具有（C）耦合放大器。

（A）高放大倍数的阻容（B）低放大倍数的阻容

（C）高放大倍数的直接（D）低放大倍数的直接

16.如右图运算放大器属于（C）。

（A）加法器

（B）乘法器

（C）微分器

（D）积分器

17.在硅稳压管稳压电路中，限流电阻R的作用是（B）。

（A）既限流又降压（B）既限流又调压

（C）既降压又调压（D）既调压又调流

18.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，（B）。

（A）存在直流磁化问题（B）不存在直流磁化问题

（C）存在直流磁滞损耗（D）不存在交流磁化问题

19.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，两组共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为（B）。

（A）60°（B）120°（C）150°（D）180°

20.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，两组三相半波电路是（A）工作的。

（A）同时并联（B）同时串联

（C）不能同时并联（D）不能同时串联

21.集成运放，其开环差模放大倍数Ad高，说明（D）。

（A）电压放大倍数高（B）电流放大倍数高

（C）功率放大倍数高（D）运算精度高

22.简单逆阻型晶闸管斩波器的调制方式是（C）。

（A）定频调宽（B）定宽调频

（C）可以人为地选择（D）调宽调频

23.晶闸管逆变器输出交流电的频率由（D）决定。

（A）一组晶闸管的导通时间（B两组晶闸管的导通时间

（C）一组晶闸管的触发脉冲频率（D）两组晶闸管的触发脉冲频率

24.在简单逆阻型晶闸管斩波器中，（D）晶闸管。

（A）只有一只（B）有两只主

（C）有两只辅助（D）有一只主晶闸管，一只辅助

25.在并联谐振式晶闸管逆变器中，为求得较高的功率因数和效率，应使晶闸管触发脉冲的频率（C）负载电路的谐振频率。

（A）远大于（B）大于（C）接近于（D）小于

26.电力场效应管MOSFET是理想的（A）控制器件。

（A）电压（B）电流（C）电阻（D）功率

27.在斩波器中，作为主开关器件，若用晶闸管代替电力晶体管，则会（C）。

（A）减小体积（B）减轻重量（C）增加损耗（D）降低损耗

28.在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（D）状态。

（A）放大（B）截止（C）饱和（D）开关

29.绝缘栅双极晶体管内部为（D）层结构。

（A）1（B）2（C）3（D）4

30.电力晶体管GTR有（B）个PN结。

（A）1（B）2（C）3（D）4

31.绝缘栅双极晶体管（A）。

（A）不必有专门的强迫换流（B）可以有专门的强迫换流

（C）必须有专门的强迫换压（D）可以有专门的强迫换压

32.要使绝缘栅双极晶体管导通，应（A）。

（A）在栅极加正电压（B）在集电极加正电压

（C）在栅极加负电压（D）在集电极加负电压

33.电力场效应管MOSFET是（B）器件。

（A）双极型（B）多数载流子（C）少数载流子（D）无载流子

34.逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（D）。

（A）晶闸管（B）电力晶体管

（C）可关断晶闸管（D）电力场效应管

35.电力晶体管GTR有（B）个PN结。

（A）1（B）2（C）3（D）4

36.电力晶体管的开关频率（B）电力场效应管。

（A）稍高于（B）低于（C）远高于（D）等于

37.电力场效应管MOSFET适合于（C［应为A］）容量的设备。

（A）高速大（B）低速大（C）高速小（D）低速小

38.电力晶体管在使用时，要防止（A）。

（A）二次击穿（B）静电击穿

（C）时间久而失效（D）工作在开关状态

39.绝缘栅双极晶体管的开关速度（B）电力场效应管。

（A）稍高于（B）低于（C）等于（D）远大于

40.在大容量三相逆变器中，开关元件一般不采用（B）。

（A）晶闸管（B）绝缘栅双极晶体管

（C）可判断晶闸管（D）电力晶体管

41.电力场效应管MOSFET（B）现象。

（A）有二次击穿（B）无二次击穿

（C）防止二次击穿（D）无静电击穿

42.在晶闸管斩波器中，保持晶闸管触发频率不变。

改变晶闸管导通的时间从而改变直流平均电压值的控制方式叫（A）。

（A）定频调宽法（B）定宽调频法（C）定频定宽法（D）调宽调频法

43.绝缘栅双极晶体管属于（A）控制元件。

（A）电压（B）电流（C）功率（D）频率

44.绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（C）来控制。

（A）栅极电流（B）发射极电流（C）栅极电压（D）发射极电压

45.电力晶体管GTR内部电流是由（C）形成的。

（A）电子（B）空穴（C）电子和空穴（D）有电子但无空穴

46.斩波器也可称为（C）变换。

（A）AC/DC（B）AC/AC（C）DC/DC（D）DC/AC

47.TTL与非门输入端全部接高电平时，输出为（B）。

（A）零电平（B）低电平

（C）高电平（D）可能是低电平，也可能是高电平

48.或非门RS触发器的触发信号为（B）。

（A）正弦波（B）正脉冲（C）锯齿波（D）负脉冲

49.多谐振荡器（D）。

（A）有一个稳态（B）有两个稳态

（C）没有稳态，有一个暂稳态（D）没有稳态，有两个暂稳态

50.数码寄存器的功能主要是（B）。

（A）产生CP脉冲（B）寄存数码

（C）寄存数码和移位（D）移位

51.TTL与非门的门槛电压在理论上等于（D）。

（A）0.3V（B）0.5V（C）0.7V（D）1.4V

52.由基本RS触发器组成的数码寄存器清零时，需在触发器（B）。

（A）

端加一个正脉冲（B）

端加一个负脉冲

（C）

端加一个正脉冲（D）

端加一个负脉冲

53.（C）电路的逻辑表达式为Y＝

。

（A）与门（B）或门（C）与非门（D）或非门

54（B）电路的逻辑表达式是Y＝A+B。

（A）与门（B）或门（C）与非门（D）或非门

55如果需要寄存两位二进制数码，需要（B）个触发器。

（A）1（B）2（C）3（4）4

56.一个发光二极管显示“7”，实际显示“1”，则故障段应以应为（A）。

（A）a（B）b（C）d（D）f

57.将十进制59转换为二进制是（A）。

（A）00111011（B）00111101（C）01001111（D）00100111

58.将二进制00111011转换为十六进制数是（D）。

（A）2AH（B）3AH（C）2BH（D）3BH

59.TTL与非门RC环形多谐振荡器的振荡频率由（D）决定。

（A）TTL与非门的个数（B）电阻R的大小

（C）电容C的容量（D）RC

60.一个异步三位二进制加法计数器，当第8个脉冲过后，计数器状态变为（A）。

（A）000（B）010（C）110（D）101

61.一个异步三位二进制加法计数器，当第4个脉冲过后，计数器状态变为（C）。

（A）000（B）010（C）100（D）101

61.寄存器主要由（D）组成。

（A）触发器（B）门电路

（C）多谐振荡器（D）触发器和门电路

62.最常用的显示器件是（B）数码显示器。

（A）五段（B）七段（C）九段（D）十一段

63.与非门的逻辑功能为（C）。

（A）入0出0，全1出1（B）入1出0，全0出0

（C）入0出1，全1出0（