GJB 548B 微电子器件试验方法和程序之欧阳理创编.docx
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GJB548B微电子器件试验方法和程序之欧阳理创编
GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序
时间：
2021.03.05
创作：
欧阳理
点击次数：
181发布时间：
2011-3-114:
24:
07
GJB548B-2005代替GJB548A-1996
中华人民共和国国家军用标准
微电子器件试验方法和程序
Testmethodsandproceduresformicroelectronicdevice
方法1009.2盐雾（盐汽）
1目的
本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验
1.1术语和定义
1.1.1腐蚀corrosion
指涂层和（或）底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损坏
1.1.2腐蚀部位corrosionsite
指涂层和（或）底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置
1.1.3腐蚀生成物（淀积物）corrosionproduct（dcposit）
指腐蚀作用的结果（即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等）。
腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流
动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。
1.1.4腐蚀色斑corrosionstain
腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。
1.1.5气泡blister
指涂层和底金属之间的局部突起和分离
1.1.6针孔pinhole
指涂层中产生的小孔，它是完全贯穿涂层的一种缺陷。
1.1.7凹坑pitting
指涂层和（或）底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞
1.1.8起皮flaking
指局部涂层分离，而使底金属显露
2设备
盐雾试验所用设备应包括：
a）带有支撑器件夹具的试验箱。
该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料（玻璃、塑料等）制造。
在试验
箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。
该箱应适当通风，以防止产生“高压”
，并保持盐雾的均匀分布；
b）能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响。
如需要，为了进行长时间试验，可采用符合试验条件C和D（
见3.2）要求的备用盐溶液容器；
c）使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由20%氧、80%氮组成的混合气体（应防止诸如油和灰尘
等杂质随气体进入雾化器中）;
d）试验箱应能加热和控制
e）在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段；
f）空气或惰性气体于燥器；
g）1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大镜。
3程序
3.1试验箱的维护和初始处理
试验箱的清洗是为了保证把会对试验结果产生不良影响的所有物质清除出试验箱。
使试验箱工作在（35±3）℃
，用去离子水或蒸馏水进行必要的清洗。
每当容器里的盐溶液用完时，就应当清洗试验箱。
某些试验可能在清洗
之前进行，这取决于盛盐溶液的容器的大小和所规定的试验条件（见3.2）。
当需要做长时间试验（见3.2的试验
条件C和D）时，盛盐溶液的容器可采用备用的容器来补充，以便试验不中断。
清洗后，试验箱开始工作时，盐溶
液应补满该容器，并且应对试验箱进行适当地控制，使其温度稳定（见3.1.4）。
如果试验箱中断工作超过一个
星期，即使还留有盐溶液，也应废弃。
而且试验箱在重新开始工作之前应当进行清洗。
如果盐溶液的pH值和浓度
保持在3.1.1中规定的范围之内，允许试验箱不连续工作。
3.1.1盐溶液
为了达到3.1.4所要求的淀积速率，盐溶液的浓度应为0.5%~3.0%（重量百分比）的去离子水或蒸馏水溶液。
所用
的盐应为氯化钠，其碘化钠的质量百分比不得多于0.1%，且总杂质的质量百分比不得多于0.3%。
在（35±3）℃
下测量时，盐溶液的pH值应在6.5~7.2之间。
只能用化学纯的盐酸或氢氧化钠（稀溶液）来调整pH值。
3.1.2引线的预处理
除另有规定外，试验样品不应进行预处理。
当有要求时（见4c），样品进行试验之前，器件引线应按方法2004试
验条件B1的要求，承受弯曲应力的初始处理。
如果进行试验的样品已经作为其他试验的一部分进行过所要求的初
始处理，那么，其引线无需重新弯曲。
3.1.3试验样品的安置
样品应按下述方位安置在固定的夹具上（有机玻璃棒、尼龙或玻璃纤维筛、尼龙绳等）。
样品应这样安置，使它
们彼此不接触，彼此不遮挡，能自由地接受盐雾作用，腐蚀生成物和凝聚物不会从一个样品落到另一个样品上。
a）引线固定于封装侧面或引线从封装侧面引出的双列封装（例：
侧面纤焊双列封装和陶瓷玻璃熔封双列封装）
：
盖面向上，偏离垂直方向15°~45°。
将有引线的一个封装侧面向上，偏离垂直方向大于或等于15°（见图Ia）
）
b）引线固定于封装底部（与盖板相对的那一面）或引线从底部引出的封装（例如金属圆形封装，金属平板封装
）：
盖板偏离垂直方向15°~45°。
试验时一半样品应盖面向上；剩下一半，引线向上（见图1b）
c）引线固定于封装某一面或从某一面引出，且与盖板平行的封装（例如扁平封装）：
盖板偏离垂直方向15°~45
°将有引线的封装面向上，且偏离垂直方向或等于15°。
对金属壳封装，试验时一半样品封帽向上。
剩下的样品
外壳向上。
其他封装都应盖板向上做试验（见图1c）。
d）无引线或有引线片式载体：
盖板偏离垂直方向15°~45°,试验时一半样品盖板向上，剩余的样品盖板向下（
见图1d）
注1：
对于要求进行两种取向的试验，应把规定的样品数分成两等份（或尽可能接近一半）。
在所有的情况下，
对所有的封装表面按3.4进行试验后的检查。
注2：
对开有窗口的紫外线可擦器件进行试验时，要采取保护措施，以防止光感应电动势产生电解作用。
3.1.4试验箱的控制
按照第3章的要求对试验箱进行处理之后，具有温度至少35℃的盐雾在规定的试验时间内（见3.2）流过试验箱。
试验箱内的温度应保持在（35±3）℃。
盐雾的浓度和速度应调节到使得盐在试验区域内的淀积速率在（20~50）
g/（m2·d）之间。
盐的淀积速率可以用体积的、重要的或其他方法来测定（由用户任意选择）。
在试验箱底部收
集的盐液应废弃。
3.2试验时间
应从下列试验条件中规定试验的最短时间。
除另有规定外，应采用试验条件A
3.3样品检验的准备工作
完成试验后，试验样品应立即用自由流动的去离子水（水温不得超过38℃）至少冲洗5min，以便除去样品表面沉
淀的盐。
而后样品用空气或惰性气体吹干，进行下述检查。
表1试验条件
试验条件 试验时间h
A 24
B 48
C 96
D 240
3.4失效判据
除3.4.1b）和3.4.1c）另有规定外，所有检查都应在放大10倍~20倍的情况下进行。
注1：
腐蚀色斑不应认为是3.4.1a）中所指的缺陷
注2:
由引线腐蚀产生的淀积在引线以外部位的腐蚀生成物，不应认为是3.4.1a）中所指的缺陷。
注3：
引线端头的腐蚀和由此腐蚀产生的腐蚀生成物，不应判为不合格。
注4：
若由于几何形状尺寸或设计（例如针栅阵列封装的引线底部或陶瓷双列封装的钎焊部分）不能按3.4.1b（
作进一步试验的引线，应根据3.4.1a）失效判据进行判定。
3.4.1带有表面镀涂的产品
器件出现以下情况则不能接收：
a）腐蚀缺陷面积超过除引线外的任何封装零件（例如盖板、管帽或外壳）镀涂或底金属面积的5%。
在测量中要
计入的腐蚀缺陷有：
凹坑、气泡、起皮和腐蚀生成物。
腐蚀缺陷面积由以下方法确定：
用已知缺陷面积的卡片或
照片（见图2）进行比较，用网格或类似的测量器具或镜像分析仪直接测量。
b）引线缺损、断裂或部分分离。
此外，若引线出现针孔、凹坑、气泡、起皮、腐蚀生成物完全跨越引线，或玻
璃封装中出现针孔、凹坑、气泡、起皮、腐蚀生成或腐蚀色斑的引线，应进一步做如下试验：
在引线缺陷处弯曲
90°，使拉伸应力加到缺陷处。
若出现引线的断裂或底层金属的破裂面超过引线横截面积的50%，应拒收。
若有
多处出现缺陷，应在腐蚀最严重处进行弯曲。
对10根以上引线出现缺陷的封装，只需对最多10根腐蚀最严重引线
进行弯曲。
应放大30倍~60倍进行破裂情况检查。
c）规定标志的一部分脱落、褪色、弄脏、模糊或不可辨认。
该检查应在室内正常照明下放大1倍~3倍进行。
3.4.2封装元件
作为来料检查，在封装装配之前，对封装元件或部分组装的封装壳体进行本试验，或作为一种选择性的质量控
制在完成封装之前进行本试验，或作为一种要求的试验（见4d）时，呈现下列现象的元件不得接收：
a）腐蚀缺陷面积超过盖板镀涂面积或底金属面积的1.0%，或超过除引线以外其他任何封装零件（例如外壳）镀
涂面积或底金属面积的2.5%。
器件制造完成后不会暴露于周围环境的镀涂或底金属层上的腐蚀不必考虑。
应根据
3.4.1a）程序进行本条检查。
b）其引线镀涂根据3.4.1b）应被拒收的引线
4说明
有关的订购文件应规定以下内容：
a）试验时间（若不是试验条件A）（见3.2）
b）试验后的测量和检查（除目检外）（见3.4）
c）预处理的要求（若需要）和程序（若不按3.1.2的规定）
d）封装元件的来料检查或部分组装的封装壳体检查的要求（见3.4.2）（需要时）。
时间：
2021.03.05
创作：
欧阳理
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