电磁场与电磁波课后习题与答案四章习题解答.docx

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电磁场与电磁波课后习题与答案四章习题解答

四章习题解答

4.1如题4.1图所示为一长方形截面的导体槽,槽可视为无限长,其上有一块与槽相绝缘的盖板,槽的电位为零,上边盖板的电位为u0,求槽的电位函数。

解根据题意,电位(X,y)满足的边界条件为

1(0,y)(a,y)0

2(x,0)0

3(x,b)U。

根据条件①和②,电位

(x,y)的通解应取为

a

题4.1图

由条件③,有

(x,y)

A^inhCy)sin(Dx)n1aa

U0

代时(心)sin(nx

a

两边同乘以sin(n

x

―),并从

a

0到a对x积分,得到

An

a

sin(

asinh(nba)0

2U0

jdx

a

故得到槽的电位分布

2U0

(1

nsinh(nba)

(x,y)处

cosn

4U0

.「」\,n1,3,5,Lnsinh(nba)

0,n2,4,6丄

1,3,5lnsinh(nba)

sinh(-y)sin(—x)

aa

4.2两平行无限大导体平面,距离为b,其间有一极薄的导体片由yd到yb(x)。

上板和薄片保持电位U0,下板保持零电位,求板间电位的解。

设在薄片平面上,从y0到yd,电位线性变化,(0,y)U0y;d。

其中,

i(x,y)

为:

应用叠加原理,设板间的电位为

(x,y)i(x,y)2(x,y)

i(x,y)为不存在薄片的平行无限大导体平面间(电压为u°y.b;

Uo)的电位,即2(x,y)是两个电位为零的平行导体板间有导体薄片时的电位,

其边界条件

2(x,0)

2(x,y)

2(x,b)

0(x

2(0,y)(o,y)

根据条件①和②,

可设

2(x,y)的通解为2(x,y)

U0

1(0,y)U0

『b

U)eM

b)e

Asin(

1

由条件③有

U。

ny人sin()

1bU0

(0

d)

(0

yd)

U。

(d

b)

U0y

(d

yb)

两边同乘以sin(U),并从0到b对y积分,得到

b

d

2U0yny、‘

-

(1)sin()dy

b0bb

/、U。

2bU。

(x,y)—y20

bd2

故得到

2Uob(1

bd(d

2sin(n-)sin(

inb

£)ysin(卫y)dybb

b)e

…d

(n)2dsin(=

2Uo

~2

4.3

2We

Cf厂定出边缘电容。

U0

解在导体板(y

求在上题的解中,除开

U°y;b—项外,其他所有项对电场总储能的贡献。

并按

0)上,相应于

2(x,y)的电荷面密度

20U01•,nd、P

sin()e

 

则导体板上(沿z方向单位长)相应的总电荷

q2

2dx

22dx

sin(

n

x

)ebdx

驾存门(罟)

dn1nb

相应的电场储能为We-q2U0

2

2

2obUo

2d

丄sin(¥)

nb

 

其边缘电容为

Cf4_obJl_si门(鸣

Uodninb

4.4如题4.4图所示的导体槽,底面保持电位Uo,其余两面电位为零,求槽的电位的解。

解根据题意,电位

(x,y)满足的边界条件为

1(0,y)(a,y)0

U0

题4.4图a

2(x,y)0(y)

3(x,0)

根据条件①和②,电位

u。

(x,y)的通解应取为

(x,y)

Ane

yasin(U)

a

由条件③,有

nx

U0Ansin()

n1a

nx

两边同乘以sin(9),并从0到a对x积分,得到

a

An2U0a

a

nx

sin()dx

a

cosn)

n1,3,5,L

n2,4,6,L

故得到槽的电位分布为

(x,y)

4Uo

n1,3,5,L

1nyanX、

esin()na

4.5

长、宽、高分别为a

b、c的长方体表面保持零电位,体积填充密度为

xz

y(yb)sin()sin()

ac

的电荷。

求体积的电位。

解在体积,电位满足泊松方程

22

xy

长方体表面s上,电位满足边界条件

1xz

y(yb)sin()sin()

oac

°。

由此设电位的通解为

C1)

代入泊松方程(

mini

(x,y,z)

1),可得

Amnp[(

P1

)2

a

mini

e)2

Amnpsin()sin()sin(

1a

(j]

c

sin(mx)sin(ny)sin(卫z)abc

xz

y(yb)sin(-)sin(——)

ac

An1【()2(n)2

ny、

()]sin()

p1ab

cb

由式

(2),

可得

2

n

、2/厲2b/

、•,ny、,

A1n1[()

(-

■)()1y(y

b)sin()dy

a

b

cb0

b

由此可得

Amnp°(m1或p1)

y(yb)

4b3/

()(cosnbn

1)

8b2

n1,3,5,L

2,4,6,L

(x,y,z)

8b2

""5~

0n

1,3,5,L

^)sin(nab

(二)

c

ql,其

4.6如题4.6图所示的一对无限大接地平行导体板,板间有一与z轴平行的线电荷

位置为(0,d)。

求板间的电位函数。

解由于在(0,d)处有一与z轴平行的线电荷ql,以x0为界将场空间分割为x0和x0两个区域,则这两个区域中的电位1(x,y)和2(x,y)都满足拉普拉斯方程。

而在x0的分界面上,可利用函数将线电荷qi表示成电荷面密度(y)qi(yy。

)。

电位的边界条件为

J

L

J-

a

d

y

ox

题4.6图

1(x,0)=

1(x,a)

0

2(X,0)=

2(x,a)

0

1(x,y)

0(x

2(x,y)

0(x

1(0,y)

2(0,y)

(」—

_L)x0

0

xx

可设电位函数的通解为

(yd)

由条件①和②,

i(x,y)

Anenxasin(U)

1a

(x

0)

由条件③,有

2(x,y)

Bnenxasin(U)

a

(x

0)

由式

(1),可得

将式

(2)两边同乘以

AnBn

由式(3)和(4)

An

ny

Ansin()

n1a

An

n1

sin(m

2qi

n

解得

Bn

i(x,y)

Bnsin(

1

(1)

An

Bnnsin(n

1a

Bn

y),并从0到a对y积分,有

9(yd)

0

(3)

(yd)sin(

□)dy纽sin&

an0

(4)

qi•,nd、

—sin()

n0a

」」sin(呕)enxasin(U)0n1naa

(X0)

 

ql1ndnx.any

2(x,y)-sin()esin()(x0)

oninaa

4.7如题4.7图所示的矩形导体槽的电位为零,槽中有一与槽平行的线电荷qi。

求槽的电

b―I

q*(xo,yo)

oax

题4.7图

由于在(Xo,yo)处有一与z轴平行的线电荷qi,以xXo为界将场空间分割为

和Xoxa两个区域,则这两个区域中的电位i(x,y)和2(x,y)都满足拉普拉斯

方程。

而在xx0白

勺分界面上,

利用

(y)

qi(yy。

),电位的

勺边界条件为

1(0,y)=

0,

2(a,y)

0

1(x,0)=

1(

x,b)0

2(X,0)=

2(

x,b)0

1(x°,y)

2(x0,y)

—-

xxa

(y

y。

x

x

0

位函数。

0xxo

由条件①和②,可设电位函数的通解为

函数将线电荷ql表示成电荷面密度

 

i(x,y)Ansin(ny)slnh(nx)(0xx°)

n1bb

2(x,y)Bnsin(ny)sinh[n(ax)](x°xa)

n1bb

由条件③,有

Ansin(ny)sinh(nx°)Bnsin(ny)sinh[丄(ax0)]

(1)

n1bbn1bb

nnynx0Ansin()cosh(-)

n1bbb

(2)

Bn^sin(ny)cosh[—(ax。

)]乩(yy°)

n1bbb0

由式

(1),可得

Ansinh(nx°)Bnsinh[」(ax0)]0

bb

将式

(2)两边同乘以sin(),并从o到b对y积分,有

b

Ancosh(n-Xo)Bncosh[—(aXo)]

bb

2qi

b

(y

y°)sin(

0

0

2qi亠/nyo

)dy

由式(3)

和(4)

解得

若以

An

Bn

nosir)

1n

sinh[(a

sinh(nab)n0b

2ql1nx0…八

-sinh(-)sin(-)

obb

1

2qi

nxo

nyo

Xo购n(〒)

nyo

sinh(nab)n

1(x,y)组

2(x,y)组

sinh[J(ax°)]

1nsinh(nab)b

./nyo、•—nx、./ny、sin()sinh()sin()bbb

1••‘nxo)

(0

Xo)

sinh(on1nsinh(nab)b

•Jyon/

sin()sinh[(a

bb

yyo为界将场空间分割为oyyo和yo

(、2q

1(x,y)-

2(x,y)组

ny

x)]sin()

b

b两个区域,

sinh[—(b

1nsinh(nba)a

sin(nXo)sinh(-)sin(

aa

1…ny。

yo)]

(Xo

a)

则可类似地得到

(oyyo)

sinh(

on1nsinh(nba)a

•」Xonnx、

sin()sinh[(by)]sin()

aaa

如题4.8图所示,在均匀电场EoexEo中垂直于电场方向放置一根无限长导体圆柱,

圆柱的半径为a。

求导体圆柱外的电位和电场E以及导体表面的感应电荷密度。

解在外电场Eo作用下,导体表面产生感应电荷,圆柱外的电位是外电场Eo的电位o与

感应电荷的电位m的叠加。

由于导体圆柱为无限长,所以电位与变量z无关。

在圆柱面坐标系

(yoyb)

4.8

o

Eo的电位

中,外电场的电位为o(r,)EoXCEorcosC(常数C的值由参考点确定),而感

应电荷的电位in(r,)应与o(r,)一样按cos变化,而且在无限远处为o。

由于导体是等位

体,所以(r,)满足的边界条件为

 

y

 

E

(r,)e

1

*re(

rr

(r,)

er(1

2

a、匚

—)Eocosr

2oE°cos

导体圆柱表面的电荷面密度为

0

r

ra

若选择导体圆柱表面为电位参考点,即(a,)0,则C0。

导体圆柱外的电场则为

4.9在介电常数为

的无限大的介质中,

2

e(12)E0sin

沿z轴方向开一个半径为a的圆柱形空腔。

沿x轴

题4.8图

(a,

C

(r,

E(

)rcos

C(r

由此可设

(r,

Eorcos

Ar1cos

C

由条件①,

Eoacos

A1a

1cosC

C

于是得到

A1

a2

Eo

故圆柱外的电位为

(r,

)(

2

rar

1)E0cos

C

方向外加一均匀电场EoexEo,求空腔和空腔外的电位函数。

解在电场Eo的作用下,介质产生极化,空腔表面形成极化电荷,空腔、外的电场E为外

加电场Eo与极化电荷的电场

Ep的叠加。

外电场的电位为

o(r,)EoxEorcos而感应

电荷的电位

in(r,)应与o(r,)一样按cos变化,则空腔、外的电位分别为

1(r,)和

2(r,)的边界条件为

r

时,2(r,)

Eorcos;

r

0时,

1(r,)为有限值;

r

a时,

1(a,)

2(a,),

1

0

2

r

r

由条件①和②,

可设

1

(r,)

Eorcos

Arcos

(r

a)

2

(r,)

Eorcos

典1

A2「cos

(r

a)

带入条件③,有

Aa

Aza1,

0E00A

Eo

a

2a

由此解得

A

oEo,

A20

a2Eo

0

0

所以

i(r,)

2

(ra)

2(r,)[1—(旦)2]E°rcos(ra)

or

4.10—个半径为b、无限长的薄导体圆柱面被分割成四个四分之一圆柱面,

示。

第二象限和第四象限的四分之一圆柱面接地,第一象限和第三象限分别保持电位

如题4.10图所

U0和U0。

题4.10图

求圆柱面部的电位函数。

解由题意可知,圆柱面部的电位函数满足边界条件为①

(0,)为有限值;

U。

0

(b,)

U0

0

由条件①可知,

3.2

圆柱面部的电位函数的通解为

代入条件②,有

由此得到

An

(b,

Bn

bn0

(b,

(r,

rn(Ansinn

1

Bncosn)

(rb)

bn(AnsinnBncosn)

)sinn

)cosn

(b,)

2

[U°sinn

0

2U0

nbn

0,

2

[U0cosn

0

32

U0sinnd]

1,3,5,L

2,4,6,L

32

dU0cosnd]

U0bnn

(1cosn)

 

U0(sinnsin3^)

22

0

bnn

2U0

b

n1,3,5,L

n2,4,6,L

(r,)仝

-(r)n[sinn

n1,3,5,L□b

4.11如题4.11图所示,一无限长介质圆柱的半径为r°(r0a)处,有一与圆柱平行的线电荷

位i(r,

(1)2cosn

(r

b)

介电常数为ql,计算空间各部分的电位。

在线电荷ql作用下,介质圆柱产生极化,介质圆柱外的电位(r,)均为线电荷ql

)的叠加,即(r,)l(r,)p(r,)。

线电荷ql

,在距离轴线

的电

位为

)与极化电荷的电位p(r,

-q^lnR

20

i(r,)

严1n」2

20

r022rr0cos

(1)

的电

p(r,)满足拉普拉斯方程,且是2(r,)满足的边界条件为分别为

1(0,)为有限值;2亿)

而极化电荷的电位

的偶函数。

介质圆柱外的电位

1(r,

l(r,)

(r

ra时,

2,

由条件①和②可知,

1(r,

1

r

2(r,

2

0

r

)的通解为

1(r,)

i(r,)

Anrncosn

1

(0

a)

(2)

2(r,

)l(r,

n

Bnrcosn

n1

(a

(3)

将式

(1)〜(3)带入条件③,可得到

Ana

n1

n

cosn

Bn

n

acosn

(4)

(An

n1

n1

na

Bn

0nan1)cosn

InR

(5)

 

1rn

当rr°时,将InR展开为级数,有InRInr°-()cosn

ninro

带入式(5),得

n1

(Anna

n1

n1、

Bnona)cosn

o)qi

an1

()cosn

1ro

2

Oron

由式(4)和(7),

有Anan

n

Bna

Annan

1n1(

Bnona

o)q

(-)n1

2

oro

ro

由此解得An

qi(o)

1Bqi(

n,Bn

2n

o)a

n

(7)

2nnn

o(o)nr。

2o(o)nr。

 

故得到圆柱、外的电位分别为

i(r,)

2(r,)

qi

2rr0cos

0

2rr0cos

qi(o)1/r、n

-()cosn

20(0)n1nro

qi(o)1a、n

-()cosn

2o(o)n1nr°r

(8)

(9)

 

讨论:

利用式(6),可将式(8)和(9)中得第二项分别写成为

q(

2o(

丹七(InRlnro)

2

q(o)1za.nq(o)ZlD..

1-()cosn1-(InRInr)

2o(o)n1nror2o(o)

其中R,r2(a2ro)22r(a2ro)cos。

因此可将1(r,)和2(r,)分别写成为

1(r,)

2(r,)

由所得结果可知,

1

2Oqi

InR

q(

)Inro

2o

o

2o(

o)

q

InR

1

o)qiInR1(

o)qiinr

2o

2o

o2o

o

介质圆柱的电位与位于(

ro,o)的线电荷丄丄qI的电位相同,而介质

 

2

圆柱外的电位相当于三根线电荷所产生,它们分别为:

位于(

a只、

ro,O)的线电荷qI;位于(——,。

)ro

的线电荷qI;位于rO的线电荷oqI。

OO

4.12将上题的介质圆柱改为导体圆柱,重新计算。

解导体圆柱的电位为常数,导体圆柱外的电位(r,)均为线电荷qi的电位i(r,)与感

应电荷的电位in(r,)的叠加,即(r,)

i(r,)in(r,)。

线电荷qi的电位为

i(r,)

」lnR

dinr2rO2rrocos

(1)

(r,)i(r,)(r);(a,)C。

的偶函数,并由条件①可知,

(r,)的通解为

将式

(1)和

(2)带入条件②,

Ana

n0

(r,)

可得到

n

cosn

i(r,

-2-

ro2arocos

(3)

而感应电荷的电位in(r,)满足拉普拉斯方程,且是的偶函数。

(r,)满足的边界条件为

由于电位分布是

 

将In.,a2r022ar0cos展开为级数,

Ina

2小

r°2ar°cos

Inr°

丄(旦)ncosn

1nr°

(4)

带入式(3),得

由此可得

A0

Ana

0

n

cosn

ro,

qi

2

-[lnr°

0

1/a、n

()cosn]n1nr°

2

(与

r。

(5)

 

故导体圆柱外的电为

讨论:

其中R

(r,

利用式(

4),

Inr2

r022rr0cos

-Inr°)

0

可将式(6)中的第二项写成为

1za、nqi

()cosn(InR

1nr°r2°

(C

-】(皂)ncosn

0n1nr°r

Inr)

(6)

r2(a2r0)22r(a2r0)cos。

因此可将

(r,)写成为

(「,)売1nR无1

导体圆柱外的电位相当于三根线电荷所产生,

由此可见,

2

位于(J,0)的线电荷qi;位于r0的线电荷qi。

-inrC」Inr0

020

它们分别为:

位于(r0,0)的线电荷qi;

4.13在均匀外电场E°ezE°中放入半径为a的导体球,设

(1)导体充电至U°;

(2)导体上充有电荷Q。

试分别计算两种情况下球外的电位分布。

(1)这里导体充电至U0应理解为未加外电场E0时导体球相对于无限远处的电位为U0,

此时导体球面上的电荷密度0U0.;a,总电荷q40aU0。

将导体球放入均匀外电场E0中

q仍保持不变,

后,在E0的作用下,产生感应电荷,使球面上的电荷密度发生变化,但总电荷导体球仍为等位体。

设(r,)o(r,)in(r,),其中

o(r,)

E0zE0rcos

电位(r,)满足的边界条件为

①r

时,

(r,)

Eorcos;

②r

a时,

(a,)

Co,o?

dSq

Sr

其中Co为常数,

若适当选择(r,

)的参考点,可使CoUo。

由条件①,可设

(r,)

EorcosAr2cos^r1Ci

是均匀外电场Eo的电位,

in(r,)是导体球上的电荷产生的电位。

加电场

条件为

在电场Eo的作用下,介质产生极化,空腔表面形成极化电荷,空腔、外的电场Eo与极化电荷的电场Ep的叠加。

设空腔、

外的电位分别为i(r,)和2(r,

E为外

),则边界

时,

0时,

2(r,)

i(r,)为有限值;

E0rcos

a时,

i(a,)

2(a,),

由条件①和②,可设

i(r,

2(r,

带入条件③,有

Aia

Eorcos

Eorcos

Arcos

2

cos

A2r

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