PbOB2O3CuV2O6掺杂对PbCaLaF讲解.docx

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PbOB2O3CuV2O6掺杂对PbCaLaF讲解

第３３卷第２期压电与声光

８ＬＡＣＯＵＳＴＯＯＰＴＩＣＳ

Ｖ０１．３３Ｎｏ．２Ａｐｐｌ．２０１１

２Ｏ１１年４月ＰＩＥＺＯＥＩ，ＥＣＴＲＩＣＳ

文章编号：

１００４—２４７４（２０１１）０２—０２５１—０３

．

ＰｂＯ—Ｂ２０３一ＣｕＶ２０６掺杂对（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ，Ｎｂ）０３

陶瓷微波介电性能的影响

顾

莹１，江永长１，杨秋红１，金应秀２

（１．上海大学材料学院，上海２０００７２；２．韩国京畿大学陶瓷工程系．韩国水源４４２—７６０）

摘要：

研究了ＰｂＯ－Ｂ２０３一ＣｕＶｚｏｓ（ＰＢＣ）玻璃对（Ｐｂ．Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ，Ｎｂ）０３（ＰＣＬＦＮ）陶瓷微波介电性能的影响。

当纯ＰＣＬＦＮ陶瓷在１１５０℃烧结。

介电常数￡，一１０３，品质因数与频率之积Ｑｆ＝５

６４０

ＧＨｚ，频率温度系数

ｒｆ＝７．１×１０“／℃。

ＰＢＣ玻璃添加剂能降低ＰＣＬＦＮ陶瓷的烧结温度到１０５０℃左右，同时能保持良好的介电性能。

随着ＰＢＣ玻璃添加量的质量分数从１．ｏ％增加２．Ｏ％，陶瓷的Ｏｆ值减小。

掺杂叫（ＰＢＣ）＝ｌ％玻璃、在１℃烧结的陶瓷样品，能获得良好的微波介电性能为Ｑｆ＝５

３９２

０５０

ＧＨｚ．ｒ，＝８．１８×１０－６／℃煽＝１０１。

关键词：

ＰｂＤＢＯｓ—ＣｕＶｚ０６ｉ（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ，Ｎｂ）ｑ；低温烧结；微波介电性能

中图分类号：

ＴＮ３０５．３；ＴＱｌ７４

文献标识码：

Ａ

ＥｆｆｅｃｔｏｆＰｂＯ—Ｂ２０３－ＣｕＶ２０６Ｇｌａｓｓ

Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ

ｏｎ

ｔｈｅ

Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ

Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ

ｏｆ（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ－Ｎｂ）０３

Ｃｅｒａｍｉｃｓ

ＧＵＹｉｎ９１，ＪＩＡＮＧＹｏｎｇｃｈａｎ９１，ＹＡＮＧＱｉｕｈｏｎ９１，ＫＩＭＥｕｎｇＳ００２

（１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓ

Ｓｃｉｅｎｃｅ

ａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ。

ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ．Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２．Ｃｈｉｎａｌ

２．Ｄｅｐｔ．ｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎ．ＫｙｏｎｇｇｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｕｗｏｎ４４２—７６０，Ｋｏｒｅａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：

Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆ

ＰｂＯ－Ｂ２０３一ＣｕＶ２０６（ＰＢＣ）ｇｌａｓｓ

ｏｎ

ｔｈｅｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）

ｐｕｒｅ

（Ｆｅ，Ｎｂ）０３（ＰＣＬＦＮ）ｃｅｒａｍｉｃｓｈａｖｅｂｅｅｎｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｉｎｔｈｉｓ

ａｔ

ｗｏｒｋ．Ｗｈｅｎｔｈｅ

ＰＣＬＦＮｃｅｒａｍｉｃｓｗｅｒｅｓｉｎｔｅｒｅｄ

１１５０℃，ｔｈｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ

ｃｏｎｓｔａｎｔ

ｅ。

ｏｆ

１０３，Ｑｆ

ｏｆ５６４０ＧＨｚａｎｄｒ，ｏｆ７．１×１０“／℃ｈａｖｅｂｅｅｎｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ

ｔＯ

ｓｉｎｔｅｒｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆｔｈｅｃｅｒａｍｉｃｓｐｅｃｉｍｅｎｓｗｉｔｈｔｈｅＰＢＣｇｌａｓｓａｄｄｉｔｉｖｅｓｗａｓｒｅｄｕｃｅｄｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｏｆｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．Ｔｈｅ

１０５０℃ｗｉｔｈｏｕｔ

ｃｏｎｔｅｎｔ

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ＱｆｖａｌｕｅｗａｓｄｅｃｒｅａｓｅｄｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｉｎｇＰＢＣ

ａｔ

ｆｒｏｍ

１．０％ｔＯ２．０％．Ｆｏｒｔｈｅｓｐｅｃｉｍｅｎｓｗｉｔｈ１．０％ｏｆＰＢＣｇｌａｓｓｓｉｎｔｅｒｅｄ

３９２ＧＨｚａｎｄ

Ｋｅｙｅｒｔｉｅｓ

１０５０℃ｆｏｒ３

ｈ，ｅ，，Ｑｆａｎｄ≈ｗｅｒｅ１０１，５

８．１８×１０“／℃，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．

ｐｒｏｐ－

ｗｏｒｄｓ：

ＰｂＯ－Ｂ２０ｓ—ＣｕＶｚ０６Ｉ（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ，Ｎｂ）０３；ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ

０引言

随着移动通讯与卫星通讯事业的迅猛发展，微

１）在已有的材料中添加一定量的低熔点氧化物或玻璃等。

２）采用化学合成法等先进制粉方法制备烧结活性高的超细或纳米粉体。

３）选择固有烧结温度低的材料。

用掺杂低熔点氧化物或玻璃添加剂的液相烧结法是３种方法中最常见且成本最低的一种［２－３］。

低熔点化合物如Ｂ２０。

、Ｖ。

０。

、Ｂｉ２０。

和ＣｕＯ是常用的烧结助剂［４－８］。

与单个添加剂相比，复合掺杂能更有效地降低烧结温度并保持良好的介电性能。

波介质滤波器、微波介质谐振器及微波介质振荡器等元器件越来越受到人们的广泛重视。

为满足微波介质陶瓷器件小型化、集成化的要求，微波介质器件的开发研究都集中在多层结构设计上［１］。

多层结构微波器件的发展需要微波介质材料必须具有较低的烧结温度，以便与高电导电极材料如Ａｇ或Ｃｕ共烧结制备多层微波器件。

为降低微波介质陶瓷材料的烧结温度，一般采用的方法有：

收稿日期：

２０１０・０５—０６

基金项目：

国家自然科学基金资助项目（６０５７８０４１）；国家“八六三”基金资助项目（７１５－００６—００６０）作者简介：

顾莹（１９６５一），女，上海人．讲师．博士生，主要从事铅系微波介电陶瓷制备及性能的研究。

万方数据

如№，Ｔｉ

Ｎｂ—Ｏ系统中，ｑｌ

Ｂ：

Ｏ．一ｃｕ“”作擀加刑；，Ｊ

降低烧结温度纠９００Ｃ．且能获得优良的微渡介电性能：

品质园数与频率之积口，＝３２ｏ㈨ＧＨｚ．介电

常数￡，＝４０．频率温度系数ｒ，＝９×Ｊ０¨Ｃ。

ＢａＴｉ．０９系统‘ｐ添加岛Ｏ，一Ｚｎ（｝１．ａ（），”２同样能在降低烧结温度的同时获得好的介电性能：

Ｅ．一２７．Ｑｒ＝２００００（｜Ｈｚ．ｒ，：

６

５×１０

５Ｈ：

。

车研兖ｒ”．用１．ａ“取代（Ｐｂ。

Ｃａ。

，）（Ｆｅ。

。

Ｎｂ¨）（），寓瓷中Ａｆａ的（Ｐｂ．Ｃａ）“可改善其微波

介电性能。

（Ｐｂ．Ｃａ．１．ａ）（Ｆｃ．ＮＢ）０３（ＰＣＩＦＮ）陶瓷

在ｌ

１５０

０的温度下烧结３ｈ具有很好的澈波性

能…。

ｍ】朋ＰｂＯ－琏（）ｔＣｕＶ，（ｋ（ＰＢＣ｝玻璃作为舔

加刺．是由于Ｐｂ（）能有效抑制ＰＣＩ．ＦＮｔｆ・Ｐｂ挥发．Ｂ：

Ｏ、妊有轻低熔点．ＣｕＶ：

Ｏ。

则是一种能很好的降低陶瓷烧结温度的优趣材料２。

奉实验基于

ＩＫ’Ｉ

ＦＮ微渡陶瓷．掺杂Ｐｂ（■＆（ｂＣｕＶ：

（、．研究不

同烧结温度及成分对ＰＣＩ．ＦＮ微波介电性能的影响。

ｌ实验过程

所用的ＰｂＯ、ＣａＣＯ，、Ｉ，ａ：

０。

，Ｆｑ（），、Ｎｂ：

０。

、琏（），和ＣｕＶ：

Ｏｅ原料纯度均大于９９９％。

按设计的

化学组成配比混料．添加蒸髓木．用ＺｒＯ：

球唐

ｚ４ｈ．浆科在烘箱中烘干．采用传统的固相反应法在９００

ｒ下煅烧＾ｈ合成ＰＣＩ，ＦＮ粉傩。

按Ｐｂ（｝

＆Ｏ，－ＣｕＶ２（）６（ｕｒ（ＰｂＯ）＝８５

５％；ｗ【性ＯＩ）；

９

５％Ⅲ（ＣｕＶ：

【＾）＝５０“）配料，在５５０℃Ｆ烧

结１ｈ．制得ＰＰＬ２玻璃。

将制得的玻璃压碎球磨制

得ＰＢ｛’玻璃粉体。

台成的ＰＣｉ．ＦＮ粉体和ＰＢＣ玻璃添加剂挂合，加入蒸馏水．再球癌２４ｈ。

下燥后

粉料在１・１５Ｍｈ等静ｊ＝叵下制备成直径巧１０ｍｎｌ、离

ｓ～６

ｉｎｎｌ的圆柱体，然后在ｌ

０００～１

１００℃空气中

烧结３ｈ。

密度由Ａｒｃｈｉｍｅｄｅｓ捧水法测定。

烧结

好的样品用ｘ线衍射法（ＸＲＤ）分折相组成．用扫描电镜（ＳＥＭ）观察样品的微观结掏．ｅ．和Ｑｆ值采

，ＨＨａｋｋｉ－Ｃｏｌｅｍａｎ’ｓ法的ＴＥＯｌｌ横在５～６ＧＨｚ额牢下铡定。

采ＪＩｉ腔体｝上在２５～８０Ｃ下测定ｒ

ｒ。

２结果与讨论

罔ｌ为ＰＢＣ玻璃掺杂量不同、１１５０℃时．ＰＣＬＦＮ样品的ＸＲＤ图谱。

由圈可知．在１

１５０ｃ

烧结３ｈ的纯ＰＣＩ。

ＦＮ样品形成单一的正孝｝方晶体的钙钍矿结｝ｌＩ。

当在ＰＣＩ，ＦＮ掺人玻璃ＰＢ（：

．且托

万方数据

２…ｌｍ

ｌ０５０

ｃ烧结３ｈ．陶瓷佯品隙土ｔ％捕钙铽目‘结陶

外．Ｈ｛现了第二棚焦绿打十Ｈ．遮住定程度ｊ‘会对舟咆性能产生彤响。

２棚。

Ｉ

闰Ｉ

Ｉ’ｃＩ

ＦＮ肉瓷蛲站啦ＸＲＩ）目ｌＨ

圈２为ＰＢＣ玻璃捧杂晡小ＩＩ司、ｌ０５０【时．ＰＣＬＦＮ样品的ＳＥＭ瞄瞒，由Ｉ目ｒ４知．ｎ．１

０８０

Ｃ

烧结温度Ｆ，当＾【（ＰＢＣ）＿ｏ匿

５＋ｃ时．・％挺监育状况较差。

随玻璃情的增加．品粒发育更完整，陶瓷变得型致柱。

圈２（ｂ）中出现较多的‘Ｉ扎可能是山于驶

璃舔加量总体较少．所吼Ｈ未能作用到某非批置．造成造些位髓烧结不完全－从而出现＋ｔ＇ｉＬ。

ｒ１１ｗ（ＰＢＣ｝０５％

（ｈ）ｗ．｛ＰＢＣ）一ｌ０％

Ｉｃｌ”ＩＰＢｃｒ

２

Ｑ％

嘲３Ｉｘ‘【＿ＦＮ陶瓷抽ＳＥＭＩ＂ａｌ＃

圈３为ＦＩＲ玻璃捧杂蚺不同ＢｔＰＣＩＦＮ佯一％

的体积舒度与烧结温度的茭系，Ｅｈｌｗ－¨以看出．’＊

”（ＰＢＣ）＝０５＇口、１０００～ｌ

ｌ（）０

Ｃ时．样品的体积

密度随着烧结温度的升高不断增加．Ｉ兑叫萁饶结温度高下１１１０Ｌ。

仉址当ｕ（ＰＢＣ）一ｊ

ｏ环和

ｕ（ＰＢＣ）＝２

０％．陶瓷样品悼飘密度祚１ｏｊｏ

ｆ达

最大值，进一步增加烧结温度．体积密度值变化不大。

这说明在１

０５０

０下陶瓷样品烧结致密。

因此

ｉ４得出ＰＢＣ玻璃对ＰＣＩ．ＦＮ陶瓷烧结具有促进作用．捧杂”（ＰＢＣ）＞１．０烬－口使ＰＣＩ．ＦＮ陶瓷的烧结

溢度由１１

５０

ｏ降低至１０５００。

第２期

顾莹等：

ＰｂＯ－Ｂ２０。

一ＣｕＶ。

０６掺杂对（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ，Ｎｂ）Ｏ。

陶瓷微波介电性能的影响

２５３

烧结温度，℃

图３

ＰＣＬＦＮ陶瓷体积密度与烧结温度的关系

图４为ＰＢＣ玻璃掺杂量不同时ＰＣＬＦＮ样品的ｅ，与烧结温度的关系。

一般微波介质陶瓷致密度的高低在一定程度上决定了其Ｅ，的大小，ｓ，随烧结温度和体积密度的增加而增加［１３１。

由图可见＇ｓｒ随ＰＢＣ玻璃掺杂量的变化趋势与体积密度相似。

当ｗ（ＰＢＣ）＝０．５％，ｅ，随烧结温度的升高而不断增加。

其他两组配方在１

０００＂－－１

０５０℃温度范围内，

￡，逐渐增加，随着温度升高到１０７５℃＇ｅｆ基本不发生变化，进一步增加温度，其值略有增加。

对于所有掺杂浓度且烧结良好的陶瓷样品，其ｅ。

都很高，即

￡，＝９３．２～１０８．１。

烧结温度，℃

图４

ＰＣＬＦＮ陶瓷￡。

与烧结温度的关系

图５为ＰＢＣ玻璃掺杂量不同时ＰＣＬＦＮ样品的Ｑ，值与烧结温度的关系。

一般陶瓷样晶的Ｑｆ值与陶瓷中的本征因素（如晶体中的非简谐相互作用）及非本征因素（如相对密度、第二相及氧空位）等有关。

由图可知，当仞（ＰＢＣ）＝０．５％时，随着烧结温度从１０００℃增加到１０５０℃，样品的Ｑｆ值先减小后增加，最后在１

０７５

１

１００℃温度范围间基本

保持不变。

而当伽（ＰＢＣ）＝１．０％和硼（ＰＢＣ）＝２．０％，其Ｑｆ值随烧结温度的增加变化很小。

ｗ（ＰＢＣ）＝１．０％的ＰＣＬＦＮ陶瓷样品Ｑ厂值大

烧结温度，℃

图５

ＰＣＬＦＮ陶瓷Ｑｆ值与烧结温度的关系

万方数据

于ｗ（ＰＢＣ）＝２．０％的样品。

这可能是由于ＰＢＣ玻璃的添加量的增加使ＰＣＬＦＮ陶瓷样品结晶度变差，导致损耗增大。

图６为ＰＢＣ玻璃掺杂量不同时ＰＣＬＦＮ样品的ｒ，图谱。

纯ＰＣＬＦＮ陶瓷１１５０℃烧结３ｈ的

ｒ，一一４．２７×１０＿６／℃，而添加了ＰＢＣ玻璃后，当ｗ（ＰＢＣ）从０．５％增加到２．０％，在１０５０℃烧结得到的陶瓷样品的ｒ，从４．９９增加到９．７４

Ｘ

１０＿６／℃。

综上可知，添加叫（ＰＢＣ）＝１．０％，在１０５０℃

烧结获得的陶瓷综合性能较好，Ｑｆ＝５

３９２ＧＨｚ，

ｒ，＝８．１８×１０—６／℃，￡。

＝１０１。

”（ＰＢＣ）／％

图６

ＰＣＬＦＮ陶瓷ｒ，随掺杂量的变化关系

３

结束语

通过添加ＰＢＣ玻璃，ＰＣＬＦＮ陶瓷样品的烧结

温度降低约１００℃，同时能保持良好的微波介电性

能。

ＰＣＬＦＮ陶瓷在掺入ＰＢＣ玻璃后，其结构除了主晶相钙钛矿，出现了第二相。

随着ＰＢＣ玻璃添加量ｗ（ＰＢＣ）从１．０％增加２．０％，陶瓷的品质因数与频率之积Ｑｆ值减小。

当ｗ（ＰＢＣ）＝１．０％、烧结温度ｌ０５０℃时，可得到优异的综合介电性能：

Ｑ厂＝

５３９２

ＧＨｚ，ｒｒ一８．１８×１０—６／℃，ｅ，＝１０１。

参考文献：

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ｃｒｏｗａｖｅ

ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ－］．Ｊ

ＡｍＣｅｒａｍ

Ｓｏｃ。

１９９４，７７（７）；

１９０９－１９１６．

（下转第２５７页）

第２期霍伟荣等：

工艺过程对ＮＢＴ／ＢａＴｉＯ。

复合ＰＴＣ材料性能的影响２５７

２）成型压力为２９８ＭＰａ附近时，试样的室温电ａｎｄＡｃｔｕａｔｏｒｓＡ，２００６，１２８（２）：

２６５—２６９．阻率最低。

［６］霍伟荣，李平，于天来，等－Ａ位施主掺杂剂对ＰＴＣ陶

３）最佳的烧结温度为・２７５－－一１２９０℃。

喜嚣要是鬟竺击｛三？

姜奔ｉ２。

０ｎ０。

。

９ｉ，，３。

１。

‘。

３。

）．：

Ｔ４０ｈ。

１—４Ⅲ０３。

ｕ．一参考文献：

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［Ｊ］・Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ，１９９６，１７７（１）：

２７３－

ａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｓｅｍｉ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ２８３・

Ｐｂ。

．６Ｓｒｏ．．Ｔｉ０３ｃｅ．

ｒａｍｉｃｓｕｓｉｎｇＰｂＴｉＯｓ—ｃｏａｔｅｄＳｒＴｉ０３ｐｏｗｅｒｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ［８］ＺＨＡＮＧＤＬ，ＺＨＯＵＤＸ・ＪＩＡＮＧＳＬ・ｅｔａｌ・ＥｆｆｅｃｔｓｏｆｏｆｔｈｅＥｕｒｏｐｅａｎＣｅｒａｍｉｃＳｏｃｉｅｔｙ，２００１，２１（１０）：

１９０５．ｐｏｒｏｓｉｔｙｏｎｔｈｅ‘ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｃｕｒｒｅｎｔ—ｌｉｍ一１９０８．ｉｔｉｎｇＢａＴｉ０３一ｂａｓｅｄｐｏｓｉｔｉｖｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ［３］ＫＵＷＡＢＡＲＡＭ．Ｌｅａｄｔｉｔａｎａｔｅｃｅｒａｍｉｃｓｗｉｔｈｐｏｓｉｔｉｖｅｃｅｒａｍｉｃｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒｓｃｏａｔｅｄｗｉｔｈｅｌｅｃｔｒｏｔｅｓｓｎｉｃｋｅｌ－

ｔｅｍｐｅｒａｔｒｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓｅｌｅｃｔｒｏｄｅ［Ｊ］．ＳｅｎｓｏｒｓａｎｄＡｃｔｕａｔｏｒｓＡ，ＡｍｅｒｉｃａｎＣｅｒａｍｉｃＳｏｃｉｅｔｙ，１９９０，７３（５）：

１４３８—１４３９．２００４，１１２（１）：

９４—１００．［４］徐廷献，沈继跃，薄占满，等・电子陶瓷材料［Ｍ］・天津：

［９３ＡＫＩＲＡＨ，ＳＡＴＯＲＵＦ。

ＫＵＮＩＨＩＴＯＫ，ｅｔａ１．Ｔｈｅｅｎ．［５］ＨＵＯＷＲ，ＱＵＹＢｉｌ／ｚＮａ，／ｚＴｉ０３ｏｎｔｈｅ

ｃｕｒｉｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄＦ．Ｅｆｆｅｃｔ个ｓｒｏｆｔｈｅＰＴＣｅｆｆｅｃｔｓｏｆｉｈｎａｎｓｃｅｅｍｄｉｐｃ。

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１２５２—１２５５・（上接第２５３页）［９３ＫＩＭＪＲ，ＫＩＭＤＷ，ＹＯＯＮＳＨ，ｅｔａ１．Ｌｏｗｔｅｍｐｅｒａ－［４３ＩＣＨＩＮＯＳＥＮ，ＹＡＭＡＭＯＴＯＨ．Ｅｆｆｅｃｔｏｆａｄｄｉｔｉｖｅｓｏｎｔｕｒｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ

ｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｉｎｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｒ—Ｂａ３ＴｉｓＮｂ６０２８ｗｉｔｈＢ２０３ａｎｄＣｕＯａｄｄｉｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＪＥｌｅｃ—ｉｎｇ（Ｍｇ，Ｃａ）Ｔｉ０３ｂａｓｅｄｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｆｒｒｒｏｅｌｒｃｔｒｉｃｓ・ｔｒｏｃｅｒａｍ，２００６，１７（２）：

４３９—４４３．１９９７・２０１（１）：

２５５－２６２・［１０］ＧＵＡＮＥＸ，ＣＨＥＮＷ，ＬＵＯＬ．Ｌｏｗｆｉｒｉｎｇａｎｄｍｉ一［５］ＯＫＡｗＡＴ，ＩＭＡＥＤＡＭ・ＯＨＳＡＴＯＨ・ＭｉｃｒｏｗａＶｅｄｉ—

ｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｏｆＢａＴｉ４０９ｗｉｔｈ

ｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐ８ｒｔｉｅｓｏｆＢａ４ｚｎＤＬａ２ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＪｐｎＪＡＰＰｌＢｉ’粤ｄｅｄＰｈｙｓ，２０００，３９（９Ｂ）：

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ｎ口］．Ｃｅｒａｍ－ｃｓ…Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ。

ｎａｌ，

５６４９．Ｚ００７，３３（６）：

１１４５－１１４８．［６－１ＫＩＭＨＴ，ＫＩＭＳＨ，ＮＡＨＭＳ，ｅｔａ１．Ｌｏｗ－ｔｅｍＤｅｒａｔｕｒｅ［１１］杨秋红，金应秀，徐军．固溶率因子Ｒ对（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）

ｓｉｎｔｅｒｉｎｇａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｚｉｎｃ（Ｆｅ，Ｎｂ）０３陶瓷微波介电性能的影响［Ｊ］．硅酸盐学ｍｅｔａｔｉｔａｎａｔｅ－ｒｕｔｉｌｅｍｉｘｔｕｒｅｓｕｓｉｎｇｂｏｒｏｎ［Ｊ］．ＪＡｍＣｅ一报，２００２・３０（５）：

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ｄｉｔｉｏｎｏｎｔｈｅｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｉｅｓｏｆ（Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ）（Ｆｅ＇Ｎｂ）Ｏｓｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］・ＪｏｕｒｎａｌＢａ２Ｔｉ９０２。

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ｍｇａｎｄｍ１。

。

ｏｗ８Ｖ。

ｄ１。

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ａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｍｉｃｒｏｗａＶｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｅｒａｍｉｃｓ

ｐｒｏｐｅ卜ｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｌｏｗｔｅｍ—

ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇ

ｔｉｅｓｏｆＢａ３Ｔｉ５Ｎｂ６０２８ｃｅｒａｍｉｃ［Ｊ］．Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ＆ｐｅｒａｔｕｒｅｌｉｑｕｉｄｐｈａｓｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］・ＪｐｎＪＡｐｐｌＰｈｙｓ，

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万方数据

PbO-B2O3-CuV2O6掺杂对（Pb,Ca,La）（Fe,Nb）O3陶瓷微波介电

性能的影响

作者：

作者单位：

刊名：

英文刊名：

年，卷（期）：

顾莹，江永长，杨秋红，金应秀，GUYing，JIANGYongchang，YANGQiuhong，ZHANGSan顾莹,江永长,杨秋红,GUYing,JIANGYongchang,YANGQiuhong（上海大学材料学院,上海,200072），金应秀,ZHANGSan（韩国京畿大学陶瓷工程系,韩国水源442-760）压电与声光PIEZOELECTRICS&ACOUSTOOPTICS2011,33

（2）

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