中北大学微电子专业英语1.docx
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中北大学微电子专业英语1
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samplewithuniformdonorconcentrationinthermalequilibrium
在热平衡均匀的施主浓度的样品
essentiallyparticle
基本粒子
particular
特别的
lattice
格
donorsite
供体位点
crystal
晶体
incorporated
结合
thermalmotion
热运动
intheeffectivemassof
在有效质量
theinfluenceofcrystallatticesisincorporated
如果考虑晶体的影响
theorem
定理
constant
恒定的
boltzmann
玻尔兹曼
three-dimensional
三维
kineticenergy
动能
averagethermalvelocity
平均热运动速度
visualize
可视化
asuccessionofrandomscatteringfromcollisionswithlatticeatoms
一系列的晶格原子的碰撞散射
scatteringcenters
散射中心
theeffectoftheperiodicfieldestablishedbythelatticeatomshasbeentakenintoaccountbytheeffectivemass
由晶格原子建立周期场的影响已被有效质量的考虑
thelatticeatomsdonotdeflecttheconductionelectrons
晶格原子不偏离传导电子
donotaccountforthedeviationoftheatomsfromtheirperiodicposition
不考虑从周期性位置原子的偏差
deviation
偏差
scatter
散射
deflect
偏转
thethermalvibrationsmaybetreatedquantum-mechanicallyasdiscreteparticlecalledphonons,andthecollisionofphononswithelectionsandholesiscalledlatticeorphononscattering
热振动可以被视为量子力学的离散粒子称为声子，声子与电子和空穴的碰撞叫做格或声子散射
periodicpositions
周期性位置
vibration
振动
itdominatesotherscatteringprocessesatandaboveroomtemperatureinlightlydopedsilicon
它支配着其他散射过程和高于室温的温度在轻掺杂硅
mostsemiconductordevicesareoperatedinthistemperaturerange
大多数半导体器件在该温度范围内运行的
scatteringmechanisms
散射机制
atom
原子
theionizedimpurityatomsarechargedcentersthatmaydeflectthefreecarriers
电离杂质原子的电荷的中心，可能偏转自由载流子
neutralimpurityatomsmayintroducescattering
中性杂质原子可能引入散射
whenthefreecarriersareinfluencedbytheatomiccoreandorbitingelectronsseparately.usually,theeffectofthisscattering
当自由载流子的原子核和电子轨道separately.usually影响，这种散射的影响是可以忽略不计
coulombforce
库仑力
carrierdensities
载流子密度
therandommotionofelectronsleadstoazeronetdisplacementofanelectronoverasufficientlylongperiodoftime
电子的随机运动导致一零的电子净位移在一个足够长的时间
adisplacementof
一个位移
sufficiently
足够的
themeanfreepath
平均自由路径
dominate
占主导地位
willbeacceleratedalongthefield
将加速沿场
anadditionalvelocitycomponentwillbesuperimposeduponthethermalmotionofelectrons
一个额外的速度分量将被叠加在电子的热运动
component
组件
superimposed
叠加
appliedfield
应用领域
thus,currentflowisinducedinduction感应
因此，电流是感应的
unlikeelectronsmovinginavacuum,electronsinasemiconductorunderanextermalfielddonotachieveconstantacceleration
不同的运动在真空电子，外部电场下半导体电子不实现恒定的加速度
thecarriersareacceleratedbythefieldandthendeceleratedbycollisions
载流子的加速和减速的那场碰撞
thedriftvelocityisafunctionoftheappliedfield,
漂移速度所施加的电场的函数，
themagnitudeofthevelocitycanbederivedbyusingthefollowingsimplemodel
速度的大小可以通过使用下面的简单模型得出
canbederived
可以得出
byequatingthemomentum
通过等同的动量
freeflight
自由飞行
themomentumgainedbytheelectroninthesameperiod
通过在同一时期，电子获得动量
theequalityisvalid
平等是有效的
steadystate
稳定状态
isproportionalto
是成比例的
electronmobility
电子迁移率
asimilarexpressioncanbewrittenforholesinthevalenceband
一个类似的表达可以在价带空穴写
drift
漂移
negativesign
负号的
inprecedingsection
在前面的部分
thermalvibrations
热振动
thesevibrationsdisturblatticeperiodicpotential
这些振动干扰晶格周期势
latticescatteringbecomesdominantathightemperature
在高温下的晶格散射成为主导
hencetheelectronsmobilitydecreasewithincreasingtempurature
因此，电子迁移率随温度的降低
demonstrate
证明
mostpronounced
最明显
fixedchargedions
固定电荷离子
curve
曲线
contribution
的贡献
mechanisms
机制
bottleneck
瓶颈
thesubscriptsdenotethelatticeandimpurityscattering,respectively
下标表示格和杂质散射，分别
concentration
浓度
theinsertshowsthetheoreticaltemperaturedependenceofmobilityduetobothlatticeandimpurityscatterings
插入表明理论迁移率的温度依赖性的由于晶格和杂质散射
enhancedimpurityscattering
增强的杂质散射
thiscorrespondstothelattice-scatteringlimitation
这对应于晶格缺陷
notealsothat
也请注意
valid
有效的
velocity
速度
willbelostthrough
将失去
theemissionofopticalphonons
光学声子的发射
i.e.,generatingalatticevibrationofopticalmode
即，产生光学晶格振动模式
modemodel
模式模型
thefield-dependentdriftvelocityinsiliconareplottedinfig.2.4
在硅中的场依赖的漂移速度绘制在图2.4
whichcanbeapproximatedbytheempiricalexpression
它可以由经验公式近似
criticalfield
临界磁场
themoststrikingfeatureofthiscurve
这条曲线的最显着的特征
twoseparatevalleysintheconductionband
导带中的两个单独的山谷
electronsresideinthelowvallywhereelectronmotionisslow
电子驻留在低谷电子的运动是缓慢的
thedecreaseinvelocitywithincreasingelectricfield
随着电场的速度下降
givesrisetoadifferentialnegativemobility
提出了一个微分/差别的负迁移
sinceapositiveresistanceconsumespowerandanegativeresistancesuppliespower,anegativedifferentialmobilitymaygenerateacpower,i.e.,oscillationinthemicrowaveregime
由于正电阻消耗功率与负电阻提供电源，负微分迁移率可能产生的交流电源，即，在微波体系的振荡
thisisknownastheGunneffectandisthebasisofoperationoftheGunnortransfer-electronoscillator
这就是众所周知的狄氏效应是对狄或转移电子振荡器运行的基础
appliedfield
应用领域
produce
生产
current
电流
thecurrentflowinthesemiconductorbarhavenelectronsperunitvolume
在半导体的酒吧电流有N个电子的每单位体积
magnitudeofelectroniccharge
电子电荷量的大小
thecross-sectionalarea
横截面积
voltage-to-currentratio
电压电流比
inadditionEq.（2.10）hasbeenemployed
此外，方程（2.10）已被使用
theresistivityofasemiconductorisanimportantparameterindevicedesign
半导体的电阻率在设备设计的重要参数
thedeviationfromlinearityinthesecurves
从这些曲线的线性度偏差
iscausedbythenonlinearmobilityeffect
由非线性流动的影响
thepropagationofflowerfragranceorthetintingofcupofhotwaterbyaddingateabag
花香或调色杯热水加一袋茶的传播
propagation
传播
airconvectionorwatermotioncouldgiverisetooursense
对流的空气或水的运动可以引起我们的感觉
giveriseto
引起
perfectlystationaryairorwatercanproducethesameeffect
完全静止的空气或水可以产生相同的效果
chemicalmolecules
化学分子
aspatialvariationofcarrierconcentration
载流子浓度的空间变化
currentcomponent
电流分量
isnotdisturbed
不打扰
colorpigments
彩色颜料
collisions
碰撞
inkdroplet
墨滴
tiny
微小的
schematically
示意图
themigrationofmolecules
分子的迁移
half-width
半宽度
migrate
迁移
bepermeatedwithredinktobecomeuniformlightredliquid
洋溢着红墨水成为均匀的淡红色液体
concentrationgradient
浓度梯度
haveanettendency
有一个净趋势
particlediffusion
粒子扩散
macroscopically
宏观的
thedensityofthecolorpigmentsisthesamethroughout
颜色的颜料的密度是相同的
sothatthediffusionstops
因而扩散停止
distribution
分布
giveriseto
引起
thediffusionfluxobeysFick'sfirstlaw
扩散通量服从Fick第一定律
gradient
梯度
thetotalelectronandholecurrents
电流的总的电子和空穴
areobtainedbyaddingthedriftanddiffusioncomponent
通过添加扩散和漂移分量
theseequationswillbeusedthroughoutthetexttocharacterizesemiconductordevices
这些方程将整个文本，用来表征半导体器件
thatvariesinthexderection
在x方向的变化
finitetemperature
有限温度
ameanfreepath
一个平均自由路径
moveacrosstheplane
在平面上移动
isproportionalto
是成比例的
spatialderivativeoftheelectrondensity
的电子密度的空间导数
carrierinjection
载流子注入
carrierinjection
载流子注入
inthermalequilibriumtherelationshippn=ni2isvalid
在热平衡关系的PN=Ni2是有效的
excesscarriers
过剩载流子
beintroducedto
被引入
none-equilibrium
不平衡
opticalexcitationandforwardbiasingap-njunction
光激发和正向偏置的p-n结
optical
光学的；视觉的
incaseof
万一，如果发生
Photonphonon
光子声子
anelectron-holepairisgenerated
产生电子空穴对
themagnitudeoftheexcesscarrierconcentrationrelativetothemajoritycarrierconcentrationdeterminestheinjectionlevel
相对于多数载流子浓度，过剩载流子浓度的大小确定注入级/注入水平
relativeto
相对于
Denote
表示
besevenordersofmagnitude
是7个数量级
Negligibly
可以忽略不计
thepercentagechangeisonly0.1%
变化率只有0.1%
isreffertoaslow-levelinjection
是指为低级别的注射
excesscarriers
过剩载流子
overwhelm
压倒
becomparableto
可比
inthefigure
在图
becauseofthecomplexitiesinvolvedinitstreatment,weshallbeconcernedmainlywithlow-levelinjection
因为涉及的处理的复杂性，我们将主要关注低级别的注射
high-levelinjectionissometimeencounteredindeviceoperations
高层次的注射是在设备操作的时候遇到了
generationandrecombinationprocess
代重组过程（产生与复合过程）
restoresequilibrium
恢复平衡
dependingonthenatureoftherecombinationprocess
根据复合过程的本质
thenatureof
本质
thereleasedenergythatresultsfromtherecombinationprocesscanbeemittedasaphotonordissipatedasheattothelattice
释放的能量，来自复合过程，可以以一个光子形式发射或以热量形式散失到晶格
radiativerecombination
辐射复合
indirectrecombinationviabandgaprecombinationcentersdominatesinindirectbandgapsemiconductors
通过复合中心的间接复合带隙在间接带隙半导体占主导地位
dominate
占主导地位
thecontinuousthermalvibrationoflatticeatomscausesomebondsbetweenneighboringatomstobebroken
晶格原子连续的热振动引起相邻原子之间的键被打破
valanceband
价带
avalenceelectrontomakeanupwardtransitionto
一个价电子向上跃迁到
reverseprocess
逆过程
itisrepresentedbytherateR
它是由速率R代表
maintained
保持
theyarelinedupandnoadditionalcrystalmomentumisrequired
他们一字排开，没有额外的晶体动量是必需的
lifetimeoftheexcesscarrierscanbestbeillustratedbythetransientresponseofadeviceafterthesuddenremovalofthelightsource
过剩载流子的寿命最好被解释为一个器件对光源突然移去后的跃迁响应
Throughout
始终，贯穿，在…期间，在所有方面
decayexponentially
指数衰减
correspondto
对应的
showaschematicsetup
显示一个示意图设置
Thedecayoftheconductivitycanbeobservedonaoscilloscope
导电性的衰减可以在示波器观察
Characteristicsofdiodes
二极管的特性
bereferredto
被称为
two-terminaldevice
二端设备
thetechniquesofalloying,epitaxy,diffusion,andionimplantationhavereportedinsomereferencestoproducethepnjunction
机械合金化，外延，扩散和离子注入技术在一些参考文献中报道的，产生的pn结
wafer
晶片
athinaluminumfilmisevaporatedontoacleann-typesiliconwafer,calledasubstrate,insideavacuumchamber
铝薄膜蒸发到一个干净的n型硅晶片，称为一基板，在一个真空室
inafurnacesetatabout600℃
在炉中
AlandSiconstituteaeutecticsystem
构成共晶系统
formarecrystallizedlayer
形成重结晶层
asignificantamountof
大量的
inpractice
在实践中
ionimplantation
离子注入
constituteaeutecticsystem
构成一个共晶体系
alloy
合金
isevaporatedonto
被蒸发到
epitaxydescribesthegrowthtechniqueofarrangingatomsinsingle-crystalfashionuponacrystalline
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