电池线工序知识六工序资料.docx
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电池线工序知识六工序资料
工序知识概要
清洗工序知识
单晶和多晶
在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为单晶.由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶.
工序流程是:
装片--清洗--制绒--清洗--甩干--扩散--等离子刻蚀--去磷硅玻璃--甩干--镀膜-丝印一--烘干--丝印二--烘干--丝印三—烧结--下料--分类检测—包装
清洗腐蚀的目的和原理
现有单晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片单晶硅方片,由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。
如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子,利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面反射率较低的表面织构.
尚德新厂
化学腐蚀的原理（单晶）
热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层：
温度：
80+2℃
HF去除硅片表面氧化层
21+1℃
多晶制绒反应方程
CrO3+SiO2Cr3O2+SiO2
HCl去除硅片表面金属杂质
盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、
Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。
碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。
不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。
另外，碱性系系统与硅反应，基本处于受控状态。
有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。
单晶硅片的清洗和制绒
九槽清洗机（尚德新厂）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
配液
HF
纯水
纯水
80土2）摄氏度
NaOH.
Na2SiO3
异丙醇
NaOH.
Na2SiO3
异丙醇
NaOH.
异丙醇
Na2SiO3
NaOH.
异丙醇
Na2SiO3
纯水
纯水
作用
一般用于做
返工片
超声清洗
二次漂洗
制绒
制绒
制绒
制绒
清洗
清洗
NaOH.每次半瓶Na2SiO3每次2瓶异丙醇每次2/3瓶
纯水是电阻率为18MΩ·cm的去离子水
单晶主要化学用品:
NaOH.Na2SiO3异丙醇HF.HCL
HF:
24小时换液一次HCL:
48小时换液一次
硅片扩散前的清洗腐蚀工序标准工时：
44分钟
NaSiO3减缓NaOH与硅反应的的速度,使其均匀反应。
多晶不需经过这道工序.一般只用三个制绒槽,如果绒面不好的时候要用四个槽.
浓度高的氢氧化钠溶液与硅进行化学反应的速度加快，反应相同时间后，金字塔的体积更大。
当氢氧化钠的浓度超过了一定的界限，溶液的腐蚀力度过强，绒面会越来越差，直至出现类似“抛光“的效果.
八槽清洗机（尚德新厂）
1
2
3
4
5
6
7
8
配液
（任意一个
123槽）
HF
（任意一个
123槽）
HF
（任意一个
123槽）
HF
纯水
纯水
HCL
纯水
喷淋
作用
去除氧化层和表面的硅酸钠
溢流水槽去除表面的HF酸残液
去除金属离子
去除残留的HCL液
除去所有的残留物
多晶硅片的清洗和制绒（尚德新厂）
1
2
3
4
5
6
7
8
配液
铬酸（2千克）、水
HF（60L）
铬酸（2千克）、水
HF（60L）
铬酸（2千克）、水
HF（60L）
纯水
纯水
HCL
纯水
喷淋
作用
制绒
溢流水槽去除表面的HF酸残液
去除金属离子
去除残留的HCL液
除去所有的残留物
多晶主要化学用品:
铬酸HF水HCL
铬酸HF:
24小时换液一次HCL:
12小时换液一次
多晶需用到八槽清洗机所有的槽,123为制绒槽.
甩干:
前一分钟喷水,后290秒喷氮,5秒停机延时.5秒需要用到乙二醇控制油温.
▪异丙醇在制绒液中起两点作用：
一，协助氢气泡的释放；二，可以减弱氢氧化钠对硅片的腐蚀力度。
▪氢氧化钠、硅酸钠与异丙醇的混合溶液对晶体硅进行腐蚀，可以制备出类似金字塔的结构表面。
理想的绒面应是金字塔体积较小.大小均匀.覆盖率高.
尚能
单晶硅片的清洗和制绒（尚能）
九槽清洗机（尚能）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
配液
纯水
纯水
80土2）摄氏度
备用
NaOH.
Na2SiO3
异丙醇
NaOH.
Na2SiO3
异丙醇
NaOH.
异丙醇
Na2SiO3
NaOH.
异丙醇
Na2SiO3
纯水
纯水
作用
超声清洗
二次漂洗
工艺调配
制绒
制绒
制绒
制绒
清洗
清洗
制绒时间:
40分钟左右
八槽清洗机（尚能）
1
2
3
4
5
6
7
8
配液
上料
HF酸
纯水
纯水
纯水
HCL
纯水
吹干
作用
去除氧化层和表面的硅酸钠
溢流水槽去除表面的HF酸残液
去除金属离子
去除残留的HCL液
除去硅片表面的水分
清洗时间:
15~20分钟左右
多晶硅片的清洗和制绒（尚能）
1
2
3
4
5
6
7
8
配液
上料
HNO3HF酸
纯水
氢氧化钠
纯水
HCL
HF
纯水
吹干
作用
制绒
去除表面的HF酸残液
中和2槽中的酸性物质
去除金属离子和硅片表面氧化层
去除残留的HCL液
除去硅片表面的水分
槽号246
清洗液组成A：
30LD:
52LA:
32L
加设置B:
100LE:
64L
入F:
40LF:
320F:
146L
试
剂范围A：
25~35LD:
50~60LA:
30~35L
B:
90~100LE:
60~65L
F:
35~45LF:
320~330F:
140~150L
槽体积：
200L380L250L
清洗制绒时间:
15分钟左右
换液周期:
HNO3制绒液:
7天换一次液
氢氧化钠:
1天换一次液
HFHCL:
1天换一次液
多晶硅片清洗制绒的检验依据:
多晶硅片通过测试减薄量来确定清洗制绒的效果,同时也观察绒面情况,并保存图片.
多晶减薄量:
国外125：
0.3g~0.35g
国内125:
0.35g~0.4g
国外150:
0.45g~0.5g
国内150:
0.5g~0.55g
国外156:
0.5g~0.55g
国内156:
0.55g~0.6g
注:
当有做到200厚的硅片时,减薄量在以上基础上减少0.05,请清洗间严格执行.
返工片处理:
同正常生产基按照工艺员要求执行.
绒面的作用
为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率,工业生产中通常采用碱与醇的混合溶液对（100）晶面的单晶硅片的各项异性腐蚀在表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。
制绒过程中易出现的问题有：
绒面过大，或大小不均，绒面不良（绒面色斑较多，主要是脏污没有去掉），绒面雨点现象。
绒面过大，可能是制绒槽中NaOH量过多，或者温度较高，造成初抛过后的大绒面没有很好的得到修复。
绒面雨点现象：
制绒过程中溶液配比不当，异丙醇量不足，因为异丙醇易辉发，主要就是靠它带走硅片反应后产生的氢气，由于硅片表面形成氢气泡后，气泡内部有脏污，气泡不去掉，内部的脏污也无法溶于水，也就无法去掉，从而形成雨点状的脏污。
另一方面，如果异丙醇过量，汽泡产生过多，也会阻止脏污的溶解，因此异丙醇不能过少也不能过量。
清洗甩干后的片子有时有甩不干现象，主要有三个方面的影响：
1。
甩干机运行温度，2。
甩干机运行速度，3。
甩干机油温。
其中以油温为主导因素，油温基本上控制在110—120之间，如果油温上不去，其它两个参数再怎么改，甩干后的效果都不是很好，原则上操作工不经工艺同意是不允许更改这三项参数的，而某些时候某些员工为了增加当班产量，就会更改这些参数，最常见的是更改速度和时间，以至于甩干效果不良。
而过多的水份会在扩散时与POCL3分解后的P2O5结合而提前形成偏磷酸，从而一方面降低了P的利用，更重要的是偏磷酸耐高温且有强腐蚀性，会附在硅片表面腐蚀硅片，从而形成白色反应残余物（也就是后面所说的亮点色斑），也从而形成表面缺陷，一方面大大降低效率，另一方面在外观上也是一大禁忌。
扩散工序知识
PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的.必需在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。
我们制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个区域中占优势（P型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触。
扩散的目的:
在硅片表面形成PN结
每条线目前有8个管道,每一条管道有一瓶POCl3和一瓶TCA（用来清洗管道）
TCA（三氯乙烷）清洗：
4+1工艺----4小时清洗，1小时饱和。
8+1工艺
清洗
饱和
炉温
1050+5
950+5
小N2
0.5L/min
1.8~3
O2
20-25L/Min
2.5~5
液态源磷扩散原理
太阳电池制造工艺中，磷扩散一般有三种方法，一是三氯氧磷（POCl3）液态源扩散，二是喷涂磷酸水溶液后链式扩散，三是丝网印刷磷浆料后链式扩散。
本公司目前采用的是第一种方法。
POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源，它是无色透明液体，具有刺激性气味。
如果纯度不高则呈红黄色。
其比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。
POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发，高温下蒸气压很高。
为了保持蒸气压的稳定，通常是把源瓶放在0℃的冰水混合物中。
磷有极毒，换源时应在抽风厨内进行，且不要在尚未倒掉旧源时就用水冲，这样易引起源瓶炸裂。
POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：
生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：
由上面反应式可以看出，
POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：
生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气，在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散，反应式如前所示:
POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大的结面积的太阳电池是非常重要的。
扩散工艺参数：
（测电阻时，电流校准值调到4.530mA
测电阻率时调到1.54mA）
尚德尚德/尚能尚德尚能
1#125多晶电阻率0.5-3方块电阻50-55方块电阻55-60
2#125单晶电阻率0.5-3方块电阻42-45方块电阻42-45
4#125单晶电阻率3-6方块电阻38-42方块电阻38-42
5#125多晶电阻率3-6方块电阻45-50方块电阻45-50
7#150\156多晶电阻率0.5-3方块电阻:
50-55方块电阻55-60
8#150\156单晶电阻率0.5-3方块电阻:
40-45方块电阻:
40-45
9#150\156单晶电阻率3-6方块电阻38-42方块电阻38-42
从现在开始，在没有接到通知的情况下，所有的方块电阻控制向高处靠，比如125
单晶电阻率0.5-3的方块电阻要尽量向45靠拢，但是不要超过45，其它的类推。
扩散过程中会出现扩散不到现象,扩散不到有什么表现,其主要有哪些原因?
答;扩散过后的硅片程黑色,而未扩散过的硅片为原始硅片颜色,即为灰色,扩散不到有两种情况,一种是硅片边缘扩散不到,另一种是硅片全部未扩散到,扩散不到的硅片方块电阻多在100欧姆以上,其主要原因是扩散管内磷元素分布不均,这有两种情况一种是管内上下分布不均（即形成边缘扩散不到）,这种主要是由于扩散时管内大氮气流量小,没起到管内平衡气体的作用,那么扩散小氮气携源进入管子后易沉在管子下方,造成上部分扩散不到现象.另一种是管内左右分布不均匀（即形成一舟片子中一部分扩散得很好,另一部分则完全没扩散到）,这主要有三方面原因,
（1）扩散炉口排气口太大,所处于炉口的源在没有来得及反应的情况下都抽走了,没有起到扩散的效果,所以这种情况大多出现在炉口.
（2）扩散管左右位置不平行,多出现在炉口低的情况,那么处于低位置的地方扩散效果就有可能较差,或扩散不到.（3）炉口挡板坏掉,不能起到缓冲气体的作用,那么源在达到炉口后没有经过回流就直接顺排风口排掉
检验扩散效果的依据是:
方块电阻
.
怎样计算方块电阻不均匀度?
答:
方块电阻不均匀度=最大电阻与最小电阻之差除以最大电阻与最小电阻之和再乘以100%
聚四氟乙烯管道，用切管刀切管道后，切开处用10%的盐酸浸泡1min，再用纯水冲洗干净，最后用氮气枪吹干。
尚能与尚德的区别：
1．尚能比尚德多了一个酸排风，抽出偏磷酸，净化后通过管道排出；
2．尚能扩散炉门边多了一个高温石棉的隔热包；
3．尚能多了一个机液盘，用来接信偏磷酸。
刻蚀工序知识
等离子体刻蚀（尚德新厂）
等离子体的定义
当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。
这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。
这种状态的物质叫等离子体。
它可以称为物质的第四态。
等离子体刻蚀原理
等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。
这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
等离子体的反应（设备运行过程中，应时观察气流量，反射功率的稳定性，辉光功率）
▪
首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。
其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。
生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。
检验方法:
冷热探针法（200片里抽2片测）
冷热探针法的工作原理如下:
▪热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。
▪同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。
▪此电势差可以用简单的微伏表测量。
▪热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁
等离子体刻蚀的工艺流程：
预抽—主抽—送气（CF4\O2）—辉光—清洗（N2）—充气（充干燥压缩空气CDA，为了能打开盖子）
去磷硅玻璃的工艺：
在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体
v若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
配制清洗液
将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。
v1号槽中注入一半深度的去离子水，加入13瓶商品氢氟酸，再注入去离子水至溢流口下边缘。
v向2,3,4号槽中注入去离子水.
尚能刻蚀（湿法刻蚀）
刻蚀的目的：
去除边缘PN结
刻蚀原理：
利用硝酸的氧化性和HF酸的络合性来刻蚀
湿法刻蚀的化学反应方程式:
①4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2O
②SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
KOH的作用：
去除硅片表面的多孔硅。
Si+2KOH+H2O=K2SiO3+2H2
磷硅玻璃的组成：
磷原子（P）和二氧化硅（SiO2）
SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
刻蚀机有7个槽（RENA机）
槽号所需化学药品作用更换频率
1#HFHNO3H2SO4刻蚀半月换一次
2#水清洗
3#KOH去除多孔硅一天换液一次
4#水清洗
5#HF去除磷硅玻璃一人星期换一次
6#水清洗
7#吹干
检验依据：
测试减薄量
125单晶/多晶：
0.03-0.05g
156单晶/多晶：
0.05-0.09g
工艺控制要素：
刻蚀槽：
液位、温度、流量、抽风
碱槽：
流量、浓度、温度
酸碱槽：
流量、浓度
吹干：
压空流量、传动频率
PECVD：
MicrowaveRemotePlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition微波间接等离子增强化学气相沉积
等离子体：
由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物
PECVD的作用
在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。
其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。
除SiN膜外，TiO2，SiO2也可作为减反膜。
钝化膜（介质）的主要作用是保护半导体器件表面不受污染物质的影响，半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。
在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。
PECVD的原理
参数对氮化硅膜的作用：
沉积腔压力：
超过0.25mbar降低沉积率；低压增加H钝化效果
总气体流量：
沉积率随着总气体流量增加（在1000sccm/PS时饱和），但在高流量时等离子体分裂态少
工作气体：
比较多的SiH4会导致较多的Si含量、更高的折射率
（QNH3/QSiH4）
承载框传输速度：
速度的调整用作对膜厚的最终调整
反应温度：
随着温度增加轻微减少沉积率
微波功率（对一个微波源）：
调整P-peak可改变等离子源的扩散长度，沉积率随着P-mean轻微增加（通过Ton，Toff控制），如果不均匀通过左/右微波功率调节左/右沉积率。
膜的厚度：
对最大的光吸收为最佳的减反膜参数（备注：
在烧结后膜的光学特性有一些改变）
折射率：
对最大的光吸收为最佳的减反膜参数（备注：
在烧结后膜的光学特性有一些改变）
氢对硅表面的钝化：
强烈依赖烧结工艺
氢对体内的钝化：
强烈依赖硅片的体材料
膜的均匀性：
无
在PECVD处，发红。
发黄是由于镀膜时间偏短膜薄，发白是因为镀膜时间偏长膜厚。
背面被镀到膜的不需要返工，但是必须单独流出，严重色差，色斑的进行返工。
工艺原点如何产生，什么作用？
判定标准是什么？
答：
在PECVD处：
是为了卡住片子，原点的标准为1.6mm。
如果发现超过标准及时通知PECVD相关人员进行处理。
丝网印刷
一丝网印刷原理
丝网印刷是通过刮条挤压丝网弹性形变后将浆料漏印在需要印刷的材料上的一种印刷方式，这也是目前普遍采用的一种电池工艺。
丝网印刷工艺知识
网板间距调整原则：
在保证印刷质量的前提下，网板间距越小越好，参考值：
（900~1300）um，太小易粘版或模糊不清，国大易印刷不良和损坏网板，印第二道可适当加大间距。
刮条深度和压力调整原则：
在保证印刷质量的前提下，刮条下降的深度和压力越小越好。
深度参考值：
（900~1300）um，刮条下降过程和压力过大易碎片及损坏网板，刮条下降的深度不够或压力太小易印刷不良或粘版。
浆料的使用;
1,使用前应将银浆放到滚筒搅拌机上搅拌24小时。
铝浆放到JB600-D搅拌机上搅拌30min，转速为50rad/min。
第一道银（铝）浆具有良好的欧姆接触特性和焊接性能，长期的附着性能好。
第二道铝浆：
收集载流子。
第三道银浆：
收集电流。
丝网印刷常见故障及处理方法
第一道印刷机：
1．漏浆
解决方法：
根据在硅片上漏浆的位置，确定网版漏浆的位置，查看网版漏浆洞的大小，如果漏洞不大，选择合适的胶带在网版下面将漏浆的位置粘住，试做一片，查看是否仍然漏浆，如果仍然漏浆，重新修补，如果不漏，可以继续使用。
如果漏洞太大，无法用胶带修补的话，请更换网版。
如在硅片边缘处，拆换网板。
2．虚印
原因：
一般为我们的印刷参数不好或者印刷刮条不平。
有时也可能是我们的网版使用的时间太长而造成虚印
解决方法：
我们此时可以观察印刷后刮条刮拭的网版是否干净，试着抬高丝网间距，加大印刷的压力。
如果仍然不干净的话，可以尝试着更换刮条。
如果刮得干净看看网版的总的印刷数量，如果是因为网版使用的时间太长而造成虚印，我们在加浆料的时候采取少加多次加，顺带可以加大印刷压力
3。
印刷图形偏移
原因：
印刷参数不正确、印刷台面太脏，造成摄像头进行待印刷硅片位置校正产生错误。
解决方法：
调整印刷参数，即印刷的纵横轴的大小，即转角的度数。
更换印刷台面的纸张。
4．压板
原因：
当某一个印刷台面上不断的碎片，并且碎片形状大同小异，印刷台面上可能有杂物。
解决方法：
擦拭台面，如果还有碎片的话，更换印刷台面的纸张。
5．堵网
原因：
有干的浆料将本该漏印浆料的地方堵起来了。
解决方法：
选择“先刮浆料后印刷”的印刷方式，将印刷头停在靠近自己的地方，按下“F5”键向上抬起网版，使用带酒精的抹布将堵网的地方擦干净即可，也可用松油醇擦拭堵网处，然后以白纸试印。
第二道印刷机：
1、弯曲
原因：
硅片的背电场铝浆漏印的太多。
解决方法：
调整印刷参数。
如：
减小丝网间距，同时加大印刷压力。
加大刮条的下降距离。
同时进行印刷前和印刷后的称重，看印刷是否符合印刷工艺要求。
如：
125*125的印刷前后的重量差为0.8--0.9克这个范围内。
2、铝苞
原因：
印刷的浆料有点薄、网版有破损
解决方法：
调整印刷参数使印刷符合印刷工艺要求。
网版破损，请更换网版。
3、粘板
原因：
丝网间距太小、印刷刮条不平，丝网刮不干净、印刷台面纸太脏，硅片吸附不住。
解决方法：
加大丝网间距和印刷压力。
更换刮条。
更换印刷台面张。
4、压板（同第一道问题的解决方法）
5、漏浆（同第一道问题的解决方法）
6、印刷图形偏移（同第一道问题的解决方法）
第三道印刷机
1、断线
原因：
有东西粘在网版上、堵网
解决方法：
使用干净的抹布擦拭网版，或者用干净的抹布蘸松油醇擦拭网版，然后再用干净的抹布擦拭网版。
如果是堵网的话，可以选择“先刮浆料后印刷”的印刷方式，将印刷头停在靠近自己的地方，按下F5键向上抬起网版，先使用带酒精的抹布将堵网的地方擦干净，再次使用干净的抹布蘸松油醇擦拭网版，然后再用干净的抹布擦拭网版即可。
2、漏浆
原因：
网版有破洞
解决方法：
根据在硅片上漏浆的位置，确定网版漏浆的位置，查看网版漏浆洞的大小，如果漏洞不大，且不在细栅线上，
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