材料测试与表征总结.docx
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材料测试与表征总结
最常见表面分析技术为三种：
XPS、AES和SIMS。
（1）AES—空间分辨率最高。
适合做导体和半导体材料表面的微区成分、化学态和元素分布分析；
（2）XPS—破坏性最小，化学信息丰富，定量分析较好。
适合做导体和非导体，有机和无机体材料的表面成分和化学态分析。
（3）SIMS—灵敏度最高。
可以做导体和非导体，有机和无机体材料中H、He以及元素同位素分析。
此三种技术相互补充，相互配合，可获得最有用的搭配。
AES俄歇电子能谱：
1、俄歇电子能谱（AES）当采用聚焦电子束激发源时，亦称为：
扫描俄歇微探针（SAM）
AES分析是以e束（或X-射线束）为激发源,激发出样品表面的Auger电子,分析Auger电子的能量和强度，可获元素种类、含量与分布、以及化学态等信息。
2、AES的主要特点与局限性：
主要特点：
（1）由于e束聚焦后其束斑小，AES的分辨率高，适于做微区分析：
可进行点分析，线和面扫描。
（2）仅对样品表面2nm以浅的化学信息灵敏。
（3）俄歇电子的能量为物质特有，与入射粒子能量无关。
（4）可分析除H和He以外的各种元素，轻元素的灵敏度较高.
（5）AES可分析元素的价态。
由于很难找到化学位移的标准数据，因此谱图的解释比较困难。
（6）可借助离子刻蚀进行深度分析，实现界面和多层材料的剖析，深度分辨率较XPS更好。
局限：
（1）e束带电荷，对绝缘材料分析存在荷电影响。
（2）e束能量较高，对绝热材料易致损伤。
（3）定量分析的准确度不高
3、从Auger电子能谱图可以看出：
（1）峰位（能量），由元素特定原子结构确定;
（2）峰数，由元素特定原子结构确定（可由量子力学估计）;
（3）各峰相对强度大小，也是该元素特征;
以上3点是AES定性分析的依据,这些数据均有手册可查.
4、AES具有五个有用的特征量：
①特征能量；②强度；③峰位移；④谱线宽；⑤线型。
由AES的这五方面特征，可获如下表面特征：
化学组成、覆盖度、键中的电荷转移、电子态密度和表面键中的电子能级等。
5、AES信息种类和用途
信息种类
俄歇电子的特征峰
能量损失峰
俄歇信号随深度的变化
俄歇信号的面分布
俄歇信号的角分布
用途
表面定性分析
表面半定量分析
能带结构（能态分析）
定性分析
电介质膜的厚度
纵向数据
表面形貌
纵向元素分布
二维分析
结合纵向变化可作为三维分析
纵向数据
表面的晶体性质
6、AES分析的应用
（1）点分析（或微区成分分析）
（2）线分析（3）元素面分布图（5）状态分析（6）界面偏聚分析（7）晶界扩散研究（8）研究表面吸附
7、俄歇效应（Augereffect）：
是原子发射的一个电子导致另一个或多个电子（俄歇电子）被发射出来而非辐射X射线（不能用光电效应解释），使原子、分子成为高阶离子的物理现象，是伴随一个电子能量降低的同时，另一个（或多个）电子能量增高的跃迁过程。
8、AES定量分析方法：
标样法，灵敏度因子法。
灵敏度因子：
由标样得出的经验校准常数，i元素的灵敏度因子定义为：
使用相对灵敏度因子发必须满足三个条件：
1）基体效应相同；2）化学环境相同；3）仪器条件相同。
两种方法的对比：
标样法：
准确度相对高，但标样难获得。
灵敏度因子法：
简便易行，但准确度不高。
9、决定Auger峰能量的主要因素:
10、决定Auger信号强度的主要因素：
（1）元素电离几率
（2）Auger跃迁几率（3）Auger逃逸深度
11、Auger电子的命名：
若
A—最初空穴能级
B—填充该空穴的外层电子所处的能级
C—Augere的发射能级
则
该Augere称为ABC俄歇电子；
该跃迁过程称为ABC俄歇跃迁。
例如：
KLL、LMM、MNN等俄歇跃迁，
发射的KLL、LMM、MNN等俄歇电子。
X射线光电子谱
1、X射线光电子：
由X射线作用下,电子从物质原子中被激发出来的电子称为X射线光电子。
当入射X射线能量一定时，光电子的能量由原子中电子的轨道结合能决定，因元素不同而异，因此可以根据光电子的能量用来鉴别化学元素。
2、由于光电子在逸出的路径上自由程很短，实际能探测的信息深度只有表面几个至十几个原子层，因而XPS是典型的表面分析的方法。
XPS主要用于测定固体表面的化学成分。
3、XPS的特点：
（1）各元素的灵敏度差异小（≤10倍），便于比较。
（2）相邻元素光电子峰能量差别大，干扰少。
（3）表面灵敏度高。
（4）破坏性最小。
（5）对真空度要求不苛刻
（6）便于进行化学状态分析
（7）XPS局限性：
分辨率低
4、XPS可对金属，半导体及绝缘体样品，分析除H与He以外的所有元素的定性定量和化学状态信息，表面灵敏度高可达1-10层原子。
而且几乎无荷电和表面损伤。
空间分辨率相对AES低。
5、灵敏度因子法XPS定量分析：
将XPS峰强度定义为：
I=n·f·σ·θ·ν·λ·A·T其中：
I—XPS峰强度（XPS），ν—光电子产率，n—原子浓度（atm/cm3），λ—非线性平均自由程，f—入射线X射线通量，A—分析面积，σ—光电截面T—检测效率，θ—角度校正因子
令Sj=f·σ·θ·ν·λ·A·T,称为元素j的灵敏度因子，
则Ij=nj.Sj或nj=Ij/Sj
一般定义SF=1，并对各元素进行归一化
对于含有j种元素的样品，分析元素i的浓度ci=ni/（nj总和）=（Ii/Si）/（Ij/Sj总和）
因此测得各元素的XPS峰强I，将对应的灵敏度因子s代入即可得到各元素的浓度。
6、X-射线光电子产生：
用X-射线做激发源，使原子内壳层电子电离，产生X-射线光电子。
7、XPS的分析信号：
光电子，与俄歇能谱一样，它仅能反应样品的表面成分信息，信息深度与俄歇能谱相同，光电子能量具有特征值。
XPS图谱中的横轴坐标用的不是光电子的动能，而是结合能。
8、X射线与物质相互作用时，产生各种信息如下：
9、XPS的分析应用：
①掺杂效应的测定②化学反应的检测③化学共价性的检测④深度分析⑤谱峰重叠问题⑥检测薄膜组成
X射线衍射分析
倒易点阵：
倒易点阵是将空间点阵经过一定倒易变换而得到的虚点阵
倒易结点：
倒易空间点阵中的阵点。
倒易矢量：
从倒易点阵原点O*（000）向任一个倒易结点所连接的矢量，用符号r*表示，
r*=Ha*+Kb*+Lc*（H,K,L为整数）
倒易矢量是倒易点阵中的重要参量，也是晶体的X射线和电子衍射中经常引用的参量。
1、X射线的产生机理与过程为：
（1）以电子轰击激发KαX射线为例，当入射电子能量Ep大于原子中电子的K轨道结合能Ek时，可以引起K壳层电子电离，形成空穴；内壳层电离的原子为不稳定状态，较外壳层电子如能量为EL的L壳层电子自发跃迁填补K壳层空位；该跃迁过程产生能量差ΔE=Ek-EL，该能量的释放要么发射能量为hν=ΔE电磁波，即X-射线光子；要么发射俄歇电子。
二者必居其一，且只能居其一。
2、X射线与物质有哪些相互作用？
X射线的散射，X射线的吸收，X射线的衰减
（1）X射线的散射
X射线与原子中的电子相互作用，产生运动方向改变甚至能量交换，即产生相干散射和非相干散射。
相干散射：
当能量较低的X射线与原子序数较大的原子的内层电子作用时，其能量不足以使电子改变被束缚状态，X射线不损失能量，而只是改变传播方向;
散射波的波长和频率与入射波相同，有确定的相位关系，这些新的散射波之间可以发生干涉作用，故称为相干散射，是X射线在晶体中产生衍射的基础。
晶体产生的相干散射波在空间传播时出现衍射现象。
非相干散射（康普顿效应）：
能量较高的X光子与束缚不紧的外层电子和低原子序数原子的核外电子、自由电子碰撞时，会引起被撞电子的反冲运动;
光子损失部分能量，波长变长，散射波的相位与入射波不存在固定关系，不能产生干涉;
非相干散射X射线在衍射图象上形成连续背底，造成不利影响。
（2）X射线的吸收
光电效应：
X射线光子具有足够高的能量时，可以将照射物质中的原子内层电子激发出去（电离），产生二次特征辐射，激发出去的电子称为光电子，辐射出的二次特征X射线称为荧光X射线。
（3）X射线的衰减
一束X射线穿透物质时，由于光电吸收和散射，使其在透射方向的强度衰减，衰减的程度与所经过物质的厚度、密度、X射线波长和原子序数等有关。
3、物相分析：
a:
物相定性分析的依据、主要工具和方法：
X射线物相分析：
是利用物质的X射线多晶衍射图的2θ-I系列的特征，通过与标准物相衍射卡相对照的方法，来鉴别物质中的物相种类和含量。
依据：
每一种结晶物质都有其特定的结构参数，包括点阵类型、晶胞大小、晶胞中原子的数目及其位置等等，而这些参数在X射线的衍射图谱上均有所反映；
尽管物质的种类有千千万万，但却没有两种衍射花样完全相同的物质，图谱中衍射线的位置所反映的晶面间距及它们的强度（d-I系列）犹如人的指纹一样，是鉴别物相的依据。
多相物质的衍射图谱,是单相物质衍射图的简单叠加，任何物相不会因其它物相的存在而改变其衍射特征。
工具：
PDF卡片PowderDiffractionFile
具体方法步骤：
①求d-I系列值②确定使用索引的类型③查索引④查对卡片
方法：
外标法（单线条法），内标法，K值法，绝热法，参比强度法。
物相定量分析程序：
（1）物相鉴定：
对样品进行待测物相的相鉴定（X射线物相定性分析），确定峰位；
（2）选择标样：
标样物相要求理化性能稳定，与待测物相衍射线无干扰，在制样时不易引起晶体的择优取向；
（3）测定定标曲线：
选择的标样物相与纯的待测物相按要求制成混合试样，测定其强度Is和Ij，用Ij/Is和纯相配比获取定标曲线；
（4）强度测量：
试样中标准物相j的强度，或试样中的特检物相j及标样S物相指定衍射线的强度得测定。
（5）计算待测物相含量：
用所测定的数据，按各自的方法计算出待测物相的质量分数Xj。
物相定量分析注意问题
在定量分析的基本公式中，假设了被测物相中晶粒尺寸足够细且晶粒完整，各相混合均匀，无择优取向。
如果偏离以上理想条件，则会引入误差。
消除择优取向：
在试样及标样制备时，避免重压造成择优取向；在测量过程中时，可采用样品沿其表面法线转动来消除择优取向的影响。
物相分析和成分分析的的区别：
a、成分分析得出组成物质的元素种类及其含量
b、物相分析得出的是各种元素存在状态（如晶相）
3、吸收曲线：
随入射波长变化，会相继出现K、L和M吸收限，描述质量吸收系数随波长改变的关系曲线称为吸收曲线。
4、吸收曲线的应用：
滤波片的选择，阳极靶的选择
5、布拉格方程：
2dsinθ=nλ
n—为正整数，称为反射级数；
θ—入射线或反射线与反射面的夹角，称为掠射角，由于它等于入射线与衍射线的夹角的一半，故又称为衍射半角，而2θ称为衍射角。
布拉格方程是X射线在晶体中产生衍射必须满足的基本条件,反映了衍射方向与晶体结构的关系。
布拉格方程的讨论：
将衍射看成是反射，是布拉格方程的基础，但衍射是实质。
衍射实质：
晶体中各原子散射波之间的干涉。
衍射方向：
相当于原子面对入射线的反射，可以借用镜面反射规律来描述X射线的衍射几何，对衍射方向的确定和应用带来方便。
6、
（1）结构因子意义
①结构因子反映晶胞内原子分布对衍射强度的影响
它反映了晶胞内原子种类（fj）、原子的数目（n）及原子坐标位置（xj,yj,zj）和衍射面指数（HKL）对衍射强度的影响，把实验所测的衍射强度与晶胞的具体结构紧密联系在一起。
②在符合布拉格定律的方向上产生的散射波的强度正比于结构因子，若FHKL=0，则F2=0，I=0，即使满足布拉格条件的衍射方向上也无衍射线产生，因此布拉格方程是产生衍射的必要条件而不是充分条件。
（2）消光规律
事实证明，产生衍射必须满足布拉格方程，但满足布拉格方程的方向上不一定都有衍射线产生，这是由于：
原子在晶胞中的位置不同，使相干散射波在衍射方向上相互抵消、减弱、甚至消失，这种由于原子在晶胞中的位置不同而引起某些方向衍射线消失的现象，称为系统消光。
7、拉格方程应用：
结构分析，成分分析
8、拉格方程的厄瓦尔德图解：
厄瓦尔德图解是衍射条件的几何表达方式，它是建立在倒易点阵表达的衍射条件的基础之上，用作图的方法确定参与衍射的晶面组及衍射方向。
当一束X射线以一定的方向投射到晶体上时，可能会有若干族d不同，N不同的晶面满足衍射条件，即在若干方向上产生衍射线。
也就是说，在一个公共边S0／λ上，构成若干个等腰矢量三角形。
由几何可知，这些等腰三角形的两个底角都位于以顶点为中心，以腰长为半径的球面上；
即满足布拉格方程的那些衍射矢量对应的倒易结点一定位于以等腰矢量所夹的公共顶角为中心，以1/λ为半径的球面上，此球称为厄瓦尔德球或反射球。
9、X射线管发出X射线的包括连续X射线谱和特征X射线，连续X射线是电子与靶材作用时产生的轫致辐射（刹车辐射），是波长连续的混合X射线，其波长范围和强度分布与加速电压大小有关。
特征X射线为电子内层跃迁产生线性光谱，由若干互相分离且具有特定波长的谱线组成，其强度大并迭加于连续谱线之上。
这些谱线不随X射线光管的工作条件而变，只决定于阳极物质。
10、在XRF工作中，特征X-射线的波长和强度分别用于是进行化学元素成分定性定量分析。
11、特征X射线的波长λ与靶元素的原子序数Z有关关系遵从莫塞莱定律：
12、常见衍射方法：
实验方法
样品
λ
θ
粉末法
多晶
不变化
变化
劳厄法
单晶
连续变化
不变化
转晶法
单晶
不变化
变化
三种衍射实验方法中粉末衍射法用途最为广泛。
劳厄法（λ连续变化）：
连续X射线投射到固定的单晶试样上，靠晶面选择不同的λ来满足布拉格方程的要求。
垂直于入射线束的照相底片记录花样；衍射花样由衍射斑点组成，呈规律分布。
该方法能够反映出晶体的取向和对称性。
转晶法（θ变化）：
用K系单色X射线照射转动的单晶体试样，以样品转动轴为轴的圆环形底片记录衍射花样。
此法用于测定晶胞常数，由衍射花样能测定晶体的衍射方向和强度。
粉末法（θ变化）：
一波长为λ的平行X射线束照射到晶面间距为d的一组晶面上,当入射角θ满足布拉格方程时，即可发生衍射。
由于单晶体在衍射方向上可得到一个个分立的衍射点。
13、衍射仪法的优点：
检测快速，工作效率高；操作简单，数据处理方便，精度和自动化程度高；应用范围广泛；可以加附件做高温衍射、应力实验等。
14、X射线衍射仪结构：
常用粉末衍射仪主要由X射线发生系统、角度强度探测控制系统、数据处理系统三大部分组成。
15、为什么要建立倒易点阵：
16、由mi/m1还原m值,利用下表来标注衍射指数
简单立方
m
1
2
3
4
5
6
8
9
H, K, L（任意）
100
110
111
200
210
211
220
300
221
体心立方
m
2
4
6
8
10
12
14
16
H, K, L（全偶，两奇一偶）
110
200
211
220
310
222
321
400
面心立方
m
3
4
8
11
12
16
19
20
H, K, L
（全奇全偶）
111
200
220
311
222
400
331
420
17、X射线衍射仪的工作方式：
（1）连续扫描
（2）步进扫描
TEM透射电镜
1、二次电子（secondaryelectron）
这是一种真空中的自由电子。
由于原子核和内外层价电子的结合力很小，因此内外层的电子比较容易和原子脱离，使原子电离。
一个能量很高的入射电子射入样品时，可以产生许多的自由电子。
二次电子一般都是在表层5~10nm深度范围内发射出来的，能量为0~50eV，它对样品的表面形貌十分敏感，因此能非常有效的显示样品的表面形貌。
分辨率5nm~10nm，SEM的分辨率就是二次电子的分辨率。
但二次电子的产额和原子序数之间没有明显的依赖关系，所以不能用它来进行成分分析。
2、背散射电子是被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子。
其中包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子。
2、背散射电子成像的衬度是由于原子序数的不同引起的，被散射电子产生在100nm~1μm之间，产额随原子序数增加而增加，可以显示原子序数衬度，得到元素定性分布情况，但分辨率底。
3、透射电镜、扫描电镜等以电子束为照明源的分析仪器，都是利用电子与物质的交互作用所产生的各种信息来揭示物质的形貌、结构和成分。
4、透射电子显微镜（TEM）和光学显微镜（OM）的原理和功能是相似的，两者都遵从射线的阿贝成像原理，都是用于放大和观察肉眼看不到的微小物体。
5、电磁透镜成像原理
电子可凭借轴对称的非均匀电场或磁场力，进行会聚或发散，从而达到成像的目的。
对电子束聚焦成像的装置——电子透镜。
包括：
静电透镜：
静电场中的等电位面使电子波聚焦成像，在电子枪中使用。
磁透镜分为，恒磁透镜：
恒磁体提供的磁场使电子束偏转聚焦；电磁透镜：
电磁线圈产生的磁场使电子束聚焦成像。
7、与静电透镜相比，电磁透镜具有如下的优点：
电磁透镜
静电透镜
改变线圈电流即可方便的控制焦距和放大率；
磁透镜线圈工作电压为60-100伏，无击穿。
像差小。
需改变很高的加速电压才可改变焦距和放大率；
静电透镜工作电压为数万伏，常会引起击穿；
像差较大。
8、像散和色差都可以采取一定措施予以减小，因此分辨本领取决于球差和衍射效应所产生的散焦斑大小。
对于光学玻璃透镜来说，可以采用会聚透镜和发散透镜的组合，或设计特殊形状的折射面来矫正球差，将球差减至可忽略的程度，所以它的分辨本领主要取决于光的衍射，最佳情况下达到照明源的半波长。
电磁透镜总是会聚透镜，至今尚未找到一种矫正球差行之有效的方法，减小孔径角，球差散焦斑的半径可显著减小，但衍射效应埃利斑半径却增大了，因此两者必须兼顾考虑。
9、电磁透镜的景深
景深是指像平面固定，在保证像清晰的前提下，物平面沿光轴可以前后移动的最大距离。
从原理上讲，当透镜焦距、像距一定时，只有一层样品平面与透镜的理想物平面重合，能在透镜像平面上获得该层平面的理想图象，而偏离理想物平面的物点都存在一定程度的失焦。
他们在透镜像平面上将产生具有一定尺寸的失焦圆斑。
如果失焦圆斑尺寸不超过由衍射效应和像差引起的散焦斑。
那么对透镜像分辨本领并不产生影响。
10、透射电镜主要由三部分组成：
电子光学系统、真空系统、电源系统。
11、电子衍射是指入射电子与晶体作用后，发生弹性散射的电子，由于其波动性，发生了相互干涉作用，在某些方向上得到加强，而在某些方向上则被消弱的现象。
在相干散射增强的方向上产生了电子衍射波（束）。
根据能量的高低，电子衍射又分为低能电子衍射和高能电子衍射。
电子衍射在材料科学中已得到广泛应用，主要用于材料的物相和结构分析、晶体位相的确定和晶体缺陷及其晶体学特征的表征等三个方面。
12、电子衍射谱的类型：
电子衍射谱的典型图案（花样）包括：
单晶——斑点花样；
多晶——环状花样；
非晶——弥散环状花样。
13、入射电子束与样品不同部位的物质相互作用，逸出试样表面后经成像放大，在荧光屏上显示出强度的差异，形成显微衬度像。
根据成像机理，TEM显微像的衬度分为三类：
质厚衬度、衍射衬度、相位衬度。
14、质厚衬度成像原理：
质厚衬度是建立在非晶态试样中原子对入射电子束散射和TEM小孔径成像的基础上的。
入射电子的散射程度与试样的厚度和密度有关。
试样越厚，密度越大，被散射到物镜光阑之外的电子数就愈多。
因而通过物镜光阑孔参与成像的电子数愈少，所以该区域形成的像较暗；反之则形成较亮的像。
15、衍射衬度成像
当试样厚度差异不大时，如薄膜样品的厚度大致均匀，利用质厚衬度难以获得满意的图像反差。
晶体结构上的微小变化如形变和位错等缺陷，也不能利用质厚衬度来显示。
此时，可以采用衍衬成像。
衍射衬度来源：
晶体试样不同微区满足布拉格方程的程度存在差异所致，也就是晶体对电子的衍射而引起衬度，故称为衍衬成像。
影响衍射强度的主要因素是晶向和结构因子。
衍衬成像方式：
为单束成像，即仅用透射束或衍射束来成像。
对应成像方式：
明场像和暗场像。
明场像：
仅用透射束成像的方式，暗场像：
挡住透射束只让衍射束参加成像的方式。
16、应用
质厚成象：
散射电子与透射电子在像平面上复合而构成象点的亮度——仅能显示形貌特征，用于材料显微组织、表面形貌、断口分析。
衍衬成象：
由衍射强度的差别产生的衬度象，是样品内不同部位晶体学特征的直接反映：
组织形貌、晶体结构、缺陷等。
相位成象：
能分辨≤10Å的晶体微结构和缺陷等细节。
获得分辨率达埃级水平的晶格像和原子像。
SEM扫描电子显微镜&电子探针显微分析
1、扫描电子显微镜的主要性能和特点：
放大倍率、高分辨率高、景深大、保真度好、样品制备简单。
2、分辨率指能分辨的两点之间的最小距离。
3、景深大的图像立体感强，长工作距离、小物镜光阑和低放大倍率能得到大景深图像。
4、SEM与光学显微镜（OM）和TEM的成像方式不同，它不用透镜来放大和成像，而是以类似电视摄影显像的方式，用聚焦电子束在样品表面扫描时激发产生的某些物理信号来调制成像。
SEM弥补了OM分辨率差及景深小、TEM制样困难等不足，可以直接观察大块的样品，10倍-30万倍的放大倍数连续可调；具有景深大和分辨率高等特点，尤其适合粗糙表面的观察研究；SEM多附加EPMA功能，在进行显微结构观察的同时研究微区化学组成。
SEM的不足是要求样品导电，对绝缘材料需预先镀Au或C导电层。
为了克服该缺点，已经研制出了低真空及低电压模式（适于半导体）和环境扫描电镜（适于生物样品）。
5、工作原理：
聚焦电子束在样品表面扫描，激发样品产生二次电子、背散射电子等信息;这些信息的波长（能量）和强度取决于受激区域的形貌和化学成分;该信息经处理放大，馈送到显象管栅极调制显象管的亮度；显象管e束和镜筒电子束同步扫描，显像管亮度由试样激发出来的电子信号强弱来调制;表面任一点收集的信息强弱与显像管上相应的亮度之间是一一对应的，CRT上能获得反映样品表面各种特征的扫描图象。
6、SEM结构：
SEM由电子光学系统（镜筒）、扫描系统、信号接收处理系统、显示记录系统、电源系统和真空系统组成
7、二次电子产率与样品的表面起伏状况（形貌）有关。
表面起伏越大，二次电子信号强度变化就越大，图像衬度就越明显。
8、二次电子的特点：
①90%以上的SE来自价电子的电离，因为价电子的结合能小，电离几率大。
②能量低（小于50eV），平均自由程短（10~100Å），所以取样深度浅（<100Å），直径与扫描束斑相当。
9、SE（二次电子）产率与样品的表面起伏有关的根本原因：
SE能量低，出射深度浅；入射束与表面夹角越大，能够出射二次电子的表面（或发射体积）越大。
边缘、尖棱和凸出部位比平坦区域发射的SE多，表面形态与SE数量呈一一对应关系。
10、背散射电子（BackscatteredElectrons,BSE），是入射电子与样品相互作用（弹性和非弹性散射）之后，再次逸出样品表面的高能电子。
11、BSE特点：
能量高、数量少，出射深度和广度比SE大，产额随原子序数的增大而增大。
12、背散射电子像
①背散射电子是入射电子与样品相互作用之后，再次
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