电工高级复习资料题及其规范标准答案.docx

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电工高级复习资料题及其规范标准答案

（一）选择题

1.在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（A）耦合方式。

（A）阻容（B）直接（C）变压器（D）电感

2.共发射极偏置电路中，在直流通路中计算静态工作点的方法称为（C）。

（A）图解分析法（B）图形分析法（C）近似估算法（D）正交分析法

3.磁极周围存在着一种特殊物质，这种物质具有力和能的特性，该物质叫（B）。

（A）磁性（B）磁场（C）磁力（D）磁体

4.关于磁场的基本性质下列说法错误的是（D）。

（A）磁场具有能的性质（B）磁场具有力的性质

（C）磁场可以相互作用（D）磁场也是由分子组成

5.关于相对磁导率下面说法正确的是（B）。

（A）有单位（B）无单位（C）单位是亨／米（D）单位是特

6.以下列材料分别组成相同规格的四个磁路，磁阻最大的材料是（C）。

（A）铁（B）镍（C）黄铜（D）钴

7.在一个磁导率不变的磁路中，当磁通势为5安·匝时，磁通为1wb；当磁通势为10安·匝时，磁通为（C）Wb．

（A）2．5（B）10（C）2（D）5

8.在铁磁物质组成的磁路中，磁阻是非线性的原因是（A）是非线性的。

（A）磁导率（B）磁通（C）电流（D）磁场强度

9.线圈中的感应电动势大小与线圈中（C）。

（A）磁通的大小成正比（B）磁通的大小成反比

（C）磁通的变化率成正比（D）磁通的变化率成反比

10.根据电磁感应定律e=—（△φ／△t）求出的感应电动势，是在位这段时间内的（A）。

（A）平均值（B）瞬时值（C）有效值（D）最大值

11.空心线圈的自感系数与（C）有关。

（A）通过线圈电流的方向（B）周围环境温度

（C）线圈的结构（D）通过线圈电流的时间长短

12.与自感系数无关的是线圈的（D）。

（A）几何形状（B）匝数（C）磁介质（D）电阻

13.自感电动势的大小正比于本线圈中电流的（D）。

（A）大小（B）变化量（C）方向（D）变化率

14.线圈自感电动势的大小与（D）无关。

（A）线圈中电流的变化率（B）线圈的匝数（C）线圈周围的介质（D）线圈的电阻

15.互感电动势的大小正比于（D）。

（A）本线圈电流的变化量（B）另一线圈电流的变化量

（C）本线圈电流的变化率（D）另一线圈电流的变化率

16.互感器是根据（C）原理制造的。

（A）能量守恒（B）能量变换（C）电磁感应（D）阻抗变换

17.感应炉涡流是（C）。

（A）装料中的感应电势（B）流于线圈中的电流

（C）装料中的感应电流（D）线圈中的漏电流

18.涡流是（C）。

（A）感应电动势（B）产生于线圈中的电流

（C）一种感应电流（D）自感电流

19.用普通示波器观测正弦交流电波形，当荧光屏出现密度很高的波形而无法观测时，应首先调整（B）旋钮。

（A）X轴增幅（B）扫描范围（C）X轴位移（D）整步增幅

20.观察持续时间很短的脉冲时，最好用（B）示波器。

（A）普通（B）双踪（C）同步（D）双线

21.使用SR一8型双踪示波器时，如果找不到光点，可调整（D），借以区别光点的位置。

（A）“X轴位移”（B）“Y轴位移”（C）“辉度”（D）“寻迹”

22.SR一8型双踪示波器巾的“DC一⊥一AC”是被测信号馈至示波器输入端耦合方式的选择开关，当此开关置于“⊥”挡时，表示（A）。

（A）输入端接地（B）仪表应垂直放置（C）输入端能通直流（D）输入端能通交流

23.SR一8型双踪示波器中的电子开关处在“交替”状态时，适合于显示（B）的信号波形。

（A）两个频率较低（B）两个频率较高（C）一个频率较低（D）一个频率较高

24.SR一8型双踪示波器中的电子开关有（D）个工作状态。

（A）2（B）3（C）4（D）5

25.影响模拟放大电路静态工作点稳定的主要因素是（D）。

（A）三极管的β值（B）三极管的穿透电流（C）放大信号的频率（D）工作环境的温度

26.在模拟放大电路中，集电极负载电阻RC的作用是（C）。

（A）限流（B）减小放大电路的失真

（C）把三极管的电流放火作用转变为电压放大作用

（D）把三极管的电压放大作用转变为电流放大作用

27.若用万用表测得某晶体二极管的正反向电阻都很大，则说明该管子（C）。

（A）很好

（B）已击穿

（C）内部已断路

（D）已失去单向导电性

28.某放大器的电压放大倍数为AU=-100，其负号表示（D）。

（A）衰减

（B）表示输出信号与输入信号的相位相同

（C）放大

（D）表示输出信号与输入信号的相位相反

29.共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（A）。

（A）截止失真

（B）饱和失真

（C）非线性失真

（D）频率失真

30.

在共发射极基本放大电路中，如图所示，若RB=240KΩ，Rc=3kΩ，Vcc=12V，β=40，若忽略UBEQ则其IBQ为（B）。

（A）100μA

（B）50μA

（C）20μA

（D）200μA

31.当温度升高时，会造成放大器的（A）。

（A）Q点上移，容易引起饱和失真

（B）Q点下移，容易引起饱和失真

（C）Q点上移，容易引起截止失真

（D）Q点下移，容易引起截止失真

32.在分压式偏置电路中，已知RB1=20KΩ，RB2=10KΩ，RC=2KΩ，RE=2KΩ．

VCC=12V，β=50，RL=2KΩ。

设UBEQ=0，ICQ为（B）。

（A）1mA

（B）2mA

（C）3mA

（D）4rnA

33.阻容耦合放大器（B）。

（A）只能传递直流信号

（B）只能传递交流信号

（C）交直流信号都能传递

（D）交直流信号都不能传递

34.直接耦合放大器（C）。

（A）只能传递直流信号

（B）只能传递交流信号

（C）交直流信号都能传递

（D）交直流信号都不能传递

35.把放大器输出端短路，若反馈信号不为零，该反馈属于（D）反馈。

（A）并联

（B）串联

（C）电压

（D）电流

36.把放大器输入端短路，若反馈信号不为零，该反馈属于（B）反馈。

（A）并联

（B）串联

（C）电压．

（D）电流

37.判断是串联反馈还是并联反馈的方法是（C）。

（A）输出短路法

（B）瞬时极性法

（C）输入短路法

（D）并联法

38.射极输出器是典型（A）放大器。

（A）电压串联负反馈

（B）电流串联负反馈

（C）电压并联负反馈

（D）

电流并联负反馈

39.在图引入了（C）。

（A）交流负反馈

（B）直流负反馈

（C）交直流负反馈

（D）直流正反馈

40.图示电路为（A）。

（A）电压并联直流负反馈

（B）电压并联交直流负反馈

（C）电流串联交直流负反馈

（D）电流并联交直流负反馈

41.电路能形成自激振荡的主要原因是在电路中（A）。

（A）引入正反馈

（B）引入负反馈

（C）电感线圈的作用

（D）电容的作用

42.正弦波振荡器的振荡频率取决于（D）。

（A）反馈元件的参数

（B）正反馈的强度

（C）三极管的放大系数

（D）选频网络的参数

43.正弦波振荡器的起振信号来自（C）。

（A）外部输入的信号

（B）正反馈的反馈信号

（C）接入直流电源瞬间的扰动电流

（D）负反馈的反馈信号

44.收音机振荡电路用得较多的是（D）振荡器。

（A）电感三点式

（B）电容三点式

（C）石英晶体

（D）共基极变压器耦合式

45.石英晶体振荡器的最大特点是（C）。

（A）振荡频率高

（B）振荡波形失真小

（C）振荡频率稳定度高

（D）电路简单

46.低频信号发生器的振荡电路一般采用的是（D）振荡电路。

（A）电感三点式（B）电容三点式（C）石英晶体（D）RC

47.在多级直流放大器中，对零点飘移影响最大的是（A）。

（A）前级（B）后级（C）中间级（D）前后级一样

48.直流差动放大电路可以（B）。

（A）放大共模信号，抑制差模信号（B）放大差模信号，抑制共模信号

（C）放大差模信号和共模信号（D）抑制差模信号和共模信号

49.集成运算放大器的开环差模电压放大倍数高，说明（D）。

（A）电压放大能力强（B）电流放大能力强（C）共模抑制能力强（D）运算精度高

50.在硅稳压管稳压电路中，限流电阻R的作用是（B）。

（A）既限流又降压（B）既限流又调压（C）既降压又调压（D）既调压又调流

51.串联型稳压电路中的调整管工作在（A）状态。

（A）放大（B）截止（C）饱和（D）任意

52.或非门的逻辑功能为（A）。

（A）入1出0，全0出1（B）入1出1，全0出0

（C）入0出0，全1出l（D）入0出1，全1出0

53.TTL与非门输入端全部接高电平时，输出为（B）。

（A）零电平（B）低电平（C）高电平（D）可能是低电平，也可能是高电平

54.TTL与非门的输人端全部同时悬空时，输出为（B）。

（A）零电乎（B）低电平（C）高电平（D）可能是低电乎，也可能是高电平

55.或非门RS触发器的触发信号为（B）。

（A）正弦波（B）正脉冲（C）锯齿波（D）负脉冲

56.在或非门RS触发器中，当R=1、S=0时，触发器状态（B）。

（A）置1（B）置0（C）不变（D）不定

57.多谐振荡器是一种产生（C）的电路。

（A）正弦波（B）锯齿波（C）矩形脉冲（D）尖顶脉冲

58.石英晶体多谐振荡器的振荡频率（A）。

（A）只决定于石英晶体本身的谐振频率（B）决定于R的大小

（C）决定于C的大小（D）决定于时间常数RC

59.一异步三位二进制加法计数器，当第4个CP脉冲过后，计数器状态变为（C）。

（A）000（B）010（C）100（D）101

60.一异步三位二进制加法计数器，当第8个CP脉冲过后，计数器状态变为（A）。

（A）000（B）010（C）110（D）10l

61.如果需要寄存两位二进制数码，需用（B）个触发器。

（A）1（B）2（C）4（D）8

62.寄存器主要由（D）组成。

（A）触发器（B）门电路（C）多谐振荡器（D）触发器和门电路

63.最常用的显示器件是（B）数码显示器。

（A）五段（B）七段（C）九段（D）十一段

64.与二进制数（11011010）B相对应的十进制数为（B）

（A）106

（B）218

（C）232

（D）682

65.逻辑表达式A+AB等于（A）。

（A）A

（B）I+A

（C）I+B

（D）A+B

66.在逻辑运算中，下列正确的（D）。

（A）A+0=l

（B）A+A=I

（C）A·A=1

（D）A+I=I

67.对函数进行化简时，通常都以化简为（A）表达式为目的。

（A）与或

（B）与非

（C）或非

（D）以上均可

68.组合逻辑门电路在任意时刻的输出状态，只取决于该时刻的（C）。

（A）电压高低

（B）电流大小

（C）输人状态

（D）电路状态

69.译码器属于（B）。

（A）时序电路

（B）组合逻辑电路

（C）运算电路

（D）放大电路

70.编码器属于（B）。

（A）时序电路

（B）组合逻辑电路

（C）运算电路

（D）放大电路

71.半加器属于（B）。

（A）时序电路

（B）组合逻辑电路

（C）运算电路

（D）放大电路

72.顺序脉冲分配器属于（A）。

（A）时序电路

（B）组合逻辑电路

（C）运算电路

（D）放大电路

73.寄存器属于（A）。

（A）时序电路

（B）组合逻辑电路

（C）运算电路

（D）放大电路

74.下列集成电路具有记忆功能的是（D）。

（A）与门电路

（B）或门电路

（C）非门电路

（D）RS触发器

75.若将一个频率为10kHz的矩形波变换成一个1kHz的矩形波，应采用（C）。

（A）二进制计数器

（B）译码器

（C）十进制计数器

（D）全加器

76.多谐振荡器主要是用来产生（B）信号。

（A）正弦波

（B）矩形波

（C）三角波

（D）锯齿波

77.三相电动机负载及对整流电源要求较高的场合一般采用（C）整流电路。

（A）单相半波（B）三相半波（C）三相桥式半控（D）三相桥式全控

78.在三相桥式半控整流电路中，对于共阴极组晶闸管来说，只有（A）一相的晶闸管且有触发脉冲时才能导通。

（A）阳极电压最高（B）阳极电压最低（C）阴极电压最高（D）阴极电压最低

79.在三相半控桥式整流电路带电阻性负载的情况下，能使输出电压刚好维持连续的控制角等于（C）。

（A）30。

（B）45。

（C）60。

（D）90。

80.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，两组三相半波电路是（A）工作的。

（A）同时并联（B）同时串联（C）不能同时并联（D）不能同时串联

81.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，负载电流是同时由（B）承担的。

（A）一个晶闸管和一个绕组（B）两个晶闸管和两个绕组

（C）三个晶闸管和三个绕组（D）四个晶闸管和四个绕组

82.三相半波可控整流电路如图所示，晶闸管的换相规律为（A）。

（A）V1V2V3

（B）V1V3V2

（C）V3V2V1

（D）V2V1V3

83.

三相半波可控整流电路中，若U2Φ=220V，则晶闸管承受的最大反向电压是（B）。

（A）220V（B）220V（C）V（D）V

84.三相半波可控整流电路中，电阻性负载a=600，晶闸管的导通角为（A）。

（A）900

（B）1200

（C）1500

（D）1800

85.三相半波可控整流电路中。

大电感负载a=300，晶闸管的导通角为（B）。

（A）900

（B）1200

（C）1500

（D）1800

86.在三相半控桥整流电路中，若变压器二次侧的相电压为U2，则晶闸管可能承受的最大正反向电压为（A）。

（A）（B）（C）（D）U2Φ

87.在三相半控桥整流电路中，电阻性负载a的移相范围是（D）。

（A）00~900

（B）00~1200

（C）00~1500

（D）00~1800

88.在三相半控桥整流电路中，大电感性负载a=900时，续流二极管每个周期内的导电角为（A）。

（A）3×600

（B）3×600

（C）300

（D）600

89.三相半波可控整流电路带电阻性负载时，每只晶闸管的最大导通角为（B）。

（A）900

（B）1200

（C）1500

（D）600

90.三相半波可控整流电路带电阻性负载时，其触发延迟角a的移相范围是（B）。

（A）00~1200

（B）00~1200

（C）00~1200

（D）00~1200

91.三相半波可控整流电路带电阻性负载时，若触发脉冲加于自然换相点之前，则输出电压将（C）。

（A）很大

（B）很小

（C）出现缺相现象

（D）出现短路现象

92.三相半波可控整流电路带电阻性负载时，当触发延迟角大于（A）时，输出电流波形开始由连续变断续。

（A）300

（B）450

（C）600

（D）900

93.三相半波可控整流电路带电感性负载时，在一定范围内若负载的电感量越大，则（D）

（A）输出电压越高（B）输出电压越低（C）导通角θ越小（D）导通角θ越大

94.三相桥式半控整流电路中，每一只晶闸管流过的平均电流是负载电流的（B）。

（A）1/2

（B）1/3

（C）1/4

（D）1/6

95.晶闸管整流装置，若负载串接大电感使输出电流为平直波形，则负载上消耗的功率为（C）。

（A）输出直流电压与输出直流电流的乘积

（B）输出直流电压与输出有效电流的乘积

（C）输出有效电压与输出直流电流的乘积

（D）输出有效电压与输出有效电流的乘积

96.把（C）的装置称为逆变器。

（A）交流电变换为直流电

（B）交流电压升高或降低

（C）直流电变换为交流电

（D）直流电压升高或降低

97.从自动控制的角度来看，晶闸管中频电源装置在感应加热时是一个（B）系统。

（A）开环

（B）人工闭环

（C）自动闭环

（D）以上均不是

98.晶闸管中频电源的整流触发电路中，每个晶闸管的触发信号必须与主电路的电源同步，相邻序号器件的触发脉冲必须相隔（B）电角度。

（A）300

（B）600

（C）900

（D）450

99.晶闸管三相串联电感式电压型逆变器是属于（D）导通型。

（A）900

（B）1200

（C）1500

（D）180．

100.在三相串联电感式电压型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有（B）个晶闸管导通。

（A）2（B）3（C）4（D）6

101.晶闸管三相串联二极管式电流型逆变器是属于（B）导通型。

（A）900（B）1200（C）1500（D）1800

102.在晶闸管三相串联二极管式电流型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有—个晶闸管导通（A）

（A）2（B）3（C）4（D）6

103.晶闸管斩波器是应用于直流电源方面的调压装置，其输出电压（D）。

（A）是固定的（B）可以上调，也可以下调（C）只能上调（D）只能下调

104.在简单逆阻型晶闸管斩波器中，（D）晶闸管。

（A）只有一只（B）有两只主（C）有两只辅助（D）有一只主晶闸管，一只辅助

105.晶闸管逆变器输出交流电的频率由（D）来决定。

（A）一组晶闸管的导通时间（B）两组晶闸管的导通时间

（C）一组晶闸管的触发脉冲频率（D）两组晶闸管的触发脉冲频率

106.在并联谐振式晶闸管逆变器中，为求得较高的功率因数和效率，应使晶闸管触发脉冲的频率（C）负载电路的谐振频率。

（A）远大于（B）大于（C）接近于（D）小于

107.电力场效应管MOSFET是（B）器件。

（A）双极型（B）多数载流子（C）少数载流子（D）无载流子

108.电力场效应管MOSFET适于在（D）条件下工作。

（A）直流（B）低频（C）中频（D）高频

109.逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（D）。

（A）晶闸管（B）电力晶体管（C）可关断晶闸管（D）电力场效应管

110.电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（C）。

（A）时间久而失效（B）二次击穿（C）静电击穿（D）饱和

111.在斩波器中，采甩电力场效应管可以（A）。

（A）提高斩波频率（B）降低斩波频率（C）提高功耗（D）降低斩波效率

112.在斩波器中，采用电力场效应管可以（B）。

（A）增加低频谐波分量（B）减少低频谐波分（C）增加输出功率（D）降低输出频率

113.电力晶体管GTR有（B）个PN结。

（A）1（B）2（C）3（D）4

114.在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（D）状态。

（A）放大（B）截止（C）饱和（D）开关

115.电力晶体管是（A）控制型器件。

（A）电流（B）电压（C）功率（D）频率

116.以电力晶体管组成的逆变器适于（C）容量的场合。

（A）特大（B）大（C）中（D）小

117.逆变器中的电力晶体管工作在（D）状态。

（A）饱和（B）截止（C）放大（D）开关

118.斩波器中的电力晶体管，工作在（C）状态。

（A）放大（B）截止（C）开关（D）饱和

119.电力晶体管（B）电路。

（A）必须有专门的强迫换流（B）不必有专门的强迫换流

（C）必须有专门的强迫换压（D）必须有专门的强迫换阻

120.绝缘栅双极晶体管属于（A）控制元件。

（A）电压（B）电流（C）功率（D）频率

121.要使绝缘栅双极晶体管导通，应（A）。

（A）在栅极加正电压（B）在集电极加正电压（C）在栅极加负电压（D）在集电极加负电压

122.绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（C）来控制。

（A）栅极电流（B）发射极电流（C）栅极电压（D）发射极电压

123.逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（D）。

（A）晶闸管（B）单结晶体管（C）电力晶体管（D）绝缘栅双极晶体管

124.绝缘栅双极晶体管的开关速度（D）电力晶体管。

（A）低于（B）等于（C）稍高于（D）明显高于

125.斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在（A）状态。

（A）开关（B）截止（C）饱和（D）放大

126.绝缘栅双极晶体管具有（D）的优点。

（A）晶闸管（B）单结晶体管（C）电力场效应管（D）电力晶体管和电力场效应管

127.用信号发生器与示波器配合观测放大电路的波形时，为了避免不必要的机壳间的感应和干扰，必须将所有仪器的接地端（A）。

（A）连接在一起（B）加以绝缘隔离（C）悬空（D）分别接地

128.示波器中的示波管采用的屏蔽罩一般用（D）制成。

（A）铜（B）铁（C）塑料（D）坡莫合金

129.修理变压器分接开关时，空气相对湿度不大于75％，开关在空气中暴露时间不得超过（C）小时。

（A）8（B）16（C）24（D）48

130.变压器主绝缘击穿的修理步骤为：

更换绝缘、烘干器身和（B）。

（A）绑扎（B）灌入合格的变压器油（c）焊接引线（D）修好接地片

131.国产小功率三相鼠笼式异步电动机的转子导体结构采用最广泛的是（B）转子。

（A）制条结构（B）铸铝（C）深槽式（D）铁条结构