精编完整版半导体材料生产建设项目可研报告Word格式文档下载.docx
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第三节消防45
第八章节能47
第一节用能标准和节能规范47
第二节能耗状况和能耗指标分析47
第三节节能措施和节能效果分析48
第九章项目实施进度51
第一节项目实施进度51
第二节项目进度计划52
第十章项目招标方案53
第十一章投资估算及资金筹措56
第十二章财务评价59
第一节评价原则和方法59
第二节财务分析59
第十三章社会影响分析63
第十四章综合评价69
附表目录
附表
1、建设投资估算表（附表1）
2、流动资金估算表（附表2）
3、投资计划与资金筹措表（附表3）
4、总成本费用估算表（附表4）
5、固定资产折旧费估算表（附表5）
6、销售收入和税金估算表（附表6）
7、利润及利润分配表（附表7）
8、项目投资现金流量表（附表8）
9、资金来源与运用表（附表9）
10、资产负债表（附表10）
第一章总论
第一节项目名称及承办单位
项目名称：
项目建设性质：
承办单位：
山东爱和科技有限公司
法人：
联系电话：
项目拟建地点：
山东省禹城市高新技术开发区
第二节可行性研究编制单位
单位名称：
德州天洁环境影响评价有限公司
资格等级：
丙级
发证机关：
国家发展和改革委员会
第三节研究工作的依据与范围
一、研究工作的依据
（一）双方签订关于编制项目申请报告的委托书、合同书；
（二）国家发展和改革委员会2005年第40号令发布实行的《产业结构调整指导目录（2005年本）》；
（三）《信息产业科技发展“十一五”规划和2020年中长期规划纲要》等文件；
（四）《节能中长期专项规划》；
（五）《建设项目经济评价方法与参数》（第三版）
（六）《投资项目可行性研究指南》、《投资项目经济咨询评估指南》
（七）项目承担单位提供的基础数据；
（八）国家有关法律、法规及产业政策；
（九）现行有关技术规范、规定及标准；
二、研究工作的范围
本可行性研究主要包括：
（一）对项目提出的背景、必要性、市场前景、建设规模、建设条件与场地状况的分析；
（二）对项目总图运输、生产工艺、土建、公用设施等技术方案的研究；
（三）对项目所采取的消防、环境保护、劳动安全卫生及节能措施的评价；
（四）对项目实施进度及劳动定员的确定；
（五）对项目作出的投资费用估算及财务综合评价。
第四节简要结论
半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间的固体材料。
半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·
cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。
半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；
将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；
而将宽禁带（Eg>
2.3eV）的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。
上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。
中国半导体材料市场自2003年以来已连续4年维持增长，且2007年全球规模已达423.93亿美元，较2006年增长约14%，其中晶圆制程材料增长17%，达到250亿美元，封装材料则增长9%，达到170亿美元。
而2007年全球整个半导体市场仅增长3%，达到2556亿美元。
中国半导体材料市场发展迅速，预计2010年，半导体材料的销售额将达到530亿美元。
与晶圆制造材料类似，封装材料预计在2009年和2010年将分别增长9％和6％，2010年将达206亿美元。
世界半导体行业巨头纷纷到国内投资，整个半导体行业快速发展，这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。
可以说，市场发展为半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。
基于以上现状，山东爱和科技有限公司拟利用现有生产及技术优势开发生产半导体材料，以满足市场的需求。
该项目拟在禹城市高新技术开发区，新建生产车间、仓库以及水电气等公用基础设施厂房8664平方米，新上各种生产和检测设备35台（套），形成年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等半导体材料1.5万吨。
通过初步分析估算，本项目工程总投资构成及资金来源为：
1、项目总投资4800万元。
其中，建设投资4501万元，在建设投资中，建筑工程费545万元，设备购置及安装费3563万元，其它费用113万元,基本预备费280万元。
2、资金来源为企业自筹资金。
3、本项目完成后，达产年企业新增销售收入15000万元，新增利税1514万元（其中利润总额792万元，销售税金及附加722万元）。
该项目从半导体材料科研开发到生产，形成了一条开发、生产、推广、销售为一体的产业化链条，不仅为社会提供劳动就业机会，为国家和地方增加税收，同时也带动了与之相关的机械制造、运输物流、城市基础设施建设等行业的发展。
该项目符合国家产业政策和行业发展要求，产品市场广阔，经济效益和社会效益显著，抗风险能力强。
通过研究可以看出本项目依据条件较好，工艺技术成熟可靠，无论在技术上还是在经济效益上都是可行的。
第五节主要技术经济指标
主要技术经济指标表
序号
项目
单位
指标
备注
1
生产规模
年产半导体材料
万吨
1.5
2
项目总投资
万元
4800
其中：
建设投资
4501
铺底流动资金
299
3
流动资金
4152
4
项目厂区占地面积
平方米
8664
5
项目定员
人
200
技术管理人员
40
工人
160
7
全年生产天数
天
300
8
人员工作日
250
9
销售收入
万元/年
15000
10
总成本
13486
正常年
11
利税
1514
12
利润
792
正常年（税后）
13
总投资收益率
%
31.54
14
财务内部收益率
12.43
税后
15
投资回收期
年
5.54
含建设期、税后
第二章项目提出的背景及建设的必要性
第一节项目提出的背景
一、半导体材料现状
（一）世界半导体材料现状
1、半导体硅材料：
半导体硅材料自从60年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均大约以每年12～16%的速度增长。
目前全世界每年消耗约18000～25000吨半导体级多晶硅，消耗6000～7000吨单晶硅，硅片销售金额约60～80亿美元。
可以说在未来30～50年内，硅材料仍将是LSI工业最基础和最重要的功能材料。
电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路、电子工业和信息技术的发展。
半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。
现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。
主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。
生长单晶硅的工艺可分为区熔（FZ）和直拉（CZ）两种。
其中，直拉硅单晶（CZ-Si）广泛应用于集成电路和中小功率器件。
区域熔单晶（FZ-Si）目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。
单晶硅和多晶硅应用最广。
经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本、德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的90%以上，其中信越、瓦克、SUMCO和MEMC四家的销售额占世界硅片销售额的70%以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。
在集成电路用硅片中，8英寸的硅片占主流，约40～50％，6英寸的硅片占30％。
当硅片的直径从8英寸到12英寸时，每片硅片的芯片数增加2.5倍，成本约降低30％，因此，国际大公司都在发展12英寸硅片，2006年产量将达到13.4亿平方英寸，将占总产量的20%左右。
2、砷化镓单晶材料：
砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过200吨（日本1999年的砷化镓单晶的生产量为94吨）。
用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法（液封直拉法）和HB法（水平舟生产法）。
国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法（垂直梯度凝固法）、VB法（垂直布里支曼法）和VCZ法（蒸气压控制直拉法），成功制备出4～6英寸大直径GaAs单晶。
其中以低位错密度的HB方法生长的2～3英寸的导电砷化镓衬底材料为主。
移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。
日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的70～80%；
美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。
日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产GaAs单晶30t。
美国AXT公司是世界最大的VGFGaAs材料生产商。
世界GaAs单晶主要生产商情况见表6。
国际上砷化镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35%以上的市场份额。
研制和小批量生产水平达到8英寸。
近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（6～8英寸）的Si-GaAs发展很快，4英寸70厘米长及6英寸35厘米长和8英寸的半绝缘砷化镓（Si-GaAs）也在日本研制成功。
磷化铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径4英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
3、宽禁带氮化镓材料:
国外对SiC的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。
到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立专门研究SiC半导体的Cree公司。
九十年代初，美国国防部和能源部都把SiC集成电路列为重点项目，要求到2000年在武器系统中要广泛使用SIC器件和集成电路，从此开始了有关SiC材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。
即目前为止，直径≥50mm具有良好性能的半绝缘和掺杂材料已经商品化。
美国政府与西屋西子公司合作，投资450万美元开了3英寸纯度均匀、低缺陷的SiC单晶和外延材料。
另外，制造SiC器件的工艺如离子注入、氧化、欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了SiC器件和集成电路的快速发展。
由于SiC器件的优势和实际需求，它已经显示出良好的应用前景。
航空、航天、冶炼以及深井勘探等许多领域中的电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类SiC器件都显示良好的温度性能。
SiC具有较大的禁带宽度，使得基于这种材料制成的器件和电路可以满足在470K到970K条件下工作的需要，目前有些研究水平已经达到970K的工作温度，并正在研究更高的工作温度的器件和集成电路。
（二）我国半导体材料现状
中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大的进展，先后研制和生产了4英寸、5英寸、6英寸、8英寸和12英寸硅片。
随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，中国单晶硅产量逐年增加。
据统计，2001年我国半导体硅材料的销售额达9.06亿元，年均增长26.4%。
单晶硅产量为584t，抛光片产量5183万平方英寸，主要规格为3～6英寸，6英寸正片已供应集成电路企业，8英寸主要用作陪片。
单晶硅出口比重大，出口额为4648万美元，占总销售额的42.6%，较2000年增长了5.3%。
目前，国外8英寸IC生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建的F8英寸IC生产线有近10条之多，对大直径高质量的硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本依赖进口，中国硅晶片的技术差距和结构不合理可见一斑。
在现有形势和优势面前发展我国的硅单晶和IC技术面临着巨大的机遇和挑战。
2004年国内从事硅单晶材料研究生产的企业约有35家，从业人员约3700人，主要研究和生产单位有北京有研硅股、杭州海纳半导体材料公司、宁波立立电子公司、洛阳单晶硅厂、万向硅峰电子材料公司、上海晶华电子材料公司、峨眉半导体材料厂、河北宁晋半导体材料公司等。
其中，有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40%。
2004年国内硅单晶产量达1000吨左右，销售额突破11亿元，平均年增长率为27.5%，预计2005年我国硅单晶产量可达1400吨左右。
中国从上世纪60年代初开始研制砷化镓，近年来，随着中科镓英半导体有限公司、北京圣科佳电子有限公司相继成立，中国的化合物半导体产业迈上新台阶，走向更快的发展道路。
中科镓英公司成功拉制出中国第一根6.4公斤5英寸LEC法大直径砷化镓单晶；
信息产业部46所生长出中国第一根6英寸砷化镓单晶，单晶重12kg，并已连续生长出6根6英寸砷化镓单晶；
西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性的进展。
中国GaAs材料单晶以2～3英寸为主，4英寸处在产业化前期，研制水平达6英寸。
目前4英寸以上晶片及集成电路GaAs晶片主要依赖进口。
砷化镓生产主要原材料为砷和镓。
虽然中国是砷和镓的资源大国，但仅能生产品位较低的砷、镓材料（6N以下纯度），主要用于生产光电子器件。
集成电路用砷化镓材料的砷和镓原料要求达7N，基本靠进口解决。
中国国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。
国内已经有一些单位在开展SiC材料的研究工作。
到目前为止，2英寸、3英寸的碳化硅衬底及外延材料已经商品化。
目前研究的重点主要是4英寸碳化硅衬底的制备技术以及大面积、低位错密度的碳化硅外延技术。
目前国内进行碳化硅单晶的研制单位有中科院物理所、中科院上海硅酸盐研究所、山东大学、信息产业部46所等，进行碳化硅外延生长的单位有中科院半导体所、中国科技大学以及西安电子科大。
西安电子科技大学微电子研究所已经外延生长了6H-SiC，目前正在进一步测试证明材料的晶格结构情况。
另外，还对材料的性质和载流子输运进行了理论和实验研究，器件的研究工作也取得了可喜的进展。
二、项目建设的背景
电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展。
当前的研究热点和技术前沿包括柔性晶体管、光子晶体、SiC、GaN、ZnSe等宽禁带半导体材料为代表的第三代半导体材料、有机显示材料以及各种纳米电子材料等。
随着电子学向光电子学、光子学迈进，微电子材料在未来5～10年仍是最基本的信息材料。
电子、光电子功能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向发展。
半导体微电子材料由单片集成向系统集成发展。
微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。
（一）Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。
椎8英吋硅芯片是目前国际的主流产品，椎12英吋芯片已开始上市，GaAs芯片椎4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎6英吋生产线过渡；
对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。
（二）在以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料——宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnSe、金刚石材料和用SiGe/Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。
（三）继经典半导体的同质结、异质结之后，基于量子阱、量子线、量子点的器件设计、制造和集成技术在未来5～15年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延MBE和金属有机化合物化学汽相外延MOCVD技术将得到进一步发展和更加广泛的应用。
（四）高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb～0.1ppb和6N级以上，0.5μm以上的杂质颗粒必须控制在5个/毫升以下，金属杂质含量控制在ppt级，并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。
第二节项目建设的必要性
一、符合国家产业政策
国家发展和改革委员会以40号令发布实施了《产业结构调整指导目录（2005年本）》，本项目生产产品为半导体材料，符合第一类：
鼓励类，第二十四条：
信息产业，第24款“电子专用材料制造”。
因此，该项目的建设符合国家产业政策。
二、符合产业和行业规划
2009年，国务院出台了《电子信息产业调整和振兴规划》，大力支持半导体材料发展，支持开发先进技术和产品，加快半导体材料的创新改进和进入市场速度。
三、产品市场不断扩大地需求
半导体材料市场广阔，具有很好的社会效益和经济效益。
随着社会进步，生活水平提高，人们对环境保护日益重视，APET片材这一环保产品越来越受到人们的欢迎，APET片材设备的发展前景将更加广阔。
四、当地政府的大力支持
国务院在2000年颁布和实施了《鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》，市委市政府大力支持新材料的发展,先后出台了一系列的政策,在资金、物质、人才等方面进行扶持、引导和奖励,在土地、环境、手续等方面的大力支持，该项目适合禹城市综合开发的需要，可作为禹城市的新兴产业扶持项目，切实推进禹城市相关产业的发展，符合禹城市的投资导向，并能促进全市出口创汇工作。
第三章市场需求分析与生产规模
第一节市场需求分析
一、市场需求预测
中国的IT产业即将进入快速发展时期，这一点已成为人们的普遍共识。
在信息产品市场的拉动下，电子信息材料产业也将获得持续较快的增长。
电子信息材料业在IT产业中乃至整个国民经济中的地位将会进一步上升。
据信息产业部的预测，2005年中国电子信息产品市场的总规模将达2万亿元人民币，这大约相对于全球市场总规模的13％。
巨大的市场需求，将拉动中国信息产业快速发展。
在此背景下，我国信息材料业的未来商机首先来自半导体材料市场。
当今全球最大、最重要的信息材料细分市场就是集成电路，而集成电路的99％以上都是由硅材料制作的。
半导体材料在信息设备中的价值含量已达20％，并且还在继续上升。
中国半导体材料市场自2003年以来已连续4年维持增长，且2007年全球规模已达423.93亿美元，较2006年增长约14%，其中晶圆制程材料增长17%，达到250亿美元，封装材料则增长9%，达到170亿美元。
第二节生产规模及产品方案
根据产品市场、技术和设备及资金筹措能力等因素，确定项目为年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等产品。
年形成达到1.5万吨的规模。
第四章建设条件与厂址
第一节原材辅材料供应
性能指标能满足技术要求的，均立足国内供应，以节约资金、降低生产成本；
本项目所需的各种原材料均为行业常用的材料，原辅材料的需求量在山东省内均可以满足供应。
对于国内尚不能生产或质量不能满足技术要求的，考虑进口解决。
第二节厂址概况
一、地理位置
禹城市位于东经116℃，北纬37℃。
禹城市属黄河冲积平原的一部分。
地势平坦，无显著起伏。
总的趋势由西南向东北缓缓倾斜，地面坡降为1/5000-1/8000之间。
厂址处地貌属黄河冲积平原地貌单元，微地貌为人工开挖农田灌溉水渠。
场地地形较平坦，最大相对高差0.53米，据调查，场地及附近无不良地质作用。
北依北京、天津，南邻省会济经济开发带交汇区内，兼具沿海与内陆双重优势。
二、自然条件
（一）地形、地貌
禹城地质构造上属华北地台，沧东大断裂北北东向，西盘上升，东盘下降。
地壳运动总的趋势是以上降为主，长期接受堆积覆盖有深厚的新生界地层。
地层内主要为锈黄色、黄土类土，岩性一般以粘质砂土为主。
其次是砂质粘土夹粉砂、细砂透镜体。
其显著特征是锈染特别发育，含分散钙、结构较上复地层密实。
常见虫孔构造及植物残体。
于60-70米左右均有淤泥层，淤泥厚度10米多，砂层一般为粉细砂、细砂层，厚24。
禹城市地处黄河中下游冲积平原，地势平坦，地质结构优良，地耐力达18-30吨/平方米。
（二）气象条件
禹城市气候特点受季风影响显著，四季分明，冷热干湿界限明显，春季干旱多风回暖快，夏季炎热多雨，秋季凉爽多晴天，冬季寒冷少雪干燥，具有显著的大陆性气候特征。
1、年平均气温：
13.3℃
2、绝对最高气温：
41.8℃
绝对最低气温：
-22.0℃
累年最热月（7月）：
平均温度27.0℃，平均最高温度31.9℃，地面下0.8米处土壤平均温度28.7℃。
最冷月（1月）平均温度-2.9℃。
3、常年主导风向：
SW风
春夏季：
南风、西南风
秋冬季：
东北风
4、年平均风速：
2.5米/秒
5、年平均气压：
1014.3Kpa
6、年平均日照数：
2534.9h
7、年相对湿度：
65%
8、年平均降雨量：
554.0mm
年最大降雨量：
1144.4mm
天最大降雨量：
171.0mm
（三）工程地质及水文
于60-70米左
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