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认识零件教材

认识零件

1　电阻

1.1　种类及外观

1.2　阻值计算

２　电容

2.1　种类及外观

2.2　容值计算

2.3极性

2.4电容耐压

2.5电容误差

３　电感

3.1　种类及外观

４　二极管

4.1　种类及外观

4.2　极性

５发光二极管ＬＥＤ

5.1外观

5.2极性

６　晶体管

6.1　外观

７　震荡装置

7.1种类

7.2频率辨识

7.3极性

８　保险丝

8.1外观

９　ＩＣ类

9.1外观

9.2第１脚标示方式

9.3　封装方式

１０　常用连接装置

10.1外观

１１　PIN座，短路帽

11.1外观

１２　其它

１电阻

1.1种类及外观：

ＳＭＴ

芯片电阻，排阻

ＤＩＰ

　　　　金属膜电阻　　　　　　　　　　　　　　　水泥绕线型电阻

　　　金属氧化膜电阻　　　　　　　　　　　　　　　碳膜电阻

绕线电阻　　　　　　　　　　　　　　　热敏电阻

　　　　排阻可变电阻

1.2阻值计算（单位为Ω，ＫΩ，ＭΩ）：

ＳＭＴ：

一般是以数字标示其阻值。

　　　３码电阻：

阻值计算方式为－前２码标示数值，后１码标示其倍数。

如标示４７３的前２位为数值４７后１位为倍数即１０的３次方即４７＊１０００＝４７０００Ω＝４７ＫΩ

　　　　　　　　　快速算法为在４７的后面加上３个０即为阻值。

４码电阻：

一般用于精密电阻其阻值计算方式为－前３码标示数值，后１码标示其倍数。

如标示４７３３的前３位为数值４７３后１位为倍数即１０的３次方，即４７３＊１０００＝４７３０００Ω＝４７３ＫΩ

　　　　　　　　　快速算法为在４７３的后面加上３个０即为阻值。

　ＤＩＰ：

一般是以色码标示其阻值，计算方式参考图一色码表。

　　　　４码电阻：

阻值计算方式为－前３码标示阻值，后１码标示其误差值。

　　　　　　　　　如标示　黄紫橙　金　其阻值计算方式为：

　　　　　　　　　４７３　计算方式同ＳＭＴ电阻计算方式。

　　　　　　　　　黄紫橙　４７＊１０００＝４７０００Ω＝４７ＫΩ

其误差值为±５％。

　　　　５码电阻：

一般用于精密电阻其阻值计算方式为－前４码标示阻值，后１码标示其误差值。

　　　　　　　　　如标示　黄紫橙橙　银　其阻值计算方式为：

　　　　４７３３　计算方式为前３码为数值４７３后１码为倍数１０

　　　　黄紫橙橙　的３次方　４７３＊１０００＝４７３０００Ω

　　　　４７３０００Ω＝４７３ＫΩ，误差值为±１０％。

※１ＭΩ＝１０００ＫΩ＝１００００００Ω

黑　

棕

红

橙

黄

绿

蓝

紫

灰

白

金

银

无

　　　　　　　　　　　　　　图一　色码表

２电容

　2.1种类及外观：

　ＳＭＴ

　　　　　芯片电容，钽质电容　　　　　　　　　　　　　　　电解电容

　ＤＩＰ

　　　　　　　　电解电容　　　　　　　　　　　　　钽质电容　　　　　基层电容

　　　　　　　塑料薄膜电容

　2.2容值计算：

电容器的代表字母是C﹝capacitor﹞，单位为法拉﹝farad﹞，但是因为法拉的额度太大并不符合电容实际使用容量大小的标示需要，所以又有较小的微法拉μF﹝microfarad﹞相当于10-6法拉，以及更小的微微法拉pF﹝picofarad﹞相当于10-12法拉，以及介于两者之间的nF﹝nanofarad﹞，相当于10-9法拉。

ＳＭＴ无标示之电容须使用仪器测量才能计算其容值。

有标示数值者如104（计算方式同电阻），即10＊10000＝100000ｐＦ＝100ｎＦ＝0.1μF（10＊10的4次方），ＤＩＰ与ＳＭＴ计算方式相同。

（1）以μF为单位：

电容容量1uF以上者，直接以数值标示容量，例如10000μF，3300μF。

（2）以pF为单位：

第一位数与第二位数代表电容数值，第三个数字代表10的次方，亦即数值后面0的个数。

例如电容容量标示为104者，代表10后面有四个0，亦即100000pF。

（3）以nF为单位：

电容容量标示为100n代表100x10-9=10-7法拉，亦等于0.1x10-6法拉，所以等于0.1μF。

以上关系可以表示为1μF=103nF=106pF

　2.3极性：

除钽质电容白线标示为正极外一般都以标示白线处为负极；ＤＩＰ的有极性电容会另外以脚的长短来区分正负极，长脚为正极短脚为负极，基层电容为无极性。

2.4电容耐压：

电容耐压以伏特v表示，直接标示在电容外壳或印在套膜上，选用电容时应注意电路电压峰值并预留余裕。

2.5电容误差：

电容误差以字母标示如下页 

≦10pF

≧10pF

B

±0.1pF 

C

±2.25pF 

D

±0.5pF 

E

±25%

F

±1pF

±1%

G

±2%

H

±2.5%

J

±5%

K

±10%

M

±20%

P

-0~+100%

S

-20~+50%

W

-0~+200%

X

-20~+40%

Z

-20~+80%

　　　　　　　　　　　　　　　　　电容误差表

３电感

3.1种类及外观：

　　　　　　　　　ＳＭＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＭＴ

　　　　　　　　线　圈　　

　　　　　　　　　ＤＩＰ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＤＩＰ

　　　　　　　　　ＤＩＰ

４二极管

　4.1,种类及外观：

　　ＳＭＴＤＩＰ

半导体是一种导电度介于决缘材料（导电度非常低）及导体（导电度非常高）之间的材。

若将某些杂质原子掺入相当纯的半导体材料中就会对这半导体材料的特性产生很大的影响。

即使所加的杂质只有千万分之一的程度，却会藉能带结构的改变而使得材料的电气特性完全改观。

经过这种掺杂过程的半导体材料称为外质材料。

在半导体装置的制造上有两种非常重要的外质材料:

n型及p型。

他们也是构成半导体装置的基本单元。

n型材料是当所加的杂质为像锑、砷及磷这种五个价电子的元素。

p型材料是在纯锗或硅晶体中掺入具有三个价电子的杂质原子而形成，如硼、镓合铟。

下面为我们常见二极管的种类和其功用:

[1]稽纳二极管（ZenerDiode）:

稽纳二极管常用来调整电压，而且就像整流二极管一样，在许多电源供应的用途上非常重要。

稽纳二极管是一种硅材料pn接面组件，其与整流二极管的差别在于专门选用其逆向崩溃区。

稽纳二极管的崩溃电压，是在制造时仔细地控制掺杂程度。

[2]变容二极管（VaractorDiodes）:

变容二极管可随电压控制的电容器，其原理为pn接面逆向偏压时，由空乏区两边形成的接面电容。

变容二极管主要用于调谐电路，例如电视的调谐器及其它市售的收音机，均用变容二极管为其零件。

变容二极管在高频范围（由最小的电容量来限定）的应用包括了调频调变器、自动频率控制装置、可调带通滤波器及参数放大器等。

[3]萧基特二极管（SchottkyDiodes）:

萧基特二极管主要应用于高频和高速切换中，它们又称为热载子二极管。

萧基特二极管是由微量掺杂的半导体（通常为n型），与诸如金、银或铂等金属结合而成，因此其接面并非pn接面。

萧基特二极管是一种快速切换二极管，而其应用即着眼于此特性，例如它们可作高频信号的整流作用。

[4]透纳二极管（TunnelDiodes）:

透纳二极管具有一种负电阻的特性，其特性使其在振荡器与微波放大器内非常有用。

透纳二极管是由锗或砷化镓所组成，其p与n型区都比一般二极管掺杂较浓。

因掺杂浓而使其空乏区变窄，同时也能在逆向偏压时导通，所以并无一般二极管的崩溃效应。

[5]功率二极管（PowerDiodes）:

有些二集体是专门为了在高功率及高温下应用工作而设计的。

功率二极管最常备用在整流的过程中，这时交流信号（平均值均零）将被转换成有一平均值（或直流位准）的信号。

当应用在这方面的工作时，二极管通常被称为整流器。

在大电流、高温及PIV额定的要求下，大多数的功率二极管都是以硅质材料制成的。

[６]PIN二极管（PinDiode）:

此类二极管由高掺杂浓度的p型与n型，夹着一层纯半导体区所构成。

PIN可作为由变化快速的偏压所控制的微波开关，或者利用其顺向电阻可变的特性作为调谐组件。

又由于其pn接面无整流作用，所以高频信号可用较低频率的偏压变化来调谐。

PIN二极管又可应用其电流控制电阻的原理，用于衰减器内。

[７]步复式二极管（Step-RecoveryDiode）:

步复式二极管应用了阶梯状的掺杂，使半导体材料内掺杂浓度愈接近pn接面愈低，这会使其顺向切换成逆向偏压时，快速地放出贮存电荷而突然地关闭。

同时也能在由逆向切换成顺向偏压时，迅速地建立起顺向电流。

[８]IMPATT二极管（ImpattDiode）:

IMPATT二极管，这是一种特殊的微波二极管，应用其引起累增崩溃所需的延迟时间或过度时间，来产生副电阻性，通常均用于微波振荡器内。

[９]甘恩二极管（GunnDiode）:

甘恩二极管也是一种负电阻性的微波振荡组件，它们并非由pn接面构成，而是在两金属导体间夹着一层薄的n型砷化镓。

4.2极性：

一般标示线条一方为负极。

５发光二极管ＬＥＤ

　5.1外观：

　ＳＭＴ　ＤＩＰ

５.2种类：

下面为我们常见二极管的种类和其功用：

[１]发光二极管（Light-Emittingdiode（LED））：

发光二极管正如它的名称所示，当它受激时可对外发出可见光。

发光二极管并非以锗或硅所制造，通常系以砷磷化镓或磷化镓所制成。

因所用于制造的材料不同，则其放射光的波长也不同，颜色自然不同。

由砷磷化镓发出的为红色光，而磷化镓则在黄色与绿色之间。

LED主要应用为指示灯与显示器。

[２]光二极管（Photodiodes）：

光二极管是一种半导体pn接面形的装置，它的工作区被局限于逆偏区。

它主要是由p型或n型材料中因热量所产生的少数载子所形成。

光二极管多半用作传感器，如工业上用以检测输送带对象，通过某点的光二极管，用以计数对象。

[３]液晶显示器（Liquid-CrystalDisplays（LCD））：

液晶显示器与LED相比下，它具有低功率工作的优点。

一般LCDN所需要的功率在微瓦的数量级，而同等的LED则需要毫瓦的数量级。

液晶本身是一种能像液体一样流动的材料。

但它的分子结构却具有与固体相通的性质。

目前最常用的两种LCD是场效型与动态散射型。

[４]光导体（PhotoconductiveCells）：

光导体是一种端电阻会随入射光强度变化的两端点半导体装置。

它也常被称为光阻器。

制作光阻器所最常用的材料为硫化镉及硒化镉。

光导体并不像其它光电二极管那样一个接面。

它只是连接在两点间的薄薄一层材料。

[５]红外线发射器（IrEmitters）：

红外线发射气二极管是一种在顺偏压下能产生辐射的砷化镓固态装置。

它的应用范围包括卡片阅读机、纸带阅读机以及防盗警报器。

5.2极性：

　　　　一般ＳＭＴ的ＬＥＤ会标示正极位置，而ＤＩＰ则是以脚的长短来分辨，长脚为正极短脚为负极。

６晶体管

6.1外观

　ＳＭＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＭＴ

　　　　　　　　ＤＩＰ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＤＩＰ

７震荡装置

　7.1外观

ＳＭＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＭＴ

　　　　　ＤＩＰ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＤＩＰ

　ＤＩＰ

　7.2频率辨识：

一般标示方式：

组件本身上所标示的数字即是，单位为MHZ。

如组件上标示50.000其震荡频率即为50.000MHZ。

第1脚

7.3极性：

接脚为2只者无极性之分，但插件作业时统一方向对ＱＣ人员目检时较为方便，对零件方向也有一致性；接脚为4只脚者其组件上标示黑点处即为第1只脚。

８保险丝FUSE

　8.1外观

ＳＭＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＭＴ

ＤＩＰ

　　　　　　　　ＤＩＰ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＤＩＰ

９ＩＣ类

　9.1外观

　　　　　　　ＳＭＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＤＩＰ

　9.2第1脚标示方式

标示方式分：

圆点、圆洞、缺口（角、边）、线条。

缺口PIN1缺边圆洞

　9.3封装方式

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＤＩＰ类

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＭＴ类

１０常用连接装置

　10.1外观

D－ＳＵＢ　１５　ＤＶＩ

ＴＶ接头４ＰＩＮ为S-VIDEO接头ＰＯＷＥＲ　ＪＡＣＫ

　　　　６ＰＩＮ为S-VIDEO+VIDEO接头

　　　　９ＰＩＮ为VIVO接头

１１ＰＩＮ座与短路帽

11.1外观：

　　　　　　２＊８ＰＩＮ座　　　　　　　　　　　　　　　　短路帽

１２　其它